基材上图案层的制作方法

专利名称：基材上图案层的制作方法
技术领域：
本发明涉及基材上图案区域的制作方法。本发明适用于薄膜晶体管阵列或其它集成电路的生产。
EP-A-0 880 303描述了有机电致发光元件或显示器件的生产方法，其中，在一种透明基材上形成象素电极，并借助于喷墨法在该象素电极上形成有机化合物发光层图案。这使得能迅速而简单地精密图案化，并使得能简单地调整发光效率。
最近，在Kawase、Sirringhaus、Friend和Shimoda在TechnicalDigest of International Electron Devices Meeting 2000 onDecember 10，2000中发表的、题为“用高分辨率喷墨打印制作的全聚合物薄膜晶体管”的论文中描述了使用喷墨打印的全聚合物薄膜晶体管的制作。
该喷墨图案化技术的分辨率对于要求具有20μm以下尺度的图案化分辨能力的场效应晶体管等微电子器件的制作来说确实太低了。从喷墨头喷射的一个小滴有几十微米量级的直径，这与所要求的分辨率相比是大的。进而，如同此后还要解释的，这些液滴还会展开到一个决定于表面张力和界面张力的甚至更大尺寸。
此外，从喷墨头的喷嘴喷射出来的小滴，由于喷嘴的散射品质和该喷嘴周围的可变润湿状况，在飞行方向上有某种波动。进而，基材表面在可润湿性上并不是完全均匀的。这会引起沉积材料图案的不规则性，而且在TFT短通道图案化的情况下，致命性短路可能发生。
为了解决以上提到的Kawase论文中存在的这些问题，用一种导电聚合物(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)，PEDOT)溶液在有图案化润湿区和反润湿区的基材上印刷源电极或浚电极。更具体地说，在一种基材上用旋涂法从一种前体物溶液沉积一个聚酰亚胺(PI)层，然后用光刻蚀法和O2等离子体刻蚀，提供一种宽度5μm的PI条。该PI条起到模板的作用，并使得能通过控制该基材上的溶液流动来达到高分辨率喷墨打印。该模板在该基材的联接刻蚀区上有亲水表面，而在PI条本身上有疏水性质。当水基PEDOT溶液的小滴沿该PI条沉积到该刻蚀区上时，该溶液可流到该PI条的边沿但仍限定在该刻蚀区中。这使得能达到短至5μm的通道长度而无短路。该技术也使得能制作印刷倒相器，其中，门电极、互联、通孔或电阻器等部件是用该喷墨技术图案化的。
该Kawase论文照例论述了对一种有可湿性反差的预图案化基材上的喷墨打印，以期制作一种薄膜晶体管的一个短达5μm的通道。然而，使用光刻蚀法和干刻蚀的聚酰亚胺预图案的产生是相当昂贵的，这削弱了喷墨打印的优势。
本发明的一个目的是提供一种使用沉积技术但不需要预图案化基材的高分辨率图案化方法。
本发明的一个进一步目的是提供一种在基材上制作图案层的方法，其中，可以容易地达到5μm以下的线宽。
按照本发明的一个方面，提供的是一种在基材上制作图案的方法，包含下列步骤在该基材上沉积多滴第一液体材料作为第一沉积层；在该基材上沉积多滴第二液体材料并趁该第一材料是液体时与该第一材料接触，该第一和第二液体材料是互不混溶的；和从所述液体材料中至少一种在该基材上产生一个固体沉积层。
在一种特别有利的实施方案中，该方法进一步包含在该基材上沉积多滴与所述第二液体材料不混溶的液体材料作为第三沉积层，第三沉积层与第一沉积层间隔一个预定间隙，且第二沉积层是以所述间隙重叠在第一和第三沉积层上施用的。这里，固体沉积层较好是从第二液体材料产生的。
第二液体材料必须是与第一和第三沉积层的液体材料不混溶的，后两种本身通常是但不一定是相同材料。
在另一种有利实施方案中，该方法进一步包含在该基材上沉积多滴与所述第一液体材料不混溶的液体材料作为第三沉积层，第三沉积层是趁第一材料是液体时与第一材料接触施用的，并与第二材料间隔一个含有第一沉积层的预定间隙。
这里，固体沉积层较好是从第二和第三液体材料两者产生的。
进而，第二和第三液体材料通常是但不一定是相同材料，而且必须是与第一液体材料不混溶的。
方便地，第一、第二和第三沉积层中任何一层或多层是通过用喷墨打印法沉积液体材料来提供的。然而，该沉积可以用其它技术例如喷泡打印(bubble jet printing)来制作。
本发明的一个主要应用领域是在一种集成电路用基板上制作导电图案。具体地说，在这种情况下，该沉积层中至少一层可以载带一种导电材料例如PEDOT或金属微粒的悬浮液或溶质。在这三层中的液体蒸发之后，该导电材料仍然留在该基板上。希望时，该沉积层中一层或多层可以含有一种非导电材料例如聚合物的悬浮液或溶质。然后，在该液体蒸发后，这样的聚合物也会仍然留在该基板上。
除在悬浮液或溶液中外，任何一个固体沉积层的材料也可以是从沉积液体材料的凝固产生的。
对于很多应用来说，目标材料可以是一种导电材料，但其它选择也是可能的。例如，以透明聚合物作为一种目标材料，人们可以在一种基材上印刷一种光学互连(波导)。以该目标材料的无机胶体或聚合物，可以制作一种壁结构，后者可用于等离子体显示板中的分离器。
在一种实施方案中，第一和第三沉积层只起到限定区域的作用，第二沉积层是一个目标层，因而含有导电材料例如PEDOT或Au胶体的悬浮液或溶质，或者本身是导电的可凝固材料。这适用于形成集成电路中的互连线例如门线或数据线。在Au胶体是在二甲苯中形成的情况下，该限定沉积层可以是水或极性有机溶剂例如丙酮或醚。在PEDOT悬浮于水中的情况下，该限定沉积层可以由一种非极性烃类溶剂例如甲苯组成，而且希望时可以载带一种聚合物溶质。
在另一种实施方案中，第一和第三沉积层是目标区域，而第二沉积层只起到间隔区域的作用。这种技术适用于形成场效应晶体管例如薄膜晶体管(TFT)的源区和浚区。这里，目标区可以包含PEDOT在水中的悬浮液，该间隔可以是甲苯。替而代之，该目标区可以包含二甲苯系Au胶体，此时该间隔可以由水或一种极性有机溶剂例如丙酮或醚组成。
该方法可以应用于有50μm以下通道长度的薄膜晶体管的生产。在一种实施方案中，可以达到20μm以下的通道长度。
为了更好地理解本发明和显示本发明可以如何付诸实施，现在要举例参照附图，其中

图1是一幅图解力图；图2是一幅顶门薄膜晶体管的示意剖视图3图示地显示由喷墨打印头喷射后撞击在基材上的一个墨滴；图4是一个向基材上施用小液滴的喷墨头的示意性说明；图5是施用到基材上的液体层的平面视图示意性说明；图6是图5中液体的剖视图示意性说明；图7是液体对基材的施用步骤的示意性平面视图；图8是按照一种替代方法的液体对基材的施用的示意性平面视图；图9是一种有源矩阵TFT阵列的示意性平面视图；图10是按照一种进一步方法施用到一种基材上的液体层的示意性平面视图；和图11是图10的液体层的示意性剖视图。
附图中的图1是一幅解析图，显示当直径d0的墨滴撞击到一种固体表面-在此认为是玻璃-上时达到的平衡条件。如图中所示，在γSG是裸露玻璃表面上的表面张力且γLG是裸露墨表面上的表面张力、而γSL是界面张力的情况下，杨氏定律表述如下γLGcosθ＝γSG-γSL运用这些原理，该玻璃基材上所得到沉积墨滴的平衡直径dglass可以对各种可能液体进行计算。当该液滴的原始直径d0＝30μm时，其结果列表如下。
因此，用惯常喷墨打印技术使精细结构图案化是困难的。上表中的直径太大，无法制作薄膜晶体管的精细图案。
图2显示一种先有技术顶门薄膜晶体管的全剖视图。在基材1上，一个聚酰亚胺层是用旋涂法从前体物溶液沉积的，然后固化，然后用光刻蚀法和O2等离子体刻蚀，除以区域3和4中的聚酰亚胺，留下聚酰亚胺条2。随后，用喷墨打印技术向刻蚀区3和4施用源区和浚区5和6。如同图3中所示，墨滴7撞击刻蚀区3，然后在聚酰亚胺条2的方向上展开。由于刻蚀区3有亲水表面，而PI条2有疏水表面，因而当墨遇到PI条2的侧边时墨的展开受到遏制。因此，用这种技术，可以由喷墨打印以PI条2的宽度界定的固定精密间隔沉积源区5和浚区6。然后，通过从使用一种适当有机溶剂的溶液的旋涂，在整个表面上沉积一个半导体层8。然后施用一个绝缘层9，也从使用一种适当溶剂的溶液旋涂。最后，可以在绝缘层9的表面上喷墨打印一个门电极10。
源电极、浚电极和门电极是使用一种可以在商品名Bayton P之下购自拜耳公司、称为PEDOT(聚亚乙二氧基噻吩)的导电性共轭聚合物的溶液喷墨打印的。该半导体层是芴-联噻吩的一种共轭共聚物，而绝缘层9是用聚乙烯基苯酚形成的。半导体层8在该区域的厚度为20nm，绝缘层9在该区域的厚度为500nm。
使用结合图2描述的技术，就有可能建造一种薄膜晶体管，其中，通道长度基本上是由PI条2的宽度界定的。
图4是一幅示意图，显示一种用于将液体施用到基材1上的喷墨打印装置。该图显示有两个可在方向12上移动的打印头11的喷墨装置。打印头11在与方向12垂直的方向上是互相抵消的，使得能同时打印两条间隔的小液滴线。提供一种干燥器13，以加速沉积液体的干燥过程。
现在参照图5描述将本发明付诸实施的第一种途径。作为第一步，通过沿一种由狭窄间隙18分开的基材喷墨打印多滴液体，产生限定液体的第一和第二线性沉积层15和16。然后，通过在间隙18上面喷墨打印多滴液体并且部分重叠限制性材料15和16(趁后者还湿时)，沉积一种以下称为目标材料的第三条17。然后，所得到的液体区施用将如图6中的垂直横截面那样出现。由于与结合图3的讨论类似的表面张力对湿液条的影响，三个沉积层15、16和17将会稳定到图6中所说明的几何构型。结果，第三条17的展开受到第二线性沉积层15和16的遏制，而且该第三条的宽度与在一种基材上简单喷墨打印的线条宽度相比变得更狭窄。进而，限制区15与16之间的间隔的任何不规则性或不精确性都被消除掉和线性化，使得一方面区域15与17之间的边界另一方面16与17之间的边界都基本上是直的和平面的。在这种构型中，该目标材料较好是用后喷墨头(trailing ink-jet head)沉积在已经用前喷墨头(leading ink-jet head)沉积在该基材上的限制材料之间。
第一和第二线性的限制材料沉积层或条之间的间隙，可以通过调整(a)喷嘴之间的物理距、(b)在扫描方向上两个喷墨头之间互相抵消的角度、或(c)液滴的沉积(喷射)速率来改变。
在沉积液体的变形由于表面张力而发生之后，需要尽可能快地使其干燥。干燥器13向该基材吹送气体(例如干燥的空气、氮气、惰性气体)。该气体可以加热以达到快速干燥。该气体可以包括与构成用来控制干燥时间的沉积液体中的溶剂的那种相同的蒸气。达到迅速干燥的一种替代途径是加热该基材。加热该基材与加热该气流的组合是最有效的。
图7更详细地显示这些液体沉积层施用期间发生的过程，其中，中间沉积层是目标区域，因而含有PEDOT、Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Al等导电材料的悬浮液或溶质。如同可以看到的，初始沉积层上的目标区域17的宽度决定于目标区域17的液体的接触角。然而，随着表面张力起作用和该系统趋于稳定，目标区域17的宽度逐渐缩小，直至达到图6中所示的构型。在沉积层15和16以及沉积层17的液体成分蒸发之后，导电性窄条17a留下来，如同图7下部所说明的。这些液体的蒸发，如果希望，可以借助于如上所述的干燥器件。
进而，第一和第二线性区域15和16之间有斥力，这防止它们互相物理连接并防止第三线性条17咬住。这种斥力起因于第一或第二沉积层15或16与第三沉积层17之间界面的带电。该界面上的电荷是由于若干种机理而发展的(a)沉积液体中的离子选择性吸附到该界面上，(b)一种液体中的离子扩散到另一种液体中，(c)该界面上偶极分子的吸附或取向，和(d)由于功函数的差异而在这两种液体之间的电子转移。当带电效应强烈时，充分避免了第一和第二沉积层15与16的并合。如以上所解释的，离子或偶极分子对该带电有贡献。因此，离子或偶极分子能溶解于其中的水或极性溶剂较好用于要么第三沉积层17要么其它沉积层。
现在要描述一种实施方案，其中，中央沉积层即限制区域(或隔离区域)是用前喷墨头施用的，而分隔开的沉积层即目标区域是用后喷墨头施用的。
图8显示这样一种替代方法，其中，在此将外沉积层18和19视为目标材料，因而含有导电材料例如PEDOT或Au的悬浮液或溶质，而中央沉积层20在此只起到隔离剂的作用。这三个沉积层施用之后，再次达到了与图6中显示的那种对应的横截面构型。沉积层20以及沉积层18和19的液体成分的蒸发之后，两个目标沉积层18a和19a留下来。要知道的是，通过第三间隔沉积层20的施用，可以使该间隔沉积层与外沉积层18和19之间的界面变得更平滑、更均匀，从而可以可靠地达到目标沉积层18a和19a之间的均匀狭窄间隙。第三间隔沉积层20起到防止外沉积层18和19在它们之间搭桥的作用。这种工艺使得有可能以良好重现性使这样一种狭窄间隙图案化。
如同在以上方法中所解释的，在沉积层18与19之间有一种斥力，这防止它们并合成一个单一区域，甚至当两个沉积层18与19之间的间隙变得非常小时也是如此。当该界面上的带电效应强烈时，充分避免了两个沉积层18与19的并合。如以上所解释的，离子或偶极分子对该带电有贡献。因此，离子或偶极分子可以溶解于其中的水或极性溶剂较好用于该目标区或间隔沉积层20。
图9显示可以使用按照本发明的技术构建的一种薄膜晶体管(TFT)阵列的一个实例。这样一种TFT阵列用于有源矩阵显示器。该图显示多个像素电极91，给每个该电极提供各自的薄膜晶体管，每个晶体管都包含一个源电极92、一个浚电极93和一个门电极94。数据线95可以使用参照图7描述的技术，以烃类有机溶剂中的金胶体印刷。类似地，门线96也是使用图7的技术，以烃类有机溶剂中的金胶体印刷的。用金印刷数据线95和门线96给出良好的电导率，而这对于大型TFT阵列是重要的，因为长数据线95和门线96的电阻限制了运行速度。用图7的技术得到的狭窄数据线95和门线96导致高孔径比，这改善了有源矩阵显示器的亮度和反差。
这些源电极、浚电极和门电极较好能使用图8的技术，以水基PEDOT溶液印刷。像素电极91也可以用水基PEDOT溶液印刷。这些电极不一定需要高电导率，因为这些元件的尺寸与TFT阵列的尺寸无关，既不是很长也不大。因此，与金属相比有相对低电导率(0.1～100S/cm)的PEDOT对它们就足够了。比较而言，水基PEDOT溶液有较高的表面张力，这更有利于形成短通道。该PEDOT在可见光范围内也是半透明的，因此，这适用于给显示元件施加电压或电流的像素电极。
PEDOT适合作为源电极和浚电极的材料，而金属胶体适合作为互连的材料。然而，其它途径也是可能的。
要知道的是，结合图7所述的技术也可以用于形成诸如图2中所说明的薄膜晶体管，其中，目标条17a可以代替PI条2，从而起到模板的作用。换言之，使用图7中所示的技术，可以将薄条17a施用到基材1上。然后，可以用喷墨打印技术沿条17a的两侧分别施用PEDOT的源电极5和浚电极6。如同在先有技术上借助于刻蚀产生的聚酰亚胺条的情况下一样，条17a也会有疏水表面，这将遏制源材料和浚材料的侧向扩展，从而精确地界定该晶体管通道的长度。然后，可以在源5、条17a和浚6上施用一个半导体层，随后施用一个绝缘体层和一个门电极。
替而代之，层17a本身可以是半导体材料，从而构成该晶体管的通道区。这可以避免在该器件的整个表面上施用一个半导体材料层8的需要。
要知道的是，当采用图8中显示的技术来印刷由目标区域18和19构成的源电极和浚电极时，则可以在该源和浚上施用一层半导体材料以提供该源电极与浚电极之间的通道区。然后施用一层绝缘体，照常随后施用一个门电极。该门电极、源电极和浚电极全都可以用水基PEDOT溶液喷墨打印。
因此，在图9中所示的建造中，该薄膜晶体管的所有部件即源92、浚93和门94全都可以使用喷墨打印技术，较好以水基PEDOT溶液打印。
类似地，数据线95和门线96也可以喷墨打印，较好使用烃类有机溶剂中的金胶体。
使用本文中公开的技术，可以使TFT的通道长度以及数据线和门线的宽度缩小到10μm，从而提供增强的节省空间可能性。
图10显示一种方法，其中，只有两个沉积层160和170是通过将多滴液体喷墨打印到基材上制作的。一个沉积层充当目标沉积层，另一个充当限制沉积层。先产生沉积层160。然后，向该基材上施用沉积层170，使之与沉积层160处于部分重叠关系。在这些沉积层稳定之后，得到图11中所示的横截面构型。界面平面180精确地且独一无二地由这两种不混溶液体之间起作用的表面张力界定。结果，可以产生一种固体目标沉积层，其边沿准确也由限制液体界定。同前面一样，该目标沉积层可以含有蒸发后要沉积的材料的悬浮液或溶质，或其本身会凝固而形成该目标层。
所得到的目标层可以是导电性的或绝缘性，这取决于该目标沉积层的构成。
尽管这些说明性实施方案显示出作为直线的各种沉积线性区域例如15～20，但要知道的是，所公开的技术原则上可应用于最变化多端的几何形状，包括弧状区域、封闭多角形等，只遭遇到这些喷墨打印技术所给予的实际限制。
如所描述的，较好的是，源电极、浚电极和门电极是使用PEDOT由喷墨打印沉积的，但可以使用其它材料。源电极、浚电极和门电极用替代材料的实例是共轭聚合物，例如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及其衍生物。它们当掺杂无机的、有机的、或聚合物的掺杂剂时变成导电性的。金属胶体也可以用于这些电极。使金属沉积成为可能的有机金属络合化合物是有用的电极材料。
对于半导体层，下列是适用的共轭聚合物例如聚(3-烷基噻吩)(聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)(PTV)、聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)、聚(9，9-二辛基芴)(PFO)、聚(9，9-二辛基芴共N，N′-二(4-甲氧基苯基)-N，N′-二苯基-1，4-苯二胺)(PFMO)和聚(9，9-二辛基芴共苯并噻二唑)(BT)，芴-三芳基胺共聚物，三芳基胺系共聚物。
有小分子例如α-低聚噻吩(四聚噻吩(4T)、六聚噻吩(6T)、八聚噻吩(8T)、二己基四聚噻吩(DH4T)、二己基六聚噻吩(DH6T))，C-60、酞菁(铜酞菁(Cu-Pc))、并五苯的半导体也是适用的。
对于绝缘体层来说，聚苯乙烯(PS)、聚酰亚胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、和聚乙酸乙烯酯(PVAc)是适用的。
要知道的是，所述方法解决了Kawase论文中公开的先有技术的两个基本问题。首先，该先有技术需要光刻蚀法和干刻蚀工艺才能制作界定短通道的聚酰亚胺条。按照本发明的公开方法使得无需任何预图案化就能打印这样的短通道。其次，按照Kawase论文的先有技术没有提供任何措施来使门线和互连线变窄。该门的宽度为40～80μm，尽管通道长度是5μm。这意味着该门与源电极和浚电极有大量重叠，这导致该薄膜晶体管中大的寄生电容。这样大的寄生电容降低了电路运行速度，并诱发有源矩阵显示器中的馈电导体效应。难以在绝缘体上制作预图案而与该通道有良好准直。使用本发明方法中这样的直接喷墨打印使得能以高分辨率形成狭窄门电极而无需预图案化和相关成本。
当然，使互连线变窄在实践上也是重要的。狭窄的互连线提供集成电路中的高密度和有源矩阵显示器中的大孔径比。
以上参照附图公开的制造方法的优点，不仅当使用喷墨打印来形成各种液体沉积层时可以达到，而且当使用其它技术例如喷泡打印来沉积液体沉积层时也可以达到。
权利要求
1.基材上图案的制作方法，包含下列步骤在该基材上沉积多滴第一液体材料作为第一沉积层；在该基材上沉积多滴第二液体材料作为第二沉积层，并趁第一材料是液体时与第一材料接触，第一和第二液体材料是互不混溶的；和在该基材上从所沉积液体材料中至少一种产生一种固体沉积层。
2.按照权利要求1的方法，进一步包含在该基材上沉积多滴与所述第二液体材料不混溶的液体材料作为第三沉积层，第三沉积层与第一沉积层间隔预定间隙且第二沉积层施加在重叠第一和第三沉积层的所述间隙中。
3.按照权利要求2的方法，其中固体沉积层是从第二液体材料产生的。
4.按照权利要求1的方法，进一步包含在该基材上沉积多滴与所述第一液体材料不混溶的液体材料作为第三沉积层，第三沉积层是趁第一材料是液体时与第一材料接触施用的而且与第二材料间隔一个含有第一沉积层的预定间隙。
5.按照权利要求4的方法，其中固体沉积层是从第二和第三液体材料产生的。
6.按照以上权利要求中任何一项的方法，其中该多滴第一、第二和第三液体材料中至少一种是通过喷墨打印沉积的。
7.按照权利要求1～6中任何一项的方法，其中这些沉积层中至少一种含有悬浮液或溶质，且一种固体沉积层是由该悬浮液或溶质的材料形成的。
8.按照权利要求1～7中任何一项的方法，其中一种固体沉积层是通过所述液体材料中至少一种的固化形成的。
9.按照权利要求7或8的方法，其中所述固体沉积层是导电性的。
10.按照权利要求9的方法，且取决于权利要求3，其中第一和第三沉积层是限制沉积层且第二沉积层是一个包含导电性材料的目标沉积层。
11.按照权利要求9的方法，且取决于权利要求5，其中第一和第三沉积层是含有导电性材料的目标沉积层且第二沉积层是一个间隔沉积层。
12.按照权利要求10或11的方法，其中该导电性材料是金属微粒例如Au、Ag、Cu、Pt、Pd或Al微粒的悬浮液。
13.按照权利要求12的方法，其中该悬浮液是在非极性有机溶剂中的。
14.按照权利要求13的方法，其中第一和第三沉积层包含水或一种极性有机溶剂。
15.按照权利要求10或11的方法，其中该导电性材料含有一种导电性聚合物。
16.按照权利要求15的方法，其中该聚合物是聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)、其衍生物、聚苯胺或其衍生物。
17.按照权利要求15或16的方法，其中第二沉积层包含一种非极性有机溶剂。
18.按照权利要求17的方法，其中第二沉积层的溶剂包含一种聚合物溶质。
19.一种薄膜晶体管的制造方法，其中源电极和浚电极是按照权利要求11和15～18中任何一项的方法从第一和第三沉积层制作的。
20.按照权利要求19的方法，其中通道长度小于50um。
21.按照权利要求20的方法，其中通道长度实质上是10μm。
22.一种集成电路的制造方法，其中数据线或信号线是按照权利要求10和12～14中任何一项的方法作为第二沉积层制作的。
23.按照权利要求22的方法，其中数据线或信号线的宽度小于50μm。
24.按照权利要求23的方法，其中所述宽度实质上是10μm。
25.一种有源矩阵TFT阵列的制造方法，其中该薄膜晶体管是按照权利要求19～21中任何一项的方法制作的。
26.按照权利要求25的方法，其中信号线或数据线是按照权利要求22～24中任何一项的方法制作的。
27.按照权利要求25或26的方法，其中像素电极是通过喷墨打印制作的。
28.按照权利要求1～8中任何一项的方法，其中各沉积层无一是导电性的。
29.一种光学波导管的制造方法，其中该波导管是按照权利要求28的方法且取决于权利要求2，作为第二沉积层制作的。
30.按照权利要求29的方法，其中第二沉积层包含聚合物。
31.一种等离子体显示屏的分隔器的制造方法，其中壁结构是按照权利要求28的方法且取决于权利要求2，作为第二沉积层制作的。
32.按照权利要求31的方法，其中第二沉积层包含无机胶体。
33.按照权利要求31的方法，其中第三区域包含聚合物。
34.按照以上任何一项权利要求的方法，其中所述沉积层全都是线性沉积的。
全文摘要
一种基材上图案的制作方法，包含诸如通过喷墨打印在该基材上沉积多滴第一液体材料作为第一沉积层(15)；诸如通过喷墨打印在该基材上沉积多滴第二液体材料作为第二沉积层(17)并趁第一材料是液体时与第一材料(15)接触，第一和第二液体材料是互不混溶的；和从所述液体材料中至少一种在该基材上产生一个固体沉积层。在一种较好实施方案中，该方法包含在该基材上喷墨打印多滴与所述第二液体材料不混溶的液体材料作为第三沉积层(16)，第三沉积层(16)与第一沉积层(15)间隔一个预定间隙，且第二沉积层(17)是以所述间隙叠加在第一和第三沉积层(15、16)上施用的。这些沉积层中至少一层可以含有一种悬浮液或溶质，且所述固体沉积层可以通过所述液体中至少一种的凝固来形成。适用于薄膜晶体管阵列或其它集成电路的生产。
文档编号H05K3/12GK1545453SQ02816319
公开日2004年11月10日 申请日期2002年8月20日 优先权日2001年8月20日
发明者T·卡瓦斯, T 卡瓦斯 申请人:精工爱普生株式会社