专利名称：培养基体的使用方法
技术领域：
本发明涉及一种培养基体的使用方法，尤其是涉及一种可供培养神经细胞的培养基体的使用方法。
背景技术：
神经系统主要是由神经细胞(neurons)以及神经胶质细胞(neuron glialcells)构成的一复杂且特异的生物信息传递网络，用以与其它组织或器官建立连结以进行功能协调。神经系统是由神经细胞来执行接收刺激、通过传导并输出神经递质(neurontransmitter)以进行组织或器官间的信息沟通，而神经胶质细胞则执行神经细胞物理性支持、营养提供以及调节沟通信息速度等功能。每一神经细胞依据型态包含胞体(cell body)与神经突起(neurite)两部分,神经突起自胞体延伸并朝向其它神经细胞或是其它细胞 (例如肌肉细胞)生长，其中神经突起又分为轴突(axon)与树突(dendrite)两种。一般来说,刺激由树突接收并将冲动传向胞体,冲动经过轴突传导至轴突末端,并释放传导物质给其它细胞。由于神经系统在生物体内起着协调各组织与器官的作用，因此，研究神经细胞的培养、生长等状况的重要性不言可喻。目前，因神经系统中的突起受损而导致的神经缺损是临床常见的致残性疾病，那么研究神经细胞的突起的定向生长对治疗神经缺损等神经疾病有重要的意义。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种能够使得神经细胞定向生长的培养基体的使用方法。一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于待培养的神经突起的直径；对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管线，该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔，且每个孔的有效直径大于等于待培养的神经突起的直径；对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。与现有技术相比较，本发明提供的培养基体中的碳纳米管结构包括多个间隔或交叉设置的碳纳米管线，该碳纳米管线可以引导神经细胞的神经突起的生长，因此，采用上述培养基体的使用方法培养的神经突起可以定向生长。因此，可以根据生物体受损部位的形状控制所述碳纳米管结构的图案，从而使得神经突起按照预定的路线生长，进而使得所述神经移植体中的神经网络能够快速地与受损部位的两端或边缘建立联系，完成受损部位的修复。
图I为本发明第一实施例所提供的培养基体的结构示意图。图2为本发明第一实施例采用的一个碳纳米管膜的扫描电镜照片。图3为本发明第一实施例采用的多个层叠的碳纳米管膜的扫描电镜照片。图4为使用本发明第一实施例所提供的培养基体培养的神经细胞经过染色之后的扫描电镜照片。图5为本发明第一实施提供的培养基体的制备流程图。图6为本发明第一实施例提供的培养基体的制备方法中采用的一碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。图7为本发明第一实施例提供的培养基体的制备方法中采用的多个层叠的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。图8为使用本发明第一实施提供的培养基体培养神经细胞的制备流程图。图9为本发明第二实施例所提供的培养基体的结构示意图。图10为使用本发明第二实施例所提供的培养基体培养的神经细胞经过染色之后的扫描电镜照片。图11为本发明第三实施例所提供的培养基体的结构示意图。图12为本发明实施例提供的使用所述培养基体的神经移植体的结构示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括 提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于待培养的神经突起的直径； 对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面； 在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。
2.如权利要求I所述培养基体的使用方法，其特征在于所述碳纳米管线包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿同一方向排列且通过范德华力首尾相连。
3.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述碳纳米管线包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿该碳纳米管线的轴向螺旋延伸。
4.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述多个碳纳米管线平行设置，且相邻的碳纳米管线之间包括至少一个碳纳米管，该至少一个碳纳米管通过范德华力连接该相邻的碳纳米管线，从而使得该多个碳纳米管线形成一碳纳米管膜。
5.如权利要求4所述的培养基体的使用方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管膜，且相邻的碳纳米管膜中的碳纳米管线形成一交叉角，该交叉角大于等于O度，且小于等于90度。
6.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述碳纳米管线的直径大于等于I微米，且小于等于10微米。
7.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于20微米，且小于等于100微米。
8.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于对所述碳纳米管结构进行极性化处理的步骤包括对所述碳纳米管结构进行灭菌处理；以及采用多聚赖氨酸溶液或聚醚亚酰胺溶液处理所述灭菌后的碳纳米管结构。
9.如权利要求8所述的培养基体的使用方法，其特征在于对所述碳纳米管结构进行灭菌处理的步骤为采用紫外光照射所述碳纳米管结构。
10.如权利要求8所述的培养基体的使用方法，其特征在于采用多聚赖氨酸溶液或聚醚亚酰胺溶液处理所述灭菌后的碳纳米管结构的步骤为将灭菌后的碳纳米管结构浸泡在所述多聚赖氨酸溶液或聚醚亚酰胺溶液中；以及用灭菌后的去离子水清洗浸泡过的碳纳米管结构以去除形成在该碳纳米管结构表面的多聚赖氨酸溶液或聚醚亚酰胺溶液。
11.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述培养基体由面状结构的载体及碳纳米管结构组成，所述对碳纳米管结构进行极性化处理的步骤包括提供一容器，并将所述培养基体置于该容器中，且所述载体设置于该容器与所述碳纳米管结构之间；对所述容器及培养基体进行灭菌处理；以及采用多聚赖氨酸溶液或聚醚亚酰胺溶液处理所述灭菌后的碳纳米管结构。
12.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞的步骤包括在所述碳纳米管结构的极性化表面种植所述神经细胞；以及培养种植在所述碳纳米管结构的极性化表面的神经细胞。
13.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述载体的材料为塑料、硅胶、碳纳米管片材或生物降解材料。
14.如权利要求I所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述培养基体进一步包括一容器，所述载体远离碳纳米管结构的表面固定于该容器的表面。
15.如权利要求13所述的培养基体的使用方法，其特征在于所述容器为培养皿或表面皿。
16.一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括 提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管线，该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔，且每个孔的有效直径大于等于待培养的神经突起的直径； 对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面； 在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。
全文摘要
本发明涉及一种培养基体的使用方法，该培养基体用于培养神经细胞的神经突起，该使用方法包括提供一培养基体，该培养基体包括一载体及一形成在该载体表面的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个间隔设置的碳纳米管线，且相邻的碳纳米管线之间的间距大于等于待培养的神经突起的直径；对所述碳纳米管结构进行极性化处理，使该碳纳米管结构具有一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面培养所述神经细胞，使得该神经细胞的神经突起沿着所述多个碳纳米管线生长。此外，所述碳纳米管结构还可以包括多个交叉设置的碳纳米管线，该多个碳纳米管线相互交叉形成多个孔，且每个孔的有效直径大于等于待培养的神经突起的直径。
文档编号C12N5/079GK102911913SQ20111021785
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月1日 优先权日2011年8月1日
发明者范立, 冯辰, 赵文美 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司