一种to-220气密性框架结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种Τ0-220气密性框架结构。架。
【背景技术】
[0002]在采用引线框架封装半导体器件的过程中，当芯片放在引线框架的芯片部后需要进行塑封，为了使塑封后的半导体器件具有较强的气密性，目前的引线框架通常在芯片部的边缘开设有沟槽，并在沟槽内侧设有密封槽，沟槽以及密封槽的设置可以增强引线框架与塑封料的结合强度，从而使半导体器件具有一定的气密性能。但是目前一般设计的改外形的引线框架，塑封料与引线框架的结合力不牢固，气密性不够好，在浸泡、电镀以及切筋成型等工序维持不具有更好的抗冲击力，不能有效保证产品的可靠性。
[0003]有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研宄创新，以期创设一种新型结构的Τ0-220气密性框架结构，使其更具有产业上的利用价值。
【实用新型内容】
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种本实用新型的目的在于解决现有技术的缺陷，提供一种防水密封性好以及抗冲击力强的Τ0-220防水密封引线框架。
[0005]本实用新型的技术方案如下:
[0006]一种Τ0-220气密性框架结构，包括芯片安装部，所述芯片安装部一端连接有散热片，所述散热片上设置有一圆形安装孔，所述芯片安装部另一端焊接有框架引线，其特征在于:所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽，背面设置有第一凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。
[0007]进一步的，所述第一凹槽长3.3mm宽0.9mm，所述第二凹槽长3.0mm宽0.7mm。
[0008]进一步的，所述芯片安装部上边框、左边框以及右边框设置有斜角。
[0009]进一步的，所述斜角的角度为15°。
[0010]进一步的，所述斜角的深度为0.16 ±0.02mm。
[0011]进一步的，所述芯片安装部上设置有第一正方形和第二正方形，其中所述第二正方形位于所述第一正方形内部。
[0012]进一步的，所述第一正方形和第二正方形间距为0.1mm。
[0013]进一步的，所述第一正方形和第二正方形的压痕深度为0.16mm±0.02。
[0014]借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点:
[0015](I)设置的第一凹槽和第二凹槽可以是颈部更好的跟塑料结合，并减少切筋切除散热固定部多余的铜材传来应力的影响。
[0016](2)增大了组装面积，有原来的最大组装为宽6.0mm高4.5mm的最大芯片面积，改变后可以增加到宽6.5mm高4.7mm的最大芯片面积。
[0017]上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0018]图1本使用新型结构示意图；
[0019]图2本使用新型上颈放大示意图；
[0020]图3本使用新型上边框、左边框以及右边框斜角示意图；
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0022]参见图1，本实用新型一较佳实施例所述的一种一种T0-220气密性框架结构，包括芯片安装部1，所述芯片安装部I 一端连接有散热片2，所述散热片2上设置有一圆形安装孔3，所述芯片安装部I另一端焊接有框架引线4，所述芯片安装部上颈5正面设置有第一凹槽502和第二凹槽501，背面设置有第一凹槽502，所述第二凹槽501设置在所述第一凹槽502内，参见图2，其中第一凹槽502长3.3mm宽0.9mm，所述第二凹槽501长3.0mm宽0.7mm。参见图3，芯片安装部I上边框、左边框以及右边框设置有斜角103，其中斜角的角度为15°，斜角的深度为0.16±0.02mm。芯片安装部I上设置有第一正方形101和第二正方形102，其中所述第二正方形102位于所述第一正方形101内部，第一正方形101和第二正方形102间距为0.1mm，第一正方形101和第二正方形102的压痕深度为0.16mm±0.02。
[0023]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种T0-220气密性框架结构，包括芯片安装部，所述芯片安装部一端连接有散热片，所述散热片上设置有一圆形安装孔，所述芯片安装部另一端焊接有框架引线，其特征在于:所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽，背面设置有第一凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。2.根据权利要求1所述的一种Τ0-220气密性框架结构，其特征在于:所述第一凹槽长3.3mm宽0.9mm,所述第二凹槽长3.0mm宽0.7mm。3.根据权利要求1所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述芯片安装部上边框、左边框以及右边框设置有斜角。4.根据权利要求3所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述斜角的角度为 15。ο5.根据权利要求3所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述斜角的深度为 0.16±0.02mm。6.根据权利要求1所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述芯片安装部上设置有第一正方形和第二正方形，其中所述第二正方形位于所述第一正方形内部。7.根据权利要求6所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述第一正方形和第二正方形间距为0.1_。8.根据权利要求7所述的一种T0-220气密性框架结构，其特征在于:所述第一正方形和第二正方形的压痕深度为0.16mm±0.02。
【专利摘要】本实用新型涉及一种TO-220气密性框架结构，包括芯片安装部，所述芯片安装部一端连接有散热片，所述散热片上设置有一圆形安装孔，所述芯片安装部另一端焊接有框架引线，其特征在于：所述芯片安装部上颈正面设置有第一凹槽和第二凹槽，背面设置有第一凹槽，所述第二凹槽设置在所述第一凹槽内。本实用新型设置的第一凹槽和第二凹槽可以是颈部更好的跟塑料结合，并减少切筋切除散热固定部多余的铜材传来应力的影响；增大了组装面积，有原来的最大组装为宽6.0mm高4.5mm的最大芯片面积，改变后可以增加到宽6.5mm高4.7mm的最大芯片面积。
【IPC分类】H01L23/495
【公开号】CN204668294
【申请号】CN201520228628
【发明人】诸建周, 汤为
【申请人】无锡罗姆半导体科技有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年4月15日