涉及的高频传输线路10不同的部位进行具体的说明。
[0108]第一接地导体210是没有开口部、形成于电介质层的整个面的导体图案。
[0109]第二接地导体230A由细长导体231A、232A构成。细长导体231A、232A为沿着电介质坯体的长边方向伸展的细长状，宽度根据长边方向的位置而不同。具体而言，细长导体231A、232A的长边方向两端部的宽度WDi比细长导体231A、232A的长边方向中央的宽度WD4要宽。细长导体231A、232A的中央区域ReC和两端区域ReE之间的边界附近的宽度WD3K两端的宽度WDi要窄，比长边方向中央的宽度WD 4要宽。
[0110]此外，细长导体231A、232A的宽度随着靠近长边方向的中央而变窄。此时，也可以局部存在沿着长边方向宽度不变化的区域，若是本实施方式的示例，则在长边方向的两端部附近和中央区域ReC的中央部分，宽度不变化。
[0111]细长导体231A、232A的电介质坯体的短边方向的两端侧的边沿着长边方向呈一直线。
[0112]通过采用上述结构，细长导体231A、232A的间隔(沿着短边方向的距离)越接近长边方向越宽。例如，具体而言，如图7所示，细长导体231A、232A的长边方向中央的间隔G4比细长导体231A、232A的长边方向两端部的间隔G i要宽。此外，细长导体231A、232A的中央区域ReC和两端区域ReE之间的边界附近的间隔63比两端部的间隔要宽，比长边方向中央的间隔G4要窄。
[0113]由此，在本实施方式的结构中，信号导体220的宽度越宽，细长导体231A、232A的间隔越窄。因而，能抑制因信号导体220的宽度变宽而导致的信号导体220和细长导体231A、232A之间的静电电容耦合的增加。由此，能抑制因信号导体220的宽度变宽而导致的特性阻抗的变化。
[0114]并且，本实施方式的高频传输线路10A中，桥接导体的宽度也根据长边方向的位置而变化。例如，具体而言，如图7所示，设置于长边方向的中央区域ReC的桥接导体2333的宽度胃4比设置在长边方向的两端部附近的桥接导体2331的宽度^要窄。此外，设置于长边方向的中央区域ReC和两端区域ReE之间的边界附近的桥接导体2332的宽度W3比两端部的桥接导体的宽度W:要窄，比中央区域的桥接导体的宽度W4要宽。S卩，桥接导体的宽度随着靠近长边方向的中央而变窄。
[0115]通过上述结构，能越靠近长边方向的中央，使信号导体和桥接导体之间的相对面积越小，能减小信号导体和桥接导体之间的静电电容耦合。由此，能抑制因信号导体220的宽度变宽而导致的特性阻抗的变化。
[0116]接着，参照附图对本实用新型的实施方式3所涉及的高频传输线路进行说明。图8是本实用新型的实施方式3所涉及的高频传输线路的分解立体图。
[0117]如图8所示，本实施方式的高频传输线路10B对于实施方式1所涉及的高频传输线路10，在第一接地导体210中未设有开口部，且信号导体220B的形状不同。因此，仅对与实施方式1所涉及的高频传输线路10不同的部位进行具体的说明。
[0118]电介质坯体200B通过层叠电介质层201、2021、2022、203而构成。第一接地导体210设置在电介质层201的整个面。S卩，第一接地导体210中未设有实施方式1所示的开口部。
[0119]信号导体220B具有由设置在电介质还体200B内不同的两层电介质层的信号导体220BU220B2构成的结构。
[0120]信号导体220B1设置于电介质层2021。信号导体220B1设置在与电介质层2021的两端区域ReE相对应的区域。信号导体220B1越靠近长边方向的中央，宽度越宽。
[0121]信号导体220B2设置于电介质层2022。信号导体220B2设置在与电介质层2022的中央区域ReC相对应的区域。信号导体220B2在沿着长边方向的整个全长上具有大致相同的宽度，但优选为越靠近长边方向的中央，宽度越宽。
[0122]在本实施方式的中，俯视电介质坯体200B时，信号导体220B2沿着长边方向形成在两根信号导体220B1之间的区域。俯视电介质坯体200B时，信号导体220B2的两端分别与两根信号导体220B1重叠。该信号导体220BU220B2相重叠的部分通过层间连接导体290相连。
[0123]通过上述结构，俯视电介质坯体200B时，由信号导体220BU220B2及层间连接导体290构成的信号导体220B与实施方式1所示的信号导体220成相同形状。
[0124]并且，本实施方式的结构中，中央区域ReC的信号导体220B2离开第一接地导体210的距离相比两端区域ReE的信号导体220B1离开第一接地导体210的距离远电介质层2022厚度(热压接后的厚度)的量。由此，中央区域ReC的信号导体220B2和第一接地导体210所产生的静电电容耦合的大小、比两端区域ReE的信号导体220B1和第一接地导体210所产生的静电电容耦合的大小要小。
[0125]因而，能抵消因中央区域ReC的信号导体220B2的宽度比两端区域ReE的信号导体220B1的宽度宽而产生的静电电容的变化。由此，能抑制因将信号导体220B2的宽度设得比信号导体220B1的宽度要宽而导致的特性阻抗的变化，能实现低损耗的高频传输线路ΙΟΒο
[0126]另外，图8中，连接信号导体220BU220B2的层间连接导体290分别仅图示出了一个，但可以是多个。
[0127]接着，参照附图对本实用新型的实施方式4所涉及的高频传输线路进行说明。图9是本实用新型的实施方式4所涉及的高频传输线路的分解立体图。
[0128]如图9所示，本实施方式的高频传输线路10C对于实施方式1所涉及的高频传输线路10，在第一接地导体210C中未设有开口部，且第一接地导体210C的形状不同。因此，仅对与实施方式1所涉及的高频传输线路10不同的部位进行具体的说明。
[0129]电介质坯体200C通过层叠电介质层2012、2011、2022、203而构成。第一接地导体210C具有由分开设置在电介质坯体200C内不同的两层电介质层的第一接地导体210C1、210C2构成的结构。
[0130]第一接地导体210C1设置在电介质层2011的第一主面侧(与电介质层202相反的一侧)的面。第一接地导体210C1设置在电介质层2011的两端区域ReE的大致整个面。
[0131]第一接地导体210C2设置在电介质层2012的第一主面侧(与电介质层2011相反的一侧)的面。第一接地导体210C2设置在电介质层2012的中央区域ReC的大致整个面。
[0132]在本实施方式的结构中，俯视电介质坯体200C时，第一接地导体210C2沿着长边方向形成在两个第一接地导体210C1之间的区域。俯视电介质坯体200C时，第一接地导体210C2的两端分别与两个第一接地导体210C1重叠。该第一接地导体210CU210C2重叠的部分通过多个层间连接导体290相连。
[0133]通过上述结构，俯视电介质坯体200C时，由第一接地导体210CU210C2及多个层间连接导体290构成的第一接地导体210C与实施方式1所示的第一接地导体210成相同形状。
[0134]并且，本实施方式的结构中，中央区域ReC的第一接地导体210C2离开信号导体220的距离相比两端区域ReE的第一接地导体210C1离开信号导体220的距离要远电介质层2012厚度(热压接后的厚度)的量。由此，中央区域ReC的信号导体220和第一接地导体210C2所产生的静电电容耦合的大小比两端区域ReE的信号导体220和第一接地导体210C1所产生的静电电容耦合的大小要小。
[0135]因而，能抵消因信号导体220的中央区域ReC的宽度比两端区域ReE的信号导体220的宽度宽而产生的静电电容的变化。由此，能抑制因信号导体220的中央区域ReC部分的宽度比两端区域ReE部分的宽度要宽而导致的特性阻抗的变化，能实现低损耗的高频传输线路10C。
[0136]接着，参照附图对本实用新型的实施方式5所涉及的高频传输线路进行说明。图10是表示本实用新型实施方式5所涉及的高频传输线路的开口部形状的图。图10(A)和图10(B)表示不同的方式。
[0137]本实施方式所涉及的高频传输线路的开口部形状与实施方式1所涉及的高频传输线路10不同，其他结构相同。因此，仅对开口部的形状进行具体说明。
[0138]如图10(A)所示，高频传输线路10D中，在第一接地导体210设有开口部211D。开口部210D具有沿着电介质坯体的长边方向、短边方向的长度(开口宽度)发生变化的形状。开口部210D的开口宽度在长边方向的中央区域较宽，两端区域较窄。例如，如图10(A)所示，开口部210D设为俯视时长边方向成为长轴方向的椭圆或长圆形状。
[0139]在上述结构中，信号导体220的宽度越宽，开口部210D的开口宽度也越宽。由此，与实施方式1相