专利名称：有机电子器件的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及有机电子器件，具体涉及改进有机电子器件性能的器件结构。
背景技术：
对于有机电子器件，例如有机光发射二极管(OLED)，激光烧蚀方法已经被用来从器件的不希望有的性能敏感区中除去有机材料。为了说明的目的，对于一种技术，制造OLED器件的第一步是导电元件(例如，电极，诸如阳极)和导线的沉积和形成图案，阳极通常是铟锡氧化物(ITO)，导线可包括一个三层的三明治结构，包括粘合层、低电阻率导电层和保护性覆盖层。典型的OLED导线结构是Cr/Cu/Cr。在形成阳极和导线后，该方法涉及形成阴极隔离层，然后在整个基片表面上形成有机层，诸如缓冲层(也称为电荷传输层)(BL)和电致发光层(EL)。在现有技术中，基片随后进入到激光烧蚀系统中，在此激光束聚焦到需要清除有机层的区域上。这些区域包括电极与导线的电接触衬垫、粘合衬垫和活性区域周围的框架(有时也称为板条(rail))，胶水分配在这些区域上用作封装盖，这些区域是OLED性能敏感区的实例。
激光烧蚀法有严重的缺陷，是大量制造体积OLED器件的一个薄弱环节。激光烧蚀器是较贵的，它的模件难以维持，并且此机器作为一个整体难以与其它的工艺工具相连。
而且，从材料的角度来看，激光烧蚀法并不很适合除去有机层，因为该方法经常留下一些顽固的难以除去的碳质残渣，除非加入如氧气之类的气体来促进形成挥发性的氧化物。但是，使用氧气是非常冒险的，因为敏感的EL有机层在烧蚀的过程中是暴露在气氛中的，通常是纯氮气氛。使用高的激光通量(以毫焦/脉冲衡量)或多或少可以缓解残渣方面的问题，但是这样做的不利的副作用在于下面的导线结构会开裂。因而器件的可靠性受到影响。
使方法更加成问题的是，能够得到的准分子激光束的波长被限制在一些特定的范围内，因而使目标有机材料(例如BL和EL)必须在相同的波长范围内具有吸收带。这使该方法失去了非常重要的自由度，而且烧蚀效率不可避免的下降。
在烧蚀过程结束后，用于接触的导线可以经受激光能量的全面轰击，从而得到部分烧蚀。在某些情况下，导线对激光光子的吸收比有机层高，在这种情况下该方法就不再适用。
用溶剂和材料对表面进行湿法清洗给电子器件的制造方法带来各种问题。
因而，需要改进的方法来清除有机电子器件的性能敏感区上各种类型的有机材料。
发明内容
一种有机电子器件，其包括(a)导线、(b)有机层、(c)覆盖在有机层上的第一导电元件，其中，第一导电元件最接近导线的一面与有机层最接近导线的一面互相连接，从一个平面图看，导线和第一导电元件互相隔开，(d)将第一导电元件和导线电连接的第二导电元件。
本发明将通过举例的方式进行阐述，但不受限附图。
图1是在形成导电元件和连接到外围电路或远程电路的导线后，基片一部分的平面图。
图2是图1中的基片在形成阴极隔离区后的平面图。
图3是在形成空穴传输层和有机活性层后，图2中的基片一部分沿切开线3-3的截面图。
图4是用来依据本发明的一个实施方式形成图案导电层的阴影掩模的视图。
图5是图2中的基片依据本发明的一个实施方式使用图4中阴影掩模形成图案导电层后的平面图。
图6是图5中的基片一部分依据本发明的一个实施方式沿切开线6-6的截面图。
图7是在依据本发明的一个实施方式对空穴传输层和有机活性层的一部分进行干法蚀刻后，图5中的基片的平面图。
图8是依据发明的一个实施方式，用来形成作为导电元件的第二导电层的阴影掩模的视图。
图9是依据本发明的一个实施方式，在用图8中的阴影掩模形成图案导电层后，图7中的基片的平面图。
图10是在形成图案导电层后，图9中的基片沿切开线10-10的截面图。
图11是在形成有机层和对这些层的一部分进行激光烧蚀以暴露导线的一部分后，图2中的基片沿切开线11-11的截面图。
图12是在形成覆盖在下电极上并接触阴极元件的导电元件后，图11中的基片的截面图。
本领域技术人员会认识到图中的元件是为了简单清楚而显示的，不一定需要按比例作图。例如，图中一些元件的尺寸可相对于其它元件进行放大，以便有助于更好地理解本发明实施方式。
具体实施例方式
开发了一种方法，用来在形成有机电子器件的过程中干法蚀刻有机层。
可进行干法蚀刻，以暴露基片或其它部件的区域，特别是那些随后会进行电连接或进行周边密封的部件(例如，导线、粘合衬垫和板条)。使用新方法来制造有机电子器件的优点在于干法蚀刻方法提供相对更干净和更节约的技术来除去有机材料，该方法易于维护工艺设备，能进行大容量的制造，并且(任选地)不需要激光烧蚀导线或湿法蚀刻粘合衬垫。而且，干法蚀刻可以控制以避免除去了的材料的再一次沉积，并且该方法提供可提供比包封器件更为均一的接触电阻，以及其它一些取决于所制造的有机电子器件及其应用的优点。通过此新方法制造的器件表现出性能上的改进。例如，对于OLED显示器，其寿命延长，器件的效率得到提高，泄漏电流减少。
本发明的干法蚀刻可以一步或多步操作来完成，并且可通过改变所使用的气体或各种其它的操作参数如压力、功率密度、温度、气体流速、气体的相对组成和电压在恒定或各种不同的条件下进行。。若采用两步，则第一步可用来除去有机层的暴露部分，第二步可用来除去不希望有的一种或多种材料，诸如非挥发性蚀刻产物和污染物。本发明的干法蚀刻可完全取代激光蚀刻和湿法蚀刻湿法蚀刻，或者也可以任选的与目前用在有机电子器件制造中的激光蚀刻和湿法蚀刻技术结合使用。
本发明的其它特点和优点会从下面的具体说明和权利要求中明显的表现出来。
具体说明首先涉及一些定义，然后说明干法蚀刻前处理、干法蚀刻和干法蚀刻后处理。其它部分则包括其它的实施方式、优点和最后的实施例。
1.定义在具体涉及下面一些实施方式前，先对一些术语进行定义或阐述。文中所用的术语“阵列”、“外围电路”和“远程电路”指有机电子器件的不同区域或部件。例如，阵列可包括在有序排列(通常为列和排)中的许多像素、单元或其它结构。阵列中的像素、单元或其它结构可被外围电路局部控制，外围电路可像阵列一样存在于相同的有机电子器件内而其本身在阵列之外。远程电路通常远离外围电路，并发送信号到阵列或从阵列中接收信号(通常经外围电路)。远程电路可以执行与陈列无关的功能。远程电路可以位于或不位于具有阵列的基片上。
术语“有机电子器件”指包括一种或多种有机半导体层或有机半导体材料的器件。有机电子器件包括(1)将电能转化为辐射的器件(例如，光发射二极管、光发射二极管显示器或二极管激光器)，(2)通过电子过程检测信号的器件(例如，光检测器(例如，光导电池、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管、光电管、IR检测器)，(3)将辐射转化为电能的器件(例如，光电器件或太阳能电池)和(4)包括一种或多种电子部件的器件，这些电子部件包括一种或多种有机半导体层(例如，晶体管或二极管)。
文中所使用的术语“干法蚀刻”指使用一种或多种气体进行的蚀刻。干法蚀刻可通过使用一种或多种离子化的气体或不使用一种或多种离子化的气体来进行。干法蚀刻与“湿法蚀刻”相对，湿法蚀刻使用液体来蚀刻。更多关于干法蚀刻的详细阐述见本说明书的后面部分。
术语“电子吸取”与“空穴注入”同义。字面上，空穴表示缺少电子，通常由除去电子来形成，因而产生一种错觉，即产生或注入被称为空穴的正电荷载体。空穴通过电子的移位而迁移，使缺少电子的区域被来自邻近层的电子所填充，这就造成了空穴移动到邻近区域的现象。为了简化起见，将会使用术语空穴、空穴注入、空穴传输和它们的变体。
术语“电荷传输材料”指能够接收电荷并有助于电荷以相对效率通过其厚度而没有电荷损失的材料。
术语“氟碳气体”指包含既有碳又有氟的分子的气体。该分子可以包含或不包含氢、氧、氮或其它卤素(不同于氟)。通常，使用在干法蚀刻中的氟碳气体，分子的碳原子数不超过两个，虽然在需要的情况下可以使用分子中包含更多的碳原子的气体。
术语“卤间化合物”指含有至少两种不同卤素原子的分子化合物。卤间化合物包括ClF、ClF3、ClF5、BrF3、BrF5、和IF5。
术语“各向同性蚀刻”指从截面观察基片时，在垂直方向和水平方向发生相等的蚀刻。术语“各向异性蚀刻”指从截面观察基片时，只在垂直方向发生的蚀刻。尽管没有蚀刻是完全各向同性或完全各向异性的，蚀刻往往与另一种情况(各向异性或各向同性)相比，更明显地倾向于各向同性或各向异性。
术语“低功函数材料”指功函数不超过约4.4电子伏特的材料。术语“高功函数材料”指功函数至少约为4.4电子伏特的材料。
术语“性能敏感元件”指那些影响器件的电功能性能或传导功能性能、器件寿命、密封器件以隔绝环境(包括空气和湿度)影响的区域、电极串扰的有机电子器件的那些部件、结构特征或结构，包括但不限于导线、像素阵列、板条和接触衬垫。
文中所用的术语“包含”、“包含着”、“包括”、“包括着”、“有”、“具有”或任何它们的变体是指非排它性的涵盖。例如，包括一系列单元的过程、方法、制品或设备不一定只限于那些单元，而是也可以包括其它不明确列于其中或此类过程、方法、制件或设备所固有的单元。而且，除非有相反指示，“或”指包括性的或，而不是只包括排它性的或。例如，A或B的情况指下列任何一种A是真实的(或存在的)而B是不真实的(或不存在的)，A是不真实的(或不存在的)而B是真实的(或存在的)，A和B都是真实的(或存在的)。而且，“一个”用来描述本发明的单元和部件。这仅仅是为了简便和给予本发明的一般意义。此描述应当理解为包括一个或至少一个，单数也包括复数，除非有明显的相反指示。
元素周期表中对应于列的族数使用第81版的CRC Handbook ofChemistry and Physics(2000)中的“New Notation”惯例。
除非有相反指示，文中所用的所有技术术语和科学术语与本发明所属的技术领域的一般技术人员通常所理解的意义相同。尽管与这里所述相似或等同的方法和材料可用来实施或测试本发明，但是合适的方法和材料还是描述在下文中。所有的出版物、专利申请、专利或其它这里所提及的参考物的全文通过引用包括于此。如有所冲突，以本发明的说明-包括定义-为准。另外，材料、方法和实例仅是说明性的，而非限制性的。
对于这里所没有描述到的，许多关于具体的材料、操作行为和电路的详细阐述是常规的，并可在教科书和其它的包括例如有机光发射二极管显示器、光检测器、光电器件和半导体文献的来源中找到。
2.干法蚀刻前处理现在来具体阐述示于图1-10中的第一组实施方式，其中，有机电子器件的性能敏感元件被干法蚀刻，尤其是在干法蚀刻一种或多种下面的有机材料时使用图案导电层作为掩模。可以使用目前用来形成有机电子器件的材料。因此，可以避免涉及新材料的方法开发和整合。
在图1-10中的实施方式可用来制造单色无源矩阵OLED显示器。可用于多色或全色无源矩阵和有源矩阵OLED显示器所进行的修改描述在此说明书的后面部分。
图1是基片10一部分的平面图。注意到，图1包括一部分OLED阵列。阵列通常要大得多，但是描述小一些的阵列以更好地阐述本发明。基片10可包括几乎所有类型和数量的材料，包括导电的、半导电的或绝缘的材料。如果基片10包括导电基材料，则需要仔细确保部件的各部分之间的正确电隔离。导电基材料可被足够厚的绝缘层所覆盖，以减少其上面的电极或导电体与下面的导电基材料之间的寄生电容影响。
基片10可以是玻璃或陶瓷材料(例如，氧化铝或蓝宝石)或是包含至少一种聚合物膜的柔韧性基片。合适的用于聚合物膜的聚合物的例子，选自一种或多种主要含有下列物质的材料聚烯烃(例如，聚乙烯或聚丙烯)；聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚奈二甲酸乙二醇酯)；聚酰亚胺；聚酰胺；聚丙烯腈和聚甲基丙烯腈；全氟化或部分氟化的聚合物(例如，聚四氟乙烯、四氟乙烯和聚苯乙烯的共聚物)；聚碳酸酯；聚氯乙烯；聚氨酯；聚丙烯酸树脂，包括丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的均聚物和共聚物；环氧树脂；酚醛清漆(Novolac)树脂；和它们的组合物。当使用多层膜时，它们可用合适的粘合剂或通过常规的产生层的方法结合在一起，包括已知的涂敷、共挤出或其它类似的方法。聚合物膜一般厚约12-250微米。当不止一层膜存在时，单个膜的厚度可小得多。
尽管一层或多层聚合物膜可主要含有上述聚合物中的一种或多种，一层或多层膜也可以包括一种或多种常规的添加剂。例如，很多市场上可购得的聚合物膜含有光整滑剂或消光剂，以防止当以大卷的形式储存时，各膜层之间粘合在一起。
如果基片10包括一聚合物膜，可在基片10上形成一阻挡层(未示出)。阻挡层可包括电绝缘体，该电绝缘体的蚀刻速率与随后形成和被干法蚀刻的有机层不同。阻挡层可用作蚀刻终止层，并用来保护底层基片。代表性的阻挡材料可包括SiO2、Si3N4、绝缘金属氧化物或氮化物(例如，TiO2、Al2O3、Al2O3·SiO2、3Al2O3·2SiO2、AlN)或它们的组合物，厚度约为2-500纳米。
阻挡层可使用等离子体辅助化学气相沉积或物理气相沉积(常规的射频(RF)磁控溅射或电感耦合等离子物理气相沉积(IMP-PVD))来形成。如果阻挡层对于有机电子器件发出或接收的辐射不是足够透明的，则可使阻挡层形成图案，以在一定的区域有一些开口，让辐射经此通过(例如，用于像素阵列的像素区域)。
在阅读了本说明书后，本领域技术人员会认识到可用作基片10的一种或多种材料可在很广的范围内选择。在阅读了此说明书后，本领域技术人员能够基于它们的物理、化学和电学性质的选择合适的一种或多种材料。为了简化起见，用作这种基底的一种或多种材料称为基片10。
如图1所示，然后导电元件12可在基片10上形成。导电元件12可包括几乎所有的导电材料。在此具体的实施方式中，导电元件12作为有机电子器件的阳极形成。一般来说，导电元件12的材料形成阳极，其功函数比随后形成的作为阴极的导电元件的功函数相对要高。可形成许多导电层来产生导电元件12。在此具体的实施方式中，导电元件12位于有机电子器件的使用面和随后形成的有机活性层之间。因此，导电层12应该是透明的，以使辐射透过导电元件12。代表性的材料包括ITO、锆锡氧化物(″ZTO″)、元素金属、金属合金，和它们的组合物。当ITO和ZTO用作导电元件12时，可以厚一些，同时又保证足够的辐射通过。例如，当ITO或ZTO用作导电元件12时，导电元件12的厚度可约为100-200纳米。导电元件12通过常规的技术形成。
可以形成导线14，提供随后形成的在阵列中用作阴极的导电元件与外围电路和远程电路之间的电连接。在图2中，导线14处在靠近侧面的位置。导电元件12和导线14互相隔开。导线14对于上层的重要性以后将会进行描述。导线14可用常规的技术形成，可包括一层或多层下列物质的所形成的层Cr、Al、Mo、Cu、Ti、Ta、导电氮化物、贵金属(Pt、Pd或Au)、能够形成导电氧化物的金属(Ru、Rh、Ir和Os)或它们的混合物。在一个实施方式中，导线14可包括多个层，其中包括粘合层、低电阻率导电层和保护性覆盖层。多个层可以是Cr/AI/Cr、Cr/Cu/Cr或Mo/Cu/Mo。在另一个实施方式中，如图2中所示，导线14的最上层可包含贵金属，以减少在稍后描述的干法蚀刻操作中形成金属氧化物的可能性。在另一个实施方式中，能够形成导电金属氧化物的金属可用来取代或用在贵金属上面。导线14的厚度可以在约10-600纳米的范围内。要注意，导线14和导电元件12形成的次序在某些实施方式中可以颠倒。
尽管图中未显示，一层电绝缘材料可在基片上、在导电元件12和导线14之间形成。该材料有助于使导电元件12和导线14电隔离，提高随后形成的层的平面度，或者有可能用于其它需要。该材料可以有机或无机材料。在电子器件内形成任何其它层之前，阵列内导电元件12的上表面应暴露在外。
阴极隔离层22可通过旋涂、浇注或气相沉积一厚约为2-5微米的层并使该层成图案形式以形成图2所示的结构来形成。在阵列内，阴极隔离层22覆盖着整个阵列，除了导线14所在的位置和随后将形成导电元件的位置外。在开口内的位置，基片10、导电元件12和导线14的一些部分是暴露的。外围电路和远程电路区是暴露的，不被阴极隔离层22所覆盖。
阴极隔离层22可包含可光成像材料，该可光成像材料包括光阻材料或聚酰亚胺。在一个实施方式中，可使用具有图像反转能力的酚醛清漆树脂正性可光成像的光刻胶。
如图3所示，可形成有机材料30。有机材料30可包括一层或多层。例如，有机材料30可包括一缓冲层32和一有机活性层34，或不带有缓冲层32的有机层34。注意到，缓冲层32可覆盖在有机活性层34上面，或衬在其下面和覆盖在其上面。当缓冲层32位于导电元件12和有机活性层之间时，缓冲层将是一个空穴传输层，而当缓冲层32位于有机活性层和随后形成的作为阴极的导电元件之间时，缓冲层将是电子传输层。在另一个实施方式中，缓冲层可以位于有机活性层34的两个面上。图3所示的实施方式具有作为空穴传输层的缓冲层32。还应理解，有机电子器件中的有机材料30可包括各种有机材料，诸如电荷传输材料、抗猝灭(anti-quenching)材料、各种活性材料(例如，光发射体、光检测体、IR检测体和其它辐射敏感材料)。
缓冲层32和有机活性层34可依次在导电元件12、导线14和部分阴极隔离层22的一些部分上形成。缓冲层32和有机活性层34都可以通过旋涂、浇注或气相沉积合适的下述材料来形成。缓冲层32或有机活性层34或两者都可以在被加施后固化。有机层30覆盖在阴极隔离层22的上部，并且覆盖着阴极隔离层22内的开口的底部，并且还覆盖着阴极隔离层22结构的壁。尽管图3中未示出，有机层30中非常薄的部分可以沿着阴极隔离层22的面，位于开口内的有机层30上方。注意到，阴极隔离层22的结构在与基片10接近的地方较窄，在离基片10远的地方较宽。在另一个实施方式中，该结构可具有更圆的锯齿形或T形。
在此实施方式中，缓冲层32是空穴传输层。与导电元件12直接与有机活性层34接触的器件相比，空穴传输层可用来减少损坏的量，并有可能提高器件的寿命和可靠性。在一个具体的实施方式中，空穴传输层可包含有机聚合物，诸如聚苯胺(″PANI″)、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(″PEDOT″)、或有机电荷传递化合物，诸如四硫富瓦烯-四氰基对苯醌二甲烷(TTF-TCQN)。空穴传输层通常的厚度在约100-250纳米的范围内。
空穴传输层通常是导电的，允许电子从随后形成的活性区中移出，转移到导电元件12中。尽管导电元件12和任选的空穴传输层是导电的，但通常导电元件12的电导率明显比空穴传输层的电导率高。
有机活性层34的组成通常取决于有机电子器件的用途。若有机活性层34用在辐射-发射有机电子器件中，当有足够的偏压施加于电接触层时，有机活性层34的一种或多种材料会发射出辐射。辐射-发射活性层可以含有几乎任何一种有机电致发光材料或其它有机辐射-发射材料。
此类材料可以是小分子材料或聚合物材料。小分子材料可包括那些描述在例如美国专利4356429和美国专利4539507中的材料。或者，聚合物材料可包括那些描述在美国专利5247190、美国专利5408109和美国专利5317169中的材料。代表性的材料是半导体共轭聚合物。此类聚合物的例子是聚(亚苯基亚乙烯)(poly(phenylenevinylene))，也称为“PPV”。光发射材料可以分散在其它材料的介质中，带有或不带有添加剂，但是通常形成单独的一层。有机活性层的一般厚度在约40-100纳米的范围内。
当有机活性层34被加入到接收辐射的有机电子器件中时，有机活性层34的一种或多种材料可以包括许多共轭的聚合物和电致发光材料。此类材料包括，例如，许多共轭聚合物和电致发光和光致发光材料。具体的例子包括聚(2-甲氧基，5-(2-乙基-己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯)(″MEH-PPV″)和MEH-PPV与CN-PPV的复合物。有机活性层34的厚度通常在约50-500纳米的范围内。
尽管未显示，任选的电子传输层可在有机活性层34上形成。电子传输层是缓冲层的另一个例子。电子传输层通常是导电的，允许电子从随后形成的阴极中注入，转移到有机活性层34中。尽管随后形成的阴极和任选的电子传输层是导电的，但阴极的电导率通常比电子传输层的电导率明显高。
在一个具体的实施方式中，电子传输层可包括金属螯合的羟基喹啉(oxinoid)化合物(例如，Alq3)；基于菲咯啉的化合物(例如，2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(″DDPA″)、4，7-二苯基-1，10-二氮菲(″DPA″))；吡咯化合物(例如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(″PBD″)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(″TAZ″)；或任何一种或多种它们的组合物。或者，任选的电子传输层可以是无机物，包括BaO、LiF或Li2O。电子传输层通常厚度在约30-500纳米的范围内。
图4包括用于形成图案导电层的第一阴影掩模40的一部分的一个例子。第一阴影掩模40包括一个开口42。掩模40的部分44包含固体材料。开口42被设置来覆盖阵列的一部分，部分44的位置是覆盖阵列的其它部分和外围电路区和远程电路区。
如图5和图6中所示，第一阴影掩模40可被用来在沉积的过程中通过开口42沉积图案导电层52，形成导电元件522和524。图案导电层52的导电元件522作为阴极，覆盖在有机活性层34和导电元件12上，如图6所示。层52的导电元件524覆盖在阴极隔离层22上，如图6所示。图案导电层52可用物理气相沉积方法(例如，蒸发，溅射)来形成。因为物理气相沉积的方向性和阴极隔离层22内结构的形状，导电元件522相互之间或与导电元件524之间不发生电连接。如果阴极隔离层22的壁变得接近垂直，可在沉积的过程中任选使用准直仪，以减少任何导电元件522和524之间发生短路或漏电的可能性。
在图5中，有机活性层34的一些部分暴露在导电元件522和图5中所示的面之间。注意到，导线14位于有机层34的下面，在图5中所示的面附近，但在图中未示出。同样，在阵列外面，在外围电路区和远程电路区下面的有机活性层34的部分是暴露的，包括用来密封器件的板条。
一般来说，图案导电层52可包括功函数较低的含金属层，其功函数低于功函数较高的导电条12。图案导电层52的材料可选自1族金属(例如，Li和Cs)、2族(碱土)金属、包括镧系和锕系在内的稀土金属。图案导电层52的厚度约在300-600纳米的范围内。在一个具体的非限制性实施方式中，可先沉积少于约10纳米厚的Ba层，再沉积约500纳米厚的Al层。Al层可以被任何一种关于导线14所述的金属和金属合金所取代或与它们结合使用。
如图6所示，导电元件522和524的上表面在基本上整个随后进行的干法蚀刻操作过程中都是暴露的。贵金属层或能够形成导电金属氧化物的金属层可用来减轻在随后的干法蚀刻操作中使用含氧的气体所带来的副作用。有机层30中未暴露的部分被导电元件522和524所覆盖，而有机层30的暴露部分没有被任何导电元件522和524所覆盖。
3.干法蚀刻在一个实施方式中，干法蚀刻有机电子器件的性能敏感元件的方法包括步骤(a)将至少一个性能敏感元件设置在基片上，并与第一导电元件隔开，其中，至少一个性能敏感元件是导线；(b)在性能敏感元件和第一导电元件上设置有机材料；(c)在有机材料上形成图案导电层，暴露出性能敏感元件的一个预定部分；(d)使用至少一种含氧的气体干法蚀刻对性能敏感元件的暴露区域中的有机材料进行干法蚀刻。
在本发明的一个实施方式中，使用干法蚀刻方法从有机电子器件的性能敏感元件上清除掉任何有机材料以形成有机电子器件，该过程包括步骤在基片上形成第一导电元件和导线，其中第一导电元件和导线相互隔开；在基片、第一导电元件和导线上形成有机层；在有机层上形成图案导电层，其中图案导电层包括第二导电元件；图案导电层产生有机层的暴露部分和有机层的未暴露部分；使用至少一种含氧的气体干法蚀刻有机层的暴露部分，以暴露导线的一部分。
在本发明的另一个实施方式中，形成有机电子器件的方法包括在基片上形成第一导电元件和导线的步骤。第一导电元件和导线相互隔开。该方法还包括在基片、第一导电元件和导线上形成有机层的步骤。该方法还包括在有机层上形成图案导电层的步骤。图案导电层包括第二导电元件，并产生有机层的暴露部分和有机层的未暴露部分。该方法还包括使用至少一种含有氧的气体干法蚀刻有机层的暴露部分，以暴露导线的一部分。
在本发明的另一个实施方式中，方法的特点在于在基片上形成导线、在导线上形成有机层，以及在有机层上形成第一导电元件的步骤。第一导电元件与导线相互隔开，有机层的暴露部分没有被第一导带元件所覆盖。该方法还包括使用至少一种含有氧的气体干法蚀刻有机层的暴露部分，并在干法蚀刻后形成第二导电元件。第二导电元件覆盖在第一导电元件和导线上，并与它们电连接。
在本发明的另一个实施方式中，方法的特点在于在基片上形成有机层、在基片的一个区域除去有机层，以及在基片的另一个不同区域干法蚀刻有机层的步骤。除去和干法蚀刻的步骤分别进行。在一个具体的实施方式中，除去步骤可通过激光烧蚀进行。而且，所述区域中的一个区域可对应于像素阵列，而其它区域位于像素区域以外。
干法蚀刻可以在第一步、第二步或在两步或更多步中进行。干法蚀刻的条件在整个干法蚀刻的操作过程中不需要保持恒定。而是在干法蚀刻的过程中，气体混合物、气体压力、电压、功率密度和温度可随时间进行调整。干法蚀刻过程可包括具有清楚界定的开始点和结束点的一个个步骤，并在一个连续的只有一个起动开始点和干法蚀刻任务完成时的结束点的操作中包括不同的步骤。干法蚀刻使用“一步”或“多步”是指包括那些有单独的起点和终点的情况和其条件在一个连续的操作中至少会改变一次的单一干法蚀刻过程。
有机材料可在第一步中除去，而不需要的材料如非挥发性材料可在第二步中除去。在第一步中，至少一种含氧的气体必须在所用的气体中。代表性的含氧气体包括O2、COF2、CO、O3、NO、N2O和它们的混合物。在第一步中，也可以使用至少一种含卤素的气体与至少一种含氧气体的组合。含卤素的气体可包括含氟气体、含氯气体、含溴气体或含碘气体中的一种或多种和它们的混合物。
当使用含氟气体时，它可包括任何一种或多种氟碳气体，该气体可以是饱和或不饱和的，也可以包括或不包括其它卤素原子，F2、F、SF6、NF3、金属氟化物(WF6、MoF6、TaF5)、含氟的卤间化合物(CIF、CIF3、CIF5、BrF3、BrF5和IF5)和它们的混合物。含氯气体可选自饱和或不饱和且包括或不包括其它卤素原子(例如，F、Br和I)的氯氯碳化合物，Cl2、HCl、BCl3、金属氯化物(TiCl4、TaCl5、MoCl5和WCl5)、含氯的卤间化合物(CIF、CIF3、和CIF5)，和它们的混合物。含溴的气体可选自饱和或不饱和且包括或不包括其它卤素原子(例如，F、Cl和I)的溴溴碳化合物，Br2、HBr、BBr3、含溴的卤间化合物(BrF3和BrF5)，和它们的混合物。含碘的气体可选自饱和或不饱和且包括或不包括其它卤素原子(例如，F、Cl和Br)的碘碳化合物，I2、HI、金属碘化物、含碘的卤间化合物(IF5)，和它们的混合物。
在一个实施方式中，含卤素的气体可以是含氟气体。在另一个实施方式中，含氟气体可以包括饱和或不饱和的且包括或不包括其它卤素原子的氟碳化物。在另一个实施方式中，氟碳化合物的通式为CaFbHc，其中a是1或2，b至少为1，如果a是1，则b+c为4，或者如果a是2，则b+c为4或6。CF4是代表性的氟碳气体的例子。
当使用金属氯化物气体时，需要仔细使蚀刻进行，以防从金属氯化物气体中沉积出金属。类似地。当使用不是氟的卤素时，也需要仔细，因为其它的卤素通常对于含有金属的材料具有差一些的选择性，并被用作金属蚀刻气体。
在第一或第二干法蚀刻步骤中或在这两个干法蚀刻步骤中，惰性或还原性气体可与其它气体一起使用。惰性气体可包括稀有气体、N2中的任何一种或多种，以及它们的混合物，还原性气体可包括H2、NH3、N2H4、N2H2中的任何一种或多种，以及它们的混合物。
惰性气体可用来促进非挥发性蚀刻产物或污染物的物理作用除去。在另一个实施方式中，可加入还原性气体来促进金属氧化物还原为相应的金属(例如，Al2O3还原为Al)。还原性气体可选自H2、NH3、N2H4和N2H2，以及它们的混合物。注意到，当使用至少具有一个氢原子的氟碳气体时，也可以产生氢气。如果要避免侧壁的聚合物形成，则不可以使用还原性气体。在一个具体的实施方式中，在第一干法蚀刻步骤中使用的气体主要包括O2、CF4和Ar的混合气体，在第二干法蚀刻步骤中使用的气体主要由Ar组成。干法蚀刻可在功率密度在约10-5000毫瓦/平方厘米的范围内、压力在约7.5-5000毫托的范围内进行。取决于性能敏感元件和要除去的有机材料，温度可进行调整。干法蚀刻通常在不超过约80℃的温度下进行。
在本发明的另一个实施方式中，有机电子器件可包括第一导电元件(作为阴极)、有机层和第二导电元件(作为阴极)。在基片上形成第一导电元件、导线和有机层后，该方法包括在有机层上形成第一图案导电层的步骤。第一图案导电层包括第二导电元件。第一图案导电层通过使用掩模在物理气相沉积中形成。有机层暴露的部分没有被第一图案导电层所覆盖。该方法还包括干法蚀刻有机层的暴露部分用以暴露出导线的一些部分的步骤。干法蚀刻使用上述的两步干法蚀刻顺序进行。该方法还包括在第一图案导电层上形成第二图案导电层的步骤。第二图案导电层通过使用不同的掩模在物理气相沉积过程中形成。第二图案导电层包括第三导电元件，其中，每一个第三导电元件基本上都覆盖在整个相应的第二导电元件上，并覆盖在一个导线的一部分上。每个第三导电元件与相应的第二导电元件和一个导线接触，并延伸到开口中。
本发明的另一个实施方式包括有一机电子器件，该有机电子器件包括导线、有机层、覆盖在有机层上的第一导电元件、和第二导电元件。第一导电元件最接近导线的一面与有机层最接近导线的一面基本上是相互连接的。从平面图上看，导线和第一导电元件是相互隔开的。第二导电元件使第一导电元件和导线电连接。
一些材料的组成可改变。例如，基片可包括聚合物膜，有机层可包括缓冲层和有机活性层。
本发明的实施方式可用在各种不同的有机电子器件中，包括光发射显示器、辐射敏感器件、光导电池、光电阻器、光控开关、光检测器、光电晶体管和光电管。或者，有机电子器件可包括能够被设计在一定的可见光谱范围内或可见光谱范围外操作的显示器、检测器和伏打电池。
前述的一般说明和以下的具体说明只是示范性和说明性的，并不用来限制本发明，只由附权利要求所限定。
可进行干法蚀刻来除去有机层30的暴露部分。在进行干法蚀刻后，没有被图案导电层52所覆盖的基片10、导电元件12的部分以及导线14可以被暴露，如图7所示。干法蚀刻可用一步或多步进行。在一个实施方式中，干法蚀刻可通过下列步骤进行第一步除去有机层30，第二步除去不希望有的一种或多种材料，诸如非挥发性蚀刻产物和污染物。如果导电元件522的上表面未形成绝缘氧化物，并且如果有机层30不含有大量的非挥发性污染物(例如，钠、硅、硫等)，则可以使用单个步骤。但是，在另一个实施方式中，导电元件522的上表面可形成绝缘氧化物，或者有机层30可含有大量的非挥发性蚀刻产物或污染物。可使用两步法。第一步除去基本上所有的有机层30，第二步用来除去多余的材料，诸如非挥发性蚀刻产物和污染物。第一步是除去有机层30，同时又对其它在第一步中是暴露的或将会暴露的材料保持较好的选择性。选择性是一种量度，通常表示为要被除去的目标材料(此实施方式中的有机层30)的蚀刻速率对其它在第一步中是暴露的或将会暴露的材料的蚀刻速率的比例或分数。高选择性上是需要的，但是可能会被其它的考虑因素所限制，这些因素诸如设备产量以及减少了的蚀刻的各向异性特征-如果各向异性蚀刻是需要的话。而且，随着在第一步近结束时多种不同材料的暴露，同时有机层30对导电元件522的选择性的优化，有机层30对阴极隔离层22的选择性可能会太低。选择性通常是蚀刻化学中使用的函数。下文中将会详细讨论蚀刻化学。
导电元件522和524基本上在整个第一步的的过程中都是暴露的。导线14、基片10(或它的阻挡层，如果存在的话)在有机层14被除去后暴露出来。阴极隔离层22的面在基本上整个第一蚀刻过程中都是暴露的。阴极隔离层22的一些部分没有被图案导电层52所覆盖。这些部分的上表面在有机层30被除去后暴露出来。
可以对第一步过程中进气的比例加以部分地选择，以实现所需的选择性。在一个实施方式中，含氧气体大约为进气的1体积％至100体积％，含卤素的气体为0体积％至50体积％，惰性气体为0体积％至40体积％，还原性气体为0体积％至30体积％。在另一个实施方式中，含氧气体包含O2并且大约为进气的30体积％至95体积％，含卤素的气体包含氟碳化合物且为1体积％至30体积％，惰性气体可选自N2、He和Ar且为4体积％至30体积％，还原性气体可选自H2和NH3且为0体积％至10体积％。在另一个实施方式中，含氧气体是O2且大约为进气的60体积％至95体积％，含卤素的气体是CF4且为进气的4体积％至20体积％，惰性气体是Ar并且为进气的10体积％至20体积％，没有使用还原性气体。
操作参数可根据所使用的反应器的类型、蚀刻腔的大小或被蚀刻的基片的大小来进行调整。可以使用间歇式蚀刻系统，诸如桶式蚀刻器(有时也称为灰化器(asher))和六级管式反应器。或者，可使用单一的基片体系，诸如具有平行平面板的体系。在蚀刻的过程中，等离子体可直接作用于基片，或者可使用下游的等离子体。在第一步开始时，基片10可置入干法蚀刻系统中。一种或多种进气流入干法蚀刻腔中，并使压力稳定。压力在约7.5-5000毫托的范围内。在这些压力下，一种或多种进气的的流动速率在约10-1000标准立方厘米/分钟(″sccm″)的范围内。在另一个实施方式中，压力可在10-500毫托的范围内，一种或多种进气的的流动速率在约100-500sccm的范围内可施加电压和功率产生等离子体。功率通常是基片表面积的线性或近线性函数。因此，指定功率密度(单位基片表面积的功率)。电压在约10-1000伏的范围内，功率密度在约10-5000毫瓦/平方厘米的范围内。电压和功率密度设定在下限可能会导致产生的等离子体难以维持或造成不能接受的低蚀刻速率。电压和功率密度设定在上限可能会过强，导致干法蚀刻失控、无法重复(在制造中是非常重要的)或不可接受的低选择性。在一个实施方式中，电压在约20-300V的范围内，功率密度在约50-500毫瓦/平方厘米的范围内。电压和功率的升高速率可以相当高，因为电压和功率通常以类似于常规光源开关的方式开启和关闭。
第一步可进行一段设定的时间，使用终点检测或终点检测和过度蚀刻的设定时间相结合。如果第一步太短，则不是所有的导线14会暴露，导致在最终的器件中形成开路或高电阻的电路。如果第一步太长，则太多没有被图案导电层52所覆盖的阴极隔离层24会被蚀刻，特别是阴极隔离层24的宽度部分会被刻蚀，可导致短路或漏电路径。另外，如果第一步太长，导线14、导电元件522和基片10可有凹痕，或者在导线14和导电元件522中可能会对随后形成的导电元件造成不可接受的高接触电阻。
在一个实施方式中，气体、气体压力、流动速率、功率密度和电压可在干法蚀刻的过程中随时间改变。
当第一步中采用设定时间，则对于间歇式反应器，时间在约2分钟至30分钟的范围内。在另一个实施方式中，设定的时间对于间歇式反应器来说可在约5分钟至10分钟的范围内。对于单基片干法蚀刻腔，蚀刻时间可比之前给定的时间的一半短或短于之前给定的时间。可使用常规的技术来进行终点检测。
第二步可使用惰性气体和任选的还原性气体来进行，两种气体都如上所述。惰性气体有助于除去第一步后留下的多余材料，还原性气体有助于使在第一步中生成的金属氧化物还原为相应的金属。在一个实施方式中。第二步包括50体积％至100体积％的惰性气体和0体积％至50体积％的还原性气体。在另一个实施方式中，第二步包括70体积％至100体积％的惰性气体和0体积％至30体积％的还原性气体。在另一个实施方式中，惰性气体是Ar且占90体积％至100体积％，还原性气体是H2且占0体积％至10体积％。
第二步中的操作条件处于上述第一步中所给定的最宽范围内。第二步所使用的实际操作条件与第一步中可不同。例如，电压和功率密度可以高一些，因为多余的材料经物理作用，而不是化学蚀刻除去。在第二步的过程中，电压可在约10-600伏的范围内，功率密度可在约100-1000毫瓦/平方厘米的范围内。如果电压或功率密度过高，第二步会除去太多的底层材料，导致无法控制或不可重复。第二步通常以定时蚀刻的方式进行。在第二步后，电压、功率和进气被关闭。对干法蚀刻腔抽真空，并进行通气清洗。在通气清洗后，干法蚀刻腔被放气到约大气压力，取出基片。
在蚀刻操作完成后，基片10(或阻挡层，如果存在的话)和导线14的一些部分变得可见，如图7中所示。尽管在图7中未示出，在有机层30前形成的导线或导电元件的其它部分(例如，与导电元件12或导线14同时形成)暴露出来。从外围电路和远程电路区域中除去有机层30。这些区域之一包括板条，它是随后形成的包封层所连接的区域。图7中未示出的导电元件或导线的暴露部分可对应于粘合衬垫，使得在基片10上或基片10内的电路进行电接连得以实现。
尽管已经讨论了关于干法蚀刻的很多不同的气体和操作条件，干法蚀刻应该在尽可能温和的条件下进行，同时仍然保持可接受的蚀刻速率和对多余材料的除去。有机电子器件与其相对应的无机电子器件相比，对于操作条件往往更敏感。
任何市场上可购得的干法蚀刻系统都适合用在本发明中，包括PlasmaTherm 790系列和来自March Plasma Systems的March PX-500。
4.干法蚀刻后处理图案导电层使用图8中所示的有着与第一阴影掩模40不同图案的第二阴影掩模80来形成。开口82对应于随后要形成导电元件的区域。开口82与开口42相似，但它在与导电元件522和524的长轴平行的方向上更长，当从有机电子器件的平面图中来看时。虚线42对应于掩模40的开口的横向边缘。注意到，虚线只是用来参考，因为没有材料存在于开口82内。在与导电元件522和524的长度垂直的方向上的开口82，其宽度可与开口42基本上相同或比它窄。开口82长度的重要性会在说明书以后的部分中进行描述。固体材料84主要用来防止任何材料沉积在基片10的不希望沉积的部分上。在外围电路和远程电路区域中，存在开口(未示出)，用来将阵列和阵列以外的电路相互之间进行电连接。
在第二掩模80对准基片10后，通过物理气相沉积法(例如，蒸发或溅射)形成图案导电层92，得到图9和10中所示的阵列内的结构。图案导电层92可包括关于导线14和导电元件14、522和524所述的材料或层中的一种或多种。厚度在50-1000纳米的范围内。在一个具体非限制性的实施方式中，可沉积厚度在约100-300纳米范围内的Al层。
图9包括图案导电层92的平面图。导电元件922位于阴极隔离结构之间。导电元件924覆盖在阴极隔离层22上，并与导电元件922隔开。再看图5，导电元件922沉积在导电元件522上和导线14的一些部分上，导电元件924会沉积在导电元件524上。用来形成图案导电层52的方向性特征应该用于图案导电层92。这样就不会形成短路或漏电路径。
从基片10的平面图中可以看到，每一个像素被限定在导电元件12和导电元件522相互交错的区域内。注意到，导电元件922基本上累积地覆盖所有的像素区。
图10包括图9沿切开线10-10的截面图。导电元件922基本上覆盖在整个导电元件522上，界面为102。因为导电元件922比导电元件522长，元件922也接触导线14，界面为104。因此，导电元件922形成一导电桥，该导电桥使相应的导电元件522与导线14发生电连接和电接触。在界面102和104上可以实现较低的接触电阻，因为导线14和导电元件522的表面没有象使用激光蚀刻时那样被破坏。导电元件和导线在外围电路和远程电路区域(未示出)内的暴露部分也同样没有被破坏，因此。与随后的导电元件的其它部分的接触或导线的结合(未示出)也同样具有很好的接触电阻特征。
在图10中所示出的其它结构元件将予以说明。一个通过有机层30(包括有机活性层34和空穴传输层32)的开口见图10中。导电元件522的一面(图10中表示的面1022)基本上与有机层30的底面相连。导线14具有与面1022相对的面1014。注意到，导电元件922的一部分延伸到有机层30的开口中，并且在此特定的实施方式中，以其表面1000接触着面1014和面1022和基片10。
在图1-10中未显示的其它电路可使用任何数目的以前描述过的或其它的层来形成。尽管未显示，可以形成其它的一层或多层绝缘层和一个或多个相互连接平面，使位于阵列之外的外围区域(未显示)中有电路。此类电路可包括行或列解码器、洗通器(strobe)(例如，行阵列洗通器、列阵洗通器)或读出放大器。
可在阵列和外围电路和远程电路上形成包封层(未示出)，形成基本上完成的电装置，诸如电子显示器、辐射检测器和伏打电池。包封层可连接在板条上，这样就没有有机层位于它和基片10之间。辐射可以穿透包裹层。如果是这样的话，包裹层应该对于辐射是透明的。
5.其它实施方式在另一个实施方式中，形成全色有源矩阵显示器。在形成导电元件12和导线14后，可随后形成有机井(well)绝缘层。而且，有机活性层34的一些部分可使用墨水喷射选择性地接受一种或多种有机染料，使像素内有不同的颜色。对于有源矩阵，不形成阴极隔离层22，可以使用普通的阴极，因为阳极可以是衬垫的形状，与条不同。如果要形成有源矩阵OLED显示器，薄膜电路可以与基片10存在。此类薄膜电路是常规的。
在一个实施方式中，可以形成多色或全色无源矩阵显示器。两个交错像素的六个子像素可形成与图1-10中所示相似的结构，不同的是具有有机井结构。例如，再看图1，第一和第四导电元件12可对应于不同像素中的蓝色子像素，第二和第五导电元件12可对应于在那些不同像素中的绿色子像素，第三和第六导电元件12可对应于不同像素中的红色子像素。再看图5，第一、第二和第三导电元件522可以是一个像素中的红色、绿色和蓝色子像素，而第四、第五和第六导电元件522可以是另一个像素中的红色、绿色和蓝色子像素。
在另一个实施方式中，用于导电元件12和522的材料可以互换。这样，阳极和阴极可以有效地互换(阴极而不是阳极更接近于使用者一侧)。注意到，如果阴极位于接近使用者的一侧，它基本上对于由电子器件发射或接受的辐射要是透明的。
在另一个实施方式中，如图11-12所示，激光烧蚀和干法蚀刻可以组合使用。再看图2，切开线11-11可以作为参考点。从图2开始，有机层30可以前述的方式形成。不同于以前的实施方式，激光烧蚀可用来除去阵列内有机层30的一些部分，形成开口112。注意到，导线14的一些部分在开口112的底部暴露。在与阵列隔开的一些区域(例如外围电路和远程电路区域)中的有机层30的一些部分不使用激光烧蚀除去。
可只用阴影掩模80来沉积图案导电层，形成如图12所示的导电元件122。注意到，不需要前述的掩模40。
与前述的相似的干法蚀刻方法，可在导电元件122形成后，用来除去阵列以外的有机层30的部分。除去的有机层30的部分对应于粘合衬垫和板条。随后可形成与粘合衬垫的电连接，包裹层可连接在板条上。因为有机材料已被除去，湿气和氧气进入包裹盖下方的一种途径也同样被除去。
上述的实施方式与常规的技术相比，具有一些优点。激光烧蚀不再需要，但是也可以任选使用。用干法蚀刻方法来除去有机层的一些部分，而干法蚀刻方法与激光烧蚀相比，对于有机层30下面的的材料或层具有好得多的选择性，激光烧蚀方法如果具有选择性的话，也是非常小的。因为不使用激光烧蚀，器件的产率和工艺性得到明显提高，同时器件的性能也不受影响。激光烧蚀过程中因为过烧蚀引起的导线的断裂基本上被消除。
因为该方法的物理特点，激光烧蚀可有效地将有机层30的一些部分再次沉积到有机电子器件的先前已经被清除过的其它区域中。不同于激光烧蚀，干法蚀刻不大可能使材料从基片10的一个部分中再次沉积到基片10的其它部分上，因为蚀刻产物通常是挥发性的。在一个实施方式中，不需要用湿法清洁来除去有机层上的再次沉积的材料。
本发明方法的另一个优点在于，新材料和涉及新材料的方法组合上的一些问题得以避免。干法蚀刻操作取代了激光烧蚀操作。图案导电层52和阴极隔离层22在有机层30的蚀刻过程中作为蚀刻掩模。不需要另外地形成抗蚀刻层，对其形成图案并随后将其除去。而且。用于导电元件522和导电元件922的材料可按它们用于常规的方法的形式使用，不需要进行改变。
本发明可用来减少暗线/亮线的出现。在一个实施方式中，干法蚀刻方法基本上对整个基片一次进行。此方法与激光烧蚀相比更加均匀，而激光烧蚀是以一系列在不同位置进行的独立步骤进行的。因此用本发明方法，接触电阻会更加均匀，因此表现为更加均匀的光照度，而不会有暗线/明线。
导线14在导电元件522之前制造。在文中所述的一个实施方式中，接触区(图10中的表面102和104)可在导电元件922形成之前进行清洁。可以减小接触电阻，从而实现更加优异的器件性能。
文中所述的实施方式可提高器件的寿命和电学性能，因为消除了滞留在阴极隔离层22底部的聚合物。有机层30的一些部分会在阴极隔离层22的底面与底层的接触的位置滞留。有机层30的这些滞留部分起湿气储存器的作用，会随时间推移而放出，导致像素收缩。器件的寿命因为湿气会侵袭与阴极隔离层22的边缘接触的像素边缘而缩短。而在干法蚀刻的过程中蚀刻除去聚合物的那些部分则有助于延长寿命。消除滞留部分也会减少阴极线条之间的串扰，而这种串扰是旋涂聚合物器件(PLED)存在的一个问题。
实施例本发明将会在以下的实施例中进一步描述，此实施例不限制权利要求中所述的本发明的范围。
OLED可依据描述在图1-10中的实施方式来制造，并与使用常规的激光烧蚀除去有机层的方法制造的OLED相比较。可在两步干法蚀刻步骤中使用电容耦合的March PX-500，在400毫托、100毫瓦/平方厘米，电压为20-100V的条件下运行。在第一步中，使用含有50％的O2、45％的Ar和5％的CF4的混合气体，混合气体的流速为100-500sccm，时间为10分钟，在第二步中，单独使用Ar，时间为10分钟。第一步中的流量是各单种气体流速的组合，表示保持着所需气体比例的流入反应器的总流速。反应器的温度可从蚀刻开始时的室温升高到蚀刻过程结束时的约70℃。
或者，可在激光烧蚀了导线和沉积了阴极层后，使用O2进行10分钟干法蚀刻的一次步骤，O2的流速为100-500sccm，压力为400毫托，功率密度为150毫瓦/平方厘米，电压为20-100伏。操作温度也是保持在约70℃的最大值。
以下是一些电学性能的比较。可以看到，使用本发明的实施方式制造的OLED具有更好的电学性质，特别是泄漏电流低和整流率高。
在前述的说明中，本发明结合一些具体的实施方式进行了描述。但是，本领域技术人员会认识到可进行各种修改和改变而不背离本发明所附权利要求中所限定的范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的，而不是限制性的，所有修改都旨在包括在本发明的范围内。
就一些具体的实施方式，以上讨论了有利之处、其它的优点和对问题的解决方法。但是，有利之处、优点、解决问题的方法和任何导致任何益处、优点和解决问题的方法得以产生的因素不能作为任何或全部权利要求的至关重要的、需要的或本质的因素来解释。
权利要求
1.一种有机电子器件，它包括导线；有机层；覆盖在所述有机层上的第一导电元件，其中，所述第一导电元件最接近所述导线的一面与所述有机层最接近所述导线的一面基本上互相连接；并且从平面图看，所述导线和所述第一导电元件相互隔开；将所述第一导电元件电连接到所述导线上的第二导电元件。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，它还包括基片；覆盖在基片上的第三导电元件，其中第三导电元件与导线分开，并且不与第一导电元件或第二导电元件接触。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述有机层覆盖在第三导电元件上，并包括一个空穴传输层和有机活性层。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述基片包含聚合物膜。
5.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述有机层包含至少一种材料，所述材料是电荷传输、抗猝灭、光发射或光检测材料。
6.如权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述有机电子器件光是光发射二极管、光发射显示器、辐射敏感器件、光导电池、光电池、光敏电阻器、光控开关、光检测器、光电晶体管或光电管。
7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件是有机光发射二极管显示器。
全文摘要
一种有机电子器件，其包括(a)导线，(b)有机层，(c)覆盖在有机层上的第一导电元件，其中，第一导电元件最接近导线的一面和有机层最接近导线的一面基本上互相连接，从平面图看，导线和第一导电元件相互隔开，(d)第二导电元件，其使第一导电元件电连接于导线。
文档编号H05B33/02GK1816912SQ200480019164
公开日2006年8月9日 申请日期2004年7月22日 优先权日2003年7月22日
发明者S·普拉卡什 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司