1.一种驱动电流调节装置，包括：
采样模块，所述采样模块对串接在三极管的发射极的采样电阻进行电压采样以获得线电压，并将所述线电压转换为线电流；
可变电阻模块，所述可变电阻模块从所述采样模块接收所述线电流，并根据所述线电流产生等效电阻；
线性驱动模块，所述线性驱动模块基于所述可变电阻模块的所述等效电阻，以及三极管的发射极的所述线电压而产生驱动电流以驱动所述三极管。
2.根据权利要求1所述的驱动电流调节装置，其中所述三极管的驱动电流与所述采样电阻和所述线电压的关系公式为：Iout＝k×Ipeak×Rcs×Vin/K，其中：Iout为所述三极管的驱动电流，Ipeak为流经所述三极管的集电极电流，Rcs为所述采样电阻的阻值，Vin为所述线电压，比例系数k为60至100之间的整数，比例系数K为与所述三极管输出功率成正比的常数，且K的范围为8.0～12.0。
3.根据权利要求1所述的驱动电流调节装置，其中所述采样模块包括：
采样控制单元，电性联接于所述采样电阻和所述三极管的发射极之间，用以采样所述线电压；
第一电容，电性联接于所述采样控制单元并接地，用以保持所述线电压；
电压转电流单元，电性联接于所述采样控制单元和所述第一电容，用以将所述线电压转化为所述线电流。
4.根据权利要求1所述的驱动电流调节装置，其中所述可变电阻模块包括：
第一负反馈电路，所述第一负反馈电路从所述采样模块接收所述线电流，根据所述线电流输出栅极控制电压；
第一晶体管，其栅极接收所述栅极控制电压，并将所述第一晶体管在所述栅极控制电压下的电阻作为所述等效电阻。
5.根据权利要求4所述的驱动电流调节装置，其中所述可变电阻模块还包括电流基准单元，接收所述采样模块的线电流，并将所述线电流进行低通处理后，再提供至所述第一负反馈电路。
6.根据权利要求4所述的驱动电流调节装置，其中所述第一负反馈电路包括：
第二晶体管，其漏极接收所述线电流；
第三晶体管，其漏极与所述第二晶体管源极电性联接，所述第三晶体管源极接地，所述第三晶体管栅极与所述第一晶体管栅极电性联接，所述第三晶体管栅极电压为所述第一负反馈电路产生的所述栅极控制电压；
第一运算放大器，其正输入端与低压基准单元电性联接，负输入端电性联接于所述第二晶体管源极和所述第三晶体管漏极之间，输出端与所述第二晶体管栅极电性联接；
其中，所述第三晶体管漏极电压为所述低压基准单元产生的电压，所述第三晶体管的栅极电压为使其工作在漏极电压等于所述低压基准单元产生的电压且工作电流等于所述线电流的电压。
7.根据权利要求4所述的驱动电流调节装置，其中所述线性驱动模块包括:
第二负反馈电路，其与三极管的发射极电性连接以获得所述线电压，根据所述线电压和所述可变电阻模块产生的所述等效电阻产生中间电流；
电流转换电路，将所述第二负反馈电路产生的所述中间电流转换为所述驱动电流。
8.根据权利要求7所述的驱动电流调节装置，其中所述线性驱动模块还包括固定电流单元，与所述电流转换电路电性联接，用以提供所述三极管的初始电流。
9.根据权利要求7所述的驱动电流调节装置，其中所述第二负反馈电路包括第二运算放大器和第四晶体管：
所述第二运算放大器的正输入端接收所述线电压，负输入端与所述第四晶体管电性联接，输出端与所述第四晶体管栅极电性联接；
所述第四晶体管的漏极串接于所述电流转换电路，所述第四晶体管源极与所述第二运算放大器负输入端电性联接，所述第四晶体管栅极与所述第二运算放大器输出端电性联接；
其中，所述中间电流同时流经串联设置的所述电流转换电路和所述第四晶体管，并满足Im＝Vin/Rout，其中Im为所述中间电流，Vin为所述线电流，Rout为所述等效电阻。
10.根据权利要求9所述的驱动电流调节装置，其中所述第一晶体管和所述第四晶体管串接，所述中间电流同时流经串联设置的所述电流转换电路、所述第四晶体管和所述第一晶体管。
11.根据权利要求7所述的驱动电流调节装置，其中所述电流转换电路包括：
第五晶体管，其源极与所述第二负反馈电路电性联接，用以将所述电流转换电路与所述第二负反馈电路串接，所述中间电流流经所述第五晶体；
第六晶体管，其栅极与所述第五晶体管栅极电性联接和源极电性联接，且所述第六晶体管漏接和所述第五晶体管漏极与电源电压电性联接，用以将所述中间电流转换为所述驱动电流，所述所述第六晶体管源极与所述三极管基极电性联接并接地，用以将所述驱动电流输送至所述三极管。
12.根据权利要求11所述的驱动电流调节装置，其中所述线性驱动模块还包括：
第七晶体管，其漏极与所述晶体管源极电性联接，所述第七晶体管源极接地；
漏极控制单元，分别与所述第六晶体管和所述第七晶体管栅极电性联接，用以控制所述第六晶体管和所述第七晶体管，当所述第六晶体管导通，所述第七晶体管截止时，所述三极管导通，当所述第六晶体管截止，所述第七晶体管导通时，所述三极管关断。