专利名称：显示器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示器件的制造方法。
背景技术：
近年来，正在对液晶显示器件和电致发光显示器件进行开发，这些显示器件是通过将薄膜晶体管(在下文中也称为TFT)集成在玻璃衬底上而构成的。在这些显示器件中，都是通过使用薄膜形成技术而在玻璃衬底上形成薄膜晶体管，并且将液晶元件或发光元件(电致发光元件(在下文中也称为EL元件))作为显示元件形成于由所述薄膜晶体管组成的各种电路上，由此用作显示器件。
利用电致发光的发光元件根据其发光材料是有机化合物还是无机化合物来进行区别，一般来说，前者被称为有机EL元件，而后者被称为无机EL元件。
无机EL元件根据其元件结构分为分散型无机EL元件和薄膜型无机EL元件。分散型无机EL元件具有将发光材料的粒子分散在粘合剂中的发光层，并且因为可以通过简单的方法来制造元件，所以正在广泛研究开发(例如，参见专利文献1)。
日本专利申请公开2005-132947号公报然而，上述无机EL具有驱动电压高且发光亮度或效率低等的问题，从而被希望进一步改善发光亮度及发光效率。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种具有高性能及高可靠性的显示器件，该显示器件的功耗低且发光效率高。此外，本发明还提供能够对应于大型衬底的简单且高生产率的显示器件的制造技术。
另外，可以应用本发明而制造显示器件。作为能够应用本发明的显示器件，存在具有以下结构的发光显示器件等，在这种发光显示器件中，在电极之间夹有呈现被称作电致发光的发光层或含有有机物和无机物的混合物的层的发光元件和薄膜晶体管(以下也称为TFT)相连接。EL元件包括至少含有能够获得电致发光的材料且通过流过电流而发光的元件。
无机EL元件根据其元件结构分为分散型无机EL元件和薄膜型无机EL元件。前者和后者的不同之处在于前者具有将发光材料的粒子分散在粘合剂中的发光层，而后者具有由荧光材料的薄膜构成的发光层。然而，它们的机制是共通的，其中通过由在高电场下被加速的电子导致的母体材料或发光中心的碰撞激发可以获得发光。
在本发明中，通过将激光束或从灯光源发出的光照射到发光材料上而使发光材料改性，以提高其结晶性。通过将改性的发光材料分散在粘合剂中来形成发光层。
本发明的显示器件的制造方法之一包括以下步骤将光照射到发光材料上，并且将照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液附着于第一电极层上，而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层，以制造发光元件。
本发明的显示器件的制造方法之一包括以下步骤将发光材料加工成粒子状；将激光束照射到粒子状发光材料上；将照射了激光束的粒子状发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了激光束的粒子状发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液附着于第一电极层上，而形成含有照射了激光束的粒子状发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层，以制造发光元件。
本发明的显示器件的制造方法之一包括以下步骤将激光束照射到发光材料上；将照射了激光束的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了激光束的发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液附着于第一电极层上并且焙烧，而形成含有照射了激光束的发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层，以制造发光元件。
本发明的显示器件的制造方法之一包括以下步骤将发光材料加工成粒子状；将激光束照射到粒子状发光材料上；将照射了激光束的粒子状发光材料分散到含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了激光束的粒子状发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液附着于第一电极层上并且焙烧，而形成含有照射了激光束的粒子状发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层，以制造发光元件。
对发光材料照射的光可以为激光束，也可以为从灯光源照射的光。
对发光材料进行的光照射可以起到对发光材料供应能量而缓和缺陷或畸变的作用。此外，该光照射可以起到控制发光材料的结晶性的作用。
在本发明中，可以通过对发光材料进行光照射，而减少发光材料中的缺陷或缓和发光材料中的畸变，从而发光材料的结晶性提高。此外，还可以控制发光材料的结晶性。由此，使用了这种结晶性良好的发光材料的发光元件可以以低驱动电压获得高发光亮度及高发光效率。
因此，具有应用本发明的发光元件的显示器件能够充当低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
图1A至1D说明本发明的发光元件的制造方法；图2A至2C说明本发明的发光元件；图3A和3B说明本发明的发光元件；图4A至4C说明本发明的显示器件；图5A和5B说明本发明的显示器件；图6A和6B说明本发明的显示器件；
图7A和7B说明本发明的显示器件；图8说明本发明的显示器件；图9说明本发明的显示器件；图10说明本发明的显示器件；图11说明本发明的显示器件；图12A和12B示出应用本发明的电子设备；图13A和13B示出应用本发明的电子设备；图14示出应用本发明的电子设备；图15A至15E示出应用本发明的电子设备；图16A至16C为本发明的显示器件的俯视图；图17A和17B为本发明的显示器件的俯视图；图18说明应用本发明的电子设备；图19说明本发明的显示器件。
具体实施例方式
关于本发明的实施方式将参照附图给予详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在不同的附图中，对以下说明的本发明的结构中的相同的部分或具有相同功能的部分共同使用相同的符号，省略其重复说明。
实施方式1将参照图1A至1D详细说明本实施方式的发光元件的制造方法。
可以用于本发明的发光材料由母体材料和成为发光中心的杂质元素构成。可以通过改变杂质元素，获得各种发光颜色的发光。作为发光材料的制造方法，可以使用固相法、液相法(共沉淀法)等的各种方法。此外，还可以使用诸如喷雾热分解法、复分解法、利用前驱体的热分解反应的方法、反胶团(reverse micelle)法、组合上述方法和高温焙烧的方法、或冷冻干燥法等的液相法等。
在固相法中，通过以下以下方法使母体材料包含杂质元素称母体材料及杂质元素的重量，在研钵中混合，在电炉中加热，并且进行焙烧而使其进行反应。焙烧温度优选为700至1500℃。这是因为在温度过低的情况下固体反应不能进行，而在温度过高的情况下母体材料会分解的缘故。注意，也可以在粉末状态下进行焙烧，然而优选在颗粒状态下进行焙烧。该方法需要在比较高的温度下进行焙烧，然而，因为该方法很简单，所以生产率好，并且适合于大量生产。
液相法(共沉淀法)是一种方法，即在溶液中使母体材料及杂质元素反应，并使它干燥，然后进行焙烧。通过该方法，发光材料的粒子均匀地分布，粒径小，并且即使在焙烧温度低的情况下，也可以进行反应。
作为可用于本发明的母体材料，可以使用硫化物、氧化物或氮化物。作为硫化物，例如可以使用硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、硫化钙(CaS)、硫化钇(Y2S3)、硫化镓(Ga2S3)、硫化锶(SrS)或硫化钡(BaS)等。此外，作为氧化物，例如可以使用氧化锌(ZnO)或氧化钇(Y2O3)等。此外，作为氮化物，例如可以使用氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)或氮化铟(InN)等。而且，可以使用硒化锌(ZnSe)或碲化锌(ZnTe)等，也可以使用硫化钙-镓(CaGa2S4)、硫化锶-镓(SrGa2S4)或硫化钡-镓(BaGa2S4)等的三元系混晶。
在本发明中，在发光材料中的杂质元素至少包含两种材料。作为第一杂质元素，例如可以使用铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)或硅(Si)等。作为第二杂质元素，例如可以使用氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)或铊(Tl)等。
可以使用以下以下发光材料将上述材料用作母体材料，并且仅仅由上述第一杂质元素及第二杂质元素构成发光中心。它们呈现由于施主-受主复合导致的发光。
还可以将第一杂质元素及第三杂质元素用作发光材料中的杂质元素，以使发光材料含有两种材料。作为第三杂质元素，例如可以使用锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)或铋(Bi)等。
也可以作为发光材料中的杂质元素，除了使用第一杂质元素及第二杂质元素之外，还使用第三杂质元素，以使发光材料含有三种材料。这些杂质的浓度对母体材料有0.01至10mol％即可，优选在0.1至5mol％的范围内。
此外，作为利用固相反应时的杂质元素，还可以组合使用由一杂质元素和第二杂质元素构成的化合物或由第二杂质元素和第三杂质元素构成的化合物。在此情况下，杂质元素容易扩散，并且固相反应容易进行，所以可以获得均匀的发光材料。而且，因为多余的杂质元素不进入，所以可以获得纯度高的发光材料。作为由第一杂质元素和第二杂质元素构成的化合物，例如可以使用氟化铜(CuF2)、氯化铜(CuCl)、碘化铜(CuI)、溴化铜(CuBr)、氮化铜(Cu3N)、磷化铜(Cu3P)、氟化银(AgF)、氯化银(AgCl)、碘化银(AgI)、溴化银(AgBr)、氯化金(AuCl3)、溴化金(AuBr3)或氯化铂(PtCl2)等。此外，作为由第二杂质元素和第三杂质元素构成的化合物，例如可以使用诸如氟化锂(LiF)、氯化锂(LiCl)、碘化锂(LiI)、溴化锂(LiBr)或氯化钠(NaCl)等的卤化碱、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、锑化铝(AlSb)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)或锑化铟(InSb)等。
由此获得的发光材料，可以呈现由施主-受主对的复合导致的发光，并且成为电传导性高的发光材料。采用了包含三种材料的发光材料的发光层能够在不需要由高电场加速的热电子的情况下发光。换言之，不需要对发光元件施加高电压，所以可以获得以低驱动电压能够工作的发光元件。此外，由于发光元件可以以低驱动电压发光，所以可以做出功耗也降低了的发光元件。
对于没有利用施主-受主复合的发光材料而言，例如可以使用上述材料作为母体材料，并且可以使用锰(Mn)、铜(Cu)、钐(Sm)、铽(Tb)、铒(Er)、铥(Tm)、铕(Eu)、铈(Ce)或镨(Pr)等作为发光中心。由这些发光材料导致的发光是利用金属离子的内壳层电子跃迁的发光。注意，为了补偿电荷，在这些发光材料中不但使用金属单体，还可以添加有氟(F)或氯(Cl)等的卤元素。
将根据上述方法而制造的发光材料加工成粒子状。可以通过使用研钵等粉碎，或者使用粉碎机等的装置来将发光材料加工成粒子状。可以在通过发光材料的制造方法，充分获得所希望的尺寸的粒子的情况下，可以不进行进一步的加工处理。可以将粒径设定为0.1μm或更大至50μm或更小(更优选为10μm或更小)。发光材料的形状可以为任何形状如粒状、柱状、针状、片状等，也可以使多个发光材料的粒子彼此凝集并作为单体形成集合体。
图1A示出粒子状的发光材料70。在本发明中，对发光材料70照射光71。如图1B所示，通过对发光材料70照射光71，使发光材料改性而成为发光材料72。作为光71，例如可以使用其波长为100至300nm的光。所述光照射使得发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而减少缺陷。由于缺陷减少，畸变也缓和，从而结晶性提高。此外，通过光照射，还可以控制发光材料的结晶性，例如，可以将结晶性控制为六方晶系、立方晶系等所希望的结晶系。若添加具有促进成为发光材料的特定结晶系的效果的杂质元素(例如，磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、锑化镓(GaSb)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、硅(Si)、锗(Ge)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、磷化铝(AlP)、锑化铝(AlSb)或氮化铝(AlN)等)并照射光，就可以更有效地控制结晶性。因此，由于晶化提高，所以也可以提高发光元件的发光效率。
对所使用的光没有特别的限制，可以使用红外光、可见光和紫外光中的任何一种或它们的组合。例如，可以使用从下述光源发射的光紫外灯、黑光、卤素灯、金卤灯、氙弧灯、碳弧灯、高压钠灯、或者高压汞灯。在这种情况下，可以将灯光源点亮必要长的时间来照射光或者多次照射光。
此外，作为所使用的光可以使用激光束，并且作为激光振荡器可以使用能够振荡紫外光、可见光、或红外光的激光振荡器。作为激光振荡器，可以使用KrF、ArF、XeCl或Xe等的受激准分子激光振荡器；He、He-Cd、Ar、He-Ne或HF等的气体激光振荡器；使用掺杂了Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm的YAG、GdVO4、YVO4、YLF或YAlO3等结晶的固态激光振荡器；或者GaN、GaAs、GaAlAs或InGaAsP等的半导体激光振荡器。在固态激光振荡器中，优选采用基波的一次谐波至五次谐波。还可以设置有由挡板(shutter)、反射体如反射镜或半反射镜等、柱面透镜或凸透镜等构成的光学系统，以便调节从激光振荡器发射的激光束的形状或激光束前进的路径。
注意，作为照射方法，可以选择性地照射光，也可以沿XY轴方向进行光的扫描来照射光。在此情况下，优选使用多角镜或检流计镜作为光学系统。
此外，还可以组合使用来自灯光源的光和激光束，例如，可以对在比较广的范围内进行曝光处理的区域进行使用灯的照射处理，而只对进行高精细的曝光处理的区域使用激光束进行照射处理。通过这样进行光的照射处理，也可以提高生产量。
此外，还可以与其他加热处理同时进行光照射。例如，在加热设置有发光材料的衬底(优选以50至500℃)的同时从上方(下方或上下双方)进行光照射，使发光材料改性。
本发明由于对加工成粒子状的发光材料照射光，所以可以对更大的面积照射光。由此，若在利用搅拌等而使粒子运动的同时照射光以便对粒子的表面面积整体照射光，就可以使发光材料充分改性。
如图1C所示，将改性后的发光材料72分散在含有粘合剂的溶液73中。优选进行搅拌，以使发光材料均匀地分散在含有粘合剂的溶液73中。可以将溶液的粘度适当地设定为在保持流动性的同时作为发光层可获得所希望的膜厚度的粘度。粘合剂就是这样一种物质，即在分散状态下固定粒子状的发光材料，并且将它保持作为发光层的形状。
通过印刷法等湿法工艺将分散有发光材料72的含有粘合剂的溶液73附着在电极层76上并使它干燥而固化，以形成发光层75(参照图1D)。溶剂蒸发而被去除，在发光层75中含有粘合剂74及发光材料72。由粘合剂74将发光材料72均匀分散在发光层75中并固定。
作为发光层75的形成方法，可以使用能够选择性地形成发光层的液滴喷射法、印刷法(丝网印刷或胶版印刷等)、旋转涂敷法等的涂敷法、浸渍法或分散器法等。对于其膜厚度没有特别的限定，但优选在10至1000nm的范围内。此外，在含有发光材料及粘合剂的发光层中，将发光材料的比率优选设定为50wt％或更大且80wt％或更小。
可以将绝缘材料用作本发明中使用的粘合剂，具体地，可以使用有机材料、无机材料或有机材料及无机材料的混合材料。作为有机绝缘材料，可以使用以下以下树脂材料像氰乙基纤维素系树脂那样具有比较高的介电常数的聚合物、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯树脂、硅酮树脂、环氧树脂或偏二氟乙烯等。此外，还可以使用芳香族聚酰胺或聚苯并咪唑等的耐热高分子；或硅氧烷树脂。注意，硅氧烷树脂相当于包含Si-O-Si键的树脂。硅氧烷具有由硅(Si)-氧(O)键构成的骨架结构。作为取代基，可以使用至少包含氢的有机基(例如烷基或芳烃)、氟代基、或者至少包含氢的有机基和氟代基。还可以使用以下以下树脂材料聚乙烯醇或聚乙烯醇缩丁醛等的乙烯树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂或唑树脂(聚苯并唑)等。此外，还可以使用光固化树脂等。可以对这些树脂适度混合BaTiO3、SrTiO3等的高介电常数的微粒子，而调整介电常数。
包含在粘合剂中的无机绝缘材料可以由选自下述物质的材料形成氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化铝(AlN)、氧氮化铝(AlON)、氮氧化铝(AlNO)、氧化铝、氧化钛(TiO2)、BaTiO3、SrTiO3、PbTiO3、KNbO3、PbNbO3、Ta2O3、BaTa2O6、LiTaO3、Y2O3、ZrO2、ZnS或含有其他无机绝缘材料的物质。通过将介电常数高的无机材料(通过添加等)包含在有机材料中，可以进一步控制由发光材料及粘合剂构成的发光层的介电常数，从而可以进一步使介电常数变大。
作为可以用于本发明的含有粘合剂的溶液的溶剂，适当地选择能够制造以下以下溶液的溶剂即可，所述溶液具有可以溶解粘合剂材料，并且适合于形成发光层的方法(各种湿法工艺)及所希望的膜厚度的粘度。可以使用有机溶剂等，例如在使用硅氧烷树脂而作为粘合剂的情况下，可以使用丙二醇单甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯(也称为PGMEA)或3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇(也称为MMB)等。
之后，在发光层上也形成电极层，以完成将发光层夹持在一对电极层之间的发光元件。
对于夹持发光层的电极层(第一电极层及第二电极层)，可以使用金属、合金、导电化合物或它们的混合物等。具体而言，例如可以举出氧化铟-氧化锡(ITO氧化铟锡)、含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌(IZO氧化铟锌)、含有氧化锌的氧化钨-氧化铟(IWZO)等。这些导电金属氧化物膜通常通过溅射法来形成。例如，氧化铟-氧化锌(IZO)可以通过使用对氧化铟添加了1至20wt％的氧化锌的靶的溅射法来形成。此外，含有氧化锌的氧化钨-氧化铟(IWZO)可以通过使用对氧化铟含有0.5至5wt％的氧化钨及0.1至1wt％的氧化锌的靶的溅射法来形成。此外，可以使用铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛TiN)等。在采用具有透光性的电极层的情况下，即使为可视光的透射率低的材料，也通过以1至50nm、优选以5至20nm左右的厚度形成，而可以将该电极层用作透光性的电极。除了溅射法以外，还可以使用真空蒸镀、CVD、溶胶-凝胶法来制作电极。注意，由于发光穿过电极层取出到外部，所以一对电极层(第一电极层及第二电极层)之中至少一方或双方必须由具有透光性的材料形成。
在本实施方式中，图2A至2C以及3A和3B示出可以制造的发光元件。
在图2A中的发光元件具有第一电极层50、发光层52、第二电极层53的叠层结构，并且在发光层52中含有由粘合剂保持的发光材料51。注意，图2A至2C示出交流驱动的发光元件。在图2A中，因为可以根据发光材料感应出大电荷，所以优选使用无机材料和有机材料的混合层而作为在发光层52中的粘合剂，并使其介电常数变高。优选的是，分散发光材料51，以免由发光材料51间接连接第一电极层50及第二电极层53。本实施方式所示的发光元件可以通过在第一电极层50和第二电极层53之间施加电压而获得发光，然而，发光元件以直流驱动或交流驱动都可以工作。
图2B和2C所示的发光元件具有在图2A的发光元件中在电极层和发光层之间提供绝缘层的结构。图2B所示的发光元件在第一电极层50和发光层52之间具有绝缘层54，而图2C所示的发光元件在第一电极层50和发光层52之间具有绝缘层54a且在第二电极层53和发光层52之间具有绝缘层54b。像这样，绝缘层可以提供在夹持发光层的一对电极层中的一方电极层与发光层之间或在双方电极层与发光层之间。此外，绝缘层可以为单层或由多个层构成的叠层。
此外，在图2B中，与第一电极层50接触地提供绝缘层54，然而也可以将绝缘层和发光层的顺序反过来，而与第二电极层53接触地提供绝缘层54。
对绝缘层54a及绝缘层54b没有特别的限定，然而它们优选具有高绝缘耐性和致密的膜性质，而且优选具有高介电常数。例如，可以使用氧化硅(SiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、钛酸钯(BaTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、氮化硅(Si3N4)或氧化锆(ZrO2)等；它们的混合膜；或者含有两种以上的上述材料的叠层膜。这些绝缘膜可以通过溅射、蒸镀或CVD等来形成。此外，绝缘层54a及绝缘层54b可以通过将这些绝缘材料的粒子分散在粘合剂中来形成。粘合剂材料通过使用与包含在发光层中的粘合剂相同的材料及相同的方法来形成即可。膜厚度不作特别限定，但优选在10至1000nm的范围内。
注意，虽然未图示，然而还可以在发光层和绝缘层之间或在发光层和电极之间提供缓冲层。该缓冲层具有容易注入载流子且抑制两层的混合的作用。对于缓冲层虽然没有特别的限定，但例如可以使用作为发光层的母体材料的ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、SrS或BaS等；CuS或Cu2S；或者作为卤化碱的LiF、CaF2、BaF2或MgF2等。
图3A和3B示出对使用本发明的发光元件进行直流驱动的例子。图3A和3B所示的本实施方式的发光元件具有第一电极层60、发光层62、以及第二电极层63的叠层结构，并且在发光层62中包括由粘合剂保持的发光材料61。图3A为通过电连接使第一电极层60和第二电极层63分别用作阳极和阴极的例子，而图3B为通过电连接使第一电极层60和第二电极层63分别用作阴极和阳极的例子。
在实现直流驱动的情况下，因为若具有以下以下结构载流子就容易注入到发光材料中，所以优选具有以下以下结构如图3A及3B，发光层62的膜厚度薄，由粘合剂固定发光材料61以便与第一电极层60及第二电极层63接触，第一电极层60及第二电极层63隔着发光材料61彼此连接。
在图2A至2C以及3A和3B的发光元件中没有示出作为支撑体的衬底以及相对显示器件的密封衬底，然而支撑体衬底及密封衬底可以在第一电极层一侧或第二电极层一侧，而不被限定。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件时，可以以低驱动电压获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式2在本实施方式中，将使用
具有本发明的发光元件的显示器件的一个结构实例。更具体地，示出显示器件的结构为无源矩阵型的情况。
显示器件具有在第一方向上延伸的第一电极层751a、751b和751c；覆盖第一电极层751a、751b和751c而提供的发光层752；在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二电极层753a、753b和753c(参照图4A)。在第一电极层751a、751b和751c以及第二电极层753a、753b和753c之间提供有发光层752。另外，覆盖第二电极层753a、753b和753c而提供用作保护膜的绝缘层754(参照图4B)。注意，在担心相邻的各个发光元件之间横向方向的电场影响的情况下，可以将提供在各个发光元件721中的含有发光材料756的发光层752分离。
图4C是图4B的变形例，在衬底790上具有第一电极层791a、791b和791c、含有发光材料796的发光层792、第二电极层793b、以及作为保护层的绝缘层794。如图4C中示出的第一电极层791a、791b和791c，第一电极层可以为具有锥形的形状，也可以为其曲率半径连续变化的形状。可以通过使用液滴喷射法等形成如第一电极层791a、791b和791c的形状。如果是具有这样的曲率的曲面，则层叠的绝缘层或导电层的覆盖率良好。
另外，可以形成隔壁(绝缘层)以覆盖第一电极层的端部。所述隔壁(绝缘层)起到将发光元件和其他发光元件之间分开的墙壁的作用。图5A和5B示出了由隔壁(绝缘层)覆盖第一电极层的端部的结构。
在图5A所示的发光元件的一例中，将隔壁(绝缘层)775形成为具有锥形的形状，以覆盖第一电极层771a、771b和771c的端部。在提供在衬底770上的第一电极层771a、771b和771c上形成隔壁(绝缘层)765，之后形成含有发光材料776的发光层772、第二电极层773b、以及绝缘层774。
图5B所示的发光元件的一例具有这样的形状隔壁(绝缘层)765具有曲率，并且其曲率半径连续变化。在提供在衬底760上的第一电极层761a、761b和761c上形成隔壁(绝缘层)765，之后形成含有发光材料766的发光层762、第二电极层763b、以及绝缘层764。
在通过使用本发明来制造的发光层752、762、772和792中含有由粘合剂固定的发光材料。在本实施方式中，对粒子状的发光材料进行光照射，使发光材料改性，以提高发光材料的结晶性。通过光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而在发光材料中的缺陷减少，畸变也缓和。由此，因为可以使用结晶性良好的发光材料，所以发光元件的发光亮度或发光效率提高，功耗也降低。因此，可以制造具有高性能及高可靠性的显示器件。
作为衬底750、760、770和790，除了玻璃衬底或柔性衬底之外，还可以使用石英衬底、硅衬底、金属衬底或不锈钢衬底等。柔性衬底是可以弯曲(柔性)的衬底。例如，可以举出由聚碳酸酯、多芳基化合物或聚醚砜等制成的塑料衬底等。另外，还可以使用薄膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯或氯乙烯等制成)、由纤维材料制成的纸、或者无机蒸镀薄膜等。另外，可以在形成于Si等的半导体衬底上的场效应晶体管(FET)上部，或者在形成于玻璃衬底等上的薄膜晶体管(TFT)上部提供发光元件。
本实施方式所示的第一电极层、第二电极层、发光材料和发光层可以使用上述实施方式1所示的任何材料及形成方法来同样地形成。
作为隔壁(绝缘层)765和775，还可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝或其他无机绝缘材料；丙烯酸、甲基丙烯酸、以及它们的衍生物；聚酰亚胺、芳香族聚酰胺或聚苯并咪唑等的耐热性高分子；或者硅氧烷树脂。另外，还可以使用以下以下树脂材料聚乙烯醇或聚乙烯醇缩丁醛等的乙烯树脂、环氧树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂、三聚氰胺树脂或者聚氨酯树脂等。而且，还可以使用苯并环丁烯、聚对二甲苯、氟化亚芳基醚或聚酰亚胺等的有机材料；或者包含水溶性均聚物和水溶性共聚物的组成物材料等。作为制作方法，可以使用等离子体CVD法或热CVD法等的气相生长法或者溅射法。另外，还可以使用液滴喷射法或印刷法(用于形成图形的方法，诸如丝网印刷或胶版印刷等)。还可以使用通过涂敷法做出的涂敷膜、SOG膜等。
可以在通过液滴喷射法喷射组成物来形成导电层、绝缘层等之后，通过压力挤压表面而使其平整化，以便增加其平整性。作为挤压的方法，可以通过将滚筒状物体扫描在表面上来平整并减少凹凸，或者还可以使用平整的片状物体来挤压表面等。在挤压时可以执行加热工序。另外，可以使用溶剂等使表面软化或者溶解，并且使用气刀去除该表面的凹凸部分。另外，还可以使用CMP法来抛光。可以当由于液滴喷射法产生凹凸时，为了使其表面平整化而应用上述工序。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，通过采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件，可以以低驱动电压获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式3在本实施方式中，将说明具有与上述实施方式2不同的结构的显示器件。具体地，将示出显示器件的结构为有源矩阵型的情况。
将显示器件的俯视图示出于图6A，而将沿图6A中的线E-F的截面图示出于图6B。此外，在图6A中，省略含有发光材料316的发光层312、第二电极层313、以及绝缘层314而未图示，然而如图6B所示那样提供它们。
在第一方向上延伸的第一布线和在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二布线布置成矩阵形状。另外，第一布线连接到晶体管310a及310b的源电极或者漏电极，并且第二布线连接到晶体管310a和晶体管310b的栅电极。而且，第一电极层306a及306b分别连接到没有与第一布线连接的晶体管310a及310b的源电极或漏电极。发光元件315a以及315b分别由第一电极层306a、含有发光材料316的发光层312和第二电极层313的叠层结构以及第一电极层306b、含有发光材料316的发光层312和第二电极层313的叠层结构来提供。在相邻的每个发光元件之间提供隔壁(绝缘层)307，并且在第一电极层和隔壁(绝缘层)307上层叠含有发光材料316的发光层312及第二电极层313。在第二电极层313上具有用作保护层的绝缘层314。另外，作为晶体管310a和310b，使用薄膜晶体管(参照图6B)。
在衬底300上提供有图6B所示的发光元件，并且还具有绝缘层301a、301b、308、309和311；布线317；构成晶体管310a的半导体层304a、栅电极层302a、以及兼用作源电极层或者漏电极层的布线305a、305b；构成晶体管310b的半导体层304b、栅电极层302b、兼用作源电极层或者漏电极层的布线305c、305d。在第一电极层306a和306b、以及隔壁(绝缘层)307上形成有含有发光材料316的发光层312和第二电极层313。
另外，如在图11中所示，发光元件365a和365b可以分别连接到提供在单晶半导体衬底350上的场效应晶体管360a和360b。这里，覆盖场效应晶体管360a及360b的源电极层或漏电极层355a至355d而提供绝缘层370，并且在绝缘层370上提供第一电极层356a和356b、隔壁(绝缘层)367、含有发光材料366a的发光层362a、含有发光材料366b的发光层362b、以及第二电极层363，以分别构成发光元件365a和365b。如含有发光材料366a的发光层362a、含有发光材料366b的发光层362b，发光层可以使用掩模等选择性地仅仅提供在各个发光元件中。另外，在图11中示出的显示器件还具有元件分离区域368、绝缘层369、361和364。在第一电极层356a和356b以及隔壁367上形成有含有发光材料366a的发光层362a及含有发光材料366b的发光层362b，并且在含有发光材料366a的发光层362a及含有发光材料366b的发光层362b上形成有第二电极层363。
在通过使用本发明来制造的发光层312、362a和362b中含有由粘合剂固定的发光材料。在本实施方式中，对粒子状的发光材料进行光照射，使发光材料改性，以提高发光材料的结晶性。通过光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而在发光材料中的缺陷减少，畸变也缓和。由此，因为可以使用结晶性良好的发光材料，所以发光元件的发光亮度或发光效率提高，功耗也降低。因此，可以制造具有高性能及高可靠性的显示器件。
如图11所示，通过提供绝缘层370形成发光元件，可以随意地配置第一电极层。换句话说，在图6B的结构中，有必要在没有形成晶体管310a和310b的源电极层或漏电极层的区域中提供发光元件315a和315b，例如可以通过采用上述结构，在晶体管310a和310b上方形成发光元件315a和315b。其结果，可以进一步使显示器件高集成化。
晶体管310a和310b只要可以用作开关元件，就可以具有任何结构。各种半导体诸如非晶半导体、结晶半导体、多晶半导体、以及微晶半导体等可以用于半导体层，并且可以使用有机化合物来形成有机晶体管。在图6A中尽管示出了在具有绝缘性的衬底上提供平面型的薄膜晶体管的实例，但是还可以以交错型或反交错型等的结构来形成晶体管。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，通过采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件，可以以低驱动电压获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式4将参照图7A和7B、8、16A至16C、以及17A和17B来详细说明在本实施方式中的显示器件的制造方法。
图16A是示出了根据本发明的显示面板的结构的俯视图，其中在具有绝缘表面的衬底2700上形成有将像素2702以矩阵形状排列的像素部分2701、扫描线一侧输入端子2703、以及信号线一侧输入端子2704。像素的数量可以根据各种标准来设定，例如，XGA的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1024×768×3(RGB)，UXGA的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1600×1200×3(RGB)，以及对应于全标准高清晰的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1920×1080×3(RGB)。
像素2702是通过使从扫描线一侧输入端子2703延伸的扫描线和从信号线一侧输入端子2704延伸的信号线交叉，以矩阵形状排列的。在每个像素2702中安装有开关元件和与其连接的像素电极层。开关元件的具有代表性的一例是TFT。通过TFT的栅电极层一侧连接到扫描线并且TFT的源极或漏极一侧连接到信号线，可以由从外部输入的信号独立控制每个像素。
图16A虽然示出了由外部驱动电路控制输入到扫描线及信号线的信号的显示面板的结构，但是，如图17A所示，驱动IC2751也可以通过COG(玻璃基芯片)方式安装在衬底2700上。此外，作为其他安装方式，也可以使用如图17B所示的TAB(载带自动键合)方式。驱动IC可以形成在单晶半导体衬底上或也可以在玻璃衬底上使用TFT来形成电路。在图17A和17B中，驱动IC2751与FPC(柔性印刷电路)2750连接。
另外，当使用具有结晶性的半导体来形成提供在像素中的TFT时，如图16B所示，可以将扫描线一侧驱动电路3702形成在衬底3700上。在图16B中，像素部分3701由与信号线一侧输入端子3704连接的与图16A同样的外部驱动电路控制。当通过使用具有高迁移率的多晶(微晶)半导体，单晶半导体等形成提供在像素中的TFT时，如图16C所示，可以将像素部分4701、扫描线驱动电路4702、以及信号线驱动电路4704一体形成在衬底4700上。
如图7A和7B所示，在具有绝缘表面的衬底100上形成基底膜。在本实施方式中，使用氮氧化硅以10至200nm(优选以50至150nm)的厚度形成基底膜101a，并且使用氧氮化硅以50至200nm(优选以100至150nm)的厚度层叠基底膜101b。作为用作基底膜的其他材料，可以使用丙烯酸、甲基丙烯酸、以及它们的衍生物；聚酰亚胺、芳香族聚酰胺或聚苯并咪唑等的耐热性高分子；或者硅氧烷树脂。此外，也可以使用下列树脂材料聚乙烯醇或聚乙烯醇缩丁醛等的乙烯树脂、环氧树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂、三聚氰胺树脂、以及聚氨酯树脂等。此外，还可以使用苯并环丁烯、聚对二甲苯、氟化亚芳基醚或聚酰亚胺等的有机材料；含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的组成物材料；等等。此外，也可以使用唑树脂，例如，可以使用光固化型聚苯并唑等。
此外，作为上述基底膜的形成方法，可以使用溅射法、PVD(物理气相沉积)法、CVD(化学气相沉积)法如低压CVD(LPCVD)法或等离子体CVD法等、液滴喷射法、印刷法(丝网印刷或胶版印刷等形成图形的方法)、旋转涂敷法等涂敷法、浸渍法、分散器法等。在本实施方式中，通过等离子体CVD法形成基底膜101a和101b。作为衬底100，可以使用玻璃衬底、石英衬底、硅衬底、金属衬底、或其表面形成绝缘膜的不锈钢衬底。另外，还可以使用具有耐热性的塑料衬底，它能够耐受本实施方式的处理温度，也可以使用薄膜之类的柔性衬底。作为塑料衬底，可以使用由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)或PES(聚醚砜)构成的衬底，而作为柔性衬底，可以使用丙烯酸树脂等的合成树脂。因为在本实施方式中制造的显示器件具有一种结构，其中来自发光元件的光通过衬底100射出，所以该衬底100需要具有透光性。
作为基底膜，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等，并且可以为单层结构或者两个或三个层的叠层结构。
接下来，在基底膜上形成半导体膜。半导体膜可以通过各种方法(溅射法、LPCVD法或等离子体CVD法等)以25至200nm(优选以30至150nm)的厚度形成。在本实施方式中，优选使用通过激光晶化使非晶半导体膜晶化而形成的结晶半导体膜。
作为形成半导体膜的材料，可以使用通过气相生长法或溅射法使用以硅烷或锗烷为代表的半导体材料气体而制造的非晶半导体(以下也称作非晶半导体AS)、通过利用光能或热能使该非晶半导体晶化而形成的多晶半导体、或者半非晶(semi-amorphous，也称作微晶(micro crystal)，以下也称作SAS)半导体等。
SAS具有非晶结构和结晶结构(包括单晶和多晶)之间的中间结构，它是具有自由能稳定的第三状态的半导体，并且，包括近程有序和具有晶格畸变的结晶区域。通过使含硅的气体进行辉光放电分解(等离子体CVD)来形成SAS。作为含硅的气体，可以使用SiH4，还可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、以及SiF4等。此外，还可以混合F2或GeF4。也可以使用H2或者H2与选自He、Ar、Kr和Ne中的一种或多种稀有气体元素稀释该含硅的气体。此外，通过包含稀有气体元素比如氦、氩、氪、氖等进一步促进晶格畸变，从而增加稳定性，可以获得优良的SAS。此外，由氢类气体形成的SAS层可以层叠在由氟类气体形成的SAS层上而作为半导体膜。
作为非晶半导体，典型地有氢化非晶硅，而作为结晶半导体，典型地有多晶硅等。多晶硅的实例包括所谓的高温多晶硅，该多晶硅使用通过800℃或更高的处理温度而形成的多晶硅作为其主要材料；所谓的低温多晶硅，该多晶硅使用通过600℃或更低的处理温度而形成的多晶硅作为其主要材料；通过添加例如促进晶化的元素等进行晶化而形成的多晶硅等。显然，如上所述，也可使用半非晶半导体或半导体膜的一部分中包含晶相的半导体。
在使用结晶半导体膜作为半导体膜时，将公知的方法(激光晶化法、热晶化法、或使用镍等的促进晶化的元素的热晶化法等)用作制造所述结晶半导体膜的方法即可。此外，也可以使作为SAS的微晶半导体通过激光照射而晶化，以增强结晶度。在不引入促进晶化的元素的情况下，在对非晶半导体膜执行激光照射之前，在氮气气氛中以500℃的温度加热一个小时，释放氢直到包含在非晶半导体膜中的氢浓度成为等于或低于1×1020atoms/cm3。这是因为在对包含大量的氢的非晶半导体膜执行激光照射时会损坏非晶半导体膜的缘故。作为用于晶化的加热处理，可以使用加热炉、激光照射、由灯发射的光照射(也称作灯退火)等。作为加热方法，有GRTA(气体快速热退火)法或LRTA(灯快速热退火)法等的RTA法。GRTA法就是利用高温气体进行加热处理的方法，LRTA法就是利用灯光进行加热处理的方法。
此外，在使非晶半导体层晶化来形成结晶半导体层的晶化工序中，可以将促进晶化的元素(也称作催化剂元素或金属元素)添加到非晶半导体层中并且利用热处理(在550至750℃的温度下3分钟到24小时)进行晶化。作为促进所述硅的晶化的金属元素，可以使用选自铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、以及金(Au)中的一种或多种。
对于将金属元素引入到非晶半导体膜中的方法，只要为能够使该金属元素存在于非晶半导体膜的表面或内部的方法，就没有特别的限制。例如，可以使用溅射法、CVD法、等离子体处理法(包括等离子体CVD法)、吸附法或涂敷金属盐溶液的方法。在这些方法中，使用溶液的方法简单而方便，容易调节金属元素的浓度，所以很有用。此外，优选通过在氧气气氛中进行UV光照射、热氧化法、使用包含羟基的臭氧水或过氧化氢的处理等来形成氧化膜，以便改善非晶半导体膜表面的可湿性并且将水溶液散布在非晶半导体膜的整个表面上。
为了从结晶半导体层中去除或减少促进晶化的元素，与结晶半导体层接触地形成包含杂质元素的半导体层，将它用作吸杂装置(gettering sink)。可以使用赋予n型的杂质元素、赋予p型的杂质元素或稀有气体元素等作为杂质元素，例如，可使用选自磷(P)、氮(N)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、以及氙(Xe)中的一种或多种。包含稀有气体元素的半导体层形成于包含促进晶化的元素的结晶半导体层上，并且进行热处理(在550到750℃的温度下进行3分钟到24个小时)。结晶半导体层中所包含的促进晶化的元素移动到包含稀有气体元素的半导体层中，并且结晶半导体层中的促进晶化的元素被去除或减少。之后，去除成为吸杂装置的包含稀有气体元素的半导体层。
通过相对地扫描激光束和半导体膜，可以执行激光照射。在激光照射中也可以形成标记，以便以良好的精度重叠光束或者控制激光照射的开始位置和结束位置。标记与非晶半导体膜同时形成在衬底上即可。
在采用激光照射的情况下，可以使用连续振荡型的激光束(CW(连续波)激光束)或脉冲振荡型的激光束(脉冲激光束)。在此可以使用的激光束为由以下以下激光器中的一种或多种振荡出来的激光束Ar激光器、Kr激光器、以及受激准分子激光器等的气体激光器；将在单晶的YAG、YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4、或者多晶(陶瓷)的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta之中的一种或多种作为掺杂剂而获得的材料用作介质的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；变石激光器；Ti蓝宝石激光器；铜蒸汽激光器；以及金蒸汽激光器。通过照射这种激光束的基波以及这种基波的二次谐波至四次谐波的激光束，可以得到大粒径的结晶。例如可以使用Nd:YVO4激光束(基波为1064nm)的二次谐波(532nm)和三次谐波(355nm)。该激光束可以以CW发射，也可以以脉冲振荡发射。当以CW发射时，需要大约0.01至100MW/cm2(优选为0.1至10MW/cm2)的激光能量密度。而且，以大约10至2000cm/sec的扫描速度来照射激光束。
注意，将在单晶的YAG、YVO4、镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3或GdVO4、或者多晶(陶瓷)的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta之中的一种或多种作为掺杂剂而获得的材料用作介质的激光器、Ar离子激光器、或Ti蓝宝石激光器可以进行连续振荡，而且，通过进行Q开关动作或锁模(mode locking)等可以以10MHz或更高的振荡频率进行脉冲振荡。当以10MHz或更高的振荡频率振荡激光束时，在用激光束熔融半导体膜之后并在凝固半导体膜之前向半导体膜照射下一个脉冲的激光束。因此，与使用振荡频率低的脉冲激光的情况不同，由于可以在半导体膜中连续地移动固相和液相之间的界面，而可以获得沿扫描方向连续生长的晶粒。
通过使用陶瓷(多晶)作为介质，可以以短时间且低成本将介质形成为任何形状。当采用单晶时，通常使用直径为几mm、长度为几十mm的圆柱形的介质，然而，当采用陶瓷时可以形成更大的介质。
直接有助于发光的介质中的Nd、Yb等掺杂剂的浓度由于在单晶中和多晶中都不能大幅度地改变，因此，通过增加浓度而提高激光输出就有一定的界限。然而，在采用陶瓷的情况下，与单晶相比，可以显著地增大介质的尺寸，所以，可以大幅度地提高输出。
并且，在采用陶瓷的情况下，可以容易地形成平行六面体形状或长方体形状的介质。通过使用这种形状的介质，使振荡光在介质内部以“之”字形前进，可以加长振荡光路。因此，放大率变大，可以以大输出进行振荡。另外，由于从这种形状的介质发射的激光束在发射时的截面形状是四角形状，所以，与圆形状的激光束相比，有利于将其成形为线状激光束。通过利用光学系统成形这样发射的激光束，可以容易地获取短边长度为1mm或更短、长边长度为几mm到几m的线状激光束。另外，通过将激发光均匀地照射在介质上，线状激光束在长边方向上具有均匀的能量分布。此外，优选相对半导体膜具有入射角θ(0＜θ＜90度)地照射激光束。这是因为可以防止激光束的干涉的缘故。
通过将上述线状激光束照射在半导体膜上，可以更均匀地对半导体膜的整个表面进行退火。在需要一直到线状激光束的两端都均匀地退火的情况下，需要采用一种方法，即在其两端配置狭缝(slit)，以遮蔽能量的衰减部分等。
若使用这样得到的强度均匀的线状激光束对半导体膜进行退火，并且，使用该半导体膜制造显示器件，其显示器件的特性良好且均匀。
此外，还可以在稀有气体或氮气等的惰性气体气氛中照射激光束。由此，可以通过激光束的照射抑制半导体膜表面的粗糙，可以抑制由界面态密度的偏差导致的阈值的偏差。
非晶半导体膜的晶化可以组合根据热处理和激光照射的晶化来实现，或者可以单独地多次执行热处理或激光照射来实现。
在本实施方式中，在基底膜101b上形成非晶半导体膜，并且使非晶半导体膜晶化，以形成结晶半导体膜。
在去除形成在非晶半导体膜上的氧化膜后，通过在氧气气氛中进行的UV光照射、热氧化法、使用含羟基的臭氧水或过氧化氢等的处理等形成1至5nm厚的氧化膜。在本实施方式中，使用Ni作为促进晶化的元素。通过旋转涂敷法涂敷含有10ppm的Ni醋酸盐的水溶液。
在本实施方式中，在通过RTA法在750℃温度下进行热处理3分钟之后，去除形成在半导体膜上的氧化膜，并且照射激光束。非晶半导体膜通过上述的晶化处理而被晶化，形成为结晶半导体膜。
在进行使用金属元素的晶化的情况下，实施吸杂工序以减少或去除金属元素。在本实施方式中，以非晶半导体膜作为吸杂装置来俘获金属元素。首先，通过在氧气气氛中利用UV光照射、热氧化法、使用含羟基的臭氧水或过氧化氢的处理等，在结晶半导体膜上形成氧化膜。优选通过加热处理使氧化膜厚膜化。然后，通过等离子体CVD法(在本实施方式中的条件是350W、35Pa、成膜气体SiH4(流量5sccm)和Ar(流量1000sccm))，以50nm的膜厚度形成非晶半导体膜。
之后，通过RTA法在744℃的温度下进行热处理3分钟，以减少或去除金属元素。热处理可以在氮气气氛中进行。使用氢氟酸等去除用作吸杂装置的非晶半导体膜及形成在非晶半导体膜上的氧化膜，由此，可以获得减少或去除了金属元素的结晶半导体膜。在本实施方式中，使用TMAH(四甲基氢氧化铵)去除成为吸杂装置的非晶半导体膜。
在这样所获得的半导体膜中可以掺杂微量的杂质元素(硼或磷)，以控制薄膜晶体管的阈值电压。可以对在晶化工序之前的非晶半导体膜进行该杂质元素的掺杂。如果在非晶半导体膜的状态下掺杂杂质元素，还可以通过其后进行的用于晶化的加热处理，激活杂质。此外，还可以改善在掺杂时产生的缺陷等。
接下来，将结晶半导体膜蚀刻加工成所要求的形状，以形成半导体层。
对于蚀刻加工，可以采用等离子体蚀刻(干法蚀刻)和湿法蚀刻中的任一个，然而，等离子体蚀刻适合于处理大面积的衬底。作为蚀刻气体，使用CF4或NF3等氟系气体、或者Cl2或BCl3等氯系气体，还可以适当地加入He或Ar等惰性气体。此外，当采用大气压力放电的蚀刻加工时，可以进行局部放电加工，从而不需要在衬底的整个表面上形成掩模层。
在本发明中，形成布线层或电极层的导电层、用于形成预定图形的掩模层等也可以通过选择性地形成图形的方法比如液滴喷射法形成。液滴喷射(喷出)法(根据其方式也被称作喷墨法)可以通过有选择性地喷射(喷出)为特定目的而调制的组成物的液滴，以形成预定的图形(导电层或绝缘层等)。在此时，也可执行控制被形成区域的可湿性或密着性的处理。此外，可转印或绘制图形的方法例如印刷法(丝网印刷或胶版印刷等形成图形的方法)、分配器法等都可以使用。
在本实施方式中，环氧树脂、丙烯酸树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺树脂或聚氨酯树脂等树脂材料用作掩模。此外，还可以使用苯并环丁烯、聚对二甲苯、氟化亚芳基醚、具有透光性的聚酰亚胺等有机材料、通过硅氧烷系聚合物等的聚合而得到的化合物材料、含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的组成物材料等。或者，也可以使用含有感光剂的商品化抗蚀剂材料，例如，可以使用正性抗蚀剂或负性抗蚀剂等。在使用液滴喷射法的情况下，所使用的任一材料的表面张力和粘性都可以通过调节溶剂的浓度或添加界面活性剂等来适当地调节。
形成覆盖半导体层的栅极绝缘层107。栅极绝缘层通过等离子体CVD法或溅射法等以10至150nm的厚度由含硅的绝缘膜形成。栅极绝缘层可以由公知的材料比如以氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或氮氧化硅为代表的硅的氧化物材料或氮化物材料等形成，并且可以具有叠层结构或单层结构。例如，绝缘层可以采用氮化硅膜、氧化硅膜和氮化硅膜这三层的叠层结构、或者氧氮化硅膜的单层结构等。
接下来，在栅极绝缘层107上形成栅电极层。栅电极层可以通过溅射法或蒸镀法、CVD法等方法来形成。栅电极层由选自钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、钕(Nd)的元素；以上述元素为主要成分的合金材料或化合物材料形成即可。此外，作为栅电极层，可以使用以掺杂了磷等杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜或AgPdCu合金。此外，栅电极层可以为单层或叠层。
在本实施方式中，栅电极层形成为具有锥形形状。然而，本发明不局限于此，栅电极层也可以具有叠层结构，其中仅仅一层具有锥形形状，并且另一层通过各向异性蚀刻而具有垂直侧面。如本实施方式，锥形角度在层叠的栅电极层之间可以不同，也可以相同。由于具有锥形形状，由此，在其上层叠的膜的覆盖性提高，并且缺陷减少，从而可靠性提高。
通过在形成栅电极层时的蚀刻工序，栅极绝缘层107在一定程度上被蚀刻，其厚度有可能变薄(所谓的膜厚度的降低)。
通过将杂质元素添加到半导体层中，形成杂质区域。可以通过控制其浓度，将杂质区域成为高浓度杂质区域及低浓度杂质区域。将具有低浓度杂质区域的薄膜晶体管称作具有LDD(轻掺杂漏)结构的薄膜晶体管。此外，低浓度杂质区域可以与栅电极重叠地形成，并且将这种薄膜晶体管称作具有GOLD(栅极重叠的LDD)结构的薄膜晶体管。此外，因为将磷(P)等用于杂质区域，从而薄膜晶体管的极性为n型。在成为p型的情况下，添加硼(B)等即可。
在本实施方式中，隔着栅极绝缘层，杂质区域重叠于栅电极层的区域示为Lov区域，而隔着栅极绝缘层，杂质区域没有重叠于栅电极层的区域示为Loff区域。在图7B中，杂质区域由阴影线和空白表示，然而这不意味着在空白部分中没有添加杂质元素，而是为了能够直观了解该区域的杂质元素的浓度分布反映着掩模或掺杂条件。并且，此情况在本说明书中的其他附图上也是相同的。
为了激活杂质元素，可以进行加热处理、强光照射或激光照射。在激活的同时，能够恢复对于栅极绝缘层的等离子体损害或对于栅极绝缘层和半导体层之间的界面的等离子体损害。
接着，形成覆盖栅电极层和栅极绝缘层的第一层间绝缘层。在本实施方式中，使用绝缘膜167和168的叠层结构。绝缘膜167及168可以通过溅射法或等离子体CVD使用氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氟化硅膜或氧化硅膜等来形成，并且还可以以单层、或者三层或更多层的叠层结构形成其他含有硅的绝缘膜。
进而，在氮气气氛中以300至550℃进行热处理1到12小时，进行使半导体层氢化的工序。优选在400至500℃的温度下进行该热处理。在这一工序中，使用包含在作为层间绝缘层的绝缘膜167中的氢终止半导体层中的悬挂键。在本实施方式中，加热处理是在410℃下进行的。
作为绝缘膜167和168，还可以由选自氮化铝(AlN)、氧氮化铝(AlON)、氮含量高于氧含量的氮氧化铝(AlNO)、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、含氮碳(CN)、聚硅氮烷、或含有无机绝缘材料的其它物质中的材料形成。还可以使用包含硅氧烷的材料。另外，也可以使用有机绝缘材料，作为有机材料，可以使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、或苯并环丁烯。此外，也可以使用唑树脂，例如，可以使用光固化聚苯并唑等。
接着，使用由抗蚀剂构成的掩模在绝缘膜167、绝缘膜168、以及栅极绝缘层107中形成到达半导体层的接触孔(开口)。覆盖开口而形成导电膜，并且蚀刻导电膜以形成分别电连接于各个源极区域或漏极区域的一部分的源电极层或漏电极层。源电极层或漏电极层能够在通过PVD法、CVD法、蒸镀法等形成导电膜之后，将导电膜蚀刻成所希望的形状来形成。另外，导电膜能够通过液滴喷射法、印刷法、分配器法或电镀法等选择性地形成在预定的位置上。另外，还可以使用回流法或镶嵌(damascene)法。作为源电极层或漏电极层的材料，能够使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、或Ba等的元素；它们的合金或其氮化物。此外，也可以采用这些材料的叠层结构。
通过以上工序，能够制造出有源矩阵衬底，其中在外围驱动电路区域204中提供有作为在Lov区域中有p型杂质区域的p沟道型薄膜晶体管的薄膜晶体管285和作为在Lov区域中有n型杂质区域的n沟道型薄膜晶体管的薄膜晶体管275；以及在像素区域206中提供有作为在Loff区域中有n型杂质区域的多沟道型的n沟道型薄膜晶体管的薄膜晶体管265和作为在Lov区域中有p型杂质区域的p沟道型薄膜晶体管的薄膜晶体管255。
在像素区域中的薄膜晶体管的结构不局限于本实施方式，而可以使用形成有一个沟道形成区域的单栅极结构、形成有两个沟道形成区域的双栅极结构或形成有三个沟道形成区域的三栅极结构。另外，在外围驱动电路区域中的薄膜晶体管也可以为单栅极结构、双栅极结构或三栅极结构。
接着，作为第二层间绝缘层形成绝缘膜181。图7A和7B显示了通过划线分离的分离区域201、用作FPC的粘结部分的外部端子连接区域202、用作外围部分的引线区域的布线区域203、外围驱动电路区域204、以及像素区域206。布线179a和179b提供在布线区域203中，以及与外部端子连接的端子电极层178提供在外部端子连接区域202中。
绝缘膜181能够由选自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化铝(AlN)、含有氮的氧化铝(也称为氧氮化铝)(AlON)、含有氧的氮化铝(也称为氮氧化铝)(AlNO)、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、含氮的碳膜(CN)、PSG(磷硅玻璃)、BPSG(硼磷硅玻璃)、氧化铝膜、以及含有无机绝缘材料的其它物质中的材料形成。另外，还可以使用硅氧烷树脂。另外，可以使用有机绝缘材料，有机材料可以是光敏的，也可以是非光敏的，能够使用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、苯并环丁烯、聚硅氮烷、或低介电常数(Low-k)材料。此外，也能够使用唑树脂，例如，能够使用光固化聚苯并唑等。对于为平整化所提供的层间绝缘层要求具有高耐热性、高绝缘性、以及高平整度，由此，绝缘膜181的形成方法优选使用以旋转涂敷法为代表的涂敷法。
绝缘膜181还可以使用浸渍法、喷涂法、刮刀、辊涂、幕涂、刮刀涂布、CVD法或蒸镀法等来形成。该绝缘膜181也可以通过液滴喷射法来形成。当使用液滴喷射法时，能够节省材料溶液。另外，还可以使用如液滴喷射法那样能够转印或绘制图形的方法，例如印刷法(丝网印刷或胶版印刷等形成图形的方法)或分配器法等。
在像素区域206的绝缘膜181中形成微细的开口，即接触孔。
接着，与源电极层或漏电极层接触地形成第一电极层185(也称为像素电极层)。第一电极层185用作阳极或阴极，该第一电极层185通过使用总膜厚度在100至800nm的范围内的以以下以下材料为主要成分的膜或它们的叠层膜来形成即可选自Ti、Ni、W、Cr、Pt、Zn、Sn、In和Mo中的元素；TiN、TiSiXNY、WSiX、WNX、WSiXNY或NbN等的以上述元素为主要成分的合金材料或者化合物材料。
在本实施方式中，将发光元件用作显示元件，并且因为具有来自发光元件的光从第一电极层185一侧发出的结构，所以第一电极层185具有透光性。通过形成透明导电膜并且使它蚀刻成所希望的形状来形成第一电极层185。
在本发明中，作为透光性电极层的第一电极层185具体地说可以使用由具有透光性的导电材料构成的透明导电膜形成，能够使用含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物或含有氧化钛的铟锡氧化物等。当然，还可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或添加了氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)等。
另外，即使是没有透光性的金属膜这样的材料，也通过将其膜厚度设成较薄(优选为5至30nm左右的厚度)以使成为能够透射光的状态，可以从第一电极层185发出光。此外，作为能够用于第一电极层185的金属薄膜，可以使用由钛、钨、镍、金、铂、银、铝、镁、钙或锂；以及它们的合金形成的导电膜等。
第一电极层185可以通过蒸镀法、溅射法、CVD法、印刷法、分配器法或液滴喷射法等来形成。在本实施方式中，第一电极层185是通过溅射法使用含有氧化钨的铟锌氧化物形成的。第一电极层185优选以100至800nm范围的总膜厚度形成即可。
第一电极层185可以通过CMP法或通过使用聚乙烯醇类多孔体清洗来抛光，以便使其表面平整化。此外，还可以在进行使用CMP法的抛光后，对第一电极层185的表面进行紫外线照射或氧等离子体处理等。
还可以在形成第一电极层185之后进行加热处理。通过该加热处理，包含在第一电极层185中的水分被排放。由此，在第一电极层185中不会产生脱气等，从而即使在第一电极层上形成容易被水分退化的发光材料，该发光材料也不会退化；因此，能够制造可靠性高的显示器件。
接下来，形成覆盖第一电极层185的端部、源电极层或漏电极层的绝缘层186(也称为隔壁、势垒等)。
作为绝缘层186，能够使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅等，并且可以为单层或如双层、三层的叠层结构。另外，作为绝缘层186的其他材料，可以使用选自氮化铝、氧含量高于氮含量的氧氮化铝、氮含量高于氧含量的氮氧化铝、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、含氮的碳、聚硅氮烷、含有无机绝缘材料的其它物质中的材料。也可以使用含有硅氧烷的材料。此外，也可以使用有机绝缘材料，作为有机材料可以是感光性或非感光性的，可以采用聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯。此外，也可以使用唑树脂，例如，可以使用光固化型聚苯并唑等。
绝缘层186可以通过溅射法；PVD法(物理气相沉积)、低压CVD法(LPCVD法)或等离子体CVD法等CVD(化学气相沉积)法；能够选择性地形成图形的液滴喷射法；能够转印或绘制图形的印刷法(丝网印刷或胶版印刷等形成图形的方法)；分配器法；旋转涂敷法等的涂敷法；或浸渍法等来形成。
用于加工成所希望的形状的蚀刻加工，可以使用等离子体蚀刻(干法蚀刻)或湿法蚀刻中的任一个。对于处理大面积衬底，适合使用等离子体蚀刻。作为蚀刻气体，使用氟系气体如CF4或NF3等或氯系气体如Cl2或BCl3等，还可以在其中适当地添加惰性气体如He或Ar等。此外，当使用大气压放电的蚀刻加工时，可以实现局部的放电加工，而不需要将掩模层形成在衬底的整个表面上。
在图7A中所示的连接区域205中，以与第二电极层相同的工序及相同的材料形成的布线层电连接到以与栅电极层相同的工序及相同的材料形成的布线层上。
在第一电极层185上形成发光层188。注意，虽然在图7B中显示了仅仅一个像素，但在本实施方式中分别形成对应于R(红)、G(绿)和B(蓝)每一种颜色的发光层。发光层188按照实施方式1所示的方法来制造即可。
在通过使用本发明来制造的发光层188中含有由粘合剂固定的发光材料。在本实施方式中，对粒子状的发光材料进行光照射，使发光材料改性，以提高发光材料的结晶性。通过光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而在发光材料中的缺陷减少，畸变也缓和。由此，因为可以使用结晶性良好的发光材料，所以发光元件的发光亮度或发光效率提高，并且功耗也降低。因此，可以制造具有高性能及高可靠性的显示器件。
接着，在发光层188上提供由导电膜构成的第二电极层189。作为第二电极层189，可以使用Al、Ag、Li、Ca、它们的合金或化合物，诸如MgAg、MgIn、AlLi或CaF2、或者氮化钙。如此，形成了由第一电极层185、发光层188、以及第二电极层189形成的发光元件190(参照图7B)。
在图7A和7B中所示的本实施方式的显示器件中，从发光元件190发出的光在沿图7B中的箭头所示的方向上从第一电极层185一侧透射而发射。
在本实施方式中，绝缘层可以作为钝化膜(保护膜)提供在第二电极层189上。像这样覆盖第二电极层189而提供钝化膜是有效的。该钝化膜能够由含有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧氮化铝、氮含量高于氧含量的氮氧化铝、氧化铝、类金刚石碳(DLC)或含氮的碳膜的绝缘膜形成，并且能够使用所述绝缘膜的单层或组合的叠层。另外，还可以使用硅氧烷树脂。
在此时，优选使用具有良好的覆盖性的膜作为钝化膜，使用碳膜，尤其使用DLC膜是有效的。DLC膜能够在从室温到100℃或更低之间的温度范围下形成；因此，该DLC膜能够容易地在具有低耐热性的发光层188上方形成。DLC膜能够通过等离子体CVD法(典型地，RF等离子体CVD法、微波CVD法、电子回旋共振(ECR)CVD法或热丝CVD法等)、燃烧火焰法、溅射法、离子束蒸镀法或激光蒸镀法等来形成。作为用于成膜的反应气体，使用氢气和碳化氢系气体(例如，CH4、C2H2和C6H6等)，并且通过辉光放电来使离子化，将离子加速撞击在施加了负的自偏压的阴极上来成膜。另外，CN膜通过使用C2H4气体和N2气体作为反应气体来形成即可。DLC膜对氧气具有高阻挡效果，所以可以抑制发光层188的氧化。因此，可以防止后续的密封工序之中发光层188会氧化的问题。
通过由密封剂192固定如上那样形成有发光元件190的衬底100和密封衬底195来密封发光元件(参照图7A和7B)。作为密封剂192，典型地，优选使用可见光固化树脂、紫外线固化树脂或热固化树脂。例如，能够使用双酚A型液体树脂、双酚A型固体树脂、含溴环氧树脂、双酚F型树脂、双酚AD型树脂、酚树脂、甲酚型树脂、酚醛清漆型树脂、环状脂肪族环氧树脂、Epi-Bis型环氧树脂、缩水甘油酸酯树脂、缩水甘油胺系树脂、杂环环氧树脂或改性环氧树脂等。注意，由密封剂包围的区域可以用填料193填充，也可以通过在氮气气氛中密封来封入氮气等。因为本实施方式采用了底部发射型，所以填料193不需要具有透光性，然而，当具有透过填料193取光的结构时，该填料需要具有透光性。典型地，可以使用可见光固化环氧树脂、紫外线固化环氧树脂、或热固化环氧树脂。通过以上工序，完成具有使用本实施方式的发光元件的显示功能的显示器件。另外，填料可以以液态滴落而填充在显示器件中。可以通过使用具有吸湿性的物质如干燥剂等作为填料，获得进一步大的吸水效果，而能够防止元件的退化。
在EL显示面板中提供干燥剂，以防止由于水分所引起的元件的退化。在本实施方式中，干燥剂提供在凹部中，该凹部围绕像素区域而形成在密封衬底上，因此不防碍薄型设计。另外，干燥剂也形成在对应于栅极布线层的区域中，吸水面积较大，所以具有高吸水效果。另外，由于在没有直接发光的栅极布线层上形成干燥剂，所以不会降低取光效率。
在本实施方式中，虽然示出了由玻璃衬底密封发光元件的情况，然而，密封处理是保护发光元件免受水分的影响的处理，并且可以使用下列方法中的任何一种方法由覆盖材料机械封入的方法、用热固化树脂或紫外线固化树脂来封入的方法、以及由具有高阻挡能力的薄膜如金属氧化物或金属氮化物等密封的方法。作为覆盖材料，能够使用玻璃、陶瓷、塑料或金属，但是当光发射到覆盖材料一侧时需要使用具有透光性的材料。覆盖材料和形成有上述发光元件的衬底使用热固化树脂或紫外线固化树脂等密封剂来贴合，并且通过热处理或紫外线照射处理固化树脂来形成封闭空间。在该封闭空间中提供以氧化钡为代表的吸湿材料也是有效的。该吸湿材料可以接触地提供在密封剂上，或提供在隔壁上或周围部分，以便不遮挡来自发光元件的光。而且，还可以由热固化树脂或紫外线固化树脂填充在覆盖材料和形成有发光元件的衬底之间的空间。在这种情况下，在热固化树脂或紫外线固化树脂中添加以氧化钡为代表的吸湿材料是有效的。
图8显示一个实例，其中在本实施方式中制造的图7A和7B的显示器件中，源电极层或漏电极层通过布线层连接到第一电极层，而没有通过直接接触来实现电连接。在图8所示的显示器件中，用于驱动发光元件的薄膜晶体管的源电极层或漏电极层通过布线层199与第一电极层395彼此电连接。在图8中，使第一电极层395的一部分层叠在布线层199上而实现连接，然而，还可以是首先形成第一电极层395，然后在该第一电极层395上形成布线层199以使它们相接触的结构。
本实施方式所示的结构以下以下在外部端子连接区域202中，端子电极层178经由各向异性导电层196连接到FPC194，以电连接到外部。另外，如在作为显示器件的俯视图的图7A中所示，在本实施方式中制造的显示器件除了包括具有信号线驱动电路的外围驱动电路区域204和外围驱动电路区域209之外，还包括具有扫描线驱动电路的外围驱动电路区域207和外围驱动电路区域208。
在本实施方式中，使用如上所述的电路形成显示器件；然而，本发明不局限于此，还可以将通过上述的COG方法或TAB方法安装的IC芯片作为外围驱动电路。另外，栅极线驱动电路和源极线驱动电路可以有多个或一个。
此外，在本发明的显示器件中，对画面显示的驱动方法没有特别限制，例如可以使用点顺序驱动方法、线顺序驱动方法或面积顺序驱动方法等。典型地，使用线顺序驱动方法，并且适当地使用时分灰度驱动方法和面积灰度驱动方法即可。另外，输入到显示器件的源极线中的视频信号可以是模拟信号或数字信号，根据该视频信号而适当地设计驱动电路等即可。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，通过采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件，可以以低电压驱动获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式5可以通过应用本发明来形成具有发光元件的显示器件。从该发光元件发出的光进行底部发射、顶部发射和双面发射中的任何一种发射。本实施方式将参考图9和19来说明双面发射型和顶部发射型的例子。本实施方式示出了一种实例，其中在根据实施方式4制造的显示器件中没有形成第二层间绝缘层(绝缘膜181)。由此，这里省略对相同的部分或具有相同功能的部分的重复说明。
图9所示的显示器件由元件衬底1600、薄膜晶体管1655、1665、1675和1685、第一电极层1617、发光层1619、第二电极层1620、绝缘膜1621、填料1622、密封剂1632、绝缘膜1601a和1601b、栅极绝缘层1610、绝缘膜1611和1612、绝缘层1614、密封衬底1625、布线层1633、端子电极层1681、各向异性导电层1682、以及FPC1683构成。该显示器件包括外部端子连接区域232、密封区域233、外围驱动电路区域234、以及像素区域236。填料1622可以以液体组成物的状态通过滴落法形成。通过将在其上通过滴落法形成填料的元件衬底1600和密封衬底1625贴合在一起来密封发光显示器件。
在通过使用本发明来制造的发光层1619中含有由粘合剂固定的发光材料。在本实施方式中，对粒子状的发光材料进行光照射，使发光材料改性，以提高发光材料的结晶性。通过光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而在发光材料中的缺陷减少，畸变也缓和。由此，因为可以使用结晶性良好的发光材料，所以发光元件的发光亮度或发光效率提高，并且功耗也降低。因此，可以制造具有高性能及高可靠性的显示器件。
在图9中的显示器件是双面发射型，具有光在箭头所表示的方向上从元件衬底1600一侧和密封衬底1625一侧发射出来的结构。因此，将透光性电极层用作第一电极层1617及第二电极层1620。
在本实施方式中，具体地说可以将由具有透光性的导电材料构成的透明导电膜用于作为透光电极层的第一电极层1617和第二电极层1620即可，并可以使用含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物或含有氧化钛的铟锡氧化物等。不言而喻，可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或添加了氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)等。
另外，即使是没有透光性的金属膜这样的材料，也通过将其膜厚度设为较薄(优选为5至30nm左右的厚度)以使它成为能够透射光的状态，可以从第一电极层1617及第二电极层1620发射光。此外，作为能够用于第一电极层1617及第二电极层1620的金属薄膜，可以使用由钛、钨、镍、金、铂、银、铝、镁、钙、锂、或它们的合金形成的导电膜等。
如上所述，在图9中的显示器件中，从发光元件1605发射的光穿过第一电极层1617及第二电极层1620双方，从而具有光从两侧射出的结构。
在图19中的显示器件具有来自发光元件1305的光在箭头所表示的方向上进行顶部发射的结构。图19所示的显示器件由元件衬底1300、薄膜晶体管1355、1365、1375和1385、布线层1324、第一电极层1317、发光层1319、第二电极层1320、保护膜1321、填料1322、密封剂1332、绝缘膜1301a和1301b、栅极绝缘层1310，绝缘膜1311和1312、绝缘层1314、密封衬底1325、布线层1333、端子电极层1381、各向异性导电层1382、以及FPC1383构成。
在图9和19的显示器件中，通过蚀刻去除层叠在端子电极层上的绝缘层。当采用像这样在端子电极层的周围没有提供具有透湿性的绝缘层的结构时，可靠性得到进一步改进。在图19中，显示器件包括外部端子连接区域232、密封区域233、外围驱动电路区域234、以及像素区域236。图19的显示器件，在图9所示的上述的双面发射型显示器件中，将作为具有反射性的金属层的布线层1324形成在第一电极层1317下，并且将作为透明导电膜的第一电极层1317形成在布线层1324上。作为布线层1324，可以使用由钛、钨、镍、金、铂、银、铜、钽、钼、铝、镁、钙、锂、以及它们的合金形成的导电膜等，只要该材料具有反射性即可。优选使用在可见光区域中具有高反射性的物质，从而在本实施方式中使用TiN膜。此外，还可以将导电膜用于第一电极层1317，在此情况下，也可以不提供具有反射性的布线层1324。
具体地说将由具有透光性的导电材料形成的透明导电膜用作第二电极层1320即可，并能够使用含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物或含有氧化钛的铟锡氧化物等。不用说，可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或添加了氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)等。
另外，即使是没有透光性的金属膜这样的材料，也通过将其膜厚度设为较薄(优选为5至30nm左右的厚度)以使它成为能够透射光的状态，可以从第二电极层1320发射光。此外，作为能够用于第二电极层1320的金属薄膜，能够使用由钛、钨、镍、金、铂、银、铝、镁、钙、锂、以及它们的合金形成的导电膜等。可以将与上述第二电极层1320相同的材料用于第一电极层1317。
使用发光元件形成的显示器件的像素可以通过单纯矩阵方式或有源矩阵方式来驱动。此外，该像素可以应用数字驱动或模拟驱动中的任一个。
可以在密封衬底上形成滤色器(着色层)。滤色器(着色层)能够通过蒸镀法或液滴喷射法形成，并且可以通过使用滤色器(着色层)，进行高精度的显示。这是因为通过滤色器(着色层)，在R、G和B每一种的发光光谱中，能够将宽峰修改成尖峰的缘故。
可以通过形成呈现单色发光的材料并且组合滤色器或颜色转换层，而进行全色显示。滤色器(着色层)或该颜色转换层例如可以形成在第二衬底(密封衬底)上并且粘接于衬底上。
不言而喻，也可以进行单色发光的显示。例如，还可以利用单色发光形成面积彩色型(area color type)显示器件。该面积彩色型适合于无源矩阵型显示部分，并且能够主要显示字符与符号。
第一电极层1617、1317及第二电极层1620、1320可以利用通过电阻加热的蒸镀法、EB蒸镀法、溅射法、CVD法、或湿法诸如印刷法、分配器法或液滴喷射法，等等来形成。本实施方式可以与上述实施方式1至4自由地组合来实施。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，通过采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件，可以以低驱动电压获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式6下面将参照图10说明本实施方式。本实施方式示出一个实例，其中在根据实施方式4制造的显示器件中，使用沟道蚀刻型反交错型薄膜晶体管作为薄膜晶体管，并且没有形成第一层间绝缘层及第二层间绝缘层。因此，对相同部分或具有相同功能的部分省略其重复说明。
图10所示的显示器件中，在衬底600上，在外围驱动电路区域245中设置反交错型薄膜晶体管601和602；在像素区域246中设置反交错型薄膜晶体管603；在密封区域中设置密封剂612。此外，显示器件包括栅极绝缘层605、绝缘膜606、绝缘层609、由第一电极层604、发光层607和第二电极层608的叠层构成的发光元件650、填料611、密封衬底610、端子电极层613、各向异性导电层614、以及FPC615。
在通过使用本发明来制造的发光层中含有由粘合剂固定的发光材料。在本实施方式中，对粒子状的发光材料进行光照射，使发光材料改性，以提高发光材料的结晶性。通过光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，从而在发光材料中的缺陷减少，畸变也缓和。由此，因为可以使用结晶性良好的发光材料，所以发光元件的发光亮度或发光效率提高，并且功耗也降低。因此，可以制造具有高性能及高可靠性的显示器件。
根据本实施方式制造的反交错型薄膜晶体管601、602和603的栅电极层、源电极层、以及漏电极层是通过液滴喷射法来形成的。液滴喷射法是以下以下方法喷射含有液体导电性材料的组成物，通过干燥或焙烧使它固化，以形成导电层或电极层。通过喷射含有绝缘材料的组成物并且通过干燥或焙烧使它固化，也能够形成绝缘层。通过该方法，能够选择性地形成导电层和绝缘层等的显示器件的组成物，这简化了制造工序并防止浪费材料，因此，可以以低成本且高生产率地制造显示器件。
假设用于液滴喷射法的液滴喷射单元就是具有喷射液滴的单元的装置的总称，如具有组成物的喷射口的喷嘴或者装有一个或多个喷嘴的喷头等。液滴喷射单元所具有的喷嘴的直径设定为0.02至100μm(优选为30μm或更小)，并且从该喷嘴喷射的组成物的喷射量设定为0.001至100pl(优选为0.1pl或更多且40pl或更少，更优选为10pl或更少)。喷射量与喷嘴的直径大小成比例地增加。在被处理物和喷嘴的喷射口之间的距离优选尽可能靠近，以便滴落到所希望的位置上，该距离优选设定为0.1至3mm(更优选为1mm或更短)左右。
在通过液滴喷射法形成膜(绝缘膜或导电薄膜等)的情况下，喷射含有加工成粒子状的膜材料的组成物，然后通过焙烧来熔接或熔合并固化，以形成膜。虽然通过溅射法等形成的膜在很多情况下具有柱状结构，然而通过上述工序喷射含有导电材料的组成物并进行焙烧来形成的膜在很多情况下呈现具有很多晶粒边界的多晶状态。
作为从喷射口喷射的组成物，使用将导电材料溶解或分散在溶剂中的组成物。导电材料相当于Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W或Al等的金属；Cd或Zn的金属硫化物；Fe、Ti、Si、Ge、Zr或Ba等的氧化物；以及卤化银的微粒子或分散纳米粒子。所述导电材料可以是它们的混合物。因为透明导电膜具有透光性，所以在曝光背面时透射光，但是透明导电膜能够与不透射光的材料一起作为层叠体来使用。作为这些透明导电膜，可以使用铟锡氧化物(ITO)、包含氧化硅和铟锡氧化物的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌或氮化钛等。另外，还可以使用含有氧化锌(ZnO)的铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂镓(Ga)的ZnO、氧化锡(SnO2)、含有氧化钨的铟氧化物、含有氧化钨的铟锌氧化物、含有氧化钛的铟氧化物或含有氧化钛的铟锡氧化物等。然而，作为从喷射口喷射的组成物，考虑到电阻率值，优选使用将金、银和铜中的任何一种材料溶解或分散在溶剂中的组成物，更优选地，使用具有低电阻的银或铜。然而，当使用银或铜时，优选一起提供阻挡膜而作为针对杂质的措施。作为阻挡膜，可以使用氮化硅膜或镍硼(NiB)膜。
被喷射的组成物是将导电材料溶解或分散在溶剂中的组成物，但它还含有分散剂或热固化树脂。尤其，热固化树脂具有防止当焙烧时产生裂缝或不均匀焙烧的功能。因此，在要形成的导电层中有时含有有机材料。所包含的有机材料取决于加热温度、气氛或时间。所述有机材料是金属粒子的热固化树脂或者用作溶剂、分散剂或覆盖剂的有机树脂等，可以典型地举出聚酰亚胺、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺树脂、酚树脂、环氧树脂、硅树脂、呋喃树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂或其他有机树脂。
另外，还可以使用在导电材料的周围涂有其他导电材料构成多个层的粒子。例如，可以使用在铜的周围涂有镍硼(NiB)并且在其周围涂有银的三层结构的粒子等。作为溶剂，使用乙酸丁酯或乙酸乙酯等酯类；异丙醇或乙醇等醇类；甲基乙基甲酮或丙酮等有机溶剂类；或水。组成物的粘度优选是20mPa·s(cp)或更低。这是为了防止干燥并且能够使组成物平滑地从喷射口喷射的缘故。组成物的表面张力优选是40mN/m或更低。然而，可以根据所使用的溶剂和用途来适当地调节组成物的粘度等。例如，可以将ITO、有机铟或有机锡溶解或分散在溶剂中的组成物的粘度设定为5至20mPa·s；将银溶解或分散在溶剂中的组成物的粘度设定为5至20mPa·s；以及将金溶解或分散在溶剂中的组成物的粘度设定为5至20mPa·s。
此外，导电层可以通过层叠多种导电材料来形成。另外，还可以首先使用银作为导电材料通过液滴喷射法形成导电层，然后镀覆铜等。通过电镀或化学(无电场)镀法来进行镀覆即可。镀覆可以通过将衬底表面浸泡到装满了具有镀覆材料的溶液的容器中来进行，然而还可以将衬底倾斜(或垂直)设置并且将具有镀覆材料的溶液流过衬底表面以进行涂敷。当将衬底立起来涂覆溶液而进行镀覆时，具有使工序装置微型化的优点。
虽然取决于各个喷嘴的直径或所希望的图形的形状等，但是导电体的粒径优选是尽可能小的，以便防止阻塞喷嘴并且制造高精细的图形。导电体优选具有粒径0.1μm或更小的粒子大小。组成物是通过电解法、雾化法或湿式还原法等公知的方法来形成的，并且其粒子大小通常为约0.01至10μm。然而，当使用气体蒸发法时，由分散剂保护的纳米分子微细到约7nm。此外，当纳米粒子的各表面用覆盖剂涂敷时，该纳米粒子在溶剂中不凝聚并且在室温下均匀地分散在溶剂中，显示出与液体大致相同的性质。因此，优选使用覆盖剂。
喷射组成物的工序可以在减压下进行。当在减压下进行时，在导电体的表面上不形成氧化膜等，所以是优选的。在喷射组成物之后，进行干燥和焙烧中的一方或双方工序。干燥和焙烧的工序都是加热处理的工序，然而其目的、温度和时间不同，例如，干燥在100℃的温度下进行3分钟，而焙烧在200至350℃的温度下进行15至60分钟。干燥工序和焙烧工序是在常压下或在减压下利用激光照射、快速热退火或加热炉等来进行。注意，对进行该加热处理的定时没有特别限制。为了良好地进行干燥和焙烧的工序，衬底可以预先加热，并且此时的加热温度虽然取决于衬底等的材料性质，但是一般设定为100至800℃(优选为200至350℃)。通过本工序，挥发在组成物中的溶剂或以化学方法去除分散剂，同时通过使周围的树脂固化收缩，使纳米粒子彼此接触，以加速熔合和熔接。
通过使用进行连续振荡或脉冲振荡的气体激光器或固体激光器来照射激光束即可。作为前者的气体激光器，可以举出受激准分子激光器或YAG激光器等，而作为后者的固体激光器，可以举出使用YAG、YVO4或GdVO4等的结晶的激光器等，所述YAG、YVO4或GdVO4掺杂有Cr、Nd等。考虑到激光束的吸收率，优选使用连续振荡激光器。另外，还可以使用组合了脉冲振荡和连续振荡的激光照射方法。但是，根据衬底600的耐热性，通过照射激光束来进行的加热处理优选在几微秒到几十秒之间瞬间地进行，以便不破坏衬底600。快速热退火(RTA)是这样进行的在惰性气体的气氛下使用照射紫外光至红外光的红外灯或卤素灯等，快速地提高温度，并且瞬间加热几微秒到几分钟。因为该处理是瞬间进行的，所以可以仅仅加热最表面的薄膜，从而不影响下层的膜。换句话说，不影响塑料衬底等具有低耐热性的衬底。
此外，在通过液滴喷射法喷射液体组成物形成导电层和绝缘层之后，它们的表面可以通过加压来平整化以提高平整性。作为加压的方法，可以通过将辊状物体扫描在表面上来减少凹凸，或使用平整的板状物体来对表面加压等。当加压时，也可以进行加热工序。另外，还可以通过使用溶剂等来使表面软化或溶解，并且使用气刀去除表面的凹凸部分。此外，还可以通过CMP法来抛光。该工序可以应用于当通过液滴喷射法产生凹凸时使其表面平整化的情况。
在本实施方式中，将非晶半导体用作半导体层，并且根据需要，形成具有一种导电类型的半导体层即可。在本实施方式中，层叠半导体层和非晶n型半导体层，并且将所述非晶n型半导体层用作具有一种导电类型的半导体层。另外，能够制造形成有n型半导体层的n沟导型TFT的NMOS结构、形成有p型半导体层的p沟道型TFT的PMOS结构、以及n沟道型TFT和p沟道型TFT的CMOS结构。在本实施方式中，反交错型薄膜晶体管601和603由n沟道型TFT形成，而反交错型薄膜晶体管602由p沟道型TFT形成，由此，在外围驱动电路区域245中，反交错型薄膜晶体管601和602形成CMOS结构。
另外，为了赋予导电性，可以通过掺杂来添加赋予导电性的元素，在半导体层中形成杂质区域，由此可形成n沟道型TFT和p沟道型TFT。代替形成n型半导体层，可以通过使用PH3气体进行等离子体处理，对半导体层赋予导电性。
此外，作为半导体可以使用有机半导体材料并通过印刷法、喷射法、旋转涂敷法、液滴喷射法或分配器法等来形成。在这种情况下，因为不需要上述蚀刻工序，所以可以减少工序的数量。作为有机半导体，能够使用低分子材料和高分子材料等，并且还可以使用有机色素和导电性高分子材料等材料。作为用于本发明的有机半导体材料，最好使用其骨架由共轭双键构成的π电子共轭系高分子材料。典型地，能够使用聚噻吩、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩衍生物、或并五苯等可溶性高分子材料。
作为适用于本发明的发光元件的结构，可以使用在上述实施方式所示的结构。
本实施方式可以与实施方式1至5分别组合来实施。
通过对用于本发明的发光材料进行光照射，在发光材料中的原子的悬挂键彼此结合，缺陷减少，从而结晶性提高。由此，通过采用使用这种结晶性良好的发光材料的发光元件，可以以低驱动电压获得高发光亮度及发光效率。
因此，可以通过使用本发明，以低成本且高生产率制造低功耗且具有高性能及高可靠性的显示器件。
实施方式7利用根据本发明所形成的显示器件，可以完成电视装置。图18为示出了电视装置(在本实施方式中是EL电视装置)的主要结构的框图。显示面板包括以下以下情况作为如图16A中所示那样的结构，仅仅形成像素部分，并且通过图17B中所示的TAB方式安装扫描线一侧驱动电路和信号线一侧驱动电路；通过图17A中所示的COG方式安装它们；如图16B中所示那样使用SAS形成TFT，将像素部分和扫描线一侧驱动电路一体形成在衬底上，并且作为驱动器IC另行安装信号线一侧驱动电路；以及如图16C中所示那样将像素部分、信号线一侧驱动电路和扫描线一侧驱动电路一体形成在衬底上等，但显示面板可以采用任何方式。此外，信号线驱动电路852、扫描线驱动电路853、以及像素部分851可以具有任何结构。
作为外部电路的其它结构，在视频信号输入一侧包括，用于放大由调谐器854接收到的信号中的视频信号的视频信号放大电路855、用于将从所述视频信号放大电路855输出的信号转换成与红、绿和蓝每一种颜色对应的颜色信号的视频信号处理电路856、以及用于转换所述视频信号使它符合驱动IC的输入规格的控制电路857等。控制电路857将信号分别输出到扫描线一侧和信号线一侧。当以数字方式驱动时，可以采用以下结构在信号线一侧提供信号分割电路858，并且将输入数字信号分割成m个再供给。
由调谐器854接收的信号中的音频信号被发送到音频信号放大电路859，然后其输出经由音频信号处理电路860提供给扬声器863。控制电路861接收来自输入部分862的接收站(接收频率)或音量的控制信息，并且将信号发送到调谐器854或音频信号处理电路860。
如图12A和12B中所示那样可以将显示模块安装在框体中，以完成电视装置。如图7A和7B中所示那样附装了FPC的显示面板一般称作EL显示模块。因此，可以通过使用在图7A和7B中所示的EL显示模块，完成EL电视装置。主屏2003由显示模块形成，作为辅助设备，还装有扬声器部分2009和操作开关等。像这样，根据本发明能够完成电视装置。
另外，还可以使用相位差板或偏振片来遮挡外部入射光的反射光。当采用顶部发射型的显示器件时，可以对成为隔壁的绝缘层进行着色以将它用作黑矩阵。该隔壁也可以通过液滴喷射法等形成，还可以使用颜料系的黑色树脂或将炭黑等混合在聚酰亚胺等树脂材料中来形成，并且也可以使用它们的叠层结构。隔壁还可以通过液滴喷射法将不同的材料多次喷射到同一区域中来形成。作为相位差板，可以使用λ/4和λ/2板，设计为能够控制光即可。在该结构中，顺序设置TFT元件衬底、发光元件、密封衬底(密封材料)、相位差板(λ/4板、λ/2板)、以及偏振片，从发光元件发射的光通过它们从偏振片一侧向外部发出。相位差板和偏振片等可以层叠。这些相位差板和偏振片设置在发出光的一侧即可，在进行双面发射的双面发射型显示器件的情况下，可以提供在两侧。另外，可以在偏振片的外侧提供反射防止膜。由此，可以显示高分辨率和精细的图像。
如图12A中所示，采用显示元件的显示面板2002安装到框体2001中，利用接收器2005可以接收一般的电视广播，并且通过经由调制解调器2004连接到根据有线或无线的通信网络中，可以进行单向(从发送者到接收者)或双向(在发送者和接收者之间或在接收者彼此之间)信息通信。电视设备能够使用组装到框体中的开关或单独的遥控装置2006来操作。而且，在该遥控装置中也可以设置用于显示输出信息的显示部分2007。
此外，除了主屏2003之外，该电视设备还可以包括使用第二显示面板形成的副屏2008以显示频道、音量等的结构。在该结构中，主屏2003可以使用具有宽视角的EL显示面板来形成，副屏可使用能够在较低功耗下进行显示的液晶显示面板来形成。另外，为了优先考虑低功耗化，可采用主屏2003使用液晶显示面板来形成，副屏使用EL显示面板来形成，副屏能够被接通/关闭的结构。如果采用本发明，则即使使用这样大尺寸的衬底和使用大量的TFT或电子组件，也可以形成高可靠性的显示器件。
图12B表示具有例如20至80英寸的大型显示部分的电视设备，包括框体2010、作为操作部分的键盘部分2012、显示部分2011、以及扬声器部分2013等。本发明应用于显示部分201 1的制作。因为图12B的显示部分是利用可弯曲的物质形成的，该电视设备具有弯曲的显示部分。因为显示部分的形状能够这样自由地设计，所以能够制造具有所需形状的电视设备。
根据本发明，能够以简略的工序形成显示器件，因此成本也能够降低。因此，应用了本发明的电视设备即使具有大画面的显示部分也能够以低成本形成。因此，能够以高产率制造出高性能和高可靠性的电视设备。
当然，本发明不局限于电视设备，除了可以应用于个人计算机的监视器之外，还可以应用于大面积显示介质，如在火车站、机场等的信息显示板；以及在街道上的广告显示板等等各种用途。
本实施方式可以与实施方式1至6分别组合来实施。
实施方式8将参照图13A和13B来说明本实施方式。本实施方式示出了一个模块的实例，其中使用具有在实施方式3至7中制造的显示器件的面板。
在图13A中所示的信息终端模块在印刷布线基板986上安装有控制器901、中央处理装置(CPU)902、存储器911、电源电路903、音频处理电路929、收发电路904、以及其它元件如电阻器、缓冲器、以及电容元件等。另外，面板900经由柔性布线基板(FPC)908连接到印刷布线基板986。
面板900包括像素部分905，其中每一个像素具有发光元件；选择所述像素部分905所具有的像素的第一扫描线驱动电路906a和第二扫描线驱动电路906b；以及对选择的像素提供视频信号的信号线驱动电路907。
经由安装在印刷布线基板986上的接口(I/F)部分909来输入或输出各种控制信号。此外，用于收发与天线之间的信号的天线端口910提供在印刷布线基板986上。
注意，在本实施方式中，印刷布线基板986经由FPC908连接到面板900，然而，本发明不局限于该结构。还可以通过COG(玻璃基芯片)方式将控制器901、音频处理电路929、存储器911、CPU902、或电源电路903直接安装在面板900上。另外，在印刷布线基板986上提供有各种元件如电容元件和缓冲器等，从而防止在电源电压和信号中出现噪声及信号的上升沿变缓。
图13B是在图13A中所示的模块的框图。该模块包括VRAM932、DRAM925、以及闪速存储器926等作为存储器911。在VRAM932中存储有在面板上显示的图像的数据，在DRAM925中存储有图像数据或音频数据，并且在该闪速存储器中存储有各种程序。
电源电路903生成施加给面板900、控制器901、CPU902、音频处理电路929、存储器911、以及收发电路904的电源电压。根据面板的规格，也有将电流源提供于电源电路903中的情况。
CPU902包括控制信号产生电路920、解码器921、寄存器922、运算电路923、RAM924、CPU用的接口935等。经由接口935输入到CPU902中的各种信号暂时保存在寄存器922中，之后输入到运算电路923和解码器921等中。在运算电路923中，根据输入的信号进行运算，并且指定发送各种指令的地址。另一方面，对输入到解码器921中的信号进行解码，并且输入到控制信号产生电路920中。控制信号产生电路920根据输入信号产生含有各种指令的信号，并发送到由运算电路923所指定的地址，具体为存储器911、收发电路904、音频处理电路929、以及控制器901等。
存储器911、收发电路904、音频处理电路929、以及控制器901分别根据所接收的指令来工作。在下文中，简要说明其工作。
从输入单元930所输入的信号经由接口909发送到安装在印刷布线基板986上的CPU902中。控制信号产生电路920根据从定位设备或键盘等输入单元930发送的信号将存储在VRAM932中的图像数据转换为预定格式，并发送到控制器901。
控制器901根据面板的规格来对从CPU902发送来的含有图像数据的信号进行数据处理，并供给到面板900。另外，控制器901根据从电源电路903输入的电源电压或从CPU902输入的各种信号来生成Hsync信号、Vsync信号、时钟信号CLK、交流电压(AC Cont)、以及切换信号L/R，并供给面板900。
在收发电路904中，对作为电波由天线933发送和接收的信号进行处理。具体地说，该收发电路904包括高频电路如隔离器，带通滤波器，VCO(电压控制振荡器)，LPF(低通滤波器)，耦合器，平衡-不平衡转换器等。在由收发电路904收发的信号之中，含有音频信息的信号根据来自CPU902的指令被发送到音频处理电路929。
根据CPU902的指令发送来的含有音频信息的信号在音频处理电路929中被解调成音频信号，并且发送到扬声器928。此外，从扩音器927发送来的音频信号由音频处理电路929调制，并且根据来自CPU902的指令发送到收发电路904。
可以将控制器901、CPU902、电源电路903、音频处理电路929、以及存储器911安装为本实施方式的组件。本实施方式可以应用于除了高频电路如隔离器、带通滤波器、VCO(电压控制振荡器)、LPF(低通滤波器)、耦合器、以及平衡-不平衡转换器等以外的任何电路。
实施方式9下面，将参照图14说明本实施方式。图14示出了包括在实施方式8中制造的模块的小型电话机(便携电话)的一种方式，该电话机以无线方式操作并且能够搬运。可自由装卸的面板900组装到外壳981中并且容易与模块999组合。外壳981的形状和尺寸可以根据组装的电子设备来适当地改变。
固定有面板900的外壳981嵌入印刷布线基板986上而装配成为模块。多个封装的半导体器件安装在印刷布线基板986上。安装在印刷布线基板986上的多个半导体器件具有控制器、中央处理单元(CPU)、存储器、电源电路、电阻器、缓冲器、以及电容元件等中的任何功能。此外，提供了包括扩音器994及扬声器995的音频处理电路、以及信号处理电路993如收发电路等。面板900通过FPC908连接到印刷布线基板986。
这些模块999、外壳981、印刷布线基板986、输入单元998、以及电池997容纳于框体996中。面板900的像素部分配置成可以从在框体996中形成的开口窗看见。
在图14中所示的框体996示出了电话机的外观形状作为一例。然而，根据本实施方式的电子设备可以根据其功能和用途改转换为各种方式。在下面的实施方式中说明该方式的一例。
实施方式10作为根据本发明的电子设备，可以举出电视装置(也简单地称为电视机或电视接收机)、影像拍摄装置如数字照相机和数字摄像机等、便携电话装置(也简单地称为便携电话或手机)、PDA等便携式信息终端、便携式游戏机、用于计算机的监视器、计算机、汽车音响等音响再生装置、家用游戏机等图像再生装置等。将参照图15A至15E说明其具体实例。
图15A所示的便携式信息终端设备包括主体9201、显示部分9202等。可以将本发明的显示器件应用于显示部分9202中。其结果，可以提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的便携式信息终端设备。
图15B所示的数字摄像机包括显示部分9701、9702等。可以将本发明的显示器件应用于显示部分9701中。其结果，可以提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的数字摄像机。
图15C所示的便携电话机包括主体9101、显示部分9102等。可以将本发明的显示器件应用于显示部分9102中。其结果，可以提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的便携电话机。
图15D所示的便携式电视装置包括主体9301、显示部分9302等。可以将本发明的显示器件应用于显示部分9302中。其结果，可以提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的便携式电视装置。此外，作为这种电视装置，可以将本发明的显示器件广泛地适用于搭载在便携式电话机等的便携终端中的小型电视装置、能够搬运的中型电视装置、或者大型电视装置(例如40英寸或更大)。
图15E所示的便携式计算机包括主体9401、显示部分9402等。可以将本发明的显示器件应用于显示部分9402中。其结果，能够提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的便携式计算机。
像这样，利用本发明的显示器件，可以提供进一步降低了功耗且具有高图像质量及高可靠性的电子设备。本实施方式可以与上述实施方式自由地组合来实施。
权利要求
1.一种发光器件的制造方法，包括以下以下步骤对发光材料照射光；将所述照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中；将所述含有照射了光的发光材料及所述粘合剂的溶液配置在第一电极层上，以形成含有所述照射了光的发光材料及所述粘合剂的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极层。
2.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中在所述第一电极层和所述发光层之间形成绝缘层。
3.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中所述溶液通过印刷法涂敷在所述第一电极层上。
4.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中所述发光材料含有母体材料及杂质元素。
5.根据权利要求1的发光器件的制造方法，其中所述粘合剂是使用有机树脂来形成的。
6.一种发光器件的制造方法，包括以下以下步骤对粒子状的发光材料照射激光束；将所述照射了激光束的粒子状的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中；将所述含有照射了激光束的粒子状的发光材料及所述粘合剂的溶液配置在第一电极层上，以形成含有所述照射了激光束的粒子状的发光材料及所述粘合剂的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极层。
7.根据权利要求6的发光器件的制造方法，其中在所述第一电极层和所述发光层之间形成绝缘层。
8.根据权利要求6的发光器件的制造方法，其中所述溶液通过印刷法涂敷在所述第一电极层上。
9.根据权利要求6的发光器件的制造方法，其中所述发光材料含有母体材料及杂质元素。
10.根据权利要求6的发光器件的制造方法，其中所述粘合剂是使用有机树脂来形成的。
11.一种发光器件的制造方法，包括以下以下步骤对发光材料照射激光束；将所述照射了激光束的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中；将所述含有照射了激光束的发光材料及所述粘合剂的溶液配置在第一电极层上并进行焙烧，以形成含有所述照射了激光束的发光材料及所述粘合剂的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极层。
12.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中在所述第一电极层和所述发光层之间形成绝缘层。
13.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中所述溶液通过印刷法涂敷在所述第一电极层上。
14.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中所述发光材料含有母体材料及杂质元素。
15.根据权利要求11的发光器件的制造方法，其中所述粘合剂是使用有机树脂来形成的。
16.一种发光器件的制造方法，包括以下以下步骤对粒子状的发光材料照射激光束；将所述照射了激光束的粒子状的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中；将所述含有照射了激光束的粒子状的发光材料及所述粘合剂的溶液配置在第一电极层上并进行焙烧，以形成含有所述照射了激光束的粒子状的发光材料及所述粘合剂的发光层；以及在所述发光层上形成第二电极层。
17.根据权利要求16的发光器件的制造方法，其中在所述第一电极层和所述发光层之间形成绝缘层。
18.根据权利要求16的发光器件的制造方法，其中所述溶液通过印刷法涂敷在所述第一电极层上。
19.根据权利要求16的发光器件的制造方法，其中所述发光材料含有母体材料及杂质元素。
20.根据权利要求16的发光器件的制造方法，其中所述粘合剂是使用有机树脂来形成的。
全文摘要
本发明的目的在于提供进一步降低功耗，提高发光效率，并且具有高性能及高可靠性的显示器件。在本发明中，通过以下步骤来制造发光元件对发光材料照射光；将照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液涂敷在第一电极层上，以形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层。还可以在第一电极层和发光层之间或在第二电极层和发光层之间提供绝缘层。
文档编号H05B33/10GK101017872SQ20071000809
公开日2007年8月15日 申请日期2007年2月9日 优先权日2006年2月10日
发明者山崎舜平, 古川忍, 森末将文, 藤井严 申请人:株式会社半导体能源研究所