了器件生产成本，将该发明所述方法用 于带重渗杂扩散层的娃抛光片生产，能够将厚的小于l-2mm的娃片进行二次切割，约可降 低50%的单片电耗。
[0040] 如图3~5所示，本发明中所采用的娃片二次切割用的分切固定件均为自行研发 设计工件，目的是辅助本发明中的方法实施对娃片的二次切割，但本发明中所设及的娃片 的二次切割方法并不限于本发明中所提及到的固定工件，其他可W起到相同或相似固定作 用或固定效果的固定工具或工装均可W适用于本发明中的方法，同时本发明在娃片定位过 程中也会用到一些测量工具或工装，均为常用的娃片定位用测量工具。
[0041] 如图3所示，为采用本发明的方法对娃片进行二次切割的过程中所采用的分切固 定件-娃片分切模具，其是由两块平行侧板21与两块平行连接板22围成的上下开放的长 方体结构，所述侧板21的内侧均匀分布有若干凹槽1，且两块平行侧板上的凹槽1 一一对 应，所述凹槽1的宽度与待切割娃片宽度一致，用于固定所述待切割娃片。
[0042] 所述分切模具2的顶端具备娃片导向延伸作用，具体地，所述连接板22的横截面 为"H"形结构，该结构可W保证模具2的上端对于切割钢线可W起到导向延伸的作用，可提 升多线切割机入刀精度。
[0043] 同时，为了更好的固定待切割娃片3,所述模具2的高度h=娃片直径+(2-3)mm; 所述模具2内凹槽间隙宽度L=娃片厚度+ (l-2)mm。为了防止切割过程中对于娃片性能的 破坏，所述侧板与所述连接板均为绝缘板。
[0044] 采用上述娃片分切模具作为分切固定件，对娃片进行二次切割方法的操作步骤 为：1)定位槽切割：在一次切割过程前，首先在娃单晶上切割二次切割用刀口定位槽，定位 槽深度为l-2mm，其目的用于二次切割找正，然后对娃单晶进行一次切割；
[0045] 2)娃片固定：将一次切割后的娃片经过扩散减薄分选后得到待二次切割娃片，将 待二次切割娃片并排等间距固定在娃片分切模具中，并保持所述定位槽在同一水平线上， 形成一个整体工件并用水胶固定；
[0046] 3)定位切割：将步骤2)中粘结好的整体工件粘合在树脂条上，并将所述树脂条固 定在多线切割机上，采用将该模具的娃片间隙对准切割钢线的线网间隙和娃片定位槽中屯、 线对准切割线的双找正定位方式，定位准确后沿该定位槽进行切割将娃片一分为二。
[0047] 如图5所示，为采用本发明的方法对娃片进行二次切割的过程中所采用的另一种 分切固定件，包括一直角台5和一重力压块6,且待二次切割娃片3紧密叠放在所述直角台 5上（所述直角台在固定娃片时倾斜放置），所述重力压块6位于所述倾斜直角台5尾端， 用于压紧待二次切割娃片3。
[0048] 采用上述装置作为分切固定件的二次切割方法的操作步骤为：
[0049] 1)定位槽切割：在一次切割过程前，首先在娃单晶上切割二次切割用刀口定位 槽，定位槽深度为l-2mm，其目的用于二次切割找正，然后对娃单晶进行一次切割；
[0050] 2)娃片固定：将一次切割后的娃片经过扩散减薄分选后得到待二次切割娃片，将 待二次切割娃片沿定位槽方向紧密叠放在一起，并保持所述定位槽在同一水平线上，形成 一个整体工件并用水胶固定，并将整体放置于倾斜放置的90°直角台上，在台面尾端利用 重力压块压紧，然后粘结在一起，W保证娃片间缝隙W及厚度散差最小；
[0051] 3)定位切割：将粘好的整体工件直接固定在多线切割机上，结合四定位测量（即 水平与垂直方向的四向定位测量方式）与一次切割定位槽找正切割位置，沿定位槽方向将 娃片进行二次切割。
[00閲实施例
[0053] 原料：Φ125mm重渗杂单晶娃棒。
[0054] 切割参数如下：
[00 巧]
[0056] 按照上述切割参数对原料娃晶棒分别按照图1所示的常规流程和图2所示的分切 流程处理娃片获得最终抛光片的工艺流程及相关参数对比如下表：
[0057]
[0058]
[0059] 通过图1与图2对比，并结合实施例中的扩散抛光片的出片率测算的表格数据可 W得出，重渗杂扩散层的娃抛光片按后者流程出片数提高了约40%，结合加工过程中的原 料及工艺成本计算可得，采用本方法处理后的抛光片相对于常规工艺的成本可降低20%左 右，因此，此发明技术可降低再利用扩散层的娃抛光片的加工成本，增加娃抛光片的产能。
[0060] 上述实施例中选用Φ125mm重渗杂单晶娃棒，需要说明的是实际操作中，对于 Φ76mm-150mm尺寸娃片采用本发明中的娃片切割方法均可W将所述娃片一分为二，W达到 降低再利用扩散层的娃抛光片的加工成本，增加娃抛光片的产能的目的。
[0061] W上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用W限制本发明，凡在本发明的精 神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种硅片的二次切割方法，所述切割方法采用常规的多线切割方法，其特征在于，包 括如下步骤： (1) 定位槽切割：在一次切割过程前，首先在硅单晶上切割二次切割用刀口定位槽，其 目的用于二次切割找正，然后对硅单晶进行一次切割； (2) 硅片固定：将一次切割后的硅片经过扩散减薄分选后得到待二次切割硅片，将待 二次切割硅片并排等间距或紧密固定在硅片分切固定件中，并保持所述定位槽在同一水平 线上，形成一个整体工件并用水胶固定； (3) 定位切割：将步骤（2)中粘结好的整体工件通过树脂条固定在多线切割机上或直 接固定在多线切割机上，将切割线逐一对准固定在硅片分切固定件中的硅片的定位槽进行 找正定位，定位准确后沿该定位槽进行切割将硅片一分为二。2. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述步骤（3)中的待二 次切割硅片并排等间距固定在硅片分切固定件中，采用的找正定位方式为将该硅片分切固 定件中的硅片间隙对准切割钢线的线网间隙和硅片定位槽中心线对准切割线的双找正定 位方式。3. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述步骤⑶中待二次 切割硅片并排紧密叠放在硅片分切固定件中粘结固定，采用的找正定位方式为水平与垂直 方向的四向定位测量方式。4. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述定位槽深度为 l-2mm〇5. 根据权利要求1-4任一项所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述的硅片的 二次切割技术用于硅片扩散后的二次切割工艺，将扩散处理后的硅片进行二次切割后再进 行扩散减薄。6. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述硅片分切固定件为 硅片分切模具，且待二次切割硅片并排等间距固定所述硅片分切模具中，其中所述硅片分 切模具是由两块平行侧板与两块平行连接板围成的上下开放的长方体结构，所述侧板的内 侧均匀分布有若干凹槽，且两块平行侧板上的凹槽一一对应，所述凹槽的宽度与待切割硅 片宽度一致，用于固定所述待切割硅片。7. 根据权利要求6所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述分切模具的横截面 为"H"形结构；所述模具的高度h=硅片直径+(2-3)_ ;所述模具内凹槽间隙宽度L=硅 片厚度+(l-2)mm。8. 根据权利要求6所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述硅片分切模具为绝 缘板材料组成。9. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述硅片分切固定件包 括一直角台和一重力压块，且待二次切割硅片紧密叠放在所述直角台上，所述重力压块位 于所述倾斜直角台尾端，用于压紧硅片。10. 根据权利要求1所述的硅片的二次切割方法，其特征在于：所述直角台在固定硅片 时倾斜放置。
【专利摘要】本发明提供了一种硅片的二次切割方法，步骤为：(1)定位槽切割：首先在硅单晶上切割二次切割用刀口定位槽，然后对硅单晶进行一次切割；(2)硅片固定：将一次切割后的硅片经过扩散减薄分选后得到待二次切割硅片，将待二次切割硅片并排等间距或紧密固定在硅片分切固定件中，形成一个整体工件并用水胶固定；(3)定位切割：将整体工件直接或通过树脂条固定在多线切割机上，并将切割线逐一对准固定在硅片分切固定件中的硅片的定位槽进行找正定位，定位准确后沿该定位槽将硅片一分为二。本发明的方法在很大程度上提高了原材料的利用率，并大大降低了器件生产成本，将本发明用于带重掺杂扩散层的硅抛光片生产，约可降低50％的单片电耗。
【IPC分类】B28D5/04, B28D7/04
【公开号】CN105382947
【申请号】CN201510679054
【发明人】陈桐, 王彦君, 郭红慧, 王帅, 王少刚, 刘超, 张全红, 宋春明, 李海龙, 赵勇
【申请人】天津市环欧半导体材料技术有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月19日