此，振荡器100能够确保可得到良好的振荡 特性的负电阻。此外，根据该结果，即使在布线42与导体层之间的距离为0. 7mm的条件下， 振荡器100也能够得到期望的频率可变范围，并且能够确保可得到良好的振荡特性的负电 阻。
[0090] 此外，关于振荡器100,例示为了压控型石英振荡器（VCX0)，但振动片和振荡器的 种类不限于此。作为振动片，例如也可W使用SAW(Surface Acoustic Wave:表面声波） 谐振器、AT切石英振子、SC切石英振子、音叉型石英振子、其它压电振子或MEMS (Micro Electro Mechanical Systems:微电子机械系统）振子等。
[0091] 作为振动片的基板材料，也可W使用石英、粗酸裡或妮酸裡等压电单晶体、错铁酸 铅等压电陶瓷等压电材料、或者娃半导体材料等。此外，作为振动片的激励方法，可W使用 基于压电效应的激励，也可W使用基于库仑力的静电驱动。
[0092] 关于振荡器的种类，可W是压电振荡器（石英振荡器等）、SAW振荡器、压控型振荡 器（VCXO或VCSO等）、溫度补偿型振荡器灯CXO等）、恒溫型振荡器（OCXO等）、娃振荡器、 原子振荡器等。
[0093] 如上所述，根据本实施方式的振荡器100,能够得到W下的效果。
[0094] 振荡器100构成为包含振荡电路50、振动片20、电感器24、变容二极管电容器22、 容器10。在容器10的基板14上，在基板14的第1面14a和第2面14b之间设置有导体层 12,在基板14上（第1面14a)设置有用于形成振荡环路的布线42。基板14的材料使用了 相对介电常数为9 W上且10 W下的陶瓷，将布线42和导体层12之间的距离设定为0. 35mm W上且0. 7mm W下，将布线42的面积设定为1. 65mm2W上且2. Omm 2W下。由此，能够构成 布线42和导体层12之间的静电电容值为0.化F W上且0. SpF W下的容器10。振荡器100 使用了形成振荡环路的布线42和导体层12之间的静电电容为0. SpF W下的容器10,因此， 在振荡器100中，布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，能够使振荡电路的负电阻的 绝对值变小的可能性减少，因此，能够使振荡器的特性例如振荡稳定度下降的可能性减少。 因此，能够提供使振荡稳定度下降的可能性减少的振荡器100。此外，振荡器100使用了将 布线42和导体层12之间的距离设定为0. 7mm W下的基板14,因此，还能够通过使振荡器 100收敛于规定的高度（1. 5mm W下），实现高度低的振荡器100。 阳0巧](实施方式。
[0096] 在实施方式2的电子部件200中，容器内部不具有实施方式1所示的振动片20,运 与实施方式1的振荡器100不同。电子部件200通过使容器外部的振动片与电子部件200 的外部连接端子254电连接，作为振荡器发挥功能。
[0097] 图7是示出实施方式2的电子部件200的概略结构的示意性俯视图。图8是图7 中的C - C线处的剖视图。首先，使用图7 W及图8对实施方式2的电子部件200的概略 结构进行说明。此外，针对与实施方式1的振荡器100相同的结构部位，标注相同标号，省 略重复的说明。此外，容器210由与实施方式1的容器10相同的材料构成，因此省略其说 明。
[0098] 如图7 W及图8所示，电子部件200包含振荡电路50、变容二极管电容器22、电感 器24、容器210等。容器210为了容纳变容二极管电容器22、电感器24、振荡电路50,具有 形成为矩形的箱状的封装主体218和盖体19。此外，在图7中，为了便于说明，透视盖体19 而图示出。
[0099] 封装主体218由形成封装主体218的底部（一Z轴侧）的基板214、用于形成振荡 电路50、变容二极管电容器22、电感器24的收纳空间的框体216、作为与盖体19的接合材 料的接缝环17构成。
[0100] 基板214具有配置有振荡电路50的第1面214a W及作为第1面214a的相反面 的第2面214b。在基板214的第1面214a上具有布线42,该布线42与电子部件200的经 由后述的外部连接端子254连接的振动片和振荡电路50连接，形成振荡环路。在本实施方 式的电子部件200中，振荡电路50、作为外部部件的振动片、变容二极管电容器22 W及电感 器24通过布线42连接，振荡环路构成为包含振荡电路50、作为外部部件的振动片W及电感 器24。 阳101] 基板214在第1面214a和第2面214b之间具有导体层212。具体而言，基板214 由第1基板211、第2基板213 W及在第1基板211和第2基板213之间形成的导体层212 构成。导体层212被设置在作为第2基板213的+Z轴侧的面的第1面214a与作为第1基 板211的一Z轴侧的面的第2面214b之间。
[0102] 导体层212在俯视时与设置在第1面214a上的布线42重合，布线42与导体层 212在厚度方向狂轴方向）上的距离为0. 35mm W上且0. 7mm W下。电连接在布线42上的 电感器24在俯视时与导体层212重合。由此，在将电子部件200搭载到搭载基板上时，搭 载基板的布线图案及配置在附近的部件等对电子部件200的影响减少，例如布线42 W及电 感器24的至少一部分与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件的至少一部分之间的电 磁禪合减少，在布线42与导体层212之间、电感器24与导体层212之间形成的静电电容值 稳定。此外，在将电子部件200搭载到搭载基板上时，导体层212还作为布线42与搭载基 板的布线图案及配置在附近的部件布线之间的屏蔽电极发挥功能。因此，能够减少将电子 部件200搭载到搭载基板前后的频率变动。此外，布线42与实施方式1同样地设置成具有 1.65臟 2^上且2.〇1111112^下的面积。 阳103] 基板214的第2面214b具有连接振动片的振动片连接端子、向振荡电路50施加 电压的电源端子、输出从振荡电路50输出的振荡信号的输出端子、作为振荡电路50的基准 电位的接地端子、向变容二极管电容器22施加控制电压的控制电压输入端子等多个外部 连接端子254。导体层212通过未图示的内部布线，与外部连接端子254的接地端子电连 接。 阳104]多个外部连接端子254内的、连接振动片的振动片连接端子经由从基板214的第1 面214a朝向第2面214b贯通地设置的过孔246与布线42电连接。振动片与振动片连接 端子连接，由此，振动片与振荡电路50电连接。由此，由电子部件200内部所配备的振荡电 路50 W及电感器24、与作为外部部件的振动片构成振荡环路。
[0105] 如上所述，根据本实施方式的电子部件200,能够得到如下效果。
[0106] 电子部件200构成为包含振荡电路50、电感器24、变容二极管电容器22、容器 210。在容器210的基板214上，在基板214的第1面214a和第2面214b之间设置有导体 层212,在基板214上（第1面214a)设置有布线42,该布线42通过在容器210的振动片 连接端子（外部连接端子254)上连接振动片，形成振荡环路。基板214的材料使用相对介 电常数为9 W上且10 W下的陶瓷，将布线42与导体层212之间的距离设定为0. 35mm W上 且0. 7mm W下，将布线42的面积设定为1. 65mm2W上且2. Omm2 W下。由此，能够构成布线 42与导体层212之间的静电电容值为0.化F W上且0. SpF W下的容器210。此外，在将电 子部件200搭载到搭载基板上时，导体层212还作为布线42与搭载基板的布线图案及配置 在附近的部件布线之间的屏蔽电极发挥功能。对电子部件200使用了通过连接振动片而形 成振荡环路的布线42与导体层212之间的静电电容为0. SpF W下的容器210,因此，在电子 部件200中，在布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，例如，能够减少通过连接振动片 而构成的振荡器中，能够使振荡电路的负电阻的绝对值变小的可能性减少。因此，能够提供 减少了振荡稳定度下降的可能性的电子部件200。 阳107] <电子设备>
[0108] 接下来，使用图9~图11，对具有本发明的实施方式的电子部件的电子设备进行 说明。此外，在本说明中，示出了使用了连接有振动片的电子部件200的例子。
[0109] 图9是示出作为具有本发明一个实施方式的电子部件的电子设备的一例的移动 型（或笔记本型）的个人计算机1100的结构概略的立体图。如图9所示，个人计算机1100 由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部1000的显示单元1106构成，显示单元1106 经由较链构造部，W能够转动的方式被支承在主体部1104上。在运样的个人计算机1100 中，内置有电子部件200。
[0110] 如上所述，在作为电子设备的一例的移动型（或笔记本型）个人计算机1100中， 具有本发明一个实施方式的电子部件200作为例如时钟源，由此，从电子部件200输出稳定 的频率信号作为向移动型个人计算机1100提供的时钟源，因此能够提高移动型个人计