一种硅片的二次切割方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于直拉娃单晶切割技术领域，尤其是设及一种用多线切割机将已切割多 个娃片再次进行二次切割的方法。
【背景技术】
[0002] 当今市场，超大规模集成电路大多数用直拉娃片作为衬底材料，娃片的大直径化 与高表面平整度是其发展的主要方向，多线切割技术在提高娃片平整度W及表面几何参数 方面与其它设备（内圆切片机等）相比具有较大优势。W往在多线切割中通过多线切割机 一次性将娃单晶棒切割成一定厚度的娃片，从而实现娃片的批量切割。而在实际应用中，需 要将大量娃片再次切割一分为二，W适应娃片的特殊用途，运在目前的多线切割技术中很 难实现。
[0003] 在某些器件的制造过程中，使用带重渗杂扩散层的娃抛光片代替娃外延片W降低 成产成本，其制造过程如图1所示，在扩散炉中，N型（憐）轻度渗杂（用N-表示）的娃研 磨片的两面都暴露在憐的扩散气氛中，经过长时间高溫憐扩散，娃研磨片的两面都会形成 对称的N型（憐）重度渗杂区域（用N+表示）。目前普遍采用的制备流程中（如图1所 示）扩散后的娃研磨片经过单面的研磨减薄和抛光加工，去掉一面重度渗杂区域，形成一 片具有N-/N+结构的娃抛光片，但运种方式不仅浪费原材料，而且生产效率相对较低，不利 于大批量生产。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，本发明旨在提出一种娃片的二次切割方法，W解决现有技术存在的问 题。
[0005] 为达到上述目的，本发明的技术方案是运样实现的：
[0006] 一种娃片的二次切割方法，所述切割方法采用常规的多线切割方法，其特征在于， 包括如下步骤：
[0007] (1)定位槽切割：在一次切割过程前，首先在娃单晶上切割二次切割用刀口定位 槽，其目的用于二次切割找正，然后对娃单晶进行一次切割；
[0008] (2)娃片固定：将一次切割后的娃片经过扩散减薄分选后得到待二次切割娃片， 将待二次切割娃片并排等间距或紧密固定在娃片分切固定件中，并保持所述定位槽在同一 水平线上，形成一个整体工件并用水胶固定；
[0009] (3)定位切割：将步骤（2)中粘结好的整体工件通过树脂条固定在多线切割机上 或直接固定在多线切割机上，将切割线逐一对准固定在娃片分切固定件中的娃片的定位槽 进行找正定位，定位准确后沿该定位槽进行切割将娃片一分为二。
[0010] 进一步的，所述步骤（3)中的待二次切割娃片并排等间距固定在娃片分切固定件 中，采用的找正定位方式为将该娃片分切固定件中的娃片间隙对准切割钢线的线网间隙和 娃片定位槽中屯、线对准切割线的双找正定位方式。
[0011] 进一步的，所述步骤（3)中待二次切割娃片并排紧密叠放在娃片分切固定件中粘 结固定，采用的找正定位方式为水平与垂直方向的四向定位测量方式。
[0012] 进一步的，所述定位槽深度为l-2mm。
[0013] 更进一步的，所述的娃片的二次切割技术用于娃片扩散后的二次切割工艺，将扩 散处理后的娃片进行二次切割后再进行扩散减薄。
[0014] 相对于现有技术，本发明所述的娃片的二次切割方法具有W下优势：
[0015] 本发明中的方法将多个娃片预先设置定位槽，并将一次切割后的娃片沿定位槽 刀口紧密或等间距叠放，并借助分切固定件与树脂条粘接，然后固定在多线切割机上，用多 线切割机完成娃片的二次切割，切割成两倍数量更薄的娃片，此技术可W改变多线切割机 只能切割单晶娃棒而不能切割娃片的状况。在生产带重渗杂扩散层的娃抛光片过程中，使 用该发明的方法，可将多个扩散后的娃片一分为二，再对得到的两倍数量的娃片的切割面 进行研磨减薄抛光加工，得到两倍数量的具有N-/N+结构的娃抛光片。运样在很大程度上 提高了原材料的利用率，并大大降低了器件生产成本，将该发明所述方法用于带重渗杂扩 散层的娃抛光片生产，能够将厚的小于l-2mm的娃片进行二次切割，约可降低50%的单片 电耗。
[0016] 本发明还提出一种适用于娃片的二次切割方法中的娃片分切固定件，W实现娃片 的二次切割。
[0017] 为达到上述目的，本发明的技术方案是运样实现的：
[0018] 一种娃片分切固定件，所述娃片分切固定件为娃片分切模具，且待二次切割娃片 并排等间距固定所述娃片分切模具中，其中所述娃片分切模具是由两块平行侧板与两块平 行连接板围成的上下开放的长方体结构，所述侧板的内侧均匀分布有若干凹槽，且两块平 行侧板上的凹槽一一对应，所述凹槽的宽度与待切割娃片宽度一致，用于固定所述待切割 娃片。
[0019] 进一步的，所述分切模具的横截面为"H"形结构；所述模具的高度h=娃片直径 + (2-3)mm;所述模具内凹槽间隙宽度L=娃片厚度+(l-2)mm。
[0020] 更进一步的，所述侧板与所述连接板均为绝缘板。
[0021] 作为另一个优选方案，所述娃片分切固定件，包括一直角台和一重力压块，且待二 次切割娃片紧密叠放在所述直角台上，所述重力压块位于所述倾斜直角台尾端，用于压紧 娃片。
[0022] 进一步的，所述直角台在固定娃片时倾斜放置。
[0023] 相对于现有技术，本发明所述的娃片分切固定件具有W下优势：
[0024] 倾斜设置的直角台和重力压块配合可W更好的定位分切娃片切割前精度，保证娃 片粘接90°的同时，保证娃片间缝隙W及厚度散差最小；娃片分切模具采用娃片间分离固 定方式，此方式可避免娃片合并产生的累计误差，同时本发明的分切模具上端具有导向延 伸设计可提升多线切割机入刀精度；下端的树脂条空隙结构可更好地保证粘接精度，使得 切割后娃片TTV与厚度散差与一次切割娃片相差无几。
【附图说明】
[00巧]构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实 施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
[0026] 图1为现有技术中重渗杂扩散层的娃抛光片的制备流程；
[0027] 图2为本发明重渗杂扩散层的娃抛光片的制备流程；
[0028] 图3为本发明的二次切割方法中的娃片分切模具的结构示意图；
[0029] 图4应用一种娃片分切固定件-娃片分切模具对娃片进行固定切割的结构示意 图；
[0030] 图5应用另一种娃片分切固定件对娃片进行二次切割固定的结构示意图。
【具体实施方式】
[0031] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。
[0032] 下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
[0033] -种娃片的二次切割方法，所述切割方法采用常规的多线切割方法，其特征在 于，包括如下步骤：
[0034] (1)定位槽切割：在一次切割过程前，首先在娃单晶上切割二次切割用刀口定位 槽，其目的用于二次切割找正，然后对娃单晶进行一次切割；
[0035] (2)娃片固定：将一次切割后的娃片经过扩散减薄分选后得到待二次切割娃片， 将待二次切割娃片并排等间距或紧密固定在娃片分切固定件中，并保持所述定位槽在同一 水平线上，形成一个整体工件并用水胶固定；
[0036] (3)定位切割：将步骤（2)中粘结好的整体工件通过树脂条固定在多线切割机上 或直接固定在多线切割机上，将切割线逐一对准固定在娃片分切固定件中的娃片的定位槽 进行找正定位，定位准确后沿该定位槽进行切割将娃片一分为二。
[0037] 其中，所述步骤（3)中的待二次切割娃片并排等间距固定在娃片分切固定件中， 采用的找正定位方式为将该娃片分切固定件中的娃片间隙对准切割钢线的线网间隙和娃 片定位槽中屯、线对准切割线的双找正定位方式；若所述步骤（3)中待二次切割娃片并排紧 密叠放在娃片分切固定件中粘结固定，采用的找正定位方式则为水平与垂直方向的四向定 位测量方式；上述步骤中，无论采取哪种娃片固定方式或找正方式，所述定位槽深度均为 l-2mm〇
[0038] 上述娃片的二次切割技术用于娃片扩散后的二次切割工艺，将扩散处理后的娃片 进行二次切割后再进行扩散减薄。
[0039] 本发明中的方法将多个娃片预先设置定位槽，并将一次切割后的娃片沿定位槽刀 口紧密叠放，并借助分切固定件与树脂条粘接，然后固定在多线切割机上或直接固定在多 线切割机上，用多线切割机完成娃片的二次切割，切割成两倍数量更薄的娃片，此技术可W 改变多线切割机只能切割单晶娃棒而不能切割娃片的状况。在生产带重渗杂扩散层的娃抛 光片过程中，使用该发明的方法，可将多个扩散后的娃片一分为二，再对得到的两倍数量的 娃片的切割面进行研磨减薄抛光加工，得到两倍数量的具有N-/N+结构的娃抛光片。运样 在很大程度上提高了原材料的利用率，并大大降低