专利名称：一种碲镉汞晶体热处理装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理所用的装置，特别是一种碲镉汞晶体热处理装置。
在汞气氛中进行对碲镉汞晶体的热处理，可以调整汞空位浓度，调整晶体的型号、浓度、电阻率及迁移率等电学参数，并可调整晶体的均匀性。一般对碲镉汞晶体进行热处理是密封在石英管中进行的，是将汞置于石英管的一端的泡状尾端中，样品放在石英管的中部的样品室，而泡状尾端与样品室之间以缩小石英管口径使汞不致流入样品室。然后，将该石英管接在真空系统上抽真空，割下密封的石英管，再放入炉腔内在合适的温度下让碲镉汞晶体在汞蒸汽氛条件下进行热处理。这样处理由于石英管的样品室与汞泡之间的距离较短，较难控制温度场，工艺中涉及的辅助设备又较多，并且石英管反复使用率低和工艺较复杂，极有改进之必要。
本实用新型的目的是要提供一种采用开管式结构、工艺方便、可反复使用的碲镉汞晶体热处理装置。
为方便地说明技术方案，先对本实用新型附图作简要说明。
图1是本实用新型碲镉汞晶体热处理装置的结构示意图。
图2是现有技术的碲镉汞晶体热处理装置的结构示意图。
本实用新型的目的通过如下技术方案完成，请参阅图1，本装置包括石英管、二通活塞和样品室，竖直放置的石英管6的上端开口并带有磨砂口3，在石英管上部一侧封接有二通活塞4，石英管近口处外侧设有供紧固密封帽的小弯钩；石英密封帽1的磨砂口2与石英管6的靡砂口3配合密封，密封帽近口处外侧也设有供紧固石英管的小弯钩；置于石英6内腔的杯状样品室9带有支撑于石英管6底部的样品室支撑柱10和供吊置样品室的弯钩7。
使用时，将样品8置入样品室9中，吊装入管底已放置汞11的石英管中，盖上密封帽，将石英管和密封帽上的小钩扎紧。将二通活塞4的接口5接通机械泵，抽低真空，然后通过接口5充入氢气，进行多次抽空和充氢气后，将石英管置于竖式炉中热处理。
显而易见，本实用新型与现有技术对比，有如下有益效果(1).开管结构，充氢清洗，控制石英管底部的汞区较高温度，形成汞蒸汽，而至温度较低的样品室的石英管上部时，又凝结，形成汞蒸汽低压回流，对样品提供一定的汞气压下进行热处理，非常方便。
(2).石英管可做得长些，易控制不同区域的温度场，易控制所需的汞气压。
(3).装置清洗方便，迅速、工艺周期明显缩短。
(4).辅助设备简单。
(5).可反复使用。
权利要求1.一种碲镉汞晶体热处理装置，包括石英管，二通活塞和样品室，其特征在于a.竖直放置的石英管(6)的上端开口并带磨砂口(3)，在石英管上部一侧封接有二通活塞(4)；b.石英密封帽(1)的磨砂口(2)与石英管(6)的磨砂口(3)配合密封；c.置于石英管(6)内腔的杯状样品室(9)带有支撑于石英管(6)底部的样品室支撑柱(10)和供吊置样品室的弯钩(7)。
专利摘要本实用新型提供了一种碲镉汞晶体热处理装置，在竖直放置的石英管上端开口，用磨砂密封帽密封，管内中部放置样品室，管底放置汞源，在合适的温度场中形成汞蒸汽低压回流，并对晶体样品进行热处理。本实用新型易控制温度场，易控制所需的汞气压，清洗方便，可反复使用，工艺周期短，成本低，且所需的辅助设备简单。
文档编号C30B33/00GK2252819SQ9622914
公开日1997年4月23日 申请日期1996年1月19日 优先权日1996年1月19日
发明者俞振中, 马可军, 沈寿珍, 何进, 许平 申请人:中国科学院上海技术处理研究所