低相噪内插锁相环电路的制作方法

文档序号:11055772阅读:来源:国知局

技术特征:

1.低相噪内插锁相环电路,其特征在于:它包括参考电路、偏移源电路和内插锁相环路;参考电路提供的参考信号被分为两路,一路供偏移源电路生所需要的偏移信号,另一路提供给内插锁相环路,内插锁相环路将反馈信号与偏移源信号混频之后产生的低频信号做为整个闭环电路的反馈鉴相频率。

2.根据权利要求1所述的低相噪内插锁相环电路,其特征在于:所述的参考电路包括晶振、多个滤波器、放大器和功率分配器;晶振产生的信号经滤波放大后,经功率分配器二功分生成两路信号,一路供偏移源电路生所需要的偏移信号,另一路提供给内插锁相环路。

3.根据权利要求1所述的低相噪内插锁相环电路,其特征在于:所述的偏移源电路包括谐波发生器、开关滤波器组、多个滤波器和放大器;参考电路提供的第一路信号经谐波发生器之后产生丰富的频率分量,经过开关滤波器组提取出所需要的偏移源信号,再经放大滤波,进一步优化偏移源的杂波,调整信号功率到一定值,供内插锁相环路混频使用。

4.根据权利要求1所述的低相噪内插锁相环电路,其特征在于:所述的内插锁相环路包括频率合成器、锁相环、压控振荡器、多个滤波器、多个衰减器和多个放大器;锁相环输出到运算放大器,后经滤波后输出到压控振荡器,压控振荡器的输出反馈频率经放大滤波之后与偏移信号混频得到更低的反馈频率回到锁相环形成稳定的闭环回路,压控振荡器的输出频率放大滤波之后得到最终输出频率。

5.根据权利要求2所述的低相噪内插锁相环电路,其特征在于:所述的晶振为超低相噪恒温晶振。

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