本发明涉及陶瓷pcb板制造工艺中的水平线导电膜工艺，具体涉及一种高性能特殊材料孔内上膜技术。
背景技术：
随着微电子技术的迅猛发展，电子器件日益集成化和多功能化，pcb板已成为一种不可或缺的电子部件，而陶瓷pcb板以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装和多芯片模块等领域。年均增长20％以上，预计到2018年全球陶瓷pcb板市场份额为60亿元。
然而目前陶瓷pcb板的制造工艺却跟不上飞速发展的市场前景。目前一般采用传统的沉铜技术与全板电镀来制作陶瓷pcb板，这样的工艺需要多台设备组合、多名员工协同合作，生产周期比较长。而且在采用全板镀铜的过程中，经常会由于电场作用不均匀造成电镀层厚度不均匀。人工成本高、设备投入大、耗时长，镀层效果不好这些缺点严重制约了企业的发展。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明通过采用药水给孔内上膜的方法，取代传统的沉铜工艺。采用水平生产线直接在孔壁形成一层可以导电的膜的工艺方法，新工艺中只需要单条生产线进行生产，一个操作员进行作业，极大地降低了人工成本和设备成本，提高了企业的生产效率，达到节能减排增效，帮助企业成长的目的，同时减少环境污染提高了人身健康。
为实现上述技术方案，本发明提供了一种陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法，采用单条生产线单个员工操作，工艺方法主要分成以下步骤：1)整孔，包括入板、磨板、第一次溢流水洗、超声波水洗、第二次溢流水洗、高压水洗、清水洗然后进行整孔、水刀浸洗、第三次溢流水洗、di水洗、吸干；2)氧化，包括加氧化液、氧化之后回收水洗、冲污水、第二次水刀浸洗、第二次di水洗、第二次吸干；3)催化，包括加催化剂、催化之后进行第三次水刀浸洗、第三次di水洗、第四次水刀浸洗、磨板、第四次溢流水洗、干板、出板。
优选的，该工艺方法中包括溢流水洗、超声波水洗、高压水洗、水刀浸洗、di水洗和清水洗等6种清洗方式。
优选的，步骤2)中所述的氧化液，其成分主要是高锰酸盐，具体为高锰酸钾或其它。
优选的，步骤2)中的氧化液中的高锰酸盐所携带的高锰酸根离子被还原成二氧化锰，作为吸附层均匀地吸附在pcb板孔壁树脂表面，pcb板内层铜表面不吸附任何东西。
优选的，步骤3)中所述的催化剂主要是钯系列，其主要成分是胶体钯，ag/pd或者pd/sn中的一种或两种。
优选的，为了增强所述胶体钯的稳定性，通常用饱和的nacl溶液和一定量的hcl溶液来稀释。
本发明提供的一种陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法的有益效果在于：
(1)本陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法的整孔步骤可以保证孔洞的平整，有利于后续导电膜的附着，增强导电膜的结合力。
(2)本陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法的氧化液中高锰酸盐所携带的高锰酸根离子被还原成二氧化锰，作为吸附层均匀地吸附在pcb板孔壁树脂表面，pcb板内层铜表面不吸附任何东西，增强了镀层的均匀性。
(3)本陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法的催化剂中用饱和的nacl溶液和一定量的hcl溶液来稀释，增强了所述胶体钯的稳定性。
(4)本陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法采用导电膜工艺取代了传统的沉铜工艺或全板电镀工艺，只需要单条生产线进行生产，一个操作员进行作业，极大地降低了人工成本和设备成本，提高了企业的生产效率，达到节能减排增效，帮助企业成长的目的，同时减少环境污染提高了人身健康。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域普通人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明的保护范围。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
具体实施方式
一种陶瓷pcb板水平线导电膜工艺方法，采用单条生产线单个员工操作，工艺方法主要分成以下步骤：1)整孔，整孔步骤可以保证孔洞的平整，有利于后续导电膜的附着，增强导电膜的结合力，整孔具体包括入板、磨板、第一次溢流水洗、超声波水洗、第二次溢流水洗、高压水洗、清水洗然后进行整孔、水刀浸洗、第三次溢流水洗、di水洗、吸干；2)氧化，包括加氧化液、氧化之后回收水洗、冲污水、第二次水刀浸洗、第二次di水洗、第二次吸干，其中氧化液氧化液中高锰酸盐所携带的高锰酸根离子被还原成二氧化锰，作为吸附层均匀地吸附在pcb板孔壁树脂表面，pcb板内层铜表面不吸附任何东西，增强了镀层的均匀性；3)催化，包括加催化剂、催化之后进行第三次水刀浸洗、第三次di水洗、第四次水刀浸洗、磨板、第四次溢流水洗、干板、出板，其中在催化剂中用饱和的nacl溶液和一定量的hcl溶液来稀释，增强了所述胶体钯的稳定性。
通过上述方法，可以做到只需要单条生产线进行生产，一个操作员进行作业，极大地降低了人工成本和设备成本，提高了企业的生产效率，达到节能减排增效，帮助企业成长的目的，同时减少环境污染提高了人身健康。
以上所述为本发明的较佳实施例而已，但本发明不应局限于该实施例和附图所公开的内容，所以凡是不脱离本发明所公开的精神下完成的等效或修改，都落入本发明保护的范围。