一种膜箔式有感电容器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种膜箔式有感电容器。
【背景技术】
[0002]膜箔式有感电容器通常采用铝箔与薄膜、引线点焊卷绕而成。目前，传统的卷绕模式为:引线与铝箔焊接时，引线的头部伸出铝箔边缘0.5-1_，并点焊于铝箔上，如图1所不ο
[0003]现有的这种膜箔式有感电容器，在经芯编、热压后测试容量后，出现较多半容量的电容器(即“半容”)，解剖该类电容器，发现其铝箔从引线与铝箔点焊处断裂，导致引线只与铝箔的一半接触牢固，引线与铝箔的另一半分接触不牢固或分离，使电容器容量测不准或为标称容量的一半。并且，由于铝箔断裂后两端的铝箔时而接触、时而不接触，因此也造成了分选机不能将该类半容量隐患的产品完全剔除，给客户造成了潜在的质量隐患。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种膜箔式有感电容器，主要解决现有的膜箔式有感电容器容易出现半容、且出现半容后难以被分选机剔除的问题。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:
[0006]—种膜箔式有感电容器，包括铝箔，垫在该铝箔下方的内包膜，垫在该内包膜下方的外包膜，以及同时焊接在铝箔表面上的第一引线和第二引线，所述第一引线的头部位于铝箔内，并距离铝箔宽度方向的边缘0.5-2_，同时，该第一引线头部为扁平结构，其横截面为“Τ”形。
[0007]进一步地，所述外包膜内部还设有PET膜。
[0008]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0009](1)本实用新型将引线的头部缩短，并使其距离铝箔宽度方向的边缘0.5-2mm，然后头部设置为扁平结构，并且横截面为“T”形，如此一来，便可使热压时，铝箔宽度方向上有l-2mm不接触引线，从而消除了铝箔由于受到挤压造成的断裂，进而彻底解决了电容器的半容问题，大幅提高了电容器的合格率，并且在分选时也无需再担心无法剔除半容量电容器的问题，从而很好地消除了对客户潜在的质量隐患。
[0010](2)本实用新型在外包膜内设置了 PET膜，可使整个电容器具备优良的耐热、耐寒性和良好的耐化学药品性和耐油性。
[0011](3)本实用新型构思巧妙、设计合理、使用方便，很好地节约了引线的成本。
【附图说明】
[0012]图1为现有电容器的展开结构示意图。
[0013]图2为本实用新型的展开结构示意图。
[0014]图3为引线的横截面示意图。
[0015]其中，附图标记对应的零部件名称为:
[0016]1-外包膜，2-PET膜，3-内包膜，4_铝箔，5_第一引线，6_第二引线。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
实施例
[0018]如图2、3所示，本实用新型提供了一种新型的膜箔式有感电容器，其包括铝箔4，垫在该铝箔4下方的内包膜3，垫在该内包膜3下方的外包膜1，以及同时焊接在铝箔4表面上的第一引线5和第二引线6。
[0019]作为本实用新型的主要创新点，所述第一引线5的头部位于铝箔内，并距离铝箔宽度方向的边缘0.5-2_，同时，该第一引线5头部为扁平结构，其横截面为“T”形。
[0020]此外，所述的外包膜1内部还设有PET膜2，可使整个电容器具备优良的耐热、耐寒性和良好的耐化学药品性和耐油性。
[0021]经过多次试验，本实用新型在改进前，其半容比例为4.35%，改进后未出现半容量问题。
[0022]本实用新型通过改进膜箔式有感电容器的结构，彻底解决了电容器的半容问题，大幅提高了电容器的合格率，消除了对客户潜在的质量隐患。因此，相比现有技术来说，本实用新型具有实质性的特点和进步。
[0023]上述实施例仅为本实用新型的优选实施例，并非对本实用新型保护范围的限制，但凡采用本实用新型的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种膜箔式有感电容器，包括铝箔(4)，垫在该铝箔(4)下方的内包膜(3)，垫在该内包膜(3)下方的外包膜(1)，以及同时焊接在铝箔(4)表面上的第一引线(5)和第二引线(6)，其特征在于，所述第一引线(5)的头部位于铝箔内，并距离铝箔宽度方向的边缘0.5-2mm，同时，该第一引线(5)头部为扁平结构，其横截面为“T”形。2.根据权利要求1所述的一种膜箔式有感电容器，其特征在于，所述外包膜(1)内部还设有PET膜(2)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种膜箔式有感电容器，包括铝箔，垫在该铝箔下方的内包膜，垫在该内包膜下方的外包膜，以及同时焊接在铝箔表面上的第一引线和第二引线，所述第一引线的头部位于铝箔内，并距离铝箔宽度方向的边缘0.5-2mm，同时，该第一引线头部为扁平结构，其横截面为“T”形。本实用新型构思巧妙、设计合理、使用方便，彻底解决了电容器的半容问题，大幅提高了电容器的合格率，消除了对客户潜在的质量隐患。
【IPC分类】H01G4/224, H01G4/228
【公开号】CN204991476
【申请号】CN201520768818
【发明人】陈安富, 游天胜, 谢静
【申请人】四川中星电子有限责任公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年9月30日