1.一种高增益升压直流变换器，其特征在于，包括直流电压源、可控开关、负载以及n个电容-电感-二极管单元，即CLD单元，n为不小于2的整数，每个所述CLD单元均包括电容、电感、第一二极管和第二二极管，其中：
各个所述CLD单元中的所述电容的第一端与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端分别与所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阳极连接，所述第二二极管的阴极与所述电容的第二端连接；各个所述CLD单元中的各个所述第一二极管的阴极同时与所述可控开关的第一端连接；各个所述CLD单元中的各个所述电容串联；所述直流电压源的正极与第1个所述CLD单元中的所述电容的第一端连接，所述直流电压源的负极分别与所述负载的第一端和所述可控开关的第二端连接，所述负载的第二端与第n个所述CLD单元的所述电容的第二端连接，所述可控开关的控制端接脉冲信号；所述高增益升压直流变换器的电压增益为1/(1-d)n，其中，d为所述可控开关的导通占空比。
2.根据权利要求1所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，所述可控开关为NMOS，所述NMOS的漏极作为所述可控开关的第一端，所述NMOS的源极作为所述可控开关的第二端，所述NMOS的栅极作为所述可控开关的控制端。
3.根据权利要求1所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，所述可控开关为PMOS，所述PMOS的源极作为所述可控开关的第一端，所述PMOS的漏极作为所述可控开关的第二端，所述PMOS的栅极作为所述可控开关的控制端。
4.根据权利要求1所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，各个所述CLD单元中的各个所述电容为容值不同的电容。
5.根据权利要求4所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，所述第1个CLD单元中的电容的容值最大，其耐压值最低；所述第n个CLD单元中的电容的容值最小，其耐压值最大。
6.根据权利要求5所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，各个所述CLD单元中的各个所述电感均工作于电流连续模式。
7.根据权利要求5所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，各个所述CLD单元中的各个所述电感中的一个或多个所述电感工作于电流断续模式。
8.根据权利要求5所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，各个所述CLD单元中的各个所述电感均工作于电流断续模式。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的高增益升压直流变换器，其特征在于，所述n为3。