一种石英晶体谐振器的制作方法

本实用新型涉及谐振器领域，尤其涉及一种石英晶体谐振器。

背景技术：

石英晶体谐振器，是利用其内置的石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，其与半导体器件和阻容元件一起使用，构成石英晶体振荡器。石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于电视机、计算机、汽车等各类振荡电路中，以及通讯系统中用于频率发生器、为数据处理产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。

随着电子产品向小型化、精密化发展的趋势，对石英晶体谐振器等频率元件的精度提出了更高的要求。石英晶体谐振器在应用设计时被提出较小的晶体动态电容比要求，以往的石英晶体谐振器其内置晶体的上下表面上所设置的电极基本都为矩形，其动态电容值在270左右，无法满足特定需求。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型提供了一种石英晶体谐振器，并设计改变原有的矩形电极模式，在保持静电容值不变的情况下加大动态电容值。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种石英晶体谐振器，包括外壳、簧片、基座、玻璃珠、引线、石英晶片、镀膜电极、导电胶，所述外壳与所述基座之间形成一容纳腔，所述基座上设有玻璃珠，玻璃珠贯穿所述基座，玻璃珠上设有两根所述引线，所述引线从外界穿过玻璃珠进入容纳腔，处于容纳腔内的两个引线端头处分别连接有所述簧片，所述石英晶片通过所述导电胶粘合在两个簧片上，所述石英晶片上下表面分别设置有镀膜电极，所述上下镀膜电极的两端都呈半圆形。

进一步地，所述上镀膜电极的一端半圆形为封闭的，另一端半圆形为开口状并与所述簧片的其中一侧相连。所述下镀膜电极的一端半圆形为封闭的，另一端半圆形为开口状并与所述簧片的另一侧相连。

进一步地，所述镀膜电极是采用真空镀膜方式镀上电极银层。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：本实用新型结构简单合理，由于在石英晶体的上下表面分别设置了具有两端半圆形的镀膜电极，改变原有的矩形模式，能够在保持静电容值不变的情况下加大动态电容值，满足了特定需求。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型一种石英晶体谐振器的主视图；

图2为本实用新型一种石英晶体谐振器的俯视图。

图中各标号依次表示：1-外壳；2-簧片；3-基座；4-玻璃珠；5-引线；6-石英晶片；7-导电胶；8-镀膜电极。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图1、图2所示，所述的石英晶体谐振器包括外壳(1)、簧片(2)、基座(3)、玻璃珠(4)、引线(5)、石英晶片(6)、镀膜电极(8)、导电胶(7)，所述外壳(1)与所述基座(2)之间形成一容纳腔，所述基座(2)上设有玻璃珠(4)，玻璃珠(4)贯穿所述基座(2)，玻璃珠(4)上设有两根所述引线(5)，所述引线(5)从外界穿过玻璃珠(4)进入容纳腔，处于容纳腔内的两个引线(5)端头处分别连接有所述簧片(2)，所述石英晶片(6)通过所述导电胶粘(7)合在两个簧片(2)上，所述石英晶片(6)上下表面分别设置有上、下镀膜电极(8)，所述上、下镀膜电极(8)的两端都呈半圆形。所述上、下镀膜电极(8)是采用真空镀膜方式镀上电极银层。

如图2，在本实施例中，所述上层镀膜电极(8)的左端半圆形为封闭的，右端半圆形为开口状并与簧片(2)的右侧相连。所述下层镀膜电极(8)的右端半圆形为封闭的，左端半圆形为开口状并与簧片(2)的左侧相连。

实施例2

如图1、图2所示，所述的石英晶体谐振器包括外壳(1)、簧片(2)、基座(3)、玻璃珠(4)、引线(5)、石英晶片(6)、镀膜电极(8)、导电胶(7)，所述外壳(1)与所述基座(2)之间形成一容纳腔，所述基座(2)上设有玻璃珠(4)，玻璃珠(4)贯穿所述基座(2)，玻璃珠(4)上设有两根所述引线(5)，所述引线(5)从外界穿过玻璃珠(4)进入容纳腔，处于容纳腔内的两个引线(5)端头处分别连接有所述簧片(2)，所述石英晶片(6)通过所述导电胶粘(7)合在两个簧片(2)上，所述石英晶片(6)上下表面分别设置有上、下镀膜电极(8)，所述上、下镀膜电极(8)的两端都呈半圆形。所述上、下镀膜电极(8)是采用真空镀膜方式镀上电极银层。

在本实施例中，所述上层镀膜电极(8)的右端半圆形为封闭的，左端半圆形为开口状并与簧片(2)的左侧相连。所述下层镀膜电极(8)的左端半圆形为封闭的，右端半圆形为开口状并与簧片(2)的右侧相连。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。