一种贴膜式硅酸钇镥阵列、制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及制造方法

文档序号:8075159阅读:295来源:国知局
一种贴膜式硅酸钇镥阵列、制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种贴膜式硅酸钇镥阵列、制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及制造方法,硅酸钇镥阵列包括若干根晶条,该晶条都紧密排列,在晶条之间的贴合面之间都夹装有反射膜,排列好的晶条构成晶条阵列,在晶条阵列的侧面也都包裹有反射膜,在所述晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条进行勾缝。本发明晶条阵列规整,反射膜排列整齐,晶条插装简单,反射膜均匀贴在晶条的表面上,或者被夹在晶条之间,使制得的贴膜式硅酸钇镥阵列的精度大大提高。反射膜中横向设置大反射膜,在大反射膜之间设置小反射膜,这种设计能够减少漏光,有利于晶条阵列输出的灵敏度。
【专利说明】一种贴膜式硅酸钇镥阵列、制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及探测器件【技术领域】,尤其是一种用于医用PET/CT器件(PET:正电子发射型计算机断层显像,CT:电子计算机X射线断层扫描技术)、x射线成像系统以及伽马机和辐射探测器等设备的贴膜式硅酸钇镥阵列,本发明还是涉及制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及贴膜式硅酸钇镥阵列的制造方法。
【背景技术】
[0002]由于硅酸钇镥阵列的应用广泛,美国GE、欧洲西门子、菲利普、日本日立公司都投入大量的人力、物力致力于LYSO阵列(硅酸钇镥阵列)的开发应用,据了解,世界范围内每年至少100台医用设备需要配置LYSO阵列。医用LYSO阵列的研发及产业化具有非常良好的市场前景,机场、大型集装箱码头等的安防检查也有不错的应用前景。
[0003]现有许多同类LYSO阵列多以浇注为主,且浇注的阵列精度不高,阵列变形大,且阵列的浇注过程中有气泡产生,导致反射性能不良。常规的浇注阵列存在局限性,其主要适用于大尺寸晶条、晶条之间间隔大(>1.0mm)。贴膜式采用的梳状交叉贴膜有排列不整齐,插装晶条麻烦的缺点。喷涂式成本太高,且组装困难,并未推广使用。

【发明内容】

[0004]针对上述技术问题,本发明提供一种反射膜排列整齐,晶条插装简单,精度高的贴膜式硅酸钇镥阵列,本发明还涉及到制造该贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具及贴膜式硅酸钇镥阵列的制造方法。
[0005]为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种贴膜式硅酸钇镥阵列,其特征在于,包括若干根晶条,该晶条都紧密排列,在晶条之间的贴合面之间都夹装有反射膜,排列好的晶条构成晶条阵列,在晶条阵列的侧面也都包裹有反射膜,在所述晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条进行勾缝。
[0006]所述晶条为正四棱柱,该晶条的数目为81根,该晶条排布成一个正四棱柱的晶条阵列,该晶条阵列横向9排,纵向9排。
[0007]所述反射膜包括横向设置的4块大反射膜,横向设置的6块小反射膜,竖向设置的10块小反射膜,所述大反射膜的长度与所述晶条阵列的长度相等,所述大反射膜的宽度与所述晶条阵列的高度相等,所述小反射膜的长度与所述晶条阵列的高度相等,该小反射膜的宽度与三块所述晶条的宽度相等;
4块所述大反射膜依次位于第一横排和第二横排晶条,第四横排和第五横排晶条,第五横排和第六横排晶条,第八横排和第九横排晶条之间;
横向设置的6块小反射膜平均分为三组,第一组的两块小反射膜位于第二至第四横排,第四至第六竖排9的根晶条之间;第二组的两块小反射膜位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间;第三组的两块小反射膜位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间;
竖向设置的10块小反射膜也分为三组,第一组包括三块小反射膜,该三块小反射膜位于第二至第四横排,第一至第四竖排的12根晶条之间;第二组包括三块小反射膜,该三块小反射膜位于第二至第四横排,第六至第九竖排的12根晶条之间;第三组包括四块小反射膜,该四块小反射膜位于第六至第八横排,第三至第七竖排的15根晶条之间;
没有插反射膜的相邻晶条之间都插有小插条反射膜5。
[0008]所述胶液由环氧胶中添加二氧化钛组成。
[0009]一种专用于制造上述贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具,其特征在于,包括夹具本体,该夹具本体为上部开口的长方体,该夹具本体的内部设置有用于放置晶条阵列的长方体内腔,在夹具本体的两相邻侧面上分别安装有垂直于该侧面的螺杆,两根螺杆的前部都伸入所述内腔中,在该螺杆的前部都分别垂直安装有夹板。
[0010]一种制造贴膜式硅酸钇镥阵列的方法,其特征在于,
按照如下步骤进行:
(O切割反射膜;
(2)将晶条装入所述专用于制造贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具中;
(3)在晶条间插好切割好的所述反射膜,利用夹具夹紧晶条阵列;
(4)在所述晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条进行勾缝;
(5)待胶液干燥后,将晶条阵列从夹具中取出,将取出的晶条阵列四面贴膜。
[0011]所述步骤(I)中,使用划片机切割反射膜。
[0012]所述步骤(5)晶条阵列四面的贴膜为金属膜,金属膜厚度为0.065mm。
[0013]本发明的积极效果是:
本发明的贴膜式硅酸钇镥阵列,晶条阵列规整,反射膜排列整齐,晶条插装简单,反射膜均匀贴在晶条的表面上,或者被夹在晶条之间,使制得的贴膜式硅酸钇镥阵列的精度大大提闻。
[0014]反射膜中横向设置大反射膜,在大反射膜之间设置小反射膜,这种设计能够减少漏光,有利于晶条阵列输出的灵敏度。
[0015]使用胶液勾缝,胶液能够固定住晶条,且胶液为液态,能够渗透进入晶条间的缝隙,进一步弥补漏光。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1为晶条阵列中的反射膜的安装位置关系示意图;
图2为晶条阵列安装在夹具中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0018]如图1所示,一种贴膜式硅酸钇镥阵列,包括若干根正四棱柱形的晶条1,该晶条I都紧密排列,在晶条I之间的贴合面之间都夹装有反射膜,排列好的晶条I构成晶条阵列,在晶条阵列的侧面也都包裹有反射膜,在晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条I进行勾缝。[0019]本发明的贴膜式硅酸钇镥阵列,晶条阵列规整,反射膜排列整齐,晶条插装简单,反射膜均匀贴在晶条的表面上,或者被夹在晶条之间,使制得的贴膜式硅酸钇镥阵列的精度大大提高。
[0020]使用胶液勾缝,胶液能够固定住晶条,且胶液为液态,能够渗透进入晶条间的缝隙,进一步弥补漏光。
[0021]晶条I的数目为81根,该晶条I排布成一个正四棱柱的晶条阵列,该晶条阵列横向9排,纵向9排。反射膜包括横向设置的4块大反射膜3,横向设置的6块小反射膜4,竖向设置的10块小反射膜4,大反射膜3的长度与所述晶条阵列的长度相等,大反射膜3的宽度与所述晶条阵列的高度相等,小反射膜4的长度与所述晶条阵列的高度相等,该小反射膜4的宽度与三块所述晶条I的宽度相等;
4块所述大反射膜3依次位于第一横排和第二横排晶条,第四横排和第五横排晶条,第五横排和第六横排晶条,第八横排和第九横排晶条之间;
横向设置的6块小反射膜4平均分为三组,第一组的两块小反射膜4位于第二至第四横排,第四至第六竖排9的根晶条之间;第二组的两块小反射膜4位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间;第三组的两块小反射膜4位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间;
竖向设置的10块小反射膜4也分为三组,第一组包括三块小反射膜4,该三块小反射膜4位于第二至第四横排,第一至第四竖排的12根晶条之间;第二组包括三块小反射膜4,该三块小反射膜4位于第二至第四横排,第六至第九竖排的12根晶条之间;第三组包括四块小反射膜4,该四块小反射膜4位于第六至第八横排,第三至第七竖排的15根晶条之间;没有插反射膜的相邻晶条之间都插有小插条反射膜5。
[0022]反射膜中横向设置大反射膜3,在大反射膜3之间设置小反射膜4,这种设计能够减少漏光,有利于晶条阵列输出的灵敏度,且这种装阵列的好处使得晶条阵列整齐,在插入反射膜的过程中,反射膜也不易重叠。
[0023]胶液由环氧胶中添加二氧化钛组成,环氧胶与二氧化钛的质量比为4:6,该胶液不影响晶条阵列的性能。
[0024]一种专用于制造上述贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具,如图2所示,包括夹具本体6,该夹具本体6为上部开口的长方体,该夹具本体6的内部设置有用于放置晶条阵列的长方体内腔,在夹具本体6的两相邻侧面上分别安装有垂直于该侧面的螺杆7,两根螺杆7的前部都伸入所述内腔中,在该螺杆的前部都分别垂直安装有夹板8。
[0025]使用时,将晶条装入夹具本体6内部设置的长方体内腔,在晶条间插好切割好的所述反射膜,旋转两根螺杆7使夹板8前移,两块夹板8和夹具本体6两内壁共同实现将晶条夹紧。
[0026]一种制造贴膜式硅酸钇镥阵列的方法,按照如下步骤进行:
(I)使用划片机切割反射膜;由于对反射膜的尺寸精度要求高,故采用划片机以划反射膜的方式来保证所需插装的反射膜的精度。
[0027](2)将晶条I装入所述专用于制造贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具中;
(3)在晶条间插好切割好的反射膜,利用夹具夹紧晶条阵列;
(4)在晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条进行勾缝,使晶条间紧密结合,从夹具中取出后不至于散掉。
[0028](5)待胶液干燥后,将晶条阵列从夹具中取出,将取出的晶条阵列四面贴金属膜2,金属膜厚度为0.065mm,从而制得贴膜式娃酸乾镥阵列。
[0029]本发明的上述实施例仅仅是为说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化和变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
【权利要求】
1.一种贴膜式硅酸钇镥阵列,其特征在于,包括若干根晶条(1),该晶条(I)都紧密排列,在晶条(I)之间的贴合面之间都夹装有反射膜,排列好的晶条(I)构成晶条阵列,在晶条阵列的侧面也都包裹有反射膜,在所述晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条(I)进行勾缝。
2.根据权利要求1所述的贴膜式硅酸钇镥阵列,其特征在于,所述晶条(I)为正四棱柱,该晶条(I)的数目为81根,该晶条(I)排布成一个正四棱柱的晶条阵列,该晶条阵列横向9排,纵向9排。
3.根据权利要求2所述的贴膜式硅酸钇镥阵列,其特征在于,所述反射膜包括横向设置的4块大反射膜(3 ),横向设置的6块小反射膜(4 ),竖向设置的IO块小反射膜(4 ),所述大反射膜(3)的长度与所述晶条阵列的长度相等,所述大反射膜(3)的宽度与所述晶条阵列的高度相等,所述小反射膜(4)的长度与所述晶条阵列的高度相等,该小反射膜(4)的宽度与三块所述晶条(I)的宽度相等; 4块所述大反射膜(3)依次位于第一横排和第二横排晶条,第四横排和第五横排晶条,第五横排和第六横排晶条,第八横排和第九横排晶条之间; 横向设置的6块小反射膜(4)平均分为三组,第一组的两块小反射膜(4)分别位于第二至第四横排,第四至第六竖排的9根晶条之间;第二组的两块小反射膜(4)分别位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间;第三组的两块小反射膜(4)分别位于第六至第八横排,第一至第三竖排的9根晶条之间; 竖向设置的10块小反射膜(4)也分为三组,第一组包括三块小反射膜(4),该三块小反射膜(4)分别位于第二至第四横排,第一至第四竖排的12根晶条之间;第二组包括三块小反射膜(4),该三块小反射膜(4)分别位于第二至第四横排,第六至第九竖排的12根晶条之间;第三组包括四块小反射膜(4),该四块小反射膜(4)分别位于第六至第八横排,第三至第七竖排的15根晶条之间; 没有插反射膜的相邻晶条之间都插有小插条反射膜(5)。
4.根据权利要求1所述的贴膜式硅酸钇镥阵列,其特征在于,所述胶液由环氧胶中添加二氧化钛组成。
5.一种专用于制造上述贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具,其特征在于,包括夹具本体(6),该夹具本体(6)为上部开口的长方体,该夹具本体(6)的内部设置有用于放置晶条阵列的长方体内腔,在夹具本体(6)的两相邻侧面上分别安装有垂直于该侧面的螺杆(7),两根螺杆(7)的前部都伸入所述内腔中,在该螺杆的前部都分别垂直安装有夹板(8)。
6.一种贴膜式硅酸钇镥阵列的制造方法,其特征在于, 按照如下步骤进行: (O切割反射膜; (2)将晶条(I)装入所述专用于制造贴膜式硅酸钇镥阵列的夹具中; (3)在晶条间插好切割好的所述反射膜,利用夹具夹紧晶条阵列; (4)在所述晶条阵列的上底面和下底面使用胶液对相邻的晶条进行勾缝; (5)待胶液干燥后,将晶条阵列从夹具中取出,将取出的晶条阵列四面贴膜。
7.根据权利要求6所述的贴膜式硅酸钇镥阵列的制造方法,其特征在于,所述步骤(1)中,使用划片机切割反射膜。
8.根据权利要求6所述的贴膜式硅酸钇镥阵列的制造方法,其特征在于,所述步骤(5)晶条阵列四面的贴膜为金属膜(2),金属膜厚度为0.065mm 。
【文档编号】C30B29/34GK103558627SQ201310587954
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】刘胜, 赵晓霞, 蔡国儒 申请人:中国电子科技集团公司第二十六研究所
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