专利名称：高透过率触摸屏用透明导电玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种玻璃，尤其是一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃。
背景技术：
触摸屏主要应用于手机、GPS等终端设备上时，对显示出来的画面质量有较 大的影响。目前市场上主要的触摸屏用导电玻璃主要是两层膜结构，如图1所 示，在玻璃基片1上镀制有二氧化硅膜(Si02) 3a和铟锡氧化物半导体透明 导电膜(TTO) 4，这种导电玻璃的光线透过率较低，只能达到80% 81%，清晰 度较低。通常为了提高显示清晰度就必须要提高液晶显示器本身的发光亮度， 而提高发光亮度一方面增加了液晶显示器的功耗，另外一方面严重縮短了液晶 显示器的背光源寿命。 发明内容
发明目的针对目前触摸屏的光线透过率不高的现象，提供一种高透过率 的透明导电玻璃作为制作触摸屏用的导电电极，来提高触摸屏的可见光光线透 过率，使得液晶显示器显示更加清晰，降低能源消耗。
技术方案为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案如下 一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃，它包括玻璃基片，在玻璃基片的一
面上依次镀加有五氧化二铌膜、二氧化硅膜和铟锡氧化物半导体透明导电膜。 在玻璃基片的另外一面依次镀加有五氧化二铌膜和二氧化硅膜。 所述的二氧化硅膜的厚度为10至40 nm，五氧化二铌膜膜层厚度范围为40
至80 nm。
利用不同介质薄膜在特定厚度的光学折射率不同来进行叠加，形成光学干 涉效果，最终使得光学透过率增加，显得更加透明。
在电磁光谱可见部分，普通的平板玻璃(折射率ri=1.515)大约反射8.4% 入射光(从前面反射4.2%以及从后面反射4.2%)，这种反射在触摸屏的应用中， 使得可见光透过率下降很多，只能达到80%，但是当光线通过由不同折射率的薄 膜所形成的多层复合膜时，利用透明介质膜层的光学折射率的不同来形成光学 干涉效果，而最终获得减反射(AR)效应，使得可见光的光学透过率增加。有益效果本实用新型的高透过率触摸屏用透明导电玻璃的三层膜的产品 指标透过率大于93%，电阻率为1*E - 4 Q.cm， IT0薄膜均匀性土5呢； 五层膜的产品的指标透过率大于98 %，电阻率为1*E - 4 Q.cm， ITO 薄膜均匀性±5%，相比现有二层膜的产品指标透过率大于91%,电阻率为 1*E - 4 Q.cm，订0薄膜均匀性±7%，在透过率和ITO薄膜均匀性上均有明 显改善。采用这种高透过率的导电玻璃作为触摸屏的导电电极，能显著地提高 液晶显示器可见光透过率，提高液晶显示器的显示清晰度，降低了背光源的功 耗，提高了寿命，具有绿色环保效果。
图1为现有触摸屏用导电玻璃的结构示意图。 图2为本实用新型三层膜的结构示意图。 图3为本实用新型五层膜的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做更进一部的解释。
如图2所示，在超薄玻璃基片l上，用磁控中频反应溅射的方法，在玻璃基 片1的一面先镀制五氧化二铌膜(Nb205) 2a和二氧化硅膜(Si02) 3a，然后再采 用直流反应溅射工艺镀制铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO) 4，三层膜的结 构有效地提高了玻璃基片的光学透过率，并降低了玻璃基片的光学反射率，防止 玻璃眩光的产生。为了进一步提高其透过率，如图3所示，在玻璃基片1的另一 面，用同样的方法，镀加五氧化二铌膜(Nb205) 2b和二氧化硅膜(Si02) 3b，即 制成五层膜的结构，进一步提高其性能。所述的五氧化二铌膜(Nb205) 2a、 2b 也可以用二氧化钛膜(Ti02)、氮化硅(Si美)、三氧化二铝(A1A)等代替，所 述的五氧化二铌膜2a和2b或二氧化钛膜(Ti02)、氮化硅(Si3N4 )、三氧化二 铝(A1203)的膜层厚度范围为40至80 nm， 二氧化硅膜3a和3b的膜层厚度为 10至40 nm。
权利要求1、一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃，它包括玻璃基片(1)，其特征在于在玻璃基片(1)的一面上依次镀加有五氧化二铌膜(2a)、二氧化硅膜(3a)和铟锡氧化物半导体透明导电膜(4)。
2、 根据权利要求l所述的高透过率触摸屏用透明导电玻璃，其特征在于: 在玻璃基片(1)的另外一面依次镀加有五氧化二铌膜(2b)和二氧化硅膜(3b)。
3、 根据权利要求l或2所述的高透过率触摸屏用透明导电玻璃，其特征 在于所述的五氧化二铌膜(2a)和(2b)的膜层厚度为40至80 nm， 二氧化 硅膜(3a)和(3b)的膜层厚度为10至40 nm。
专利摘要本实用新型公开了一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃，它包括玻璃基片，在玻璃基片的一面上依次镀加有五氧化二铌膜、二氧化硅膜和铟锡氧化物半导体透明导电膜。在玻璃基片的另外一面依次镀加有五氧化二铌膜和二氧化硅膜。本实用新型的高透过率触摸屏用透明导电玻璃的三层膜的产品指标透过率大于93％，电阻率为1*E-4Ω.cm，ITO薄膜均匀性±5％；五层膜的产品的指标透过率大于98％，电阻率为1*E-4Ω.cm，ITO薄膜均匀性±5％，相比现有二层膜的产品指标透过率大于91％，电阻率为1*E-4Ω.cm，ITO薄膜均匀性±7％，在透过率和ITO薄膜均匀性上均有明显改善。
文档编号C03C17/34GK201309893SQ20082016050
公开日2009年9月16日 申请日期2008年10月10日 优先权日2008年10月10日
发明者俊 李 申请人:无锡康力电子有限公司