而使得自举电容可以通过控制下桥臂驱动控制电源12中的IGBT2的导通来实现对自举电容C进行充电。
[0028]结合图2和图3可知，本申请上述实施例一中的系统还可以包括:电流传感器S，分别与轴承线圈L和轴承控制器连接，用于将轴承线圈L的电流值反馈到轴承控制器。
[0029]具体的，此处电流传感器S的功能的主要目的是为了将轴承线圈L电流大小反馈到轴承控制器中，从而触发轴承控制器进一步通过判断轴承线圈L的电流是否为0,进一步来限制PWM1和PWM2的最小占空比值。
[0030]此处还需要进一步详细说明的是，结合图2和图4可知，本申请上述实施例一中的上桥臂驱动控制电源还可以包括如下元件:控制电源U、限流电阻R、自举二极管D，控制电源U经由限流电阻R、自举二极管D和自举电容C与轴承线圈L连接，其中，
[0031]当轴承控制器14控制输出的脉冲宽度调制的占空比值大于第二预定值(即控制脉冲宽度调制的占空比值大于等于零)时，会使得图3中的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2导通，此时结合图2可知，由于第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2导通，使得轴承线圈L接地，形成一个电压差，此时，控制电源U会经由限流电阻R、自举二极管D、自举电容C、轴承线圈L和第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2形成一个回路，控制电源U会提供电荷给自举电容C，从而使得控制电源U对自举电容C充电。
[0032] 优选地，结合图2和图4可知，本申请上述实施例一中的上桥臂驱动控制电源还可以包括:驱动芯片，驱动芯片与自举电容C并联，并与第一绝缘栅双极型晶体管连接，其中，当第一绝缘栅双极型晶体管和驱动芯片工作时的消耗电量大于自举电容的电量时，控制脉冲宽度调制的占空比值，使得自举电容的电量大于消耗电量。
[0033]具体的，由于上桥臂驱动控制电源10中的第一绝缘栅双极型晶体管IGBT1及驱动芯片也在不断消耗自举电容的电荷，为了进一步保证自举电容的充分充电，需要PWM的占空比必须满足自举电容充的电量至少要大于第一绝缘栅双极型晶体管和驱动芯片工作时的消耗电量，因此，如果检测到第一绝缘栅双极型晶体管和驱动芯片工作时的消耗电量大于自举电容的电量时，轴承控制器14可以实时控制输出的脉冲宽度调制(PWM1和PWM2)的占空比值，从而始终保证自举电容的电量大于消耗电量。
[〇〇34] 此处还需要说明的是，本申请实施例中涉及到的脉冲宽度调制是一种数字控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或M0S管栅极的偏置，来实现晶体管或M0S管导通时间的改变，控制方式就是对逆变电路开关器件的通断进行控制，使输出端得到一系列幅值相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或所需要的波形。也就是在输出波形的半个周期中产生多个脉冲，使各脉冲的等值电压为正弦波形，所获得的输出平滑且低次谐波少。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，即可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率。从而实现开关稳压电源输出的改变。这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定，是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。
[0035]实施例2
[0036] 本发明实施例，可以提供一种功率放大器的控制方法的实施例，需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0037] 本申请实施例一所提供的方法实施例可以在空调器或者类似的控制环境温度的装置中执行。图5是根据本发明实施例二的功率放大器的控制方法的流程图。
[0038]如图5所示，上述功率放大器的控制方法可以包括如下实施步骤:
[0039]步骤S50,可以通过图1所示的轴承控制器14来实现检测轴承线圈L的电流值。
[0040]步骤S52,可以通过图1所示的轴承控制器14来执行，当检测到轴承线圈L的电流值等于第一预定值时，控制脉冲宽度调制的占空比值大于第二预定值，使得对自举电路中的自举电容进行充电，其中，第二预定值大于等于零。
[0041] 优选地，上述实施例二中的轴承控制器14可以执行判断轴承线圈L的电流值是否等于第一预定值，其中，当轴承线圈L的电流值不等于第一预定值时，保持脉冲宽度调制的占空比值不变。
[0042]由此可知，本申请上述实施例二提供的方案中，通过实时检测轴承线圈L的电流，如果检测到当前电流不满足要求(例如第一预定值为0)时，可以确定此时自举电容需要进行充电，从而通过控制脉冲宽度调制的占空比值大于等于零，使得对自举电容进行充电。由此可知，本申请提供的系统提出了一种可实现轴承工作在任何状态下都能实现自举电容充分充电的方法，解决了现有技术无法保证自举电容及时充电导致功率放大器故障的技术问题，从而防止IGBT损坏，达到轴承功率放大器的可靠工作，且不增加硬件电路。
[0043]结合图2可知，本申请的功率放大器可以是一种主动式磁悬浮轴承功率放大器。该功率放大器的半桥拓扑结构如图2所示，通过轴承控制器14(图2中未示出)来控制第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2接收到的脉冲宽度调制PWM2的占空比值来实现控制轴承线圈L的电流大小。其中，在图2中的自举电路中的自举电容C在IGBT2 (绝缘栅双极型晶体管)导通时或D1续流时实现充电。
[0044]此处需要说明的是，由于第一绝缘栅双极型晶体管IGBT1接收到的脉冲宽度调制PWM1和第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2接收到的脉冲宽度调制PWM2相位互差180度，且轴承控制器是与两个绝缘栅双极型晶体管分别连接，因此，轴承控制器可以是通过控制PWM1和PWM2的占空比来实现控制轴承线圈L的电流大小。
[0045]优选地，本申请上述实施例二中，在执行步骤S50检测轴承线圈L的电流值之前，还可以执行如下步骤:步骤S40，通过电流传感器S将轴承线圈L的电流值反馈至轴承控制器。
[0046]并在执行步骤S50检测轴承线圈L的电流值之后，执行如下步骤:步骤S51，轴承控制器判断轴承线圈L的电流值是否等于第一预定值，其中，当轴承线圈L的电流值不等于第一预定值时，保持脉冲宽度调制的占空比值不变。
[0047]具体的，本申请的一种可选实施例中，以第一预定值可以为零的示例中，如果轴承控制器14检测到当前通过轴承线圈L的电流不为0时，轴承控制器14对输出的PWM1和PWM2的占空比值不作限制，此时，自举电路中的自举电容C总是存在充电的机会，并能保证有充足的电量。
[0048]而当轴承控制器14检测到通过轴承线圈L的电流为0时，轴承控制器14需要控制PWM1和PWM2的占空比的值限制在一个大于0的数，从而使得自举电容可以通过控制下桥臂驱动控制电源12中的IGBT2的导通来实现对自举电容C进行充电。
[0049]优选地，本申请上述实施例中，步骤S52控制脉冲宽度调制的占空比值大于第二预定值，使得对自举电路中的自举电容进行充电可以通过如下可选方案实现:当的占空比值大于第二预定值时，轴承控制器控制脉冲宽度调制的占空比值大于第二预定值，使得与轴承控制器连接的第二绝缘栅双极型晶体管导通，使得自举电路中的控制电源U对自举电容C充电。
[0050]此处需要详细说明的是，结合图2可知，本申请上述实施例二中的自举电容为上桥臂驱动控制电源的一部分，该上桥臂驱动控制电源还可以包括如下元件:控制电源U、限流电阻R、自举二极管D，控制电源U经由限流电阻R、自举二极管D和自举电容C与轴承线圈L连接。
[0051]由此可知，上述步骤S52的可选方案的实现过程中，当轴承控制器14控制输出的脉冲宽度调制的占空比值大于第二预定值(即控制脉冲宽度调制的占空比值大于等于零)时，会使得图3中的第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2导通，此时结合图2可知，由于第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2导通，使得电流传感器S接地，形成一个电压差，此时，控制电源U会经由限流电阻R、自举二极管D、自举电容C、轴承线圈L和第二绝缘栅双极型晶体管IGBT2形成一个回路，控制电源U会提供电荷给自举电容C，从而使得控制电源U对自举电容C充电。
[0052]在本申请还可以提供的一种可选方案中，在执行对自举电路中的自举电容进行充电的步骤之后，还可以执行如下实施步骤:
[0053]步骤S601，判断自举电容的电量是否大于消耗电量。
[0054]步骤S602，当自举电容的电量大于消耗电量时，保持脉冲宽度调制的占空比值不变。
[0055]步骤S603，当自举电容的电量小于等于消耗