用于实时时钟应用的超低功率高频晶体振荡器的制作方法与工艺

本发明的各实施例一般涉及振荡器电路，尤其涉及可在正常模式或在低功率模式中操作的振荡器电路。相关技术背景晶体振荡器为通信设备(例如，智能电话)的许多组件生成定时信号。例如，晶体振荡器可被用于生成高度准确的参考时钟信号，该参考时钟信号进而可被频率合成器用于生成RF载波信号(例如，以促成无线数据传输)。晶体振荡器还可被用于生成低功率实时时钟(RTC)信号，RTC信号进而可被用于低功率模式期间的时间保持功能(例如，允许移动站在某些区间从休眠状态苏醒以监听来自相关联的接入点的信标传输)。结果，通信设备通常包括一个晶体振荡器以生成高频参考时钟信号并且包括另一晶体振荡器以生成低功率RTC信号。然而，在通信设备中包括多个晶体振荡器可消耗大量的电路面积并增加成本。因此，需要提供可使用单个晶体来选择性地生成相对较高准确性的时钟信号和相对较低功率的时钟信号的振荡器电路。概述提供本概述以便以简化形式介绍将在以下的详细描述中进一步描述的概念选集。本概述并非旨在标识出要求保护的主题内容的关键特征或必要特征，亦非旨在限定要求保护的主题内容的范围。公开了可响应于模式信号而动态地在正常模式与低功率模式之间切换的振荡器电路。对于一些实施例，该振荡器电路包括晶体、第一放大器电路、第二放大器电路、第一和第二可变电容器、以及切换电路。晶体可生成振荡信号。第一放大器电路(可包括跨晶体耦合的第一偏置电阻器和耦合在该晶体与接地电势之间的第一晶体管)可放大振荡信号以在正常模式期间生成高准确性时钟信号。第二放大器电路(可包括跨晶体耦合的第二偏置电阻器和耦合在该晶体与接地电势之间的第二晶体管)可放大振荡信号以在低功率模式期间生成低功率时钟信号。切换电路可响应于模式信号而选择性地跨晶体耦合第一放大器电路或第二放大器电路。第一可变电容器耦合在晶体的第一节点与接地电势之间，并包括响应于模式信号的控制端子。第二可变电容器耦合在晶体的第二节点与接地电势之间，并包括响应于模式信号的控制端子。当振荡器电路要在正常模式中操作时，模式信号可被驱动为将第一和第二可变电容器的电容值设为标称值的第一状态，该标称值使该振荡器电路以使时钟信号的频率误差最小化的方式来生成高准确性参考时钟信号。模式信号的第一状态还可以使切换电路跨晶体耦合第一放大器电路并且将第二放大器电路与该晶体隔离。当振荡器电路要在低功率模式中操作时，模式信号可被驱动为将第一和第二可变电容器的电容值设为相对低(例如，最小)值的第二状态，该相对低值使该振荡器电路以使功耗最小化(例如，与正常模式相比)的方式来生成低功率RTC信号。尽管减小第一和第二可变电容器的电容值可增加由振荡器电路生成的时钟信号的频率误差，但该频率误差可被预测和计及(例如，使用补偿电路)。模式信号的第二状态还可以使切换电路跨晶体耦合第二放大器电路并且将第一放大器电路与该晶体隔离。对于一些实施例，振荡器电路还可包括一个或多个自动增益控制电路，该自动增益控制电路可监视时钟信号的振幅并且响应于此可调整提供给第一或第二放大器电路的偏置电流，例如以使功耗最小化。可使用共用自动增益控制电路，或替换地使用针对两种不同的操作模式优化的两个不同的自动增益控制电路。附图简述本发明的各实施例是作为示例来解说的，且不旨在受附图中各图的限定，其中相同的附图标记贯穿全部附图指示对应的部件。图1是常规晶体振荡器电路的框图。图2A是根据一些实施例的振荡器电路的框图。图2B是图2A的振荡器电路被配置成在正常模式中操作的框图。图2C是图2A的振荡器电路被配置成在低功率模式中操作的框图。图3是根据一些实施例的可以用作图2A的可变电容器的可编程电容器电路的电路图。图4是根据一些实施例的描绘图2A的振荡器电路的示例性操作的解说性流程图。图5是其中可实现本发明的各实施例中的至少一些实施例的通信设备的框图。详细描述公开了用于使用具有正常操作模式和低功率操作模式的振荡器电路来生成时钟信号的方法和装置。在以下详细描述中，将阐述众多具体细节来提供对本公开的透彻理解。而且，在以下描述中并且出于解释目的，阐述了具体的命名以提供对本公开各实施例的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将明显的是，可以不需要这些具体细节就能实践本发明各实施例。在其他实例中，以框图形式示出公知的电路和设备以避免混淆本公开。如本文所使用的，术语“耦合”意指直接连接到、或通过一个或多个居间组件或电路来连接。本文所描述的在各种总线上提供的任何信号可以与其他信号进行时间复用并且在一条或多条共用总线上提供。另外，各电路元件或软件块之间的互连可被示为总线或单信号线。每条总线可替换地是单信号线，而每条单信号线可替换地是总线，并且单线或总线可表示用于各组件之间的通信的大量物理或逻辑机制中的任一个或多个。此外，在以下描述中指派给各种信号的逻辑电平是任意的，且因此可被按需修改(例如，极性反转)。另外，在本文被描述或描绘为包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管的电路可替换地使用双极型晶体管或其中可达成信号控制电流流动的任何其他技术来实现。同样，本文称为时钟信号的信号可替换地为选通信号或提供定时控制和/或在一个或多个给定频率振荡的任何其他信号。相应的，本发明各实施例不应被解释为限于本文描述的具体示例，而是在其范围内包括由所附权利要求所限定的所有实施例。图1示出了常规的晶体振荡器电路100。晶体(XTAL)和偏置电阻器RB耦合在节点N1与N2之间。耦合在节点N1与接地电势之间并包括耦合至节点N2的栅极的晶体管MN作为增益元件操作以放大由XTAL提供的振荡信号(例如，以确保振荡信号的振幅被维持在某个阈值水平以上)。负载电容器C1和C2分别连接在接地电势与节点N1和N2之间。电流源101为晶体管MN提供偏置电流。电阻器RB具有较大值并将晶体管MN的栅极偏置为与MN的漏极相同的DC电压。振荡器电路100在节点N1处生成振荡时钟信号(CLK)。通常相等的电容器C1和C2的值确定振荡器电路100的负载电容CL：示出了用于振荡器电路100的XTAL的等效电路100。标记为fosc的时钟信号CLK的频率可被表示为：其中fs是XTAL的串联谐振：注意，因为Cx是1fF的量级且CL是若干pF的量级(例如，CL>>Cx)，所以fosc的值接近fs的值(例如，fosc≈fs)。振荡器电路100可被设计成在XTAL被连接至标称负载值CLO时(即，当CL＝CLO时)以规定值fosc振荡。如果实际负载电容CL不同于标称负载电容CL，则实际振荡频率可不同于规定的振荡频率fosc。实际振荡频率与规定振荡频率之间的差异被称为振荡频率误差，其可被表示为：或即对于较小的电容负载误差，振荡频率误差可以百万分率(ppm)来表示，如下式给出：振荡器电路100的环路增益(AL)可被表示为：其中Gm是晶体管MN的跨导，并且RL是晶体管MN上的电阻性负载。电阻性负载RL的值可被表示为并联耦合的三个单独电阻：ro的值对应于晶体管MN和电流源101的输出电阻。R’L的值(对应于XTAL的串联电路)可被表示为：RBo的值(对应于来自偏置电阻器的电阻性负载RB)可被表示为：注意，因为RBo和的值比R’L的值大得多，所以R’L的值主导晶体管MN上的电阻性负载RL(例如，R’L≈RL)。为了发起时钟信号CLK的振荡，振荡器电路100的环路增益AL必须大于或等于1。然而，为了确保针对不同制造工艺角和/或针对不同温度的时钟信号CLK的振荡，环路增益AL的标称值通常比1大得多。振荡器电路100的环路增益AL可通过改变晶体管MN的跨导来调整。更具体地，环路增益AL的值可通过增加晶体管MN的跨导Gm来增加(例如，增加至确保时钟信号CLK的维持振荡的水平)，跨导Gm进而可通过增加由电流源101提供给晶体管MN的偏置电流来增加。然而，增加提供给晶体管MN的偏置电流导致更大的功耗，这对于低功率操作模式是不期望的。因此，图1的振荡器电流100可能不适于生成低功率RTC信号。根据本发明的各实施例，适于生成高准确性参考时钟信号的振荡器电路可被动态地重新配置用于生成低功率RTC信号。更具体地，在正常操作模式期间，振荡器电路可被配置成生成具有相对低的频率误差的参考时钟信号(尽管以相对高的功耗为代价)，并且在低功率操作模式期间，振荡器电路可被配置成以相对低的功耗来生成RTC信号(尽管以相对高的频率误差为代价)。对于低功率模式，频率误差可被估计并且随后使用RTC信号作为偏移信号以补偿频率误差来提供给电路(出于简化未示出)。对于一些实施例，高准确性参考时钟信号的频率可基本上与RTC信号的频率相同。对于此类实施例，RTC信号可被提供给N分频电路以将RTC信号从数十MHz的初始范围下变频至数十kHz的期望范围。图2A示出了根据本公开的各实施例的振荡器电路200，其可例如响应于模式信号(MODE(模式))而选择性地以正常操作模式或低功率操作模式操作。振荡器电路200包括XTAL，第一可变电容器C1、第二可变电容器C2，包括响应于模式信号的第一开关SW1和第二开关SW2的切换电路、第一放大器电路210A、和第二放大器电路210B。如以下更详细描述的，第一放大器电路210A可在正常模式期间跨XTAL耦合以生成高准确性时钟信号CLK_A，并且第二放大器电路210B可在低功率模式期间跨XTAL耦合以生成低功率时钟信号CLK_B，低功率时钟信号CLK_B进而可被用于生成低功率RTC信号CLKRTC。第一放大器电路210A包括其自身的跨导器件(例如，晶体管)MNA、第一偏置电阻器RBA、第一电流源101A、和第一自动增益控制(AGC)电路230A。第二放大器电路210B包括其自身的跨导器件(例如，晶体管)MNB、第一偏置电阻器RBB、第二电流源101B、第二AGC电路230B、N分频电路235、和补偿电路240。切换电路(例如，如由开关SW1和SW2形成的)可响应于模式信号而选择性地与XTAL并联地耦合第一放大器电路210A或第二放大器电路210B(例如，在节点N1与N2之间)。在正常模式期间，第一放大器电路210A生成高准确性时钟信号CLK_A，而在低功率模式期间，第二放大器电路210B生成低功率时钟信号CLK_B。时钟信号CLK_B被N分频电路235分频以生成RTC信号CLKRTC，CLKRTC进而作为输入信号被提供该补偿电路240。补偿电路240可对CLKRTC应用补偿与CLK_B相关联的预定频率误差的偏移值。对于其他实施例，第一放大器电路210A和第二放大器电路210B可共享相同的偏置电阻器(例如，电阻器RBA)，可共享相同的跨导器件(例如，晶体管MNA)，可共享相同的AGC电路(例如，AGC电路230A)、和/或可共享相同的电流源(例如，电流源101A)。对于一些实施例，可变电容器C1和C2的值可响应于模式信号而调整(尽管其他控制或启用信号可被用于调整C1和C2的电容值)。更具体地，当振荡器电路200要在正常模式中操作时(例如，以生成高准确性参考时钟信号)，可变电容器C1和C2的电容值可被设为其标称值(即，以使得XTAL上的结果所得的电容性负载CL使时钟信号CLK_A以规定频率fosc振荡)。当振荡器电路200要在低功率模式中操作时(例如，以生成低功率RTC信号)，可变电容器C1和C2的电容值可被设为最小值(例如，比其标称值小得多)。更具体地，将可变电容器C1和C2的电容值设为最小值可增加XTAL上的电阻性负载RL的值(即，如由公式8所指示)，这进而可允许较低的跨导值Gm以达成振荡器电路200的环路增益AL的期望最小值(即，如由公式6所指示)。较低的跨导值Gm可通过使用来自第二放大器电路210B中的源101B的较低偏置电流(例如，与第一放大器电路210A中的源101A所提供的偏置电流相比)来达成。因此，当在低功率模式中操作时，功耗可通过将可变电容器C1和C2的电容值减小到最小值来降低(例如，与正常模式相比)。此外，对于一些实施例，第一放大器电路210A的操作特性可被选择成使频率误差最小化，而第二放大器电路210B的操作特性可被选择成使功耗最小化。更具体地，在正常模式中可选择晶体管MNA的较大器件尺寸以促成实现与正常模式相关联的较高跨导，而在低功率模式中可选择晶体管MNB的较小器件尺寸以减少振荡器的电容性负载连同寄生器件电容。另外，可为晶体管MNB选择较长的沟道长度以提供较高的输出阻抗和/或以根据公式7减少振荡器的电阻性负载。类似地，(在低功率模式中使用的)第二放大器电路210B中的电流源101B可用比(在正常模式中使用的)第一放大器电路210A中的电流源101A更小和更长的器件来实现以减少电容性负载并增加输出电阻。在正常模式中，相对低的偏置电阻器RBA可能不显著降低振荡器的等效电阻性负载(其由较低的RL’来主导，如由公式7和公式8所指示)，而在正常模式中使用相对高的偏置电阻器RBA可能是有问题的，例如，导致相对大的晶体管MNA中具有小栅极漏泄电流的较大压降以及节点N2处具有显著电容的长时间常数。在低功率模式中选择相对高的偏置电阻器RBB以避免使振荡器负载，并且由于晶体管MNB的相对较小尺寸(例如，与晶体管MNA相比)和连接至节点N2的低电容，相对高的偏置电阻器RBB可能没有问题。对于一些实施例，第一和第二晶体管MNA和MNB的跨导值可通过改变物理尺寸(例如，沟道宽度和沟道长度)、掺杂浓度、和/或晶体管MNA和MNB的其他特性来调整。类似地，电阻器RBA可被实现为较大的RBB的一部分。第一AGC电路230A包括耦合至时钟信号CLK_A的输入端子，并且包括输出端子以向电流源101A提供控制信号(CTRL_A)。第一AGC电路230A可监视时钟信号CLK_A的振幅，并且响应于此，可调整CTRL_A的值以使得电流源101A向第一放大器电路210A提供最小量的偏置电流，该偏置电流可导致时钟信号CLK_A具有充分可检测的振幅。尽管出于简化未示出，但对于一些实施例，第一AGC电路230A可包括确定时钟信号CLK_A的振幅是否足以用于检测的峰值检测器，并且可包括比较器以响应于时钟信号CLK_A的振幅(例如，电压电平)与参考电压的比较而生成控制信号CTRL_A。以这种方式，第一AGC电路230A可通过使提供给第一放大器电路210A的偏置电流量最小化来使功耗最小化。以类似于第一AGC电路230A的方式操作的第二AGC电路230B感测时钟信号CLK_B的振幅并通过控制信号CTRL_B来调整偏置电流源101B以使得维持CLK_B的最小可检测振幅。替换地，取代分别在节点N1A和N1B处的振荡器波形，第一AGC电路230A和/或第二AGC电路230B可分别感测时钟信号CLK_A和CLK_B的经缓冲/或经放大版本。补偿电路240可偏置与生成时钟信号(CLK_B)相关联的已知频率误差。更具体地，在N分频电路235通过对时钟信号CLK_B进行分频来生成RTC信号CLKRTC之后，补偿电路240可对RTC信号CLKRTC施加一偏移值以补偿上述与低功率时钟信号CLK_B相关联的频率误差。以这种方式，因以降低的功率电平来操作振荡器电路200所导致的不期望的频率误差可被估计并且随后从时钟信号(CLK_B)中移除，如以下更为详细地描述的。以下关于图2A-2C来描述振荡器电路200的示例性操作。当期望振荡器电路200生成高准确性参考时钟信号(例如，以使频率误差最小化的方式)时，模式信号可被驱动成第一状态以将振荡器电路200置于正常操作模式，如图2B中所描绘的。模式信号的第一状态可将可变电容器C1和C2的值设为其标称值(例如，以使得XTAL上的结果所得电容性负载CL使时钟信号CLK_A具有规定频率fosc)。对于一些实施例，可变电容器C1和C2中的每一者的典型标称值在12pF到40pF的范围中。进一步，如上所述，模式信号的第一状态使切换电路跨XTAL耦合第一放大器电路210A并将第二放大器电路210B与XTAL隔离。更具体地，响应于模式信号的第一状态，第一开关SW1将节点N1连接至节点N1A并且第二开关SW2将节点N2连接至节点N2A，因此将放大器210A耦合至XTAL并且耦合至电容器C1和C2。结果，第一放大器电路210A可被用于放大由XTAL提供的振荡信号以生成时钟信号CLK_A作为高准确性参考时钟信号。当期望振荡器电路200生成低功率RTC信号(例如，以使功耗最小化的方式)时，模式信号可被驱动成第二状态以将振荡器电路200置于低功率操作模式，如图2C中所描绘的。模式信号的第二状态可将可变电容器C1和C2的值设为最小(或零)值。如上所述，将可变电容器C1和C2的电容设为最小值可增加XTAL上的电阻性负载RL的值(即，如由公式8所指示)，这进而可允许第二晶体管MNB的较低跨导Gm以达成期望的环路增益AL＝1(即，如由公式6所指示)。第二晶体管MNB的跨导Gm可由电流源101B提供的低偏置电流来减小，这进而减少了振荡器电路200的功耗。对于一些实施例，可变电容器C1和C2中的每一者的最小值通常为0.5pF。进一步，模式信号的第二状态使切换电路跨XTAL耦合第二放大器电路210B并将第一放大器电路210A与XTAL隔离。更具体地，响应于模式信号的第二状态，第一开关SW1将节点N1连接至节点N1B并且第二开关SW2将节点N2连接至节点N2B，因此将第二放大器210B耦合至XTAL并且耦合至电容器C1和C2。结果，第二放大器电路210B可被用于放大由XTAL提供的振荡信号以生成时钟信号CLK_B。CLK_B被N分频电路235分频以生成RTC信号CLKRTC，CLKRTC进而作为低功率RTC信号提供。尽管减少XTAL上的电容性负载CL可增加时钟CLK_B的频率误差(如由公式5所指示)，但频率误差可被预测或估计并且随后被使用输出时钟信号CLKRTC的相关联的补偿电路移除。例如，如果频率误差从10ppm(对于高准确性参考时钟信号)增加至400ppm(对于低功率RTC信号)，则使用RTC时钟的电路可通过调整与给定时间单位相关联的时钟边缘数目来补偿增加的频率误差。以这种方式，振荡器电路200可允许输出时钟信号(CLK_B)的频率误差的增加以便减少总体功耗，并且补偿电路200可补偿已知增加的频率误差。对于一些实施例，可变电容器C1和C2可各自包括彼此选择性地并联连接的多个电容器(例如，响应于模式信号)。例如，图3示出了可用作图2A的振荡器电路200中的可变电容器C1和/或可变电容器C2的可编程电容器电路300。电容器电路300可包括并联耦合在XTAL的相应节点NR与接地电势之间以提供可调整电容值的任何数目n个个体可选择的电容器电路310(1)-310(n)。节点NR可对应于图2A的振荡器电路200的节点N1和/或节点N2。如图3中所示，第一电容器电路310(1)包括串联耦合在节点NR与接地电势之间的第一电容器312(1)和第一晶体管314(1)。可作为开关元件操作的晶体管314(1)包括栅极以接收第一启用信号EN1。第二电容器电路310(2)包括串联耦合在节点NR与接地电势之间的第二电容器312(2)和第二晶体管314(2)。可作为开关元件操作的第二晶体管314(2)包括栅极以接收第二启用信号EN1。第n电容器电路310(n)包括串联耦合在节点NR与接地电势之间的第n电容器312(n)和第n晶体管314(n)。可作为开关元件操作的第n晶体管314(n)包括栅极以接收第n启用信号ENn。一起可形成模式信号(或从模式信号中导出)的启用信号EN1-ENn控制相应晶体管314(1)-314(n)的导电状态，并因此确定电容器312(1)-312(n)中的哪些并联耦合在节点NR与接地电势之间。因此，可通过选择性地断言启用信号EN1-ENn的数目来调整电容器电路300的总电容。例如，在正常模式期间，所有(或至少一个以上)的启用信号EN1-ENn可被断言以导通所有(或至少一个以上)相应晶体管314(1)-314(n)，由此将所有(或至少一个以上)电容器312(1)-312(n)并联耦合在节点NR与接地电势之间。对于一些实施例，通过彼此并联耦合电容器312(1)-312(n)提供的总电容值可导致振荡器电路200的标称负载电容(例如，使输出时钟信号具有规定频率fosc的负载电容)。相反，在低功率模式期间，没有(或至少少于全部的)启用信号EN1-ENn可被断言以不导通(或导通少于全部的)相应晶体管314(1)-314(n)，由此不将(或将少于全部的)电容器312(1)-312(n)并联耦合在节点NR与接地电势之间。对于一些实施例，通过彼此并联耦合0个(或至少少于全部的)电容器312(1)-312(n)所提供的总电容值可导致振荡器电路200的最小负载电容(例如，以使功耗最小化)。注意，如由可编程电容器电路300提供的节点NR与接地电势之间的电容量可通过启用较多数量的可个体选择的电容器电路310(2)-310(n)来增加，并且可通过启用较少数量的可个体选择的电容器电路310(2)-310(n)来减少。以这种方式，振荡器电路200的负载电容可被动态调整。图4示出了根据一些实施例的描绘图2A的振荡器电路的示例性操作的解说性流程图400。首先，振荡器电路200可使用XTAL生成振荡信号(402)。随后，振荡器电路200可接收模式信号(404)。模式信号可由任何合适电路(例如，响应于与振荡器电路200相关联的通信设备的休眠状态)来生成，或者可由用户生成。如果模式信号指示正常模式，如在406处所测试的，则由开关SW1-SW2形成的切换电路跨XTAL耦合第一放大器电路210A并且将第二放大器电路210B与XTAL解耦合(408)。随后，负载电容CL被设为其标称值(410)，并且第一放大器电路210A放大振荡信号以生成高准确性参考时钟信号(412)。以这种方式，振荡器电路200可生成具有相对低的频率误差的高准确性参考时钟信号。如果模式信号指示低功率模式，如在406处所测试的，则由开关SW1-SW2形成的切换电路跨XTAL耦合第二放大器电路210B并且将第一放大器电路210A与XTAL解耦合(414)。随后，负载电容CL被设为相对低(或最小)值(416)，并且第二放大器电路210B放大振荡信号以生成低功率RTC信号(418)。以这种方式，振荡器电路200可生成低功率RTC信号，而同时使功耗最小化。如以上所提及的，振荡器电路200可被用于针对任何合适的通信设备提供高准确性参考时钟信号和低功率RTC信号两者。例如，图5示出了可包括一个或多个本发明的各实施例的通信设备500。在一些实施例中，设备500是无线设备(例如，WLAN设备，诸如个人计算机、膝上型或平板计算机、移动电话、个人数字助理、GPS设备、无线接入点、或其他电子设备)。在至少一个实施例中，设备500具有有线网络连接。设备500包括由总线507耦合的处理器单元501、收发机503、和存储器单元505，并包括图2A的振荡器电路200。处理器单元501包括一个或多个处理器和/或处理器核。对于一些实施例，收发机503可被耦合至至少一个有线网络接口(例如，以太网接口、EPON接口、EPoC接口等)。对于其他实施例，收发机503可被耦合至至少一个无线网络接口(例如，WLAN接口、接口、WiMAX接口、接口、无线USB接口等)。存储器单元505包括非瞬态计算机可读存储介质(例如，一个或多个非易失性存储器元件，诸如EPROM、EEPROM、闪存、硬盘驱动器、等等)，其存储模式选择软件模块510。在一些实施例中，软件模块510包括具有指令的一个或多个程序，这些指令由处理器单元501执行时可使通信设备500执行图4的方法400。振荡器电路200可向处理单元501、向收发机503、和/或向设备500的其他适合同步元件(出于简化未示出)提供时钟信号。例如，当设备500处于活跃模式(例如，非休眠模式)时，振荡器电路200可向收发机503提供高准确性参考时钟信号(例如，以生成RF载波信号)。相反，当设备500处于低功率模式(例如，休眠模式)时，振荡器电路200可向收发机503和/或处理单元501提供低功率RTC信号。对于一些实施例，高准确性参考时钟信号的频率可基本等于低功率RTC信号的频率。对于此类实施例，振荡器电路500可包括或与N分频电路相关联，该N分频电路将由振荡器电路200生成的低功率RTC信号从数十MHz的范围下变频至数十kHz的范围。在说明书前述篇幅中，本发明各实施例已参照其具体示例性实施例进行了描述。然而将明显的是，可对其作出各种修改和改变而不会脱离如所附权利要求中所阐述的本公开更宽泛的范围。相应地，本说明书和附图应被认为是解说性而非限定性的。