(Y3A15012:Ce，YAG)。
[0037]在本实用新型的部分实施例中，荧光胶层230与发光单元210之间有多个粘合胶层，且这些粘合胶层的折射率互不相同。
[0038]请参阅图3，图3为根据本实用新型其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。如图3所示，发光二极管封装结构300包含发光单元310，发光单元310为图1所示的发光二极管晶片100，其以覆晶方式封装。在本实用新型的其他部分实施例中，发光单元可为非覆晶型发光二极管晶片。粘合胶层320覆盖发光单元310，以及荧光胶层330覆盖粘合胶层320。
[0039]粘合胶层320因与发光单元310以及荧光胶层330之间均具有良好粘附性，因此能提升发光二极管封装结构300的稳定性。
[0040]此外，粘合胶层320与荧光胶层330的折射率不同，发光单元310产生的光线在通过粘合胶层320与荧光胶层330的接触面时，会产生折射现象。由于荧光胶层330的折射率小于粘合胶层320，光线在通过接触面时会偏离法线，使得发光角度变大并达到更均匀的照度。此外，更可使光线，如蓝光，发出的比例变高。
[0041]荧光胶层330具有粗糙化表面332，因荧光胶层330与空气间折射率差异大，导致光线由荧光胶层330进入空气时容易产生全反射，大幅降低光萃取率。粗糙化表面332则能破坏并降低光线从荧光胶层330进入空气时产生全反射的机会，引导光线进入空气中以增加光萃取率，进一步使光线发出的比例变高。其中，对荧光胶层330的上表面进行压印或微影蚀刻的方式来得到粗糙化表面332。在本实用新型的部分实施例中，压印可使用热压或冷压方式来形成粗糙化表面332。
[0042]请参阅图4，图4为根据本实用新型其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构剖视图。如图4所示，发光二极管封装结构400包含发光单元410，发光单元410为图1所示的发光二极管晶片100，其以覆晶方式封装。在本实用新型的其他部分实施例中，发光单元可为非覆晶型发光二极管晶片。粘合胶层420覆盖发光单元410，以及荧光胶层430覆盖粘合胶层420。
[0043]荧光胶层430具有粗糙化表面432，此粗糙化表面432具有周期性的凹凸结构，通常又称作光子晶体。光子晶体能修正入射光线的角度，当入射角小于临界角时，光线能由荧光胶层430进入空气中，大幅减少全反射发生的机会，并提升光萃取率，使光线发出的比例变高。其中，对荧光胶层430的上表面进行压印或微影蚀刻的方式来得到粗糙化表面432。在本发明的部分实施例中，压印可使用热压或冷压方式来形成粗糙化表面432。
[0044]请继续参阅图5，图5为根据本实用新型其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构剖视图。如图5所示，发光二极管封装结构500包含发光单元510，发光单元510为图1所示的发光二极管晶片100，其以覆晶方式封装。在本实用新型的其他部分实施例中，发光单元510可为非覆晶型发光二极管晶片。粘合胶层520覆盖发光单元510，以及荧光胶层530覆盖粘合胶层520。
[0045]粘合胶层520与荧光胶层530的接触面具有粗糙化表面522，粗糙化表面522能破坏或降低光从粘合胶层520进入荧光胶层530时产生全反射的机会，而能引导光进入荧光胶层530并增加发光角度，更增加了光线的出光比例。其中，对粘合胶层520的上表面进行压印或微影蚀刻的方式来得到粗糙化表面522。在本发明的部分实施例中，压印可使用热压或冷压方式来形成粗糙化表面522。
[0046]在本实用新型的部分实施例中，粗糙化表面522为具有周期性凹凸结构的光子晶体。
[0047]在本实用新型的其他部分实施例中，荧光胶层530的上表面也为粗糙化表面，其能引导光由荧光胶层530进入空气中以增加光萃取率。在本实用新型的其他部分实施例中，荧光胶层530的粗糙化表面为具有周期性凹凸结构的光子晶体。
[0048]图6为根据本实用新型部分实施方式的发光二极管封装结构200的制备方法流程图。请先参阅步骤610，先提供发光单元210，发光单元210为图1所示的发光二极管晶片100，其以覆晶方式封装。
[0049]接着执行步骤620，点胶使粘合胶覆盖发光单元210，并形成粘合胶层220。粘合胶层220选用折射率介于1.5至1.7之间的透明材料，如环氧树脂、苯基硅、或其组合。
[0050]最后执行步骤630，点胶使荧光胶覆盖发光单元210，并形成荧光胶层230，其中荧光胶层230的折射率小于粘合胶层220的折射率。荧光胶层230的折射率则介于1.4至1.49之间，其中焚光胶层230包含娃胶以及焚光粉分散于娃胶中。
[0051]在本实用新型的部分实施例中，发光单元210为蓝光发光二极管(发光波段440nm_475nm)、红光发光二极管(发光波段610nm_660nm)、绿光发光二极管(发光波段500nm-535nm)、琥I自光发光二极管晶片(发光波段580nm_600nm)或紫外光发光二极管(发光波段360nm-400nm)。在本实用新型的部分实施例中，荧光粉为黄光荧光粉、绿光荧光粉、红光荧光粉、或其组合。
[0052]在本实用新型的部分实施例中，发光单元210为蓝光发光二极管晶片或紫外光发光二极管晶片，而荧光粉为黄色荧光粉。蓝光或紫外光与荧光粉激发后产生的黄光混成后形成白光，其中黄色荧光粉为钇铝石榴石荧光粉(Y3A15012:Ce，YAG)。
[0053]由上述本实用新型实施例可知，本实用新型具有下列优点。本实用新型所公开的发光二极管封装结构具有粘合胶层，其与发光单元以及与荧光胶层之间的粘附性良好，因而能提升发光二极管封装结构的稳定性，使荧光胶层不易于运作时剥落。此外，粘合胶层的折射率大于荧光胶层。光线由折射率大的介质进入折射率小的介质时产生发散，而能得到更大的出光角度，产生的光源更为均匀。
[0054]另一方面，更能对荧光胶层的表面，或荧光胶层与粘合胶层间的接触面进行压印或微影蚀刻来得到粗糙化表面。粗糙化表面能破坏并降低光线进入不同介质时产生全反射的机会，使大部分的光线能由发光二极管封装结构进入空气，大幅增加光萃取率。
[0055]虽然本实用新型已以实施例公开如上，然其并非用来限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，可作各种的选择和修改，因此本实用新型的保护范围由权利要求书及其等同形式所限定。
【主权项】
1.一种发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光二极管的封装结构包含: 发光单元； 粘合胶层，其覆盖所述发光单元；以及 荧光胶层，其覆盖所述粘合胶层，其中所述粘合胶层的折射率大于所述荧光胶层的折射率。2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层与所述发光单元之间具有多个粘合胶层，所述多个粘合胶层的折射率互不相同。3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述粘合胶层的折射率介于1.5至1.7之间。4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层的折射率介于1.4至1.49之间。5.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层包含硅胶以及荧光粉，所述荧光粉分散于所述硅胶中。6.如权利要求5所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述发光单元为发光波段为440nm至475nm的蓝光发光二极管晶片或发光波段为360nm至400nm的紫外光发光二极管晶片，而所述荧光粉为钇铝石榴石荧光粉(Y3Al5O12: Ce，YAG)。7.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层具有粗糙化表面。8.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述粗糙化表面位于所述荧光胶层的上表面。9.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述粗糙化表面位于所述荧光胶层以及所述粘合胶层之间的接触面上。10.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，所述粗糙化表面具有光子晶体结构。
【专利摘要】本实用新型公开了一种发光二极管封装结构，包含发光单元；粘合胶层，其覆盖该发光单元；以及荧光胶层，其覆盖该粘合胶层，其中粘合胶层的折射率大于荧光胶层的折射率。本实用新型提供的发光二极管封装结构具有与发光单元以及与荧光胶层之间粘附性良好的粘合胶层，因而能提升发光二极管封装结构的稳定性。此外，粘合胶层的折射率大于荧光胶层，而能得到更大的出光角度，产生的光源更为均匀。
【IPC分类】H01L33/50, H01L33/56, H01L33/48
【公开号】CN204927325
【申请号】CN201420869040
【发明人】翁茂证, 林苏宏, 林良达
【申请人】萨摩亚商天兆有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年12月31日