本发明涉及石英晶片加工技术领域，具体的说，涉及了一种晶砣切割方法。
背景技术：
目前，石英晶片的加工过程是先将晶砣切割成一个个的石英晶片成品，然后再将这些石英晶片成品进行封装成半导体晶片。其中晶砣的切割过程非常重要，现有技术中一般采用两种方法对晶砣进行切割，一种是采用刀片，通过机械的方式来切割晶砣，采用这种方式成本低，但是由于晶砣中晶圆本身较薄而且脆，因此非常容易使晶圆破损，而且切割之后晶圆的切割处也会有明显的崩边并容易产生粉尘污染，另一种为激光切割，这种方法虽然没有机械切割的上述缺点，但是它成本非常昂贵，因此目前应用也不广。
为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
技术实现要素：
本发明的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种成本低廉、能有效减少晶片污染的晶砣切割方法。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种晶砣切割方法，其步骤包括：
（1）提供一种基板，将晶砣粘结在所述基板上并采用研磨机对所述晶砣进行研磨处理，得到晶砣磨削体；
（2）采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；其中，所述水基游离磨料切割液由切割砂、水基切割液原液、防锈剂和纯水组成。
基于上述，所述的晶砣切割方法还包括用水对所述晶砣切割体进行浸泡或喷淋处理，制得洁净晶砣切割体的步骤。
基于上述，在所述水基游离磨料切割液中，所述切割砂、所述水基切割液原液、所述防锈剂和所述纯水的质量比为（1～3）：（0.5～3）：0.1：1.2。
基于上述，所述水基切割液原液由质量比为1：（0.5～2）的丙三醇和二乙二醇组成。
基于上述，所述切割砂为1000目～1200目的绿碳化硅。
基于上述，所述防锈剂为亚硝酸钠、亚硫酸钠、十二烷基磺酸钠中的一种或几种的组合。
基于上述，所述步骤（1）中所述基板为玻璃板，所述玻璃板的平行度小于0.01mm，所述玻璃板的平面度小于0.01mm。
本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具体的说，本发明所提供的晶砣切割方法中，采用水基游离磨料切割液对晶砣磨削体进行线切割处理，整个晶砣切割方法过程中不会对员工呼吸道产生伤害，并且晶砣经切割加工后设备表面积砂少，晶砣表面、线切割的线棍表面及滑轮表面均无油迹，采用自来水直接清洗即可，无需经过煤油淋洗和洗衣粉清洗且清洗后的晶砣表面无油渍残留、洁净度较高，故不影响后道工序的加工精度。因此，本发明提供的晶砣的切割方法大大的降低了生产成本，节省了清洗晶砣的时间，提高了工作效率，改善了员工的工作环境，解决了因为油渍造成的现场“5s”管理困难的局面。
具体实施方式
下面通过具体实施方式，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤包括：
（1）将晶砣粘结在平行度和平面度均小于0.01mm的玻璃板上得到晶砣磨削载体，然后将至少两组所述晶砣磨削载体置于平面研磨设备中，对所述晶砣磨削载体统一进行磨削处理，得到晶砣磨削体；
（2）将所述晶砣磨削体固定在线切割机上，采用水基游离磨料切割液对所述晶砣磨削体进行线切割处理，得到晶砣切割体；
其中，所述水基游离磨料切割液由质量比为2.25：2.25：0.1：1.2的1000目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：1的丙三醇和二乙二醇组成。
实施例2
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤与实施例1中的步骤大致相同，不同之处在于：本实施例中所述水基游离磨料切割液由质量比为3：3：0.1：1.2的1200目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：2的丙三醇和二乙二醇组成。
实施例3
本实施例提供一种晶砣切割方法，其步骤与实施例1中的步骤大致相同，不同之处在于：本实施例中所述水基游离磨料切割液由质量比为2：1.5：0.1：1.2的1050目的绿碳化硅微粉、水基切割液原液、亚硝酸钠和纯水组成；所述水基切割液原液由质量比为1：1.5的丙三醇和二乙二醇组成。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。