刻，将台面凹面区域刻开，经过湿法腐蚀去除氧化层后，再进行硅腐蚀，形成台面凹面和台面凸点，硅腐蚀的台面凹面深度比第二次硼杂质注入的深度要深；高温氧化、推结同时进行，在腐蚀的台面表面生长厚的氧化层，并在终端形成厚的氧化层，台面凸点P型区硼推结的结深要大于台面凹面的深度，形成台面凸点P型区；使用第二次光刻用的光刻版进行第四次光刻，将内部源区刻开，经过湿法腐蚀，将内部源区的台面凹面、台面凸点的表面的氧化层全部腐蚀去除；通过溅射势皇金属，经过势皇金属合金，在台面凸点P型区间形成肖特基势皇结，再在表面进行金属蒸发形成金属层，经过金属层光刻、腐蚀，形成正面阳极金属层及边缘金属场板；将硅单晶基片底部减薄，再进行背面金属蒸镀形成阴极金属层，整个肖特基器件结构形成。
[0028]实施例5:
[0029]根据实施例1-4所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是：附图2中的30曲线为硼注入后硼杂质的分布边缘，呈直线，台面凸点边缘与中心硼离子浓度相同、深度相同；而31曲线、32曲线、33曲线、34曲线为随推结时间增加，台面凸点的P型区的硼杂质边界分布；随着推结时间的增加，台面凸点的中心与边缘的推结深度相差越来越大，且当结深超过台面凹面后，横向扩散的长度也低于纵向的扩散深度，形成倒置的“小蘑菇”形状，这比同等情况下的常规JBS肖特基器件的P型岛区的横向扩散长度小；附图3示出了管芯尺寸同为55mil、钛金属为势皇金属的150V肖特基产品，采用本实用新型的一种含定向扩散结的肖特基器件与传统JBS肖特基器件及传统普通肖特基器件的反向V-I曲线的比较图；该图为图示仪测试的反向V-I曲线，使用本实用新型的肖特基器件反向击穿曲线23与传统JBS肖特基器件反向击穿曲线24及传统普通肖特基器件反向击穿曲线25的测试曲线图比较；其中，传统普通肖特基的反向漏电流IR随方向击穿电压VR的增加而快速增加，且增加幅度逐渐增加；而本实用新型的肖特基器件反向漏电IR与传统的JBS肖特基器件，反向漏电流IR随反向电压VR的增加而缓慢增加，呈现饱和趋势，两者在数值上相当；采用本实用新型的肖特基器件反向特性与传统JBS肖特基器件反向性能无明显差异，两者较传统普通肖特基器件的反向漏电流IR要低；图4示出了使用相同版图尺寸为55mil、钛金属为势皇金属的150V肖特基产品，采用本实用新型的一种含定向扩散结的肖特基器件与传统JBS肖特基器件正向I-V曲线比较图；该图为图示仪测试的正向I-V曲线，使用本实用新型的肖特基器件正向导通曲线21与传统JBS肖特基器件正向导通曲线22的测试曲线比较图，本实用新型的肖特基势皇器件正向饱和压降VF比传统的JBS肖特基器件正向饱和压降VF低，约低9%，在IF=2A时，本实用新型的肖特基器件正向饱和压降VF比传统的JBS肖特基器件正向饱和压降VF低52mV;采用本实用新型的肖特基器件VF性能存在明显竞争优势。
【主权项】
1.一种含定向扩散结的肖特基器件，其组成包括:硅单晶基片，其特征是:所述的硅单晶基片上具有外延层，所述的外延层上设置有肖特基势皇区，所述的肖特基势皇区与一组台面凸点P型区配合，所述的肖特基势皇区上部装有阳极金属层，所述的阳极金属层两侧设置有金属场板，所述的阳极金属层两侧与厚氧化层连接，所述的厚氧化层下部装有P+环，所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层。2.根据权利要求1所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是:所述的硅单晶基片为重掺杂的N型硅单晶基片，所述的外延层为低掺杂的N-外延层，所述的肖特基势皇区设置有台面凹面，所述的台面凸点P型区和所述的肖特基势皇区共同形成整流结。3.根据权利要求1所述的含定向扩散结的肖特基器件，其特征是:所述的台面凸点P型区为硼杂质注入后经过高温扩散形成，所述的台面凸点P型区结深比所述的肖特基势皇区的台面凹面深度深，但低于所述的P+环的结深，所述的台面凸点P型区的硼浓度从上向下逐渐降低，且在同水平线方向上，表面浓度低于体内浓度，呈倒置的“小蘑菇”状；所述的肖特基势皇区为所述的外延层刻蚀形成的台面凹面，凹面表面浓度与所述的外延层的掺杂浓度相同。
【专利摘要】<b>含定向扩散结的肖特基器件。</b><b>P</b><b>型岛区将占用</b><b>15%</b><b>以上的肖特基势垒区面积，影响</b><b>JBS</b><b>肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的</b><b>JBS</b><b>肖特基器件。本实用新型组成包括：硅单晶基片（</b><b>1</b><b>），所述的硅单晶基片上具有外延层（</b><b>2</b><b>），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（</b><b>3</b><b>），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点</b><b>P</b><b>型区（</b><b>4</b><b>）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（</b><b>8</b><b>），所述的阳极金属层两侧设置有金属场板（</b><b>6</b><b>），所述的阳极金属层两侧与厚氧化层（</b><b>7</b><b>）连接，所述的厚氧化层下部装有</b><b>P+</b><b>环（</b><b>5</b><b>），所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层（</b><b>9</b><b>）。本实用新型用于制造含定向扩散结的肖特基器件。</b>
【IPC分类】H01L29/06, H01L29/872
【公开号】CN204966511
【申请号】CN201520792159
【发明人】洪旭峰, 王锰
【申请人】上海芯石微电子有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年10月14日