1.一种多层PCB正凹蚀的工艺，依次包含以下步骤：
S1、对PCB的通孔进行等离子除胶处理；
S2、将PCB浸入玻璃蚀刻液中，进行玻璃蚀刻处理；
S3、对PCB进行酸洗处理；
S4、不对PCB做化学除胶处理，直接进行外层沉铜处理。
2.如权利要求1所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S1中等离子除胶过程中以7500-8500W的电极功率将氮气、氧气和四氟化氢的混合气体电离，使之与PCB通孔孔壁发生凹蚀反应；再将氩气电离，使之与PCB通孔孔壁发生凹蚀反应。
3.如权利要求2所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S1的等离子除胶过程中，氮气的气体流量为145-175sccm，氧气的气体流量为1100-1300sccm，四氟化碳的气体流量为215-265sccm，反应时间为14-16min。
4.如权利要求2所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S1的等离子除胶过程中，氩气的气体流量为2700-3300sccm，反应时间为27-33min。
5.如权利要求1所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S2中采用含有120-160g/L的H2SO4和7-13g/L的玻璃蚀刻盐的玻璃蚀刻液对PCB进行蚀刻。
6.如权利要求5所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S2中，采用37-43℃的玻璃蚀刻液对PCB进行蚀刻。
7.如权利要求6所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S2中蚀刻处理的时间为2-5min。
8.如权利要求1所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S3中，采用含有160-200g/L的H2SO4的酸洗液对PCB进行清洗。
9.如权利要求8所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S3中酸洗的时间为3-5min。
10.如权利要求1-9任意一项所述的多层PCB正凹蚀的工艺，其特征在于：步骤S1之前依次包括开料、内层图形转移、内层AOI、压合和钻孔的步骤；
步骤S5之后依次包括全板电镀、外层图形、图形镀铜、外层蚀刻、外层AOI、阻焊前塞孔、丝印阻焊字符、沉镍金、锣外型、电测试、终检、FQA、包装出货的步骤。