本实用新型实施例涉及家电技术领域，尤其涉及一种电磁炉锅具。
背景技术：
目前，电磁炉通过电磁加热对电磁炉锅具中的食材进行加热，为了精确地控制电磁炉对电磁炉锅具的加热过程，在电磁炉锅具中设置有两个芯片，一个芯片为采温芯片，另一个芯片为射频芯片，采温芯片用于采集电磁炉锅具的温度，并将该温度传送给射频芯片，该射频芯片用于将接收到的温度发送给电磁炉，电磁炉接收到电磁炉锅具的温度，并实时根据电磁炉锅具的温度控制电磁炉对电磁炉锅具的加热过程。但是，现有技术中上述方案需要两个芯片来完成，这两个芯片在电磁炉锅具占用的体积大，成本也高。
技术实现要素：
本实用新型实施例提供一种电磁炉锅具，用于减小芯片在电磁炉锅具占用的体积，降低成本。
本实用新型实施例提供一种电磁炉锅具，包括：锅体和手柄，其中，所述手柄内设有采温通信芯片；
所述采温通信芯片包括：基板、以及设置在所述基板中的微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)晶圆和射频晶圆，所述MCU晶圆和所述射频晶圆电连接在所述基板上；
所述MCU晶圆，用于采集所述电磁炉锅具的温度，并将所述温度输出给所述射频晶圆；
所述射频晶圆，用于输入所述MCU晶圆输出的所述温度，并将所述温度发送给电磁炉。
本实施例中，通过将MCU晶圆与射频晶圆设置在同一基板上，从而形成一个采温通信芯片，该采温通信芯片既具有采温功能也具有射频功能，因此，一个芯片集成了现有技术中两个芯片的功能，而且一个芯片与两个芯片相比，体积小，因此其在电磁炉锅具中占用的体积也小，也降低了成本。
可选地，所述MCU晶圆的通信接口与所述射频晶圆的通信接口在所述基板内电连接；
所述MCU晶圆，具体用于将所述温度通过所述MCU晶圆的通信接口输出给所述射频晶圆；
所述射频晶圆，具体用于通过所述射频晶圆的通信接口输入所述温度。
与现有技术相比，节省了MCU晶圆的通信接口的封装，也节省了MCU晶圆的通信接口的封装，节省了芯片的部分封装费用，降低了成本。
可选地，所述MCU晶圆的通信接口为输入输出(Input Output IO)接口或者串行外设接口(Serial Peripheral Interface，SPI)接口。
可选地，所述射频晶圆的通信接口为IO接口或者SPI接口。
可选地，所述MCU晶圆与所述射频晶圆通过芯片内部走线电连接。从而有效的减小了电磁干扰，以及芯片间走线的干扰，提高MCU晶圆与所述射频晶圆之间的通信成功率，也减小了MCU晶圆与所述射频晶圆之间的通信延时。
可选地，所述MCU晶圆，具体用于：通过所述MCU晶圆的模拟数字(Analog to Digital，AD)端口采集所述电磁炉锅具的温度的模拟信号，并将所述温度的模拟信号转换为所述温度的数字信号，再将所述温度的数字信号输出给所述射频晶圆；
所述射频晶圆，具体用于：输入所述温度的数字信号，并将所述温度的数字信号发送给所述电磁炉。
可选地，所述MCU晶圆与所述射频晶圆连接在同一GND引脚上，因此，可以节省电源的GND引脚的封装个数，降低封装费用。或者，所述MCU晶圆与所述射频晶圆分别连接在不同的GND引脚上。
可选地，所述MCU晶圆与所述射频晶圆连接在同一VDD引脚上，因此，可以节省电源的VDD引脚的封装个数，降低封装费用。或者，所述MCU晶圆与所述射频晶圆分别连接在不同的VDD引脚上。
可选地，所述射频晶圆，还用于接收所述电磁炉发送的所述温度的反馈信息，并将所述反馈信息输出给所述MCU晶圆；
所述MCU晶圆，还用于输入所述射频晶圆输出的所述反馈信息。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图；
图2为本实用新型另一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图；
图3为本实用新型再一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图；
图4为本实用新型一实施例提供的电磁炉锅具中的采集通信芯片的结构示意图。
附图标记说明：
10：锅体；
20：手柄；
21：采温通信芯片；
211：基板；
212：MCU晶圆；
212a：通信接口；
212b：AD端口；
213：射频晶圆；
213a：通信接口。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
图1为本实用新型一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图，如图1所示，本实施例的电磁炉锅具，包括：锅体10和手柄20。锅体10可以盛装食材，在电磁炉锅具放置在电磁炉上时，电磁炉通过电磁加热，对锅体10内的食材进行加热，例如蒸煮炒等。其中，手柄20与锅体10连接，手柄20可以用于用户方便地端起锅体10。本实施例中为了解决现有技术中采温芯片与射频芯片占据体积较大的缺陷，本实施例在手柄20内设有采温通信芯片21，该采温通信芯片21为一个芯片，该采温通信芯片21既具有采温功能也具有射频功能。
其中，本实施例的所述采温通信芯片21包括：基板211、MCU晶圆212和射频晶圆213，MCU晶圆212和射频晶圆213均设置在基板211中，并且MCU晶圆212和射频晶圆213均电连接在该基板211上。其中，本实施例中的MCU晶圆212与射频晶圆213电连接，使得MCU晶圆与所述射频晶圆213能够通信，由于MCU晶圆212和射频晶圆213均设置在基板211中，该MCU晶圆212与射频晶圆213在所述基板211内电连接。
其中，MCU晶圆212，用于采集所述电磁炉锅具的温度，并将所述温度输出给所述射频晶圆213。所述射频晶圆213，用于输入MCU晶圆212输出的所述温度，并将所述温度发送给电磁炉。
本实施例的MCU晶圆212采集电磁炉锅具的温度，并将采集到的电磁炉锅具的温度输出给射频晶圆213，射频晶圆213输入MCU晶圆212输出的上述温度，射频晶圆213将该温度发送给电磁炉。
可选地，所述射频晶圆213，还用于接收所述电磁炉发送的所述温度的反馈信息，并将所述反馈信息输出给所述MCU晶圆212。所述MCU晶圆212，还用于输入所述射频晶圆213输出的所述反馈信息。本实施例中，电磁炉接收到射频晶圆213发送的上述温度后，还向射频晶圆213发送温度的反馈信息，射频晶圆213接收到该反馈信息之后，将该反馈信息输出给MCU晶圆212，MCU晶圆212输入该射频晶圆输出的反馈信息。因此，本实施例还可以实现在同一芯片内，MCU晶圆212与射频晶圆213的双向通信。
本实施例中，通过将MCU晶圆与射频晶圆设置在同一基板上，从而形成一个采温通信芯片，该采温通信芯片既具有采温功能也具有射频功能，因此，一个芯片集成了现有技术中两个芯片的功能，而且一个芯片与两个芯片相比，体积小，因此其在电磁炉锅具中占用的体积也小，也降低了成本。
可选地，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213通过芯片内部走线电连接。从而有效的减小了电磁干扰，以及芯片间走线的干扰，提高MCU晶圆212与所述射频晶圆213之间的通信成功率，也减小了MCU晶圆212与所述射频晶圆213之间的通信延时。
其中，射频晶圆213可以是315M的晶圆，或者，射频晶圆213也可以是2.4G wifi或蓝牙晶圆。
图2为本实用新型另一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图，如图2所示，本实施例的电磁炉锅具在图1所示的电磁炉锅具的基础上，MCU晶圆212包括通信接口212a，射频晶圆213包括通信接口213a，而且，MCU晶圆212的通信接口212a与射频晶圆213的通信接口213a电连接，使得MCU晶圆与所述射频晶圆213能够电连接，由于MCU晶圆212和射频晶圆213均设置在基板211中，该MCU晶圆212的通信接口212a与射频晶圆213的通信接口213a电连接同时，所述MCU晶圆212的通信接口与所述射频晶圆的通信接口在所述基板内电连接。
所述MCU晶圆212，具体用于将所述温度通过所述MCU晶圆212的通信接口212a输出给所述射频晶圆213；所述射频晶圆213，具体用于通过所述射频晶圆213的通信接口213a输入所述MCU晶圆212输出的所述温度，并将所述温度发送给电磁炉。本实施例中，MCU晶圆212采集电磁炉锅具的温度，并将采集到的电磁炉锅具的温度输出给MCU晶圆212的通信接口212a，由于MCU晶圆212的通信接口212a与射频晶圆213的通信接口213a电连接，因此MCU晶圆212的通信接口212a将温度输出给射频晶圆213的通信接口213a，射频晶圆213通过通信接口213a输入该温度，射频晶圆213将该温度发送给电磁炉。
由于本实施例中的MCU晶圆212的通信接口212a与射频晶圆213的通信接口213a在基板211内电连接，与现有技术相比，节省了MCU晶圆的通信接口的封装，也节省了MCU晶圆的通信接口的封装，节省了芯片的部分封装费用，降低了成本。
可选地，所述MCU晶圆212的通信接口212a与所述射频晶圆213的通信接口213a通过芯片内部走线电连接。从而有效的减小了电磁干扰，以及芯片间走线的干扰，提高MCU晶圆212的通信接口212a与所述射频晶圆213的通信接口213a之间的通信成功率，也减小了MCU晶圆212的通信接口212a与所述射频晶圆213的通信接口213a之间的通信延时。
可选地，在第一种可能的实现方式中，所述MCU晶圆的通信接口为IO接口，所述射频晶圆的通信接口为IO接口。
可选地，在第二种可能的实现方式中，所述MCU晶圆的通信接口为IO接口，所述射频晶圆的通信接口为SPI接口。
可选地，在第三种可能的实现方式中，所述MCU晶圆的通信接口为SPI接口，所述射频晶圆的通信接口为IO接口。
可选地，在第四种可能的实现方式中，所述MCU晶圆的通信接口为SPI接口，所述射频晶圆的通信接口为SPI接口。
图3为本实用新型再一实施例提供的电磁炉锅具的结构示意图，如图3所示，本实施例的电磁炉锅具在上述任一实施例的基础上，所述MCU晶圆212包括AD端口212b。所述MCU晶圆212具体用于：通过所述MCU晶圆212的AD端口212b采集所述电磁炉锅具的温度的模拟信号，并将所述温度的模拟信号转换为所述温度的数字信号，再将所述温度的数字信号输出给所述射频晶圆213。所述射频晶圆213，具体用于：输入所述温度的数字信号，并将所述温度的数字信号发送给所述电磁炉。
本实施例中，MCU晶圆212通过MCU晶圆212的AD端口212b采集电磁炉锅具的温度的模拟信号，该模拟信号用于指示电磁炉锅具的温度，并将AD端口212b采集到的电磁炉锅具的温度的模拟信号转换为数字信号，再将该数字信号输出给射频晶圆213。射频晶圆213输入该MCU晶圆输入的数字信号，并将该数字信号发送给电磁炉。
可选地，在第一种可能的实现方式中，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213分别连接在不同的GND引脚上，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213分别连接在不同的VDD引脚上。
在第二种可能的实现方式中，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213分别连接在不同的GND引脚上，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213分别连接在同一VDD引脚上。因此，可以节省电源的VDD引脚的封装个数，降低封装费用。
在第三种可能的实现方式中，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213连接在同一GND引脚上，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213分别连接在不同的VDD引脚上。因此，可以节省电源的GND引脚的封装个数，降低封装费用。
在第四种可能的实现方式中，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213连接在同一GND引脚上，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213连接在同一VDD引脚上。因此，可以节省电源的VDD引脚和GND引脚的封装个数，降低封装费用。
如图4所示，图4中示出所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213连接在同一GND引脚上，所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213连接在同一VDD引脚上。其中，图4中还示出了所述MCU晶圆212与所述射频晶圆213的内部结构。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。