款1-10中任一项所述的电路，进一步包括:
[0145]启动电路；其中
[0146]所述晶体管被配置为启用和停用所述启动电路。
[0147]12、根据条款1-10中任一项所述的电路，进一步包括:
[0148]功率级；其中
[0149]所述晶体管是所述功率级的开关晶体管。
[0150]13、根据条款1-12中任一项所述的电路，进一步包括:
[0151]滤波器，所述滤波器包括至少一个电容器；其中
[0152]所述检测电路被配置为，当在预定时间间隔期间尚没有所述信号的变化被检测到时，通过下列至少一个给所述至少一个电容器放电:
[0153]启用功率级；以及
[0154]将所述晶体管置于导通状态。
[0155]14、一种用于操作电路的方法，包括:
[0156]将晶体管配置为处于导通状态以执行功能；以及
[0157]通过监视所述晶体管的控制端子，检测耦合在所述晶体管的两个受控端子之间的电压的变化。
[0158]15、根据条款14所述的方法，进一步包括:
[0159]在检测耦合在所述晶体管的所述两个受控端子之间的所述电压的变化之前，将所述晶体管配置为处于非导通状态。
[0160]16、根据条款14或15所述的方法，其中
[0161]执行所述功能包括下列至少一个:
[0162]启用启动电路；以及
[0163]将能量转换到功率级的电感器的磁场中。
[0164]17、根据条款14-16中任一项所述的方法，其中
[0165]监视所述控制端子包括:
[0166]下列至少一个:
[0167]测量跨所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子两端的电压；并且
[0168]在下列其中之一时比较流过所述控制端子的电流和至少一个阈值:
[0169]将在所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子之间的电压调节为恒定值；以及
[0170]在所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子之间提供预定电压。
[0171]18、根据条款14-17中任一项所述的方法，进一步包括:
[0172]将交流电压整流以提供所述电压到所述晶体管的所述受控端子；以及
[0173]通过下列至少一个来检测所述交流电压的过零点:
[0174]流入所述控制端子并超过第一阈值的电流；以及
[0175]流出所述控制端子并超过第二阈值的电流。
[0176]19、根据条款18所述的方法，其中
[0177]所述交流电压是周期性的；以及
[0178]所述方法进一步包括将所述晶体管配置为在预定持续时间内处于导通状态，所述预定持续时间开始于已经检测到过零之后的预定时间，其中所述预定时间大于所述交流电压的四分之一周期；以及
[0179]所述预定时间和所述预定持续时间的总和短于所述交流电压的周期的一半。
[0180]20、根据条款14-19中任一项所述的方法，进一步包括:
[0181]在预定时间间隔期间没有检测到所述电压的变化时，通过下列至少一个给滤波器的所述至少一个电容放电:
[0182]将所述晶体管配置为导通状态；以及
[0183]启用功率级。
[0184]21、根据条款14所述的方法，进一步包括:
[0185]在检测到耦合在所述晶体管的所述两个受控端子之间的电压的变化之后，将所述晶体管配置为处于非导通状态。
[0186]22、一种用于操作电源的方法，包括:
[0187]利用晶体管将所述电源的功率级的控制器的启动电路耦合到电压，以当所述功率级无法向所述控制器提供功率时，向所述控制器提供功率；
[0188]在所述功率级能够向所述控制器提供功率之后，将所述晶体管配置为处于非导通状态；以及
[0189]当所述晶体管处于非导通模式时，通过监视所述晶体管的控制端子，检测所述电压的变化。
[0190]23、一种检测电路，被配置为耦合到晶体管的控制端子，其中所述检测电路被配置用于检测下列至少一个:
[0191]由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压在所述控制端子处引起的信号;
[0192]由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压的变化在所述控制端子处引起的信号；以及
[0193]由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压的变化在所述控制端子处引起的信号的变化。
【主权项】
1.一种电路，包括: 晶体管，其中电压跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合，并且其中所述晶体管被配置为处于非导通状态；以及 检测电路，所述检测电路被耦合到所述晶体管的控制端子，其中所述检测电路被配置为检测下列至少一个: 由于跨所述两个受控端子两端耦合的电压引起的信号； 由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化引起的信号；以及由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化在所述控制端子处引起的信号的变化。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述信号是通过所述控制端子流动的电流；以及 所述检测电路包括驱动器电路，所述驱动器电路被配置为进行下列至少一个: 提供；以及 调节 在所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子之间的电压到恒定值。3.根据权利要求1所述的电路，其中 所述检测电路包括估计电路，所述估计电路被配置为检测下列至少一个: 所述信号中的至少一个信号和所述信号的所述变化是超过或降至低于阈值；以及 所述信号中的至少一个信号和所述信号的所述变化在极性上变化。4.根据权利要求3所述的电路，其中 所述检测电路进一步包括驱动器控制器，所述驱动器控制器被配置为给所述驱动器电路提供信号以将所述晶体管置于导通状态和非导通状态中的一个。5.根据权利要求4所述的电路，进一步包括: 整流器，所述整流器耦合在所述电压和所述两个受控端子之间， 其中所述驱动器控制器提供信号给所述驱动器电路，以在所述信号的变化已经被所述估计电路检测到并经过预定时间间隔之后，在预定持续时间内将所述晶体管置于导通状??τ ο6.根据权利要求5所述的电路，其中 施加到所述受控端子的所述电压是周期性的；并且 所述预定时间间隔和所述预定持续时间总共的持续时间小于所述电压的周期。7.根据权利要求1所述的电路，其中 所述晶体管是下列中的一个: 金属氧化物半导体场效应晶体管； 场板沟晶体管；以及 超结晶体管。8.根据权利要求7所述的电路，其中 所述晶体管的栅极-漏极电容器的电容在跨所述两个受控端子两端耦合的0V电压处至少比所述晶体管的额定击穿电压处大20倍。9.根据权利要求7所述的电路，其中 所述晶体管的栅极-漏极电容器的电容取决于跨所述受控端子两端的所述电压乘以倍数，所述倍数对于低于角电压的电压比对于高于角电压的电压大两到三个数量级。10.根据权利要求1所述的电路，进一步包括: 多个晶体管，其中 所述多个晶体管中的晶体管的漏极和所述晶体管的漏极耦合在一起； 所述多个晶体管中的晶体管的源极和所述晶体管的源极耦合在一起； 所述多个晶体管中的晶体管的栅极耦合在一起；以及 所述晶体管的栅极没有连接到所述多个晶体管的所述晶体管的所述栅极。11.根据权利要求1所述的电路，进一步包括: 启动电路；其中 所述晶体管被配置为启用和停用所述启动电路。12.根据权利要求1所述的电路，进一步包括: 功率级；其中 所述晶体管是所述功率级的开关晶体管。13.根据权利要求1所述的电路，进一步包括: 滤波器，所述滤波器包括至少一个电容器；其中 所述检测电路被配置为，当在预定时间间隔期间尚没有所述信号的变化被检测到时，通过下列至少一个给所述至少一个电容器放电: 启用功率级；以及 将所述晶体管置于导通状态。14.一种用于操作电路的方法，包括: 将晶体管配置为处于导通状态以执行功能；以及 通过监视所述晶体管的控制端子，检测耦合在所述晶体管的两个受控端子之间的电压的变化。15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 在检测耦合在所述晶体管的所述两个受控端子之间的所述电压的变化之前，将所述晶体管配置为处于非导通状态。16.根据权利要求15所述的方法，其中 执行所述功能包括下列至少一个: 启用启动电路；以及 将能量转换到功率级的电感器的磁场中。17.根据权利要求14所述的方法，其中 监视所述控制端子包括: 下列至少一个: 测量跨所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子两端的电压；并且 在下列其中之一时比较流过所述控制端子的电流和至少一个阈值: 将在所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子之间的电压调节为恒定值；以及 在所述控制端子和所述受控端子中的一个受控端子之间提供预定电压。18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括: 将交流电压整流以提供所述电压到所述晶体管的所述受控端子；以及 通过下列至少一个来检测所述交流电压的过零点: 流入所述控制端子并超过第一阈值的电流；以及 流出所述控制端子并超过第二阈值的电流。19.根据权利要求18所述的方法，其中 所述交流电压是周期性的；以及 所述方法进一步包括将所述晶体管配置为在预定持续时间内处于导通状态，所述预定持续时间开始于已经检测到过零之后的预定时间，其中所述预定时间大于所述交流电压的四分之一周期；以及 所述预定时间和所述预定持续时间的总和短于所述交流电压的周期的一半。20.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 在预定时间间隔期间没有检测到所述电压的变化时，通过下列至少一个给滤波器的所述至少一个电容放电: 将所述晶体管配置为导通状态；以及 启用功率级。21.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 在检测到耦合在所述晶体管的所述两个受控端子之间的电压的变化之后，将所述晶体管配置为处于非导通状态。22.一种用于操作电源的方法，包括: 利用晶体管将所述电源的功率级的控制器的启动电路耦合到电压，以当所述功率级无法向所述控制器提供功率时，向所述控制器提供功率； 在所述功率级能够向所述控制器提供功率之后，将所述晶体管配置为处于非导通状态；以及 当所述晶体管处于非导通模式时，通过监视所述晶体管的控制端子，检测所述电压的变化。23.—种检测电路，被配置为耦合到晶体管的控制端子，其中所述检测电路被配置用于检测下列至少一个: 由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压在所述控制端子处引起的信号；由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压的变化在所述控制端子处引起的信号；以及 由于跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合的电压的变化在所述控制端子处引起的信号的变化。
【专利摘要】根据各个实例，本文描述了电路、检测电路、用于操作电路方法和用于操作电源的方法。作为一个实例，一种电路包括：晶体管和检测电路。电压跨所述晶体管的两个受控端子两端耦合，并且所述晶体管被配置为非导通状态。所述检测电路被耦合到所述晶体管的控制端子。所述检测电路被配置为检测下列至少一个：由于跨所述两个受控端子两端耦合的电压引起的信号；由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化引起的信号；以及由于跨所述两个受控端子两端耦合的所述电压的变化在所述控制端子处的信号引起的变化。
【IPC分类】H03K17/687
【公开号】CN105306029
【申请号】CN201510325102
【发明人】F·希尔勒, A·毛德, J·巴伦舍恩
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年6月12日
【公告号】DE102015109370A1, US20150365084