4和第三传输微带线108的长度不大于GaAs肖特基二极管109焊盘的长度，GaAs肖特基二极管109倒装焊接时正好将第二传输微带线104和第三传输微带线108的区域覆盖，如图2所示。
[0019]如图1所示，所述第二传输微带线104左侧的石英电路基板103上设有第一传输微带线106、第四传输微带线105和第五传输微带线107。所述第四传输微带线105位于石英电路基板上，且一端与第一传输微带线106的左端连接，所述第五传输微带线107位于石英电路基板上，且一端与第一传输微带线106的右端连接，第五传输微带线107的另一端与第二传输微带线104的一端连接，GaAs肖特基二极管109的一端焊接在第二传输微带线104上，并将其覆盖；第四传输微带线105通过导电胶与外围腔体实现接地，起到中频对地端的作用；第五传输微带线107为匹配电路，使射频信号最大程度的馈入到GaAs肖特基二极管109中。
[0020]如图1所示，所述第三传输微带线108右侧的石英电路基板103上设有本振低通滤波器111、第六传输微带线112、本振过渡微带线113、第七传输微带线114、中频低通滤波器115和中频输出端口 110。GaAs肖特基二极管109的另一端焊接在第三传输微带线上108，并将其覆盖；第三传输微带线108、本振低通滤波器111、第六传输微带线112、本振过渡微带线113、第七传输微带线114、中频低通滤波器115、中频输出端口 110依次串联连接。中频输出端口 110为特征阻抗为50欧姆的微带传输线，该段微带线与SMA接头相连，用于传输混频后的中频信号。所述本振低通滤波器111为5阶或者7阶高低阻抗微带滤波器。所述中频低通滤波器115，用于阻止本振信号向中频端口泄露，为5阶或7阶高低阻抗微带滤波器。GaAs肖特基二极管109通过导电胶焊接在第二传输微带线104和第三传输微带线108 上。
[0021]本发明所述所有微带线的长度和宽度需要根据待测频率等具体条件，具体分析。波导槽的需要满足混频器的相关要求。石英电路基板的厚度一般为30到75微米，石英电路的制作工艺已经十分成熟。在GaAs肖特基二极管的倒装焊接的过程中，以二极管的边缘与定位电路边缘保持一致为准，如附图2所示。
[0022]在微组装工艺中，通过采用两段微带线来定位倒装焊接的肖特基二极管，有效提高了 GaAs肖特基二极管倒装焊接的精度，可以降低混频器的变频损耗，使得混频器的测试结果更加接近设计结果；导电胶直接点在两段定位微带线上，在对GaAs肖特基二极管建立电路模型时，可以充分考虑导电胶带来的寄生影响，有助于肖特基二极管的精准建模。
【主权项】
1.一种改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:包括射频波导(101)、本振波导(102)和石英电路基板(103)，石英电路基板(103)上的第一传输微带线(106)横跨在射频波导(101)上，用于将射频信号从射频波导(101)中引入到石英电路进行传输，本振过渡微带线(113)横跨在本振波导(102)上，用于将本振信号从本振波导(102)中引入石英电路进行传输，射频波导(101)和本振波导(102)保持间隔设置，所述射频波导(101)右侧的石英电路基板(103)上设有第二传输微带线(104)，所述本振波导(102)左侧的石英电路基板(103)上设有第三传输微带线(108)，GaAs肖特基二极管(109)焊接在第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)上，第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)的长度和宽度均一致，第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)的宽度与GaAs肖特基二极管(109)衬底的宽度一致，第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)左右边缘的距离与GaAs肖特基二极(109)管衬底的长度一致，第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)的长度不大于GaAs肖特基二极管(109)焊盘的长度，GaAs肖特基二极管(109)倒装焊接时正好将第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)的区域覆盖。
2.根据权利要求1所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:所述第二传输微带线(104)左侧的石英电路基板(103)上设有第一传输微带线(106)、第四传输微带线(105)和第五传输微带线(107)，所述第四传输微带线(105)—端与第一传输微带线(106)的左端连接，所述第五传输微带线(107) —端与第一传输微带线(106)的右端连接，第五传输微带线(107)的另一端与第二传输微带线(104)的一端连接，GaAs肖特基二极管(109)的一端焊接在第二传输微带线(104)上，并将其覆盖；第四传输微带线(105)通过导电胶与外围腔体实现接地，起到中频对地端的作用；第五传输微带线(107)为匹配电路，使射频信号最大程度的馈入到GaAs肖特基二极管(109)中。
3.根据权利要求2所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:所述第三传输微带线(108)右侧的石英电路基板(103)上设有本振低通滤波器(111)、第六传输微带线(112)、本振过渡微带线(113)、第七传输微带线(114)、中频低通滤波器(115)和中频输出端口(110)，GaAs肖特基二极管(109)的另一端焊接在第三传输微带线上(108)，并将其覆盖；第三传输微带线(108)、本振低通滤波器(111)、第六传输微带线(112)、本振过渡微带线(113)、第七传输微带线(114)、中频低通滤波器(115)、中频输出端口(110)依次串联连接。
4.根据权利要求3所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:中频输出端口(110)为特征阻抗为50欧姆的微带传输线，该段微带线与SMA接头相连，用于传输混频后的中频信号。
5.根据权利要求3所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:所述本振低通滤波器(111)为5阶或者7阶高低阻抗微带滤波器。
6.根据权利要求3所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:所述中频低通滤波器(115)，用于阻止本振信号向中频端口泄露，为5阶或7阶高低阻抗微带滤波器。
7.根据权利要求1所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:GaAs肖特基二极管(109)通过导电胶焊接在第二传输微带线(104)和第三传输微带线(108)上。
8.根据权利要求1所述的改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于:所述石英电路基板(103)的厚度为为30微米到75微米。
【专利摘要】本发明公开了一种改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，涉及多重频率变换的电子器件技术领域。包括射频波导、本振波导和石英电路基板，第二传输微带线和第三传输微带线的长度和宽度均一致，第二传输微带线和第三传输微带线的宽度与GaAs肖特基二极管衬底的宽度一致，第二传输微带线和第三传输微带线左右边缘的距离与GaAs肖特基二极管衬底的长度一致，第二传输微带线和第三传输微带线的长度不大于GaAs肖特基二极管焊盘的长度，GaAs肖特基二极管倒装焊接时正好将第二传输微带线和第三传输微带线的区域覆盖。所述集成电路有效提高了GaAs肖特基二极管倒装焊接的精度，可以降低混频器的变频损耗。
【IPC分类】H03D7-16
【公开号】CN104811144
【申请号】CN201510261178
【发明人】王俊龙, 杨大宝, 邢东, 梁士雄, 张立森, 赵向阳, 冯志红
【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年5月20日