专利名称：一种负片直接蚀刻线路的制作方法
技术领域：
本发明涉及线路制作领域，特别是涉及一种板面铜一次曝光负片直接蚀刻线路制作方法。
背景技术：
目前，当线路板在制作线路，只是要有孔内铜和线路铜，由于电镀药水对干膜的影响会渗镀蚀刻短路，孔粗糙度大易有孔无铜，锡缸深镀力不足，难以保证铜的均匀和孔铜，高速信号传输线路，线的宽度难以保证。现有的正片由于铜厚均匀性要求较高，所以不能做精细线路。负片(Negatave):是指各种底片上(如黑白软片、掠色软片)导体线路的图案是以透明区呈现，而无导体之基材部分则呈现为暗区(即软片上的黑色或棕色部分)，以阻止紫外光的透过此种底片谓之负片。板子压膜后曝光菲林透明部分光化学反应，显影所需线路，所用的蚀刻液为碱性蚀刻液。例如申请号为CN201010537301.X，公开号为CN102006728A的中国发明专利“一种新型的板面深凹陷线路制作方法”，公开了一种新型的板面深凹陷线路制作方法，包括步骤:A)使用负片蚀刻的方法，对线路板基板进行开料、内层棕化、内层图形转移及压板处理后，对其进行钻孔；B)全板沉铜电镀或加板电镀；C)整板电镀后使用干膜盖孔；D)通过线路菲林进行第二次曝光及显影处理；E)对显影后的外层线路进行酸性蚀刻处理；F)将步骤E)所得线路板进行退锡处理，检测合格，制得成品。本发明的目的在于提供一种新型的板面深凹陷线路制作方法，使用负片蚀刻的方法，整板电镀后使用干膜盖孔，并通过丝印湿膜(一种液态感光油墨)或者涂布湿膜；通过两次曝光显影，制得板面深凹陷线路，解决现有技术存在的缺陷。此专利流程时间较长，需两次曝光和显影，还需印湿膜和电镀锡，并且铜的使用量大，这样的方法不仅工艺复杂，而且生产成本也高，不适用于大批量生产。综上所述，现有的负片蚀刻线路制造方法存在生产流程时间长，生产效率低，需要镀锡，还需要对锡废液进行处理，投资成本高，环保污染严重的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述问题，提出一种负片直接蚀刻线路的制作方法。本发明只采用一次曝光克服了现有负片需要做两次曝光和显影的技术问题，缩短了生产流程时间，提高了生产效率，并且不需镀锡，减少锡废液的处理，节约成本，而且环保，适用于大批量生产。本发明采用以下技术方案来实现:
一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于包括以下步骤:
A、对PC B基板依次进行开料、磨边、圆角、钻孔；
B、经A步骤后先对PC B基板全板镀化学铜，化学铜的厚度为0.5-lum ;再对P C B基板电镀铜，电镀铜的厚度为18-25um ；C、经B步骤后PC B基板板面进行图形转移，图形转移包括压膜、一次曝光和显影处理；所述一次曝光是指采用线路菲林将经压膜后的P C B基板板面电镀铜进行一次曝光；曝光后经过显影处理完成图形转移；
D、经C步骤后的PCB基板进行碱性蚀刻处理，直达PCB基板的PH值为8-9；
E、经D步骤后对PC B基板进行退膜；退膜后制得半成品线路图形板；
F、经E步骤后在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板。所述步骤A中，主轴转速为12-18万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ;孔的直径为0.2-6.0mm,公差为±0.03mm。所述步骤 B中，分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为0.5-lum ;电镀铜的厚度为18-25um。所述步骤C中，压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以牢固贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P c B基板板面烘干；磨板速度为2.0-2.5m/min，烘干温度为80_90°C，烘干时间为30-60秒。所述步骤C中，压膜时采用光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为38-42um ;压膜速度为1.0-1.5/min ;压力3-5kg/cm2，压膜温度110-120°C，压膜时间为15-25秒。所述步骤C中，采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在6-8级，菲林重合度< 0.05mm,真空压力彡680mmhg/cm2。所述步骤C中，显影处理是指采用浓度为0.8-1.2%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.0-2.5m/min，压力1.5-1.8kg/cm2，显影点为 50-70%。所述步骤D中，经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为13-16%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为135-155g/l。所述步骤E中，采用浓度为4-6%NaOH溶液进行退膜，退膜速度为2.5-4.5m/min，得到半成品线路图形板。还包括用于检测线路是否合格的步骤G，所述步骤G分别用对于对步骤E中的半成品线路图形进行检测和对步骤F中的成品线路图形进行检测；经检测合格后的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板，再经检测合格后的成品线路图形板包装入库。本发明与现有技术相比，其优点在于:
1、本发明采用一次曝光的负片直接蚀刻方法，在实际生产中，与现有技术相比减少了工序，节约了时间和生产成本，同时提高了生产效率,适用于大批量生产。2、本发明的制造方法不需镀锡和退锡，节约成本的前提下，避免了对锡废液进行处理的时间和成本，还避免了锡废液对环境的污染；因此，本发明具有高效、环保，并且适用于大批量生产的优点。3、本发明操作简化，而且对蚀刻后工序无任何影响，也节约表面处理成本；如现有技术喷锡时对锡的浪费，沉金时对金的浪费。4、本发明采用主轴转速为12-18万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ;后工序的品质更有保证，是评估钻孔质量的重要参数之一；孔的直径0.2-6.0mm,公差为±0.03mm ;是钻孔机的自身能力要求，在实际钻孔时用此参数评估钻孔或做钻孔质量检验，达到以上的要求，产品在以后工序的质量有保证。5、本发明采用分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为0.5-lum ;电镀铜的厚度为18-25um ;可增加导电层的厚度，达到客户要求，也增加导电层的导电性。6、本发明采用压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以牢固贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P C B基板板面烘干；磨板速度为2.0-2.5m/min，烘干温度为80_90°C，烘干时间为30-60秒；可以去除板面铜的氧化层，粗化板面，并使干燥的板子增加与干膜的结合力。7、本发明采用压膜时光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为38-42um;压膜速度为1.0-1.5/min ;压力3-5kg/cm2，压膜温度110-120°C，压膜时间为15-25秒；温度、压力达到要求才使干膜软化并具有流动性和填平性，即与板面贴合，在要求的速度范围即压膜时间内才可确保干膜与板面有良好的结合力。8、本发明采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在6-8级，菲林重合度< 0.05mm,真空压力> 680mmhg/cm2 ;以适合的能量对干膜曝光,使干膜产生光聚合反应，适合的能量是用曝光尺级数来评估，必须抽真空并达到要求才能使要求的线宽符
入
口 o9、本发明采用显影处理是指采用浓度为0.8-1.2%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.0-2.5m/min，压力1.5-1.8kg/cm2，显影点为50-70% ;以确保显影后的板面无残膜，或显影过度影响板面线路边缘的不平整或短路、开路。10、本发明采用经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为13-16%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为135-155g/l。碱性CuCl2溶液溶铜量高，与图形转移后的图形外的铜置换速度较快，易制得精细的线路。
11、本发明采用浓度为4_6%NaOH溶液进行退膜，退膜速度为2.5-4.5m/min,退膜温度为50±5°C ;得到半成品线路图形板。以确保在退膜后板面无残膜，影响外观。12、本发明采用还包括用于检测线路是否合格的步骤G，所述步骤G分别用对于对步骤E中的半成品线路图形进行检测和对步骤F中的成品线路图形进行检测；经检测合格后的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板，再经检测合格后的成品线路图形板包装入库。所有成品图形板包装前100%进行功能性和外观检测，以确保合格的产品给客户。
图1为本发明工艺流程2为本发明实施例2工艺流程图。
具体实施例方式实施例1:
一种负片直接蚀刻线路的制作方法，包括以下步骤:
A、对PC B基板依次进行开料、磨边、圆角、钻孔；
B、经A步骤后先对P C B基板全板镀化学铜，化学铜的厚度为0.5um ;再对P C B基板电镀铜，电镀铜的厚度为18um ；
C、经B步骤后PC B基板板面进行图形转移，图形转移包括压膜、一次曝光和显影处理；所述一次曝光是指采用线路菲林将经压膜后的P C B基板板面电镀铜进行一次曝光；曝光后经过显影处理完成图形转移；
D、经C步骤后的PCB基板进行碱性蚀刻处理，直达PCB基板的PH值为8;
E、经D步骤后对PC B基板进行退膜；退膜后制得半成品线路图形板；
F、经E步骤后在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板。本发明所述步骤A中，主轴转速为12万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ；孔的直径为0.2mm,公差为±0.03mm。本发明所述步骤B中，分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为0.5um ;电镀铜的厚度为18um。本发明所述步骤C中，压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以粘贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P C B基板板面烘干；磨板速度为2.0m/min，烘干温度为80°C，烘干时间为60秒。本发明所述步骤C中，压膜时采用光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为38um ;压膜速度为1.0/min ;压力3kg/cm2，压膜温度110°C，压膜时间为25秒。本发明所述步骤C中，采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在6级，菲林重合度< 0.05mm,真空压力> 680mmhg/cm2。本发明所述步骤C中，显影处理是指采用浓度为0.8%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.0m/min，压力1.5kg/cm2,显影点为 50%o本发明所述步骤D中，经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为13%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为 135g/l。本发明所述步骤E中，采用浓度为4%的NaOH溶液进行退膜，退膜速度为2.5m/min，得到半成品线路图形板。本发明在使用时，
用钻孔机钻出需要的孔，转速:12万转/min，将孔径控制在0.2mm ;公差0.03mm ；
在钻孔后的PCB基板的绝缘树脂上以化学反应沉积一层铜形成化学铜，化学铜厚度为0.5um，纵横比为8:1。再在铜的基础上以电沉积的方式加厚形成电镀铜，以达到成品铜厚的要求，电镀铜的厚度为18um ；
采化学法或机械法处理PCB基板的板面，以增加板面上电镀铜的粗糙度，达到可将光致抗蚀干膜粘贴在电镀铜的程度，再将其烘干；磨板速度为2.0m/min，烘干温度80°C ；采用胶辘以机械法将光致抗蚀干膜贴在电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为38um ;压膜速度为1.0/min ;压力3kg/cm2，压膜温度110°C，压膜时间为？；
采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，采用5kw的曝光机进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在6级，菲林重合度< 0.05mm,真空压力> 68Ommhg/cm2 ；
显影处理是指采用浓度为0.8%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.0m/min，压力1.5kg/cm2，显影点为50% ；经显影处理后制得所需线路图形，再用碱性CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为135-155g/l。以碱性氯化铜溶液将显影后板面单质铜进行化学置换反应溶解而留下基材，同时显影后板面光致抗蚀干膜即线路图形可以抗蚀刻药水攻击，从而保护了光致抗蚀干膜下的铜不被蚀刻掉，也就形成了蚀刻后的线路，氯离子的量为180-210g/l，铜离子的量为135-155g/l，PH 值为 8，溶解速度为 3.0-4.0m/min，压力为 1.8-2.2kg/cm2 ；
采用浓度为4%的NaOH溶液进行退膜，退膜速度为2.5m/min，得到半成品线路图形板； 在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板；
采用在成品线路图形板的裸铜线路上涂覆防焊层，防焊层的厚度为铜面> ISum ;线拐角的厚度为彡10um。实施例2:``
一种负片直接蚀刻线路的制作方法，包括以下步骤:
A、对PC B基板依次进行开料、磨边、圆角、钻孔；
B、经A步骤后先对PC B基板全板镀化学铜，化学铜的厚度为0.8um ;再对P C B基板电镀铜，电镀铜的厚度为20um ；
C、经B步骤后PC B基板板面进行图形转移，图形转移包括压膜、一次曝光和显影处理；所述一次曝光是指采用线路菲林将经压膜后的P C B基板板面电镀铜进行一次曝光；曝光后经过显影处理完成图形转移；
D、经C步骤后的PCB基板进行碱性蚀刻处理，直达PCB基板的PH值为8;
E、经D步骤后对PC B基板进行退膜；退膜后制得半成品线路图形板；
F、经E步骤后在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板。本发明所述步骤A中，主轴转速为15万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ；孔的直径为3mm,公差为±0.03mm。本发明所述步骤B中，分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为0.Sum ;电镀铜的厚度为20um。本发明所述步骤C中，压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以粘贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P C B基板板面烘干；磨板速度为2.2m/min，烘干温度为85°C，烘干时间为40秒。本发明所述步骤C中，压膜时采用光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为40um ;压膜速度为1.2/min ;压力4kg/cm2，压膜温度115°C，压膜时间为20秒。本发明所述步骤C中，采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在7级,菲林重合度< 0.05mm,真空压力彡680mmhg/cm2。本发明所述步骤C中，显影处理是指采用浓度为1.0%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.2m/min，压力1.5kg/cm2,显影点为 60%o经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为14%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为145g/l。本发明所述步骤E中，采用浓度为5%的NaOH溶液进行退膜，退膜速度为3.5m/min，得到半成品线路图形板。本发明还包括用于检测线路是否合格的步骤G，所述步骤G分别用对于对步骤E中的半成品线路图形进行检测和对步骤F中的成品线路图形进行检测；经检测合格后的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板，再经检测合格后的成品线路图形板包装入库。本发明在使用时，采用以通、断路测试机测试，测试半成品线路图形板不可以有短路、断路，100%测试；在合格的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板；再采用以 通、断路测试机测试，测试成品线路图形板不可以有短路、断路，100%测试；在合格的成品线路图形板的裸铜线路上涂覆防焊层，防焊层的厚度为铜面> ISum ；线拐角的厚度为> 10um。实施例3:
一种负片直接蚀刻线路的制作方法，包括以下步骤:
A、对PC B基板依次进行开料、磨边、圆角、钻孔；
B、经A步骤后先对PC B基板全板镀化学铜，化学铜的厚度为Ium ;再对P C B基板电镀铜，电镀铜的厚度为25um ；
C、经B步骤后PC B基板板面进行图形转移，图形转移包括压膜、一次曝光和显影处理；所述一次曝光是指采用线路菲林将经压膜后的P C B基板板面电镀铜进行一次曝光；曝光后经过显影处理完成图形转移；
D、经C步骤后的PCB基板进行碱性蚀刻处理，直达PCB基板的PH值为9;
E、经D步骤后对PC B基板进行退膜；退膜后制得半成品线路图形板；
F、经E步骤后在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板。本发明所述步骤A中，主轴转速为18万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ；孔的直径为6mm,公差为±0.03mm。本发明所述步骤B中，分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为Ium ;电镀铜的厚度为25um。
本发明所述步骤C中，压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以粘贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P C B基板板面烘干；磨板速度为2.5m/min，烘干温度为90°C，烘干时间为30秒。本发明所述步骤C中，压膜时采用光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为42um ;压膜速度为1.5/min ;压力5kg/cm2，压膜温度120°C，压膜时间为15秒。本发明所述步骤C中，采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在8级，菲林重合度< 0.05mm,真空压力> 680mmhg/cm2。本发明所述步骤C中，显影处理是指采用浓度为1.2%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.5m/min，压力
1.5kg/cm2,显影点为 70%o经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为16%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为155g/l。本发明所述步骤E中，采用浓度为6%的NaOH溶液进行退膜，退膜速度为4.5m/min，得到半成品线路图形板。本发明还包括用于检测线路是否合格的步骤G，所述步骤G分别用对于对步骤E中的半成品线路图形进行检测和对步骤F中的成品线路图形进行检测；经检测合格后的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板，再经检测合格后的成品线路图形板包装入库。
权利要求
1.一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于包括以下步骤: A、对PC B基板依次进行开料、磨边、圆角、钻孔； B、经A步骤后先对PC B基板全板镀化学铜，化学铜的厚度为0.5-lum ;再对P C B基板电镀铜，电镀铜的厚度为18-25um ； C、经B步骤后PC B基板板面进行图形转移，图形转移包括压膜、一次曝光和显影处理；所述一次曝光是指采用线路菲林将经压膜后的P C B基板板面电镀铜进行一次曝光；曝光后经过显影处理完成图形转移； D、经C步骤后的PCB基板进行碱性蚀刻处理，直达PCB基板的PH值为8-9； E、经D步骤后对PC B基板进行退膜；退膜后制得半成品线路图形板； F、经E步骤后在半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板。
2.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤A中，主轴转速为12-18万转/分钟，钻孔后孔的粗糙度为彡25um ;孔的直径为0.2-6.0mm,公差为±0.03mm。
3.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤B中，分别在孔内和P C B基板面上沉积有金属层，金属层可将孔与线、孔与内层互联导通，孔内化学铜的厚度为0.5-lum ;电镀铜的厚度为18-25um。
4.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤C中，压膜前将P C B基板板面进行磨板，磨板是指将P C B基板板面电镀铜的粗糙度磨至可以牢固贴光致抗蚀干膜的程度，磨板后将P C B基板板面烘干；磨板速度为2.0-2.5m/min，烘干温度为80-90°C，烘干时间为30-60秒。
5.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤C中，压膜时采用光致抗蚀干膜贴在经磨板后的P C B基板的电镀铜上，光致抗蚀干膜的厚度为38-42um ;压膜速度为1.0-1.5/min ;压力3-5kg/cm2，压膜温度110_120°C，压膜时间为15-25 秒。
6.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤C中，采用外层透明的线路菲林，覆盖光致抗蚀干膜上，并将线路菲林与孔位正对，进行一次曝光；曝光时进行光化学反应；曝光能量为以21级曝光尺测量在6-8级，菲林重合度^ 0.05mm,真空压力 > 680mmhg/cm2。
7.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤C中，显影处理是指采用浓度为0.8-1.2%的Na2CO3溶液将没有曝光的光致抗蚀干膜溶解后留下需要的光致抗蚀干膜线路图形，溶解速度为2.0-2.5m/min，压力1.5-1.8kg/cm2，显影点为 50-70%o
8.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤D中，经显影处理后制得所需线路图形，再用浓度为13-16%的CuCl2溶液还原所需线路图形外的铜，直至光致抗蚀干膜完全覆盖所需线路图形，被还原的铜量为135-155g/l。
9.根据权利要求1所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:所述步骤E中，采用浓度为4-6%NaOH溶液进行退膜， 退膜速度为2.5-4.5m/min，得到半成品线路图形板。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的一种负片直接蚀刻线路的制作方法，其特征在于:还包括用于检测线路是否合格的步骤G，所述步骤G分别用对于对步骤E中的半成品线路图形进行检测和对步骤F中的成品线路图形进行检测；经检测合格后的半成品线路图形板依次进行防焊、铜表面处理后，制得成品线路图形板，再经检测合格后的成品线路图形板包装 入库。
全文摘要
本发明公开了一种负片直接蚀刻线路的制作方法，包括以下步骤开料、磨边、圆角、钻孔；镀化学铜；电镀铜；图形转移；碱性蚀刻；退膜；防焊、铜表面处理。本发明只采用一次曝光克服了现有负片需要做两次曝光和显影的技术问题，缩短了生产流程时间，提高了生产效率，并且不需镀锡，减少锡废液的处理，节约成本，而且环保，适用于大批量生产。
文档编号H05K3/06GK103209546SQ201310113908
公开日2013年7月17日 申请日期2013年4月3日 优先权日2013年4月3日
发明者陈胜平, 罗献军 申请人:遂宁市广天电子有限公司