技术总结
本发明公开了一种FBAR谐振器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的FBAR，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的FBAR谐振频率主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度影响，其谐振频率随温度的升高而减小，并且呈现明显的单调性，该特性可用作温度、气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该FBAR体积小，成本低，响应时间短。
技术研发人员：华迪;蔡春华;齐本胜;谈俊燕
受保护的技术使用者：河海大学常州校区
文档号码：201610490516
技术研发日：2016.06.28
技术公布日：2016.11.16