线路板、其制作方法及射频器件的制作方法_2

文档序号:9634282阅读:来源:国知局
便于在第二基板4上制作导线。
[0047]作为优选的实施方式,所述第二基板4的高度大于所述第一基板1的高度,以使得凹槽5中的器件与第二基板4更充分接触,从而有利于第二基板4的散热。
[0048]如图3所示,作为优选的实施方式,所述第二基板4的高度小于所述金属基3的高度。
[0049]利用所述第二基板4的高度小于所述金属基3的高度,使得凹槽的底壁更靠近第二基板4的上表面,从而缩短了散热通道的距离,使得热量更容易通过第二基板散出去。
[0050]需要说明的是,作为变形的实施方式,所述第二基板4的宽度还可以设置为小于或等于所述金属基3的宽度。所述第二基板4的高度还可以设置为小于或等于所述第一基板1的高度。第二基板4的高度还可以设置为大于或等于所述金属基3的高度。
[0051]作为优选的实施方式,如图3所示,所述第二基板4与所述金属基3的外露表面与所述第一基板1的两个外露表面分别平齐,以便于在第二基板4和第一基板1上形成导线及后续器件等。
[0052]如图4所示,作为优选的实施方式,线路板还包括设置于所述凹槽5的内壁上的导电层6。其中,导电层6的材料可以为Cu或A1等金属。
[0053]上述导电层6的导热系数较高,从而具有较好的散热效果,有利于进一步将凹槽5中的器件产生的热量散出去。
[0054]实施例2
[0055]本实施例提供一种线路板的制作方法的【具体实施方式】,包括以下步骤:
[0056]在母板上形成通孔7,所述通孔7包括相互连接的第一通孔部71和第二通孔部72,如图1所示;
[0057]在所述第一通孔部71上安装第二基板4,并使得所述第二基板4填满所述第一通孔部71,如图2所示;
[0058]形成凹槽5,并使得所述凹槽5穿过所述第二基板4并伸至所述金属基3的表面或内部,如图3所示;
[0059]所述母板包括多个间隔设置的第一基板1,以及连接设置于各相邻所述第一基板1之间的半固化片2。
[0060]由于上述制作方法所制得线路板具有上述线路板的结构特征,因此所制得线路板也具有上述优点。
[0061]作为优选的实施方式,所述形成凹槽5,并使得所述凹槽5穿过所述第二基板4并伸至所述金属基3的表面或内部的步骤具体为:对所述第二基板4进行铣孔至所述金属基3的表面或内部,形成所述凹槽5。
[0062]其中,铣孔工艺具有简单、易控制等特点,其具体工艺参数可参照现有技术,在此不再赘述。
[0063]作为优选的实施方式,所述在母板上形成通孔7,所述通孔7包括相互连接的第一通孔部71和第二通孔部72的步骤中,形成的所述第二通孔部72的宽度大于形成的所述第一通孔部71的宽度。
[0064]经后续在第一通孔部71中设置金属基3,以及在第二通孔部72中设置第二基板3后,所形成第二基板4的宽度大于所述金属基3的宽度,以便于在第二基板4上制作导线。
[0065]作为优选的实施方式,所述在母板上形成通孔7,所述通孔7包括相互连接的第一通孔部71和第二通孔部72的步骤中,形成的所述第二通孔部72的高度小于形成的所述第一通孔部71的高度。
[0066]经后续在第一通孔部71中设置金属基3,以及在第二通孔部72中设置第二基板3后,所述第二基板4的高度小于所述金属基3的高度,使得凹槽的底壁更靠近第二基板4的上表面,从而缩短了散热通道的距离,使得热量更容易通过第二基板散出去。
[0067]作为优选的实施方式,所述在母板上形成通孔7,所述通孔7包括相互连接的第一通孔部71和第二通孔部72的步骤中,形成的所述第一通孔部72的高度大于所述第一基板的1的高度。
[0068]经后续在第一通孔部71中设置金属基3,以及在第二通孔部72中设置第二基板3后,所述第二基板4的高度大于所述第一基板1的高度,以使得第二基板4与凹槽5中的器件更充分接触,从而有利于第二基板4的散热。
[0069]作为优选的实施方式,采用压合的方式将第二基板4和金属基3分别压合在所述第二通孔部72和所述第一通孔部71中。上述压合工艺具有简单易操作等优点。
[0070]如图4所示,作为优选的实施方式,本实施例提供的制作方法还包括在所述凹槽5的内壁上形成导电层6的步骤。
[0071]上述导电层6的导热系数较高,从而具有较好的散热效果,使得凹槽5中的器件产生的热量更容易散出去。
[0072]其中,导电层6的材料可以为Cu或A1等金属,形成导电层6的方法可以为电镀沉积等,其具体工艺参数可以参照现有技术,在此不再赘述。
[0073]实施例3
[0074]本实施例还提供了一种射频器件,其特征在于,包括本发明实施例1中记载的任意一种线路板,以及设置于所述线路板的凹槽5中的功放管。
[0075]上述射频器件,由于具有上述线路板,因此也具有上述优点。
[0076]显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种线路板,其特征在于,包括: 第一基板(1),设为多个且间隔设置; 半固化片(2),连接设置于各相邻所述第一基板(1)之间; 金属基(3)和第二基板(4),两者沿着线路板的高度方向层叠,并贯穿所述第一基板(1)和所述半固化片(2),且两者分别有一个表面外露,所述第二基板(4)包括基材以及包覆在基材表面的金属层; 凹槽(5),穿过所述第二基板(4)并伸至所述金属基(3)的表面或内部。2.根据权利要求1所述的线路板,其特征在于,所述第二基板(4)的宽度大于所述金属基⑶的宽度。3.根据权利要求1或2所述的线路板,其特征在于,所述第二基板(4)的高度大于所述第一基板(1)的高度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的线路板,其特征在于,所述第二基板(4)的高度小于所述金属基(3)的高度。5.根据权利要求1至3中任一项所述的线路板,其特征在于,还包括设置于所述凹槽(5)的内壁上的导电层(6)。6.根据权利要求1至3中任一项所述的线路板,其特征在于,所述第二基板(4)的导热系数大于所述第一基板(1)的导热系数。7.根据权利要求6所述的线路板,其特征在于,所述第一基板(1)为外露表面上覆金属的环氧板或玻纤板,所述第二基板(4)为外露表面上覆金属的陶瓷板或聚四氟乙烯板。8.根据权利要求1-7中任一项所述的线路板,其特征在于,所述第二基板(4)与所述金属基(3)的外露表面与所述第一基板(1)的两个外露表面分别平齐。9.一种线路板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 在母板上形成通孔(7),所述通孔(7)包括相互连接的第一通孔部(71)和第二通孔部(72); 在所述第一通孔部(71)上安装第二基板(4),并使得所述第二基板(4)填满所述第一通孔部(71); 在所述第二通孔部(72)上安装金属基(3),并使得所述金属基填满所述第二通孔部(72); 形成凹槽(5),并使得所述凹槽(5)穿过所述第二基板(4)并伸至所述金属基(3)的表面或内部; 所述母板包括多个间隔设置的第一基板(1),以及连接设置于各相邻所述第一基板(1)之间的半固化片(2)。10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述在母板上形成通孔(7),所述通孔(7)包括相互连接的第一通孔部(71)和第二通孔部(72)的步骤中,形成的所述第二通孔部(72)的宽度大于形成的所述第一通孔部(71)的宽度。11.根据权利要求9或10所述的制作方法,其特征在于,所述在母板上形成通孔(7),所述通孔(7)包括相互连接的第一通孔部(71)和第二通孔部(72)的步骤中,形成的所述第二通孔部(72)的高度小于形成的所述第一通孔部(71)的高度。12.根据权利要求9至11中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述在母板上形成通孔(7),所述通孔(7)包括相互连接的第一通孔部(71)和第二通孔部(72)的步骤中,形成的所述第二通孔部(72)的高度大于所述第一基板的(1)的高度。13.根据权利要求9至12中任一项所述的制作方法,其特征在于,采用压合的方式将第二基板⑷和金属基⑶分别压合在所述第二通孔部(72)和所述第一通孔部(71)中。14.根据权利要求9至12中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述形成凹槽(5),并使得所述凹槽(5)穿过所述第二基板(4)并伸至所述金属基(3)的表面或内部的步骤具体为: 对所述第二基板(4)进行铣孔至所述金属基(3)的表面或内部,形成所述凹槽(5)。15.根据权利要求9至14中任一项所述的制作方法,其特征在于,还包括在所述凹槽(5)的内壁上形成导电层(6)的步骤。16.一种射频器件,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述的线路板,以及设置于所述线路板的凹槽(5)中的功放管。
【专利摘要】本发明提供了一种线路板、其制作方法及射频器件。其中,线路板包括:第一基板,设为多个且间隔设置;半固化片,连接设置于各相邻所述第一基板之间;金属基和第二基板,两者沿着线路板的高度方向层叠,并贯穿所述第一基板和所述半固化片,且两者分别有一个表面外露;凹槽,穿过所述第二基板并伸至所述金属基的表面或内部。后续置于凹槽中的器件所产生的热量,由凹槽的四周(即第二基板)散出去,而且由于第二基板由基材和基材表面上的金属层组成,其导热系数大于由树脂等组成的半固化片,即第二基板的散热效果优于半固化片,因此与现有技术中通过凹槽四周的半固化片进行散热相比,提高了本发明提供的线路板的散热效果。
【IPC分类】H05K3/00, H05K1/02
【公开号】CN105392275
【申请号】CN201510859958
【发明人】刘大辉
【申请人】珠海方正科技多层电路板有限公司, 北大方正集团有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月30日
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