一种卧式圆片陶瓷电容器的制造方法

文档序号:9015621阅读:297来源:国知局
一种卧式圆片陶瓷电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电容器技术领域,特别涉及一种卧式圆片陶瓷电容器。
【背景技术】
[0002]目前,陶瓷介质电容器的数量约占电容器市场的70%左右。陶瓷电容器和其他电容器相比,具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点,在电路中起到隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制等方面的作用。
[0003]现有的圆片陶瓷电容基本是单层,圆片陶瓷电容器从50-6000V普遍应用,各占份额也不小;圆片陶瓷电容器分温度稳定性好的I类陶瓷介质,即高频瓷电容器,和温度性能不稳定的II类陶瓷介质,即低频瓷电容器,常用的小型“高频瓷”电容器的电容量比较小,电容量一般在1-1OOOpF之间,主要用于高频电路;“低频瓷”的圆片陶瓷电容器容量可以做得较大;圆片陶瓷电容器的电容量可以做到零点几微法,广泛用于旁路、滤波、隔直、振荡回路等对温度特性要求不高的场合;陶瓷电容的安规电容也属于圆片陶瓷电容;圆片陶瓷电容耐压强度高,在安规产品上,片式多层陶瓷电容器暂无法替代,但是现有的圆片陶瓷电容普遍采用结构是两个引脚竖直向下延伸,但是存在以下问题:占用体积过大,装配不方便,降低了装配效率;不便于标准化,降低了产品质量。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可缩小体积、便于标准化、便于生产装配、提高产品质量的卧式圆片陶瓷电容器。
[0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种卧式圆片陶瓷电容器,包括芯片和两个引脚,两个所述引脚分别置于所述芯片本体的左右两端,且两个所述引脚靠近所述芯片的一端分别与所述芯片的上下两端的极面固定连接,两个所述引脚靠近所述芯片的一端均与所述芯片封装成电容器本体,两个所述引脚远离所述电容器本体的一端均与所述电容器本体的底面处于同一水平面上。
[0006]本实用新型的有益效果是:两个所述引脚均与所述芯片本体处于同一水平面上,可缩小本装置的体积,便于标准化、便于生产装配、提高产品质量。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型一种卧式圆片陶瓷电容器的结构示意图。
[0008]附图中,各标号所代表的部件列表如下:
[0009]1、芯片,2、引脚,3、电容器本体。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
[0011]如图1所示,一种卧式圆片陶瓷电容器,包括芯片I和两个引脚2,两个所述引脚2分别置于所述芯片本体I的左右两端,且两个所述引脚2靠近所述芯片I的一端分别与所述芯片I的上下两端的极面固定连接,两个所述引脚2靠近所述芯片I的一端均与所述芯片I封装成电容器本体3,两个所述引脚2远离所述电容器本体3的一端均与所述电容器本体3的底面处于同一水平面上。
[0012]两个所述引脚2远离所述电容器本体3的一端均与所述电容器本体3的底面处于同一水平面上,大大缩小了电容器的装配空间,传统立式陶瓷电容器一般的装配高度在12?20mm左右,本装置一般的装配高度只有1.5?4mm左右;
[0013]传统的立式插件手工大概需要2?3秒,本装置应用于整机PCB SMT装配,大概只需要不到I秒时间,大大提高了装配效率;
[0014]本装置采用模具塑胶封装电容本体的方式进行封装,外观尺寸标准统一,基本上100 %提高了其外观尺寸QC直通率。
[0015]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种卧式圆片陶瓷电容器,其特征在于:包括芯片(I)和两个引脚(2),两个所述引脚(2)分别置于所述芯片本体(I)的左右两端,且两个所述引脚(2)靠近所述芯片(I)的一端分别与所述芯片(I)的上下两端的极面固定连接,两个所述引脚(2)靠近所述芯片(I)的一端均与所述芯片(I)封装成电容器本体(3),两个所述引脚(2)远离所述电容器本体(3)的一端均与所述电容器本体(3)的底面处于同一水平面上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种卧式圆片陶瓷电容器,包括芯片和两个引脚,两个所述引脚分别置于所述芯片本体的左右两端,且两个所述引脚靠近所述芯片的一端分别与所述芯片的上下两端的极面固定连接,两个所述引脚靠近所述芯片的一端均与所述芯片封装成电容器本体,两个所述引脚远离所述电容器本体的一端均与所述电容器本体的底面处于同一水平面上。相对现有技术,本实用新型可缩小体积、便于标准化、便于生产装配、提高产品质量。
【IPC分类】H01G4/228
【公开号】CN204668160
【申请号】CN201520419809
【发明人】刘世军
【申请人】刘世军
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年6月17日
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