声表面波装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及包含SAW (Surface Acoustic Wave，声表面波)滤波器、SAW谐振器等声表面波元件且呈包围该声表面波元件这样的封装结构的声表面波装置。
【背景技术】
[0002]在专利文献1 (JP特开平11-88101号公报)中记载了图8所示那样的声表面波元件102。声表面波元件102具有:压电基板111、设于压电基板111上的电介质膜112、和设于电介质膜112上的IDT (Inter Digital Transducer，叉指换能器)电极113、114。
[0003]电介质膜112是用于调整声表面波元件102的相对带宽的膜。电介质膜112的材质为金属氧化物，例如使用Si02等。该电介质膜112从制作上的容易性的观点出发，如图8所示，通过溅射等而形成在压电基板111的主面111M的整个面。另外，在声表面波元件102还设有特性补偿用电介质部121，以便覆盖IDT电极113、114。特性补偿用电介质部121进行补偿，使得即便声表面波元件102的温度发生变化，频率特性也不大幅变化。
[0004]在图9中记载了包含声表面波元件102且呈封装结构的声表面波装置101。声表面波装置101除了具有声表面波元件102以外，还具有设于压电基板111上的树脂构件115。树脂构件115由框状的树脂支承部115A、和被设置为隔着树脂支承部115A来覆盖IDT电极113、114的树脂覆盖部115B而构成。由该压电基板111和树脂构件115形成了成为气密状态的空间S，能激振声表面波。另外，声表面波装置101具有用于对声表面波元件102提供信号的过孔导体118。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:JP特开平11-88101号公报
【发明内容】
[0008]发明要解决的课题
[0009]压电基板111的材质为铌酸锂等无机压电材料，树脂构件115的材质为树脂，它们由于材质不同，因此线膨胀系数不同。因而，声表面波装置101被放置在有温度变化的环境的情况下，由于压电基板111以及树脂构件115膨胀或收缩，从而产生热应力。
[0010]由于树脂构件115的树脂支承部115A以及树脂覆盖部115B均为树脂材料，此外线膨胀系数的值近似，因此热应力所带来的影响较小。因而，在树脂支承部115A与树脂覆盖部115B之间难以出现剥离。与此相对，由于压电基板111和树脂支承部115A的线膨胀系数不同，因此若产生热应力，则相对于压电基板111与树脂支承部115A的界面而在平行方向上产生剪切力。
[0011]然而，在图9所记载的声表面波装置101中，在压电基板111的主面111M与树脂支承部115A之间设有电介质膜112。由于电介质膜112相对于压电基板111的密接力较小，因此若产生前述的剪切力，则在压电基板111与电介质膜112之间易于出现剥离。其结果，在声表面波装置101所示的封装结构中，存在难以维持内部的气密状态这样的问题。
[0012]本发明提供在有温度变化的环境中纵使在压电基板与树脂构件之间产生了热应力也能抑制压电基板和树脂构件的剥离，且能够维持内部的气密状态的声表面波装置。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本发明所涉及的声表面波装置，具备:压电基板；电介质膜，其被设置在压电基板的主面；IDT电极，其隔着电介质膜而被设置在压电基板上；和树脂构件，其被设置在压电基板，使得与IDT电极空开距离且覆盖IDT电极，其中，声表面波装置具有压电基板和树脂构件直接接触的树脂接触区域，树脂接触区域呈包围IDT电极那样的形状。
[0015]优选地，还具备:中继电极(junct1n electrodes)，其被设置在压电基板的主面，使得与IDT电极电连接；和过孔导体，其至少被设置在树脂构件，使得与中继电极电连接，在从压电基板的主面侧投影并观察声表面波装置时，过孔导体位于不与电介质膜重叠但与中继电极重叠的位置。
[0016]此外，优选地，树脂构件具备:树脂支承部，其被设置为包围IDT电极；和树脂覆盖部，其被设置在树脂支承部，使得与IDT电极空开距离且覆盖IDT电极，在从压电基板的主面侧投影并观察声表面波装置时，树脂支承部位于不与电介质膜重叠的位置。
[0017]进一步优选地，树脂接触区域为封闭的框状的形状。
[0018]发明的效果
[0019]本发明所涉及的声表面波装置具有压电基板和树脂构件直接接触的树脂接触区域，进而树脂接触区域呈包围IDT电极那样的形状。由于相对于压电基板的密接力是树脂构件大于电介质膜，因此本发明所涉及的声表面波装置相比于【背景技术】所记载的声表面波装置，树脂构件相对于压电基板的密接力更大。由此，纵使声表面波装置被放置在有温度变化的环境中，也能抑制压电基板与树脂构件之间的剥离，能维持内部的气密状态。
【附图说明】
[0020]图1是本发明的实施方式所涉及的声表面波装置1的立体图。
[0021]图2(A)是图2(B)所示的声表面波装置1的Z1-Z1剖面图，图2 (B)是图1所示的声表面波装置1的Y1-Y1剖面图。
[0022]图3是从压电基板11的主面11M侧投影并观察声表面波装置1时的图。被实线包围的区域是压电基板11和树脂构件15相接触的树脂接触区域RC、过孔导体18的投影图VP、电介质膜12的投影图DP。被粗实线包围的区域是中继电极17的投影图EP。细虚线是IDT 电极 13、14。
[0023]图4是表示声表面波装置1的电介质膜12以及IDT电极13、14相关的第1变形例的图。
[0024]图5是表示声表面波装置1的中继电极17以及过孔导体18相关的第2变形例的图。
[0025]图6是表示声表面波装置1的过孔导体18相关的第3变形例的图。
[0026]图7是表示声表面波装置1的树脂支承部15A相关的第4变形例的图。
[0027]图8是专利文献1所示的声表面波元件102的立体图。
[0028]图9是从正面(Y方向)观察包含图8所示的声表面波元件102的声表面波装置 101时的剖面图。
【具体实施方式】
[0029]如图1、图2(A)以及图2(B)所示，本实施方式所涉及的声表面波装置1具有:压电基板11、电介质膜12、IDT (Inter Digital Transducer，叉指换能器)电极13、14、和树脂构件15。由该压电基板11、电介质膜以及IDT电极13、14构成声表面波元件。树脂构件15由树脂支承部15A以及树脂覆盖部15B构成。其中，树脂构件15也可以使树脂支承部15A以及树脂覆盖部15B通过相同的材料而形成为一体。声表面波装置1也可以还具备中继电极17、过孔导体18。
[0030]声表面波装置1呈以压电基板11以及树脂构件15为外围的封装结构。通过该封装结构，内部的空间S被气密密封。如前所述，在有温度变化的环境中，在声表面波装置1，在压电基板11与树脂构件15之间产生热应力。本实施方式所涉及的声表面波装置1具有即便产生该热应力而压电基板11和树脂构件15也难以剥离的结构。
[0031]另夕卜，在此提及的温度变化例如能举出JEDEC(Solid State TechnologyAssociat1n,固态技术协会)的JEDJESD22-A104C所记载的热循环试验中的温度变化。
[0032]以下，参照图1、图2 (A)以及图2⑶来说明声表面波装置1的结构。
[0033]压电基板11是声表面波装置1的基材。压电基板11的