1.一种贯通电极基板，其特征在于，具有：
基体，具有第一面和第二面，所述第二面与所述第一面对置；以及
贯通电极，配置于贯通孔，所述贯通孔贯通所述基体的所述第一面和所述第二面，
所述贯通电极的所述第一面侧的端面和所述第二面侧的端面中的一方或双方的周缘被所述基体的一部分覆盖。
2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，所述基体具有位于所述贯通电极的所述周缘或所述周缘的外侧并沿着所述周缘的环状的凸部。
3.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，所述基体包括玻璃。
4.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，所述基体包括硅，在所述贯通孔的内壁面上配置有绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，在所述周缘被所述基体的一部分覆盖的所述第一面侧的端面和所述第二面侧的端面中的一方或双方的内侧，配置有与所述基体相同材质的部件。
6.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，在所述周缘被所述基体的一部分覆盖的所述第一面侧的端面和所述第二面侧的端面中的一方或双方配置有多个布线。
7.一种贯通电极基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在具有相互对置的第一面和第二面的基体的所述第一面上形成开口部，所述开口部的深度未达到所述第二面；
利用导电性材料填充所述开口部来形成电极；
在所述基体的所述第二面上，形成在所述电极的内侧区域的一部分具有开口，并覆盖所述电极的周缘的掩模；以及
在设置有所述掩模的状态下，对所述基体的所述第二面进行蚀刻，使所述电极的内侧区域的一部分露出，并且使所述基体的一部分残存于所述电极的周缘。
8.根据权利要求7所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于，所述掩模形成为环状。
9.根据权利要求7所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻至少一部分地包含各向同性蚀刻。
10.根据权利要求7所述的贯通电极基板的制造方法，其特征在于，所述掩模随着所述蚀刻的进行而被去除。
11.一种半导体装置，其具有根据权利要求1所述的贯通电极基板。