专利名称：蚀刻设备的反应槽装置的上电极的制作方法
技术领域：
蚀刻设备的反应槽装置的上电极技术领域[0001]本实用新型涉及一种电极，特别是涉及一种蚀刻设备的反应槽装置的上电极。
技术背景[0002]在电浆蚀刻制程中，上电极位于被蚀刻的玻璃基板上方，必须要有高电浆电阻，为 达到此目的，现有上电极的制造方式，是对上电极表面及上电极用于通入蚀刻气体的气孔 内缘进行阳极处理，使其产生薄薄的一层阳极膜，例如中国台湾申请号第88107375号专利 案。但是因为电浆蚀刻制程中会使用氟(F)、氯(Cl)等活性腐蚀气体，当阳极膜遭受到上述 腐蚀气体腐蚀后，会导致上电极失效，所以须先把腐蚀后的阳极膜除去，重新长出阳极膜。[0003]阳极膜再生时，先借腐蚀液以化学蚀刻方式将旧阳极膜除去，然后再重新生成阳 极膜，但是此再生方式除了会导致上电极变薄外，还会使上电极用于通入蚀刻用气体的气 孔产生扩孔现象，易造成蚀刻用气体流量变化，而影响蚀刻制程品质，所以对于气孔的耐腐 蚀设计，确实有改良的必要。发明内容[0004]本实用新型的目的在于提供一种用于蚀刻设备的反应槽装置且方便维修使用的 上电极。[0005]本实用新型蚀刻设备的反应槽装置的上电极，包含一个电极板，及多个嵌装固定 于该电极板中的陶瓷管。该电极板包括一个电极本体，该电极本体底面穿设有多个气孔，陶 瓷管与气孔连通地分别同轴塞装固定于气孔中。[0006]较佳地，前述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，所述陶瓷管分别塞装固定于气 孔的下半部中。[0007]较佳地，前述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，所述陶瓷管完全遮蔽气孔内周 缘地分别塞装固定于气孔中。[0008]较佳地，前述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，该电极板还包含一个被覆于电 极本体底面的表面处理层。[0009]本实用新型的有益效果在于通过在该电极本体的气孔中分别塞装陶瓷管的结构 设计，可利用陶瓷管具有良好耐腐蚀性，不易被腐蚀产生扩孔的特点，使腐蚀性气体的进气 量可长时间维持在预定范围内，进而可将蚀刻品质长期维持在一定水准以上，并减少上电 极维修频率。
[0010]图1是本实用新型蚀刻设备的反应槽装置的上电极的一实施例的立体图；[0011]图2是该实施例安装于一个反应槽体时的侧视剖视图；[0012]图3是类似图2的视图，说明该实施例的另一种实施态样。
具体实施方式
[0013]
以下结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。[0014]如图1、2所示，本实用新型蚀刻设备的反应槽装置的上电极3的一实施例，适用于 安装盖设在一个反应槽体901上，而位于一个下电极902正上方，并用于连通安装在一个供 应腐蚀性气体的气体输入设备800，可将蚀刻玻璃(图未示)的腐蚀性气体导入反应槽体 901内，该腐蚀性气体为氟(F)、氯(Cl)…等气体。[0015]该上电极3包含一个多孔状的电极板31，及多个嵌穿安装固定于该电极板31中的 中空管状的陶瓷管32。该电极板31具有一个平板状的电极本体311，及一个被覆固定于该 电极本体311底面的表面处理层313，电极本体311底面穿设有多个往上延伸贯穿的气孔 312。[0016]该表面处理层313由具有耐腐蚀特性的金属氧化物制成，例如阳极膜，或者是陶 瓷粉粒熔射构成的氧化铝材质的陶瓷熔射层。由于表面处理层313为一般构件，且类型众 多，不再详述，且实施时不以上述种类为限。[0017]陶瓷管32与气孔312连通地分别同轴塞装固定于气孔312中，并分别沿气孔312 长度方向延伸，而完全遮蔽气孔312内周缘。[0018]当将本实用新型上电极3安装盖设于反应槽体901，并用于导入蚀刻用的腐蚀性 气体时，将腐蚀性气体经陶瓷管32而导引入反应槽体901内部，进行玻璃蚀刻制程。此时， 由于陶瓷管32具有很好的耐腐蚀性，不易被通过的腐蚀性气体腐蚀，所以除了可利用陶瓷 管32遮蔽保护气孔312内周缘，而有效避免气孔312孔缘被腐蚀产生扩孔现象，进而延长 电极本体311的使用寿命外，也可借陶瓷管32 口径可长时间维持在适当大小范围内的特 点，使注入反应槽体901中的腐蚀性气体的注入量，可长时间维持在预定范围内，可改善一 般上电极因气孔扩孔，造成腐蚀性气体注入量改变，进而造成蚀刻制程变化的现象。[0019]当陶瓷管32使用一段时间后，被逐渐腐蚀至口径过大或出现受损迹象时，便可进 行陶瓷管32的拆换，由于气孔312内周缘一直受到陶瓷管32的遮蔽保护，所以不会有腐蚀 扩孔现象，所以可直接将受损的陶瓷管32拆离气孔312后，再重新于气孔312中塞装固定 相同管径的陶瓷管32，且可只拆换受损的陶瓷管32，不需将整个电极本体311与所有陶瓷 管32 —起换掉，该电极本体311可一再重复使用，相当方便且环保。再加上该陶瓷材质的 陶瓷管32的耐腐蚀性会明显优于一般阳极膜，所以可相对延长该上电极3的使用寿命，而 相对减少上电极3的维修拆换频率。[0020]当该表面处理层313也被蚀刻用腐蚀性气体侵蚀至一定程度后，可将该表面处理 层313剥除，再重新被覆上一层新的表面处理层313，或者是直接对受损的表面处理层313 进行修补，使该表面处理层313恢复原有耐腐蚀功能。但是实施时，该表面处理层313并非必要。[0021]在本实施例中，陶瓷管32长度设计为可完全遮蔽气孔312的内周缘，但是实施时， 陶瓷管32不以完全遮蔽气孔312内周缘为必要，也可采用如图3所示的长度设计，也就是， 陶瓷管32的长度短于气孔312的延伸长度，且陶瓷管32分别安装固定于气孔312邻近该 反应槽体901的下半部中，而只遮蔽气孔312下半部内周缘。通过此设计，同样可利用陶瓷 管32的耐腐蚀性，使陶瓷管32 口径长时间维持在适当范围内，相对使得腐蚀性气体的注入 量可长时间维持在预定范围内，就算气孔312未被陶瓷管32遮蔽的上半部有被腐蚀产生扩孔现象，也不会影响到经陶瓷管32注入的腐蚀性气体的量。[0022] 综上所述，通过在该电极本体311的气孔312中分别塞装固定陶瓷管32的结构设 计，可利用陶瓷管32具有良好耐腐蚀性，不易被腐蚀产生扩孔的特点，有效遮蔽保护电极 本体311的气孔312内周缘，并使腐蚀性气体的进气量维持在预定范围内，进而可将蚀刻品 质长期维持在一定水准以上，并可相对延长上电极3的使用寿命，减少维修拆换频率。而陶 瓷管32的拆换，也相当简单，完全不需使用到任何化学蚀刻手段，所以不会对电极本体311 的结构产生影响，该电极本体311可一再重复使用，相对较为环保，并可降低设备成本，相 当方便实用。
权利要求1.一种蚀刻设备的反应槽装置的上电极，包含一个电极板，该电极板包括一个底面穿 设有多个气孔的电极本体，其特征在于该上电极还包含多个与气孔连通地分别同轴塞装 固定于气孔中的陶瓷管。
2.根据权利要求1所述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，其特征在于陶瓷管塞装 固定于气孔的下半部中。
3.根据权利要求1所述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，其特征在于陶瓷管完全 遮蔽气孔内周缘地塞装固定于气孔中。
4.根据权利要求1、2或3所述的蚀刻设备的反应槽装置的上电极，其特征在于该电 极板还包括一个被覆于电极本体底面的表面处理层。
专利摘要一种蚀刻设备的反应槽装置的上电极，包含一个电极板，及多个嵌装固定于电极板中的陶瓷管。该电极板包括一个电极本体，该电极本体底面穿设有多个气孔，陶瓷管与气孔连通地分别同轴塞装固定于气孔中。通过在该电极本体的气孔中分别塞装陶瓷管的结构设计，可利用陶瓷管具有良好耐腐蚀性，不易被腐蚀产生扩孔的特点，使腐蚀性气体的进气量维持在预定范围内，进而可将蚀刻品质长期维持在一定水准以上，并减少上电极维修频率。
文档编号C03C15/00GK201817398SQ20102056963
公开日2011年5月4日 申请日期2010年10月21日 优先权日2010年10月21日
发明者周峙丞, 张国钦 申请人:汉泰科技股份有限公司