专利名称：两喷一烧低温烧成喷涂工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于搪瓷产品生产制造技术领域，具体涉及一种两喷一烧低温烧成喷涂工艺。
背景技术：
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目前，市场上的搪瓷制品一般包括制坯、制釉、涂搪、烧成、饰花等工艺，在预先冲压或铸造成型的金属坯上先涂敷底釉，烧成后再涂敷面釉然后再烧成，即传统的两搪两烧工艺，传统的两搪两烧工艺，需要经过两遍烧结，既不符合节能减排的国家政策，又给企业造成经济上的损失，成本高、效益低，这一问题一直困绕着企业的发展。发明内容:
综上所述，为了克服现有技术问题的不足，本发明提供了一种两喷一烧低温烧成喷涂工艺，它是在搪瓷制品生产中，在金属坯上先涂敷底釉，再涂敷面釉，最后再一次性烧成，从而节约一次烧结工序，可有效的降低企业生产成本，提高搪瓷制品的生产效率，节约流程，同时又能够满足国家节能减排的需要。为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的:
一种两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其中:包括以下工艺步骤:
A、底釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:40 60%，三氧化二硼:8 15%，三氧化二铝:3 9%，氧化I丐:2.0 5%,氧化钾:6 10%,氧化镍:1.0 5%,氧化锌5.0 15%,氧化钠:5.5 9%，氧化钛:3.0 4%，氧化锆:1.0 4% ;氧化锂:0.7 4%，然后将上述原料加入1150 1300°C的炉内f 2小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成底釉粉末，底釉粉末经高分子有机物化进行包裹处理；
B、面釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:35.2 39.5%，三氧化二硼:12 13.9%，三氧化二铝:4 7.5%,氧化钾:3.1 4%,氧化钠:13.8 16.3%,氧化钛:15.5 17.5%,氧化镁:1 2.5%，五氧化二磷:3.4 4.8%，氧化钴:0.001 0.003%，氟:1.6 4.0%，将上述原料加入1250 1300 0C的炉内2 3小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成面釉粉末，面釉粉末经高分子有机硅烷化合物进行包裹处理；
C、坯体处理
将制造成型的工件坯体经过酸洗脱脂、清水漂洗、配洗除锈、清水漂洗、中和后，进行电泳披镍，使还体表面钝化；
D、喷涂
将处理后的工件坯体进入自动喷涂生产线，自动旋转至底釉喷涂，完成一搪，然后旋转至面轴嗔涂，完成二 塘；
E、烧结
将喷涂后的工件送至温度为780 800度的炉窑内进行烧成，时间为5 7分钟。本发明的技术方案还可以是这样实现的:所述的步骤A底釉制作中，所述底釉粉末的粒度为250目。
本发明的技术方案还可以是这样实现的:所述的步骤B面釉制作中，所述的面釉粉末的粒度为250目。本发明的技术方案还可以是这样实现的:所述的步骤D喷涂中，喷涂电压为70 90KV，喷涂电流为10 30UA，喷枪与工件坯体间的喷涂距离为10 25cm。本发明的技术方案还可以是这样实现的:所述的步骤E烧结中，工件处于氧化气氛下烧结。本发明的有益效果为:
1、本发明是在搪瓷制品生产中，采用静电干法两喷一烧生产工艺，即在经过表面处理后的金属基体上先喷涂底釉，紧接着喷涂面釉，一次性高温烧成，从而节约一次烧成工序，这在当代搪瓷行业中是较为先进的生产工艺，它能降低瓷釉消耗量，节省劳动力，节约能源，提高搪瓷制品的生产效率，减少流程，同时又能满足国家节能减排需要，更适应连续化、自动流水线生产。2、本发明适用于日用搪瓷制品的生产，更适用于面积较大、造型平坦的制品，如:灶具、搪瓷面板和高层建筑使用的装饰板等产品，与传统工艺相比，它具有表面光洁细腻、内在质量坚固、性能稳定，具有耐酸、耐碱、耐大气腐蚀、耐高温、耐冲击，是环保高效的新型材料，市场潜力大，发展前景广阔，产品利润空间高，在国际市场具有较强的竞争和生命力。3、本发明的底釉及面釉中无需添加粘土和各种电解质，烧成的瓷面光洁致密，气孔率低，杂点、异色明显减少，本发明较为完善地改变了传统工艺中排气方向从非搪瓷面逐渐逸出弥散，很难再形成直达搪瓷面的气体通道，避免了类似针孔、气泡等外观缺陷。4、本发明资源利用率高，底釉粉末或面釉粉末利用率可达98%以上，喷涂质量优良，瓷面均匀，厚薄一致，提高了产品档次和产品附加值。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。实施例一:
本实施例两喷一烧低温烧成喷涂工艺，生产厚度为0.8毫米，长800毫米，宽450毫米搪瓷面板，采用如下工艺步骤:
A、底釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:40%，三氧化二硼:8%，三氧化二铝:9%，氧化钙:5%，氧化钾:10%,氧化镍:5%，氧化锌5%,氧化钠:6%，氧化钛:4%，氧化错:4% ;氧化锂:4%，然后将上述原料加入1150 1300°C的炉内90分钟，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成底釉粉末，底釉粉末经高分子有机物化进行包裹处理，底釉粉末的粒度为250目；
B、面釉制作
按重量百分比称量二氧化娃:35.2%,三氧化二硼:12%,三氧化二招:7%，氧化钾:4%，氧化钠:16%,氧化钛:15.5%,氧化镁:2%,五氧化二磷:4%,氧化钴:0.003%,氟:4.0%,余量为杂质，将上述原料加入1250 1300°C的炉内3小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成面釉粉末，面釉粉末经高分子有机硅烷化合物进行包裹处理，面釉粉末的粒度为250目；
C、坯体处理将制造成型的工件坯体经过酸洗脱脂、清水漂洗、配洗除锈、清水漂洗、中和后，进行电泳披镍，使还体表面钝化；
D、喷涂
将处理后的工件坯体进入自动喷涂生产线，自动旋转至底釉喷涂，完成一搪，然后旋转至面釉喷涂，完成二搪；喷涂电压为70KV，喷涂电流为10UA，喷枪与工件坯体间的喷涂距离为 IOcm ；
E、烧结
将喷涂后的工件送至温度为780 800度的炉窑内进行烧成，时间为5 7分钟。工件处于氧化气氛下烧结。实施例二:
本实施例两喷一烧低温烧成喷涂工艺，生产厚度为0.6毫米，直径为500毫米的搪瓷圆盘，采用如下工艺步骤:
A、底釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:60%，三氧化二硼:12%，三氧化二铝:3%，氧化钙:2.0%，氧化钾:6%,氧化镍:1.0%,氧化锌5.0%,氧化钠:5.5%,氧化钛:3.0%,氧化错:1.0% ;氧化锂:
1.5%，然后将上述原料加入1150 1300°C的炉内100分钟，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成底釉粉末，底釉粉末经高分子有机物化进行包裹处理，底釉粉末的粒度为250目；
B、面釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:39.5%，三氧化二硼:18%，三氧化二铝:4%，氧化钾:3.1%，氧化钠:13.8%,氧化钛:15.5%,氧化镁:1%,五氧化二磷:3.4%,氧化钴:0.001%,氟:1.6%,余量为杂质，将上述原料加入1250 1300°C的炉内2.5小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成面釉粉末，面釉粉末经高分子有机硅烷化合物进行包裹处理，面釉粉末的粒度为250目；
C、坯体处理
将制造成型的工件坯体经过酸洗脱脂、清水漂洗、配洗除锈、清水漂洗、中和后，进行电泳披镍，使还体表面钝化；
D、喷涂
将处理后的工件坯体进入自动喷涂生产线，自动旋转至底釉喷涂，完成一搪，然后旋转至面釉喷涂，完成二搪；喷涂电压为90KV，喷涂电流为30UA，喷枪与工件坯体间的喷涂距离为 25cm ；
E、烧结
将喷涂后的工件送至温度为780 800度的炉窑内进行烧成，时间为5 7分钟。工件处于氧化气氛下烧结。实施例三:
本实施例两喷一烧低温烧成喷涂工艺，生产厚度为0.5毫米，直径为400毫米的搪瓷面盆，采用如下工艺步骤:
A、底釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:50%，三氧化二硼:10%，三氧化二铝:5%，氧化钙:3%，氧化钾:6%,氧化镍:2%,氧化锌10%,氧化钠:7%，氧化钛:3.5%,氧化错:2% ;氧化锂:1.5%,然后将上述原料加入1150 1300°C的炉内80分钟，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成底釉粉末，底釉粉末经高分子有机物化进行包裹处理，底釉粉末的粒度为250目；
B、面釉制作
按重量百分比称量二氧化硅:37%，三氧化二硼:13%，三氧化二铝:6%，氧化钾:3.6%，氧化钠:15%,氧化钛:16.5%,氧化镁:2%,五氧化二磷:5%,氧化钴:0.002%,氟:1.8%,余量为杂质，将上述原料加入1250 1300°C的炉内2小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成面釉粉末，面釉粉末经高分子有机硅烷化合物进行包裹处理，面釉粉末的粒度为250目；
C、坯体处理
将制造成型的工件坯体经过酸洗脱脂、清水漂洗、配洗除锈、清水漂洗、中和后，进行电泳披镍，使还体表面钝化；
D、喷涂
将处理后的工件坯体进入自动喷涂生产线，自动旋转至底釉喷涂，完成一搪，然后旋转至面釉喷涂，完成二搪；喷涂电压为80KV，喷涂电流为20UA，喷枪与工件坯体间的喷涂距离为 15cm ；
E、烧结
将喷涂后的工件送至温度为780 800度的炉窑内进行烧成，时间为5 7分钟。工件处于氧化气氛下烧结。最后，还需 要注意的是，以上列举的仅是本发明的若干个具体实施例子。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。
权利要求
1.一种两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其特征在于:包括以下工艺步骤: A、底釉制作 按重量百分比称量二氧化硅:40 60%，三氧化二硼:8 15%，三氧化二铝:3 9%，氧化I丐:2.0 5%,氧化钾:6 10%,氧化镍:1.0 5%,氧化锌5.0 15%,氧化钠:5.5 9%，氧化钛:3.0 4%，氧化锆:1.0 4% ;氧化锂:0.7 4%，然后将上述原料加入1150 1300°C的炉内I 2小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成底釉粉末，底釉粉末经高分子有机物化进行包裹处理； B、面釉制作 按重量百分比称量二氧化硅:35.2 39.5%，三氧化二硼:12 13.9%，三氧化二铝:4 7.5%,氧化钾:3.1 4%,氧化钠:13.8 16.3%,氧化钛:15.5 17.5%,氧化镁:1 2.5%，五氧化二磷:3.4 4.8%，氧化钴:0.001 0.003%,氟:1.6 4.0%，将上述原料加入1250 1300°C的炉内2 3小时，进行充分混合、熔制，生产出熔块，然后经球磨、烘干制成面釉粉末，面釉粉末经高分子有机硅烷化合物进行包裹处理； C、坯体处理 将制造成型的工件坯体经过酸洗脱脂、清水漂洗、配洗除锈、清水漂洗、中和后，进行电泳披镍，使还体表面钝化； D、喷涂 将处理后的工件坯体进入自动喷涂生产线，自动旋转至底釉喷涂，完成一搪，然后旋转至面轴嗔涂，完成~■塘； E、烧结 将喷涂后的工件送至温度为780 800度的炉窑内进行烧成，时间为5 7分钟。
2.根据权利要求1所述的两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其特征在于:所述的步骤A底釉制作中，所述底釉粉末的粒度为250目。
3.根据权利要求1所述的两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其特征在于:所述的步骤B面釉制作中，所述的面釉粉末的粒度为250目。
4.根据权利要求1所述的两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其特征在于:所述的步骤D喷涂中，喷涂电压为70 90KV，喷涂电流为10 30UA，喷枪与工件坯体间的喷涂距离为10 25cm0
5.根据权利要求1所述的两喷一烧低温烧成喷涂工艺，其特征在于:所述的步骤E烧结中，工件处于氧化气氛下烧结。
全文摘要
本发明属于搪瓷产品生产制造技术领域，具体涉及一种两喷一烧低温烧成喷涂工艺。本发明是在搪瓷制品生产中，在金属坯上先涂敷底釉，再涂敷面釉，最后再一次性烧成，从而节约一次烧结工序，可有效的降低企业生产成本，提高搪瓷制品的生产效率，节约流程，同时又能够满足国家节能减排的需要。本发明的底釉及面釉中无需添加粘土和各种电解质，烧成的瓷面光洁致密，气孔率低，杂点、异色明显减少，本发明较为完善地改变了传统工艺中排气方向从非搪瓷面逐渐逸出弥散，很难再形成直达搪瓷面的气体通道，避免了类似针孔、气泡等外观缺陷。
文档编号C03C8/22GK103194754SQ20131015145
公开日2013年7月10日 申请日期2013年4月27日 优先权日2013年4月27日
发明者李景学, 师媛媛, 雷庆田, 潘雨露, 徐其贤, 赵辉, 王志刚, 陈婕 申请人:河南金丹搪瓷有限公司