专利名称：芯片启动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及电路技术领域，更具体地涉及一种芯片启动电路。
背景技术：
芯片(如电源控制芯片等)是集成电路的核心组成部分，芯片的正常运行对保证电路的整体工作效果有着重要的作用。随着芯片的广泛应用，人们对芯片的启动要求越来越高，如要求启动时间快、损耗低及成本低等，而更为重要的是要求芯片启动过程满足一定的稳定性，以保证芯片的正常启动和稳定运行。现有技术通常采用如图I所示的启动电路，其包括开关管Q0，该电路的开关管QO选用金属氧化物半导体场效应管(M0S管)，M0S管QO的栅极和漏极分别经第一电阻Rl和第 二电阻R2与输入电源VIN相连，MOS管QO的栅极和源极分别经第一稳压管Zl和第一电容Cl接地，其中MOS管QO的栅极与第一稳压管Zl的阴极相连，所述第一电容Cl的电压VCC即可作为芯片的启动电源；芯片的启动电源VCC同时还连接一辅助电源，该辅助电源包括辅助绕组M和第一二极管D1，其中启动电源VCC与第一二极管Dl的阴极相连，第一二极管Dl的阳极通过辅助绕组M接地。在上述启动电路中，输入电源VIN启动瞬间，由于稳压管Zl的稳定电压的存在，MOS管QO导通，输入电源VIN经第二电阻R2和MOS管QO为第一电容Cl充电，第一电容Cl的电压VCC不断升高，当达到芯片的启动电压值后，芯片开始工作。芯片启动后，由其控制的辅助绕组M开始工作，此后由辅助电源直接为芯片供电。MOS管QO栅极电压为第一稳压管Zl的稳压值，而其源极电压随第一电容Cl的电压的增大而不断增大，导致MOS管QO栅、源极的压降不断减小，当该压降小于MOS管QO的开启电压时，MOS管QO关断，从而切断第二电阻R2，达到降低损耗的效果。如上所述的芯片启动电路虽然能降低损耗，但是却存在启动不稳定的问题芯片的启动电源VCC刚达到芯片的启动电压值时，MOS管QO由于其栅、源极的压降小于MOS管QO的开启电压而截止从而切断充电电路，这样导致启动电源VCC在其启动电压值处的时间极短，如果芯片在该短暂的时间内未启动，或者是辅助绕组M未能及时继续为芯片供电，易出现芯片启动不稳定的情况。
发明内容
本发明的目的是提供一种可实现稳定启动的芯片启动电路以解决现有芯片启动电路所存在的因启动电源在芯片的启动电压处时间极短，而辅助电源不够及时为芯片供电所导致的芯片启动不稳定的技术问题。为了实现本发明的目的，本发明所采用的技术方案为提供一种芯片启动电路，其包括充电模块、辅助电源及第一延时模块，所述充电模块包括输入电源、充电控制电路和第一电容，所述充电控制电路连接在输入电源和第一电容之间以控制输入电源对所述第一电容充电，所述第一电容的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源，所述辅助电源与第一启动电源相连且受控于所述第一芯片而为所述第一芯片供电，所述第一启动电源为第一延时模块供电，所述第一延时模块输出至充电控制电路以延迟切断充电模块。其进一步技术方案为所述第一延时模块包括第一延时电路和第一开关电路；第一延时电路包括第三二极管、第三电阻、第四电阻、第三电容和第三稳压管，该第一延时电路的输入电压为第一启动电源，该输入电压与第三二极管的阴极相连，第三二极管的阳极依次经第三电阻和第三电容接地，第四电阻并联在由第三二极管和第三电阻所组成的支路的两端，第三稳压管的阴极连接于第三电阻和第三电容的连接点上；第一开关电路包括第一开关管，该第一开关管的基极与第三稳压管的阳极相连，其集电极与开关管的栅极相连，其发射极接地。其进一步技术方案为所述充电控制电路包括第一电阻、第二电阻、开关管、第二二极管和第二稳压管，其中开关管的栅极和漏极分别经第一电阻和第二电阻与输入电源相连，开关管的栅极与第二稳压管的阴极相连，开关管的源极与第二二极管的阳极相连，第二二极管的阳极与第二稳压管的阳极相连，第二二极管的阴极经第一电容接地，所述第一电容的两端还并联有一第四稳压管，该第四稳压管的阳极接地；所述辅助电源包括辅助绕 组和第一二极管，其中第一二极管的阴极与第一启动电源相连，第一二极管的阳极经辅助绕组接地。其进一步技术方案为所述充电控制电路还包括第二开关管和第六电阻，所述第六电阻一端与开关管的源极相连，另一端与第二二极管的阳极相连，所述第二开关管的集电极与开关管的栅极相连，第二开关管的基极与开关管的源极相连，第二开关管的发射极与第二稳压管的阳极相连。其进一步技术方案为所述第一延时模块还包括第五电阻，所述第五电阻连接于所述第一开关管的基极和发射极之间。其进一步技术方案为还包括第二延时模块，所述第二延时模块包括第二延时电路、第二开关电路和第五电容，其中第二延时电路和第二开关电路均连接至所述第一启动电源，所述第二开关电路连接在第二延时电路和第五电容之间以控制第一启动电源对所述第五电容充电，所述第五电容的电压形成用于启动第二芯片的第二启动电源。其进一步技术方案为所述第二延时电路包括第七电阻、第四电容和第五稳压管，该第二延时电路的输入电压为第一启动电源，所述第一启动电源依次经第七电阻和第四电容接地，第五稳压管的阴极连接于第七电阻和第四电容的连接点上；所述第二开关电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第三开关管和第四开关管，第八电阻连接在第三开关管的基极和发射极之间，第三开关管的发射极与第一启动电源相连，第三开关管的基极经第九电阻与第四开关管的集电极相连，第四开关管的发射极接地，所述第四开关管的基极经第十一电阻与第五稳压管的阳极相连；所述第五电容连接于第三开关管的集电极与第四开关管的发射极之间。其进一步技术方案为所述第二延时模块还包括第十电阻，所述第十电阻连接于所述第四开关管的基极和发射极之间。其进一步技术方案为所述第二延时模块还包括第四二极管，所述第四二极管的阳极与第一启动电源相连，其阴极与第三开关管的发射极相连。其进一步技术方案为所述开关管为N型MOS管。
与现有技术相比，本发明所提供的芯片启动电路通过增设一第一延时模块来延长输入电源的供电时间，由于第一启动电源在芯片的启动电压值处得到第一延时模块的延迟作用，辅助电源有足够的启动时间及时启动并为芯片供电，避免产生现有技术所存在的芯片启动不稳定的问题。此外，第一延时模块所产生的延迟时间是可控的，可通过选择合适的电路元器件的参数值来调节延迟时间，这样也解决了现有技术中启动时间不可控的技术缺陷。通过以下的描述并结合附图，本发明将变得更加清晰，这些附图用于解释本发明的实施例。
图I是现有的芯片启动电路的电路图；图2是本发明芯片启动电路第一实施例的电路方框图； 图3是图2所示第一实施例的具体电路图；图4是本发明芯片启动电路第二实施例的电路方框图；图5是图2所示第二实施例的具体电路图。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。图2和图3展示了本发明芯片启动电路的第一实施例。参见图2，本实施例所提供的芯片启动电路包括充电模块11、辅助电源12及第一延时模块13。其中，充电模块11包括输入电源VIN、充电控制电路111和第一电容Cl，所述充电控制电路111连接在输入电源VIN和第一电容Cl之间以控制输入电源VIN对所述第一电容Cl充电,所述第一电容Cl的电压形成用于启动第一芯片(图未不)的第一启动电源VCC1,所述辅助电源12与第一启动电源VCCl相连且受控于所述第一芯片而为所述第一芯片供电，所述第一启动电源VCCl同时还为第一延时模块13供电，所述第一延时模块13输出至充电控制电路111以延迟切断充电模块11。具体地，参见图3，所述充电控制电路111包括第一电阻Rl、第二电阻R2、开关管Q0、第二二极管D2及第二稳压管Z2。在本实例中，开关管QO选用MOS管，开关管QO的栅极和漏极分别经第一电阻Rl和第二电阻R2与输入电源VIN相连，开关管QO的栅极与第二稳压管Z2的阴极相连，开关管QO的源极与第二二极管D2的阳极相连，第二二极管D2的阳极与第二稳压管Z2的阳极相连，第二二极管D2的阴极经第一电容Cl接地，为了使第一芯片的第一启动电源VCCl更为稳定，在第一电容Cl两端并联有第四稳压管Z4，该第四稳压管Zl的阳极接地。所述辅助电源12用于在芯片启动后为芯片供电以维持芯片的正常工作。本实施例的辅助电源12包括辅助绕组M和第一二极管D1，其中第一二极管Dl的阴极与第一启动电源VCCl相连，第一二极管Dl的阳极经辅助绕组M接地。
所述第一延时模块13包括第一延时电路131和第一开关电路132。其中，第一延时电路131包括第三二极管D3、第三电阻R3、第四电阻R4、第三电容C3和第三稳压管Z3，该第一延时电路131的输入电压为第一启动电源VCC1,该输入电压与第三二极管D3的阴极相连，第三二极管D3的阳极依次经第三电阻R3和第三电容C3接地，第四电阻R4并联在由第三二极管D3和第三电阻R4所组成的支路的两端，第三稳压管Z3的阴极连接于第三电阻R3和第三电容C3的连接点上。而第一开关电路132包括第一开关管Q1，该第一开关管Ql的基极与第三稳压管Z3的阳极相连，其集电极与开关管QO的栅极相连，其发射极接地。基于上述电路设计的芯片启动电路的工作原理如下在充电控制电路111接入输入电源VIN的瞬间，第二稳压管Z2钳位的稳定电压使开关管QO导通，输入电源VIN经第二电阻R2和开关管QO为第一电容Cl充电,第一电容Cl的电压(即第一启动电源VCC1)升高并稳定于第四稳压管Z4的稳压值，由于第四稳压管Z4的稳压值大于第一芯片的启动电压值，第一芯片可正常启动；同时第一启动电源VCCl通过第四电阻R4为第三电容C3充电，第三电容C3的电压不断增大至第三稳压管Z3导通并使第一开关管Ql基极和发射极之间的电压大于第一开关管Ql的开启电压，从而使第一开关管Ql导通而拉低开关管QO的集电极 电压进而关断开关管Q0，切断充电模块11而降低整个电路的损耗。其中，第一延时模块13使芯片的第一启动电源VCCl在达到第四稳压管Z4的稳压值时会稳定一段时间，这样辅助绕组M有足够的时间启动并为芯片供电，使芯片的启动过程更为稳定，从而解决了现有技术中因启动电源VCC在芯片的启动电压处时间极短，而辅助绕组M不能及时启动为芯片供电产生的芯片启动不稳定的问题。同时第一延时模块13的延迟时间是可控的，可通过选择合适的电阻、电容和稳压管的值来调节延迟时间，这样也解决了现有技术中启动时间不可控的技术缺陷。在上述芯片启动电路正常工作时，如果没有第二二极管D2的存在，则第一启动电源VCCl的电压会经第二稳压管Z2和第一开关管Ql后接地，这样第一启动电源VCCl的电压会拉到地，因此，第二二极管D2的设置可有效地避免了上述现象。第三电容C3的电量经由第四电阻R4和阻值很小的第三电阻R3放电，由于第三电阻R3的阻值很小，其串联的第三二极管D3有效地保证了第三电阻R3仅在第三电容C3放电过程中导通，这样使放电过程速度加快。第三电容C3的电量消耗至小于第三稳压管Z3的稳压值后，第三稳压管Z3关断，使第一开关管Ql关断，进而使开关管QO的栅极电压不再被拉低，回到初始状态。在上述充电控制电路111中开关管QO为重要器件，若出现过流的情况，开关管QO极易损坏。为了能有效地保护该开关管Q0，本实施例在该部分电路中还增设有第二开关管Q2和第六电阻R6以组成开关管QO的过流保护电路。其中，所述第二开关管Q2选用三极管，所述第六电阻R6 —端与开关管QO的源极相连，另一端与第二二极管D2的阳极相连，所述第二开关管Q2的集电极与开关管QO的栅极相连，第二开关管Q2的基极与开关管QO的源极相连，第二开关管Q2的发射极与第二稳压管Z2的阳极相连。在该充电控制电路111正常工作时，由于开关管QO的源极电流较小，第六电阻R6两端的电压，即第二开关管Q2的基极与发射极的电压，较小还不能达到其启动电压，故第二开关管Q2关断；当出现过大电流时，第六电阻R6两端的电压会急剧增加，使第二开关管Q2导通，进而关断开关管Q0，达到保护开关管QO的作用。在某些电路中，往往会使用多个芯片，由于各个芯片的工作顺序不一致，故需在不同的时刻为不同的芯片提供启动电源，为此本发明的第二实施例提供了一种能提供不同时序的芯片启动电路。参见图4，本实施例的芯片启动电路可用于先后启动不同时序要求的芯片(分别为第一芯片和第二芯片)，该芯片启动电路除了包括第一实施例中的充电模块11、辅助电源12和第一延时模块13外,还增设了第二延时模块14。在本实施例中,仍由充电模块11中的第一电容Cl的电压作为第一启动电源VCCl以启动第一芯片,上述与第一实施例类似的电路结构在此不再赘述。本实施例所增设的第二延时模块14用于启动第二芯片，该第二延时模块14包括第二延时电路141、第二开关电路142和第五电容C5，其中第二延时电路141和第二开关电路142均连接至所述第一启动电源VCC1，所述第二开关电路142连接在第二延时电路141和第五电容之间以控制第一启动电源VCCl对所述第五电容充电,所述第五电容C5的电压形成用于启动第二芯片的第二启动电源VCC2。
具体地，参见图5，所述第二延时电路141包括第七电阻R7、第四电容C4和第五稳压管Z5。该第二延时电路141的输入电压为第一芯片的第一启动电源VCC1,所述第一启动电源VCCl依次经第七电阻R7和第四电容C4接地，第五稳压管Z5的阴极连接于第七电阻R7和第四电容C4的连接点上。第二开关电路142包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第三开关管Q3和第四开关管Q4。在本实施例中，第三开关管Q3和第四开关管Q4选用三极管。第三开关管Q3的发射极与第一启动电源VCCl相连，第三开关管Q3的发射极经第八电阻R8与其基极相连，第三开关管Q3的基极经第九电阻R9与第四开关管Q4的集电极相连，所述第四开关管Q4的发射极接地；所述第四开关管Q4的基极经第i^一电阻Rll与第五稳压管Z5的阳极相连。第五电容C5连接于第三开关管Q3的集电极与第四开关管Q4的发射极之间，第五电容C5的电压形成为第二启动电源VCC2，为第二芯片的启动供电。在本实施例中，辅助电源12是受控于第二芯片，故第一延时模块13是由第二启动电源VCC2供电，从而使得在第二芯片启动后，第一延时模块13才切断输入电源VIN的供电，转而由辅助电源12为第一芯片和第二芯片同时供电。上述电路的具体工作原理如下所述首先，输入电源VIN经第二电阻R2和开关管QO为第一电容Cl充电,第一启动电源VCCl逐渐升高,并为第一芯片供电；同时该第一启动电源VCCl经第七电阻R7为第四电容C4充电，第四电容C4的电压不断增大至第五稳压管Z5导通并使第四开关管Q4的基极和发射极之间的电压大于第四开关管Q4的开启电压，从而使第四开关管Q4导通而使第八电阻R8和第九电阻所在支路导通，第八电阻R8两端的电压大于第三开关管Q3的开启电压时第三开关管Q3导通，这样第一启动电源VCCl经第三开关管Q3为第五电容C5充电，第五电容C5的电压即为第二启动电源VCC2 ;当第二启动电源VCC2逐渐升高达到第二芯片的启动电压而启动第二芯片，由第二芯片控制的辅助绕组M开始工作，同时为第一芯片和第二芯片供电，而在第二芯片启动过程中，第二启动电源VCC2经第一延时电路131的延时后将开关管QO关断，从而切断整个充电模块11以节省能耗。其中，第二启动电源VCC2和第一启动电源VCCl之间的延迟时间可通过第二延时电路141中器件的选择而设定，如选择合适的电阻、电容和稳压管的值来调节延迟时间；第一芯片和弟_■芯片在启动完成之后均由辅助电源12继续供电。
优选地，为了防止第五电容C5的逆流对器件造成不利影响，在第一启动电源VCCl和第三开关管Q3的发射极之间增设有第四二极管D4，第四二极管D4的阴极与第三开关管Q3的发射极相连。 优选地，为了让第四开关管Q4工作更加稳定，还可在第四开关管Q4的基极与发射极之间连接第十电阻R10。
在本第二实施例的芯片启动电路中，由于辅助电源12的启动由第二芯片控制，故第一延时模块13在第二芯片启动时才开始工作，其输入电压为第二启动电源VCC2,开关管QO在第二芯片启动完成后关断；可理解地，如果辅助绕组M的启动由第一芯片控制，则开关管QO可在第一芯片启动后即关断,此时第一延时电路131的输入电源为第一启动电源VCC1，第二芯片的启动过程由辅助绕组M供电。当然，还可以根据实际电路的需要，增加第三或第四延时模块等，这样，可以做到为多个芯片提供不同时序的启动电源。如上所述，本发明所提供的芯片启动电路通过增设一第一延时模块13来延长输入电源VIN的供电时间，由于第一启动电源在芯片的启动电压值处得到第一延时模块的延迟作用，辅助电源有足够的启动时间及时启动并为芯片供电，避免产生现有技术所存在的芯片启动不稳定的问题。而且，第一延时模块13所产生的延迟时间是可控的，可通过选择合适的电路元器件的参数值来调节延迟时间，这样也解决了现有技术中启动时间不可控的技术缺陷。此外，还可增设第二、第三延时模块来为多个芯片提供不同时序的启动电源。需要说明的是，在本发明的芯片启动电路中，各开关管在工作中主要起开关作用，在实际应用中，可根据需要选择有开关作用的器件，如三极管、MOS管或IGBT等均可。以上结合较佳实施例对本发明进行了描述，但本发明并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本发明的本质进行的修改。
权利要求
1.一种芯片启动电路，其特征在于包括充电模块(11)、辅助电源(12)及第一延时模块(13)，所述充电模块(11)包括输入电源(VIN)、充电控制电路(111)和第一电容(Cl)，所述充电控制电路(111)连接在输入电源(VIN)和第一电容(Cl)之间以控制输入电源(VIN)对所述第一电容(Cl)充电,所述第一电容(Cl)的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源(VCCl )，所述辅助电源(12)与第一启动电源(VCCl)相连且受控于所述第一芯片而为所述第一芯片供电，所述第一启动电源(VCCl)为第一延时模块(11)供电，所述第一延时模块(11)输出至充电控制电路(111)以延迟切断充电模块(11)。
2.根据权利要求I所述的芯片启动电路，其特征在于所述充电控制电路(111)包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、开关管(Q0)、第二二极管(D2)和第二稳压管(Z2)，其中开关管(QO)的栅极和漏极分别经第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)与输入电源(VIN)相连，开关管(QO)的栅极与第二稳压管(Z2)的阴极相连，开关管(QO)的源极与第二二极管(D2)的阳极相连，第二二极管(D2)的阳极与第二稳压管(Z2)的阳极相连，第二二极管(D2)的阴极经第一电容(Cl)接地，所述第一电容(Cl)的两端还并联有一第四稳压管(Z4)，该第四稳压管(Zl)的阳极接地； 所述辅助电源(12)包括辅助绕组(M)和第一二极管(D1)，其中第一二极管(Dl)的阴极与第一启动电源(VCCl)相连，第一二极管(Dl)的阳极经辅助绕组(M)接地。
3.根据权利要求2所述的芯片启动电路，其特征在于所述第一延时模块(13)包括第一延时电路(131)和第一开关电路(132);第一延时电路(131)包括第三二极管(D3)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第三电容(C3)和第三稳压管(Z3)，该第一延时电路(131)的输入电压为第一启动电源(VCC1)，该输入电压与第三二极管(D3)的阴极相连，第三二极管(D3)的阳极依次经第三电阻(R3)和第三电容(C3)接地，第四电阻(R4)并联在由第三二极管(D3)和第三电阻(R4)所组成的支路的两端，第三稳压管(Z3)的阴极连接于第三电阻(R3)和第三电容(C3)的连接点上；第一开关电路(132)包括第一开关管(Q1)，该第一开关管(Ql)的基极与第三稳压管(Z3)的阳极相连，其集电极与开关管(QO)的栅极相连，其发射极接地。
4.根据权利要求3所述的芯片启动电路，其特征在于所述第一延时模块(13)还包括第五电阻(R5)，所述第五电阻(R5)连接于所述第一开关管(Ql)的基极和发射极之间。
5.根据权利要求2所述的芯片启动电路，其特征在于所述充电控制电路(111)还包括第二开关管(Q2)和第六电阻(R6)，所述第六电阻(R6)—端与开关管(QO)的源极相连，另一端与第二二极管(D2)的阳极相连，所述第二开关管(Q2)的集电极与开关管(QO)的栅极相连，第二开关管(Q2)的基极与开关管(QO)的源极相连，第二开关管(Q2)的发射极与第二稳压管(Z2)的阳极相连。
6.根据权利要求1-5任一项所述的芯片启动电路，其特征在于还包括第二延时模块(14)，所述第二延时模块(14)包括第二延时电路(141)、第二开关电路(142)和第五电容(C5)，其中第二延时电路(141)和第二开关电路(142)均连接至所述第一启动电源(VCC1)，所述第二开关电路(142)连接在第二延时电路(141)和第五电容(C5)之间以控制第一启动电源(VCCl)对所述第五电容(C5)充电,所述第五电容(C5)的电压形成用于启动第二芯片的第二启动电源(VCC2)。
7.根据权利要求6所述的芯片启动电路，其特征在于所述第二延时电路(141)包括第七电阻(R7)、第四电容(C4)和第五稳压管(Z5)，该第二延时电路(141)的输入电压为第一启动电源(VCC1)，所述第一启动电源(VCCl)依次经第七电阻(R7)和第四电容(C4)接地，第五稳压管(Z5)的阴极连接于第七电阻(R7)和第四电容(C4)的连接点上； 所述第二开关电路(142)包括第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第i^一电阻(R11)、第三开关管(Q3)和第四开关管(Q4)，其中第八电阻(R8)连接在第三开关管(Q3)的基极和发射极之间，第三开关管(Q3)的发射极与第一启动电源(VCCl)相连，第三开关管(Q3)的基极经第九电阻(R9)与第四开关管(Q4)的集电极相连，第四开关管(Q4)的发射极接地，所述第四开关管(Q4)的基极经第十一电阻(Rll)与第五稳压管(Z5)的阳极相连； 所述第五电容(C5)连接于第三开关管(Q3)的集电极与第四开关管(Q4)的发射极之间。
8.根据权利要求7所述的芯片启动电路，其特征在于所述第二延时模块(14)还包括第十电阻(R10)，所述第十电阻(RlO)连接于所述第四开关管(Q4)的基极和发射极之间。
9.根据权利要求7所述的芯片启动电路，其特征在于所述第二延时模块(14)还包括第四二极管(D4)，所述第四二极管(D4)的阳极与第一启动电源(VCCl)相连，其阴极与第三开关管(Q3)的发射极相连。
10.根据权利要求9所述的芯片启动电路，其特征在于所述开关管(QO)为N型MOS管。
全文摘要
本发明公开了一种芯片启动电路，其包括充电模块、辅助电源及第一延时模块，所述充电模块包括输入电源、充电控制电路和第一电容，所述充电控制电路连接在输入电源和第一电容之间以控制输入电源对所述第一电容充电，所述第一电容的电压形成用于启动第一芯片的第一启动电源，所述辅助电源与第一启动电源相连且受控于第一芯片而为第一芯片供电，所述第一启动电源为第一延时模块供电，所述第一延时模块输出至充电控制电路以延迟切断充电模块。本发明所公开的芯片启动电路采用一延时模块来延长输入电源的供电时间，从而使得辅助电源有足够的时间及时启动而为该芯片供电，解决了现有技术中存在的芯片启动不稳定的问题。
文档编号H02J9/04GK102969782SQ201210417249
公开日2013年3月13日 申请日期2012年10月26日 优先权日2012年10月26日
发明者熊文 申请人:深圳市英威腾电气股份有限公司