石英晶体谐振器基座的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种石英晶体谐振器基座，包括上部覆盖外壳的基片，基片与绝缘子、引线—构成基座，引线的钉头上连接设在外壳内用于支撑石英晶体的簧片两簧片外端间距为4.5mm，两绝缘子中心间距为3.75mm，基片的高度为0.7mm，石英晶片为4.2*1.8mm，频率范围4MHz~50MHz，泛音频率范围30MHz~125MHz，压封方式为电阻焊方式封装；簧片与基片之间的夹角呈6~8°。本发明所提供的石英晶体谐振器基座具有弥补了现有技术的不足，适用范围更广，由于长度为7.3mm，可以放下以前2.5mm及以下高度石英晶体谐振器基座放不下的东西，同时频率可以达到4MHz~50MHz，频差可以达到±10ppm，年老化为5ppm。
【专利说明】石英晶体谐振器基座
【技术领域】
[0001]本发明涉及石英晶体谐振器基座结构【技术领域】，特别是一种石英晶体谐振器基座。
【背景技术】
[0002]石英晶体谐振器基座工作原理是利用石英晶体(二氧化硅，单结晶结构α石英)的逆压电效应制成的一种谐振器件。目前石英晶体谐振器基座已成为今后数码信息社会的重要部件，其主要市场领域为通信领域、产业用、民生用电子设备领域；石英晶体元件具有高精密、高稳定性的特点，广泛应用与需要稳频和选频的各类设备、仪器、电子产品中，为当今电子产品中不可缺少的关键元件。由于电子产品的发展趋势是多功能化internet、E-Mail、GPS、照相、摄像、大尺寸彩色液晶屏等功能被大量采用，电路板焊接由波峰焊发展到回流焊，所以表面贴装且高度低的小型化产品成为石英晶体谐振器基座的发展方向。但是现有的石英晶体谐振器基座小型化过程中，为了过分的追求小型化放弃了很多诸如频差、年老化和稳定频率等要点。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种能弥补现有技术不足，提供一种既能小型化又能兼顾频差、年老化和稳定频率的石英晶体谐振器基座。 [0004]本发明的石英晶体谐振器基座，是通过以下技术方案实现的；
石英晶体谐振器基座，包括上部覆盖外壳的基片，基片与绝缘子、引线构成基座，引线的钉头上连接设在外壳内用于支撑石英晶体的簧片两簧片外端间距为4.5mm，两绝缘子中心间距为3.75mm，基片的高度为0.7mm，石英晶片为4.2*1.8mm，频率范围4MHz~50MHz，泛音频率范围30ΜΗζ~125ΜΗζ，压封方式为电阻焊方式封装；簧片与基片之间的夹角呈6~8°。
[0005]进一步地，两簧片外端间距为3.5~4.5mm，两绝缘子中心间距3.75mm，基片的高度为0.4~0.7mm,石英晶片为(3.5~4) *1.8mm。
[0006]进一步地，谐振器长度8mm及以下，宽度为3mm及以下，引线型谐振器高度为2.0mm及以下，表面贴装型谐振器高度为2.5_及以下。
[0007]进一步地，谐振器长度为6.5~8mm，宽度为2~4mm，引线型谐振器高度为
1.5^1.8mm，表面贴片型谐振器高度为2~2.5mm。
[0008]石英晶体谐振器基座，具体方案为:
1)石英晶片选择:4.2*1.8石英晶片；
2)外壳:外壳尺寸的长*宽*高为7.3mm*2.6mm*1.5mm ；
3)基片:基片尺寸的长*宽*高为7.3mm*2.6mm*0.7mm ；
4)绝缘子:绝缘子尺寸的直径*高为Φ1.lmm*1.0_。
[0009]综上所述，本发明所提供的石英晶体谐振器基座具有弥补了现有技术的不足，适用范围更广，由于长度为7.3_，可以放下以前2.5_及以下高度石英晶体谐振器基座放不下的东西，同时频率可以达到4MHz~50MHz,频差可以达到± IOppm,年老化为5ppm,同时新型的石英晶体谐振器基座节省30%的材料。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明实施例的石英晶体谐振器基座的结构图。
[0011]其中，I基片；2、簧片；3、绝缘子；4、引线。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0013]如图1所示，石英晶体谐振器基座，包括上部覆盖外壳I的基片1，基片I与绝缘子3、引线6构成基座，引线4的钉头上连接设在外壳I内用于支撑石英晶体的两簧片2外端间距为4.5mm，两绝缘子3中心间距为3.75mm，基片I的高度为0.7mm，石英晶片为
4.2*1.8mm，频率范围4MHz~50MHz，泛音频率范围30MHz~125MHz，压封方式为电阻焊方式封装；簧片2与基片I之间的夹角a呈6~8°。进一步地，两簧片2外端间距为3.5~4.5mm，两绝缘子3中心间距3.75mm，基片I的高度为0.4^0.7mm，石英晶片为(3.5~4)*1.8mm。进一步地，谐振器长度8mm及以下，宽度为3mm及以下，引线型谐振器高度为2.0mm及以下，表面贴装型谐振器高度为2.5_及以下。进一步地，谐振器长度为6.5^8mm,宽度为2~4_，引线型谐振器高度为1.5^1.8_，表面贴片型谐振器高度为5_。
[0014]本发明石英晶体谐振器基座核心技术是频差小于IOppm,年老化率低于5ppm,频率范围为4MHz~50Mhz。
[0015]制造原理:
1)石英晶片选择:4.2*1.8石英晶片；
2)外壳:外壳尺寸的长*宽*高为7.3mm*2.6mm*1.5mm ；
3)基片:基片尺寸的长*宽*高为7.3mm*2.6mm*0.7mm ；
4)绝缘子:绝缘子尺寸的直径*高为Φ1.lmm*1.0_。
[0016]虽然结合附图对本发明的【具体实施方式】进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可做出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。
【权利要求】
1.石英晶体谐振器基座，包括基片(1)，基片(I)与绝缘子(3)、引线(4)构成基座，弓丨线(4)的钉头上连接设在外壳(I)内用于支撑石英晶体的簧片(2);其特征在于:两簧片(2)外端间距为4.5mm，两绝缘子(3)中心间距为3.75mm，基片(I)的高度为0.7mm，石英晶片为4.2*1.8mm，频率范围4MHz~50MHz，泛音频率范围30MHz~125MHz，压封方式为电阻焊方式封装；簧片(2)与基片(I)之间的夹角(&)呈6~8°。
2.根据权利要求1所述石英晶体谐振器基座，其特征在于:两簧片(2)外端间距为3.5~4.5mm，两绝缘子(3 )中心间距3.75mm,基片(I)的高度为0.4~0.7mm,石英晶片为(3.5~4) *1.8mm。
3.根据权利要求1所述石英晶体谐振器基座，其特征在于:谐振器长度8_及以下，宽度为3mm及以下，引线型谐振器高度为2.0mm及以下，表面贴装型谐振器高度为2.5mm及以下。
4.根据权利要求3所述石英晶体谐振器基座，其特征在于:谐振器长度为6.5^8mm,宽度为2~4_，引线型谐振器高度为1.5^1.8_，表面贴片型谐振器高度为Π.5_。
5.根据权利要求1所述石英晶体谐振器基座，其特征在于: 1)石英晶片选择:4.2*1.8石英晶片； 2)外壳:外壳尺寸的长*宽*高为7.3mm*2.6mm*1.5mm ； 3)基片:基片尺寸的 长*宽*高为7.3mm*2.6mm*0.7mm ； 4)绝缘子:绝缘子尺寸的直径*高为Φ1.lmm*1.0_。
【文档编号】H03H9/05GK103840787SQ201310745386
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】葛良清 申请人:四川索斯特电子有限公司