1.一种FBAR谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1）、选取单晶硅衬底，采用各向异性反应离子刻蚀工艺在单晶硅衬底上刻蚀深度为5-10μm的浅槽；
步骤2）、在对单晶硅衬底浅槽侧壁进行保护的同时，对单晶硅衬底进行各向同性腐蚀，为接下来的外延单晶硅封腔工艺做准备；
步骤3）、外延单晶硅封腔：外延生长单晶硅，使单晶硅衬底内部形成密封的腔体；
步骤4）、在单晶硅衬底上表面依次生长二氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蚀形成接触孔；
步骤5）、在氮化硅表面溅射第一层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及FBAR下电极；
步骤6）、在氮化硅和第一层金属上溅射压电材料，光刻、腐蚀形成FBAR压电材料结构；
步骤7）、在氮化硅和压电材料上溅射第二层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及FBAR上电极。
2.根据权利要求1所述的FBAR谐振器的制备方法，其特征在于：所述压电材料为氮化铝。
3.根据权利要求1所述的FBAR谐振器的制备方法，其特征在于：所述腔体高度为4-6μm。
4.一种FBAR谐振器，采用权利要求1-3任一项所述的FBAR谐振器的制备方法制备而成。