脱模薄膜的制作方法

专利名称：脱模薄膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及脱模薄膜。更具体地说，涉及可充分满足在陶瓷片制备时使用的脱模 薄膜所要求的性能的脱模薄膜。
背景技术：
以聚酯薄膜为基材的脱模薄膜作为制备陶瓷片(green sheet,生片)等时的载体 薄膜使用，该陶瓷片是在制备积层陶瓷电容器、陶瓷基板等各种陶瓷电子部件时使用的。制备积层陶瓷电容器时使用的陶瓷片例如可如下制备通过逆辊涂布法等在载体 薄膜上涂布将陶瓷粉体和粘合剂等分散于溶剂中所得的陶瓷浆料，加热干燥除去溶剂，形 成陶瓷层，然后通过蒸镀或者印刷等在该陶瓷层上形成作为内部电极的金属膜，制作金属 膜/陶瓷层/载体薄膜复合体，由所述复合体上剥离除去载体薄膜。积层陶瓷电容器可如下获得按照规定尺寸积层如上所述制备的金属膜/陶瓷层 复合体，热压，然后切成矩形，由此获得片状的积层体，将该片状的积层体进行烧结，在烧结 体的规定表面上形成外部电极。但是，近年来在积层陶瓷电容器等电容器领域中，伴随着小型化·大容量化，要求 电路部件的高密度化。因此，所使用的陶瓷片的厚度也日益薄膜化，需要进一步使内部电极
多层化。但是，如果将陶瓷片的厚度减薄、或者使积层片数增加，则陶瓷片的微小的厚度偏 差(厚&斑)就会成为引发内部电极的位置偏离的原因。因此，有人提出减小陶瓷片制备时载体薄膜的热变形、降低制备的陶瓷片的厚度 偏差(参考专利文献1)。专利文献1中记载如果脱模薄膜在120°C下、1. 47MPa应力下的 尺寸变化率的绝对值在长度方向和宽度方向上均为0. 3%以下，则加热处理时的热变形变 得非常小，因此可以抑制所得陶瓷片的厚度偏差。但是，陶瓷片通常在100°C附近的温度下、在宽度方向上无把持地干燥。因此陶瓷 片制备时使用的载体薄膜在陶瓷干燥时以几乎不对宽度方向施加张力的状态收缩。因此， 如专利文献1所述，如果只使用施加了张力的状态下的长度方向和宽度方向的热收缩率都 很低的脱模薄膜，无法消除陶瓷干燥之前的所有步骤中载体薄膜的收缩不均勻，至今还是 存在制备的陶瓷片发生厚度偏差、积层时发生内部电极的位置偏离的问题。另外，陶瓷片的厚度薄时，如果载体薄膜的表面粗糙度高，则发生针孔导致的不 良，或者在陶瓷片剥离时发生陶瓷片的断裂等，引起生产性降低，即，陶瓷片薄时，即使以往 不会出现问题的程度的载体薄膜表面的划痕或杂质等微细的表面缺陷也可以成为所得陶 瓷片的针孔缺陷等的原因而明显化。因此，伴随着目前电容器领域情况的小型化、大容量化，用于制备陶瓷片的载体薄 膜要求更高精度的尺寸稳定性以及更高水平的表面凹凸的平滑化。另一方面，如果使载体薄膜的表面平滑，则有剥离静电升高的倾向，例如为了提高 生产性而提高陶瓷浆料的涂布速度，则产生如下问题在卷绕载体薄膜的步骤中容易发生火花，由此容易发生火灾。另外，由载体薄膜上剥离陶瓷片时，陶瓷片带电，在接下来的步骤 中积层该陶瓷片时，产生因所述静电导致的内部电极的位置偏离。因此，作为具有更为平滑 表面的载体薄膜，强烈要求抑制剥离静电。特别是在厚度薄(Iym以下)的陶瓷片的制备中，不仅要求上述高精度的尺寸稳 定性和高水平的平滑化(所谓表面粗糙度)，更高度地控制薄膜的平坦性(平坦度)也很重 要。即，载体薄膜的平坦性差时，会发生下述问题涂布在其上的陶瓷浆料的涂布厚度偏差 不良，由此导致陶瓷片的厚度偏差不良，积层陶瓷电容器的容量不均勻。但是，上述载体薄膜通常是以卷成卷状的形态使用，但由于表面具有脱模层，因此 容易滑动、卷的卷绕过程中或者搬运过程中等容易产生卷绕偏离等的问题。因此，以往在将 上述载体薄膜卷绕成卷状时，通常是采用使卷硬度提高的条件，以防止产生卷绕偏离。但 是，若卷硬度过高，则载体薄膜变得不容易追随卷的形状，由于微细的卷形状的问题使载体 薄膜拉伸，平坦性变差。特别是在厚度薄的(Iym以下)陶瓷片的制备中，更高度地控制薄膜的厚度偏差 是很重要的。即，载体薄膜的厚度偏差差时，涂布在其上的陶瓷浆料的涂布厚度偏差变得不 良，由此导致陶瓷片的厚度偏差不良，积层陶瓷电容器的容量变得不均勻。(专利文献1)日本特开2000-343663号公报

发明内容
本发明的目的是鉴于上述以往技术的问题，提供一种脱模薄膜，该脱模薄膜在制 备陶瓷片时的加热张力下具有适当的尺寸变化率，干燥陶瓷浆料时的热收缩平衡也优异， 可充分满足陶瓷片制备时使用的脱模薄膜所要求的性能。本发明人为解决上述问题进行了深入的研究。结果发现在特定的载荷下具有特 定的伸长率、在无载荷下具有特定的热伸长率的脱模薄膜可以满足制备陶瓷片时使用的脱 模薄膜所要求的性能，从而完成了本发明。S卩，本发明是脱模薄膜，该脱模薄膜是在聚酯薄膜的至少一个面上具有脱模层，在脱模薄膜的长度方向上施加0. 2MPa以上4. OMPa以下的张力时，100°C下的长度 方向的伸长率(Sm)满足下述式⑴；在与脱模薄膜的长度方向相垂直的方向上施加0. OlMPa的张力时，100°C下的与 长度方向相垂直的方向上的伸长率(Std)满足下述式(2)；脱模薄膜在无载荷下、100°C下的长度方向的热伸长率(HStffi)满足下述式(3)；脱模薄膜在无载荷下、100°C下的与长度方向相垂直的方向的热伸长率(HStd)满 足下述式⑷；长度方向的热伸长率(HSm)和与上述长度方向相垂直的方向的热伸长率(HStd)满 足下述式(5)0. 0961X-0. 45 ^ Sffil ^ 0. 0961X-0. 25 (1)(式(1)中，X是施加在单位面积薄膜上的张力(MPa)，X表示0.2MPa以上4. OMPa 以下的值)-0. 6 ^ Std ^ -0. 2(2)-0. 4 ^ HSffil ^ -0. 1(3)
-0. 6 ≤ HStd ≤-0. 2(4)HSffil > HStd(5)进一步优选本发明的脱模薄膜的脱模层表面用接触式三维表面粗糙度仪测定的 最大高度(Rmax)在IOOnm以上600nm以下的范围。脱模层表面以及不具有脱模层一侧的 表面的、用接触式三维表面粗糙度仪测定的最大高度(Rmax)优选分别为IOOnm以上600nm 以下。脱模层相对于脱模层的重量优选含有0.5% (质量)以上10% (质量)以下的表面 活性剂。优选纵向的厚度偏差为3.0%以下，横向的厚度偏差为3.0%以下。脱模层优选通 过在单向拉伸的聚酯薄膜上涂布脱模层形成组合物来形成。本发明的脱模薄膜优选用于制备陶瓷片。特别优选用于制备陶瓷电容器。本发明还包含薄膜卷。该薄膜卷是将上述脱模薄膜卷绕成卷状，卷表层的维式硬 度(Hv)为0以上450以下。本发明包含将具备上式⑴ (5)特性的薄膜用作陶瓷片用 的脱模薄膜的方法。
具体实施例方式本发明中，有时将薄膜制备中的机械轴方向称为长度方向或纵向。而且，有时将与 长度方向相垂直的方向称为宽度方向或横向。<脱模薄膜>本发明的脱模薄膜是在聚酯薄膜的至少一个面上具有脱模层的脱模薄膜，在特定 的载荷下具有特定的伸长率，在无载荷下具有特定的热伸长率。以下，对于本发明的脱模薄 膜的物性和构成进行说明。[长度方向的伸长率(Sm)]本发明的脱模薄膜中，在对脱模薄膜的长度方向施加0. 2MPa以上4. OMPa以下的 张力时，100°C下的长度方向的伸长率(Sm)满足下述式(1)。陶瓷层/脱模薄膜复合体通 常是以在100°c附近的温度下施加张力的状态搬运。因此，通过选择100°c作为温度条件， 可以进行更适应实际步骤的状况判断。0. 0961X-0. 45 ^ Sffil ^ 0. 0961X-0. 25(1)(式(1)中，X是施加在单位面积薄膜上的张力(MPa)，X表示0.2MPa以上4. OMPa 以下的值)长度方向的伸长率(Sm)比上式⑴的左边的值小时，薄膜的长度方向的收缩应 力相对于陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运张力变大，其结果，长度方向不均勻收缩，引起陶 瓷片的厚度偏差。另一方面，长度方向的伸长率(Sm)比上式(1)的右边的值大时，薄膜的 长度方向的收缩应力相对于陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运张力小，因此薄膜的平坦性变 差，引起陶瓷片的厚度偏差。如果长度方向的伸长率(Stffi)满足上式(1)的范围，则长度方 向的收缩应力相对于陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运张力具有适当的平衡，可以抑制所得 陶瓷片长度方向的厚度偏差。基于上述观点，进一步优选本发明的脱模薄膜中，在脱模薄膜 的长度方向上施加0. 3MPa以上2. 5MPa以下的张力时，100°C下的长度方向的伸长率(Sm) 满足上式(1)的方式。长度方向的伸长率(Sm)和后述宽度方向的伸长率(Std)通过下述式求出。式中， Mtl表示升温开始前的薄膜的长度方向或宽度方向的长度，M表示升温开始后达到100°C时的薄膜的同方向的长度。即，伸长率(Sm)和伸长率(Std)为负数时表示薄膜收缩，为正数时表 示薄膜伸长。伸长率(S·、Std)= ( ΔΜ/Μ。)X100(% )Δ M = M-M0[与长度方向相垂直的方向(宽度方向)的伸长率(Std)]本发明的脱模薄膜中，在脱模薄膜的宽度方向上施加0. OlMPa张力时，100°C下的 宽度方向的伸长率(Std)满足下述式(2)。这里，通过选择100°C作为温度条件，与上述同 样，可以进行更近于实际步骤的状况判断。伸长率(Std)通过上式由热处理前后的薄膜的宽 度方向的长度求出。-0. 6 ^ Std ^ -0. 2(2)宽度方向的伸长率(Std)小于-0. 6%时，在陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运步骤 中，薄膜的宽度方向的收缩大，引起陶瓷片的厚度偏差。而宽度方向的伸长率(Std)大于-0.2%时，在伸长率(Std)大于0(薄膜伸长)时， 在陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运中，由于薄膜的宽度方向的伸长而导致薄膜的平坦性破 坏，引起陶瓷片的厚度偏差。陶瓷层的收缩与脱模薄膜的伸长的平衡差，发生陶瓷层部分剥 离翘起等问题。伸长率(Std)超过-0.2%但为0%以下时，陶瓷层的收缩与脱模薄膜的收缩 平衡差，发生陶瓷层从脱模薄膜上部分剥离并翘起的问题。[长度方向的热伸长率(HStffi)和与长度方向相垂直的方向(宽度方向)的热伸长 率(HStd)]本发明的脱模薄膜中，在无载荷下、100°C下的长度方向的热伸长率(HStffi)满足下 述式(3)，同时在无载荷下、100°C下的宽度方向的热伸长率(HStd)满足下述式(4)，且长度 方向的伸长率(HSm)与宽度方向的热伸长率(HStd)满足下述式(5)。-0. 4 ^ HSffil ^ -0. 1(3)-0. 6 彡 HStd 彡-0. 2(4)HSffil > HStd(5)通过使薄膜的长度方向的热伸长率(HSm)与宽度方向的热伸长率(HStd)分别在上 述范围、且长度方向的热伸长率(HSm)比宽度方向的热伸长率(HStd)大，则在涂布陶瓷浆料 后，加热干燥除去陶瓷层中所含的溶剂时，脱模薄膜的长度方向的收缩与宽度方向的收缩 可取得平衡，其结果可以降低所得干燥陶瓷层的厚度偏差。长度方向的热伸长率(HStffi)、以及宽度方向的热伸长率(HStd)通过下述式求出。式 中，Ltl表示热处理前的薄膜的长度方向或宽度方向的长度，L表示热处理后的薄膜的同方向 的长度。即，热伸长率(HSm)和热伸长率(HStd)为负数时表示薄膜收缩，为正数时表示薄膜 伸长。热伸长率(HS-、HStd)= ( Δ L/L0) X100(% )AL = L-L0[最大高度(Rmax)]本发明的脱模薄膜，脱模层表面通过接触式三维表面粗糙度仪测定的最大高度 (Rmax)优选为IOOnm以上600nm以下。最大高度(Rmax)进一步优选为200nm以上550nm 以下，特别优选为300nm以上500nm以下。
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最大高度(Rmax)是指由按照JIS规格(B0601-2001 表面粗糙度-定义和表示， B0651-2001 触针表面粗糙度测定仪)、使用三维表面粗糙度仪求出的粗糙度曲线去除基 准长度的部分后的最大高度。最大高度(Rmax)是轮廓曲线的最大高度，是基准长度中轮 廓曲线的峰高最大值和谷深最大值的和。B0651-2001记载的触针式表面粗糙度测定仪 (stylus instrument)是触针在表面上运动，测定表面的轮廓形状的偏差，计算参数，可记 录轮廓曲线的测定仪器。JIS B0601-2001 与 ISO 4287:1997 对应。JIS B0651-2001 与 IS03274 1996 对应。最大高度(Rmax)表示最大突起高度，是陶瓷片的针孔缺陷的指标。具体来说，脱 模层表面的最大高度(Rmax)超过600nm时，在该最大高度(Rmax)超过600nm的部分上形 成的陶瓷片的厚度变薄，结果容易产生针孔缺陷。而脱模层表面的Rmax低于IOOnm时，有 无法获得滑动性、卷绕性变差、生产性变差的倾向。S卩，如果本发明的脱模薄膜的脱模层表面的最大高度(Rmax)在上述数值的范围， 则表面平滑性和滑动性优异，因此可以抑制所得陶瓷片的凹凸形状，可获得厚度偏差得到 抑制的陶瓷片。其结果，使用所得陶瓷片制备陶瓷电容器时，可获得内部电极的位置偏离得 到进一步抑制的电容器。本发明的脱模薄膜优选与上述脱模层表面同时在不具有脱模层的一侧的表面通 过接触式三维表面粗糙度仪测定的最大高度(Rmax)为IOOnm以上600nm以下。最大高度 (Rmax)进一步优选为200nm以上550nm以下，特别优选为300nm以上500nm以下。所述最大高度(Rmax)表示不具有脱模层一侧的表面上的最大突起的高度，是陶 瓷片的针孔缺陷的指标。具体而言，不具有脱模层一侧的表面的最大高度(Rmax)超过 600nm时，在涂布陶瓷浆料、干燥后卷绕时，该最大高度(Rmax)超过600nm的部分被挤压在 陶瓷片上，在陶瓷片的表面形成凹部，该凹部变薄，结果容易产生针孔缺陷。另外，虽然不至 于由此产生针孔缺陷，但是在陶瓷片中形成了极薄的部分，成为陶瓷电容器的缺陷。S卩，通过使本发明的脱模薄膜的脱模层表面、以及不具有脱模层一侧的表面的最 大高度(Rmax)同时在上述数值范围内，则表面平滑性更加优异，因此可以进一步抑制所得 陶瓷片的表面凹凸形状，可以获得厚度偏差进一步得到抑制的陶瓷片。其结果，使用所得陶 瓷片制备陶瓷电容器时，可以进一步抑制内部电极的位置偏差。还可以抑制陶瓷片中针孔 的发生。并且陶瓷片的剥离性变得良好。最大高度(Rmax)可通过调整过滤熔融聚合物的条件、或者聚酯薄膜中所含颗粒 的形态等来实现。[纵向的厚度偏差和横向的厚度偏差]本发明的脱模薄膜优选纵向的厚度偏差为3.0%以下。另外，本发明的脱模薄膜优 选横向的厚度偏差为3. 0%以下。本发明的脱模薄膜优选纵向的厚度偏差和横向的厚度偏 差同时在上述数值范围内。特别是通过使用厚度偏差优异的脱模薄膜，可以更高度抑制所 得陶瓷片的厚度偏差。使用上述脱模薄膜制备陶瓷片、使用所述陶瓷片制备陶瓷电容器时， 可以获得容量更加均勻的陶瓷电容器。基于上述观点，纵向的厚度偏差优选为2. 9%以下， 进一步优选为2. 5%以下，特别优选为2.0%以下，横向的厚度偏差优选为2. 8%以下，进一 步优选为2. 6%以下，特别优选为2. 5%以下。
纵向的厚度偏差可通过纵向拉伸倍率来调节。调节纵向拉伸步骤中的辅助加热温 度、拉伸温度也很重要。横向的厚度偏差可通过纵向拉伸倍率、横向拉伸倍率来调节。调节 横向拉伸步骤中的辅助加热温度、拉伸温度也很重要。〈脱模薄膜的制备方法〉对于具有上述物性的本发明的脱模薄膜的制备方法进行如下说明。本发明的脱模 薄膜通过以下所述的未拉伸聚酯薄膜成型步骤、一次拉伸步骤、线内涂布步骤、二次拉伸步 骤和热定型步骤来制备。[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]在获得本发明的脱模薄膜时，首先在未拉伸聚酯薄膜成型步骤中，将后述的聚酯 原料挤出成型，获得未拉伸聚酯薄膜。挤出成型时，使用挤出机，用冷却辊将由模头挤出的熔融片冷却固化，获得未拉伸 聚酯薄膜。此时，为了减少聚合物中的粗大颗粒，优选在熔融挤出之前使用由线径15μπι 以下的不锈钢细线形成的平均网孔10 μ m以上30 μ m以下的无纺布型滤器、优选10 μ m以 上20 μ m以下的无纺布型滤器，过滤熔融聚合物。这样，通过减少聚合物中的粗大颗粒的个 数，可以使脱模薄膜的脱模层表面、以及不具有脱模层的一侧的表面的最大高度(Rmax)在 IOOnm以上600nm以下的数值范围。并且，所述过滤处理后，在模头的喷出口之前使用平均网孔10 μ m以上50 μ m以 下、优选15 μ m以上30 μ m以下的滤器过滤熔融聚合物，这可以进一步高度除去聚酯的热劣 化物，从这一点考虑优选，这可以使最大高度(Rmax)值在进一步优选的数值范围内。另外，从使未拉伸聚酯薄膜的平面性提高的角度考虑，优选提高由模头挤出的熔 融片与冷却辊的粘附性，例如优选采用静电外加粘附法和/或液体涂布粘附法。[一次拉伸步骤]在一次拉伸步骤中，将通过上述未拉伸聚酯薄膜成型步骤获得的未拉伸聚酯薄膜 沿长度方向拉伸(以下也可称为纵向拉伸)，由此获得长度方向单轴拉伸聚酯薄膜。此时，在一次拉伸步骤之前预先在(Tg-IO) V以上(Tg-2) V以下的温度条件下 预热，如此可以具有均勻的厚度，同时可获得具有所需长度方向的伸长率(Stffi)和热伸长 率(HStffi)的脱模薄膜，因此优选。这里，Tg表示未拉伸聚酯薄膜的玻璃化转变温度(单 位°C )。一次拉伸步骤中，在(Tg+2)°C以上(Tg+40)°C以下的温度条件下，将任意实施了 预热的拉伸聚酯薄膜以3. 3倍以上4. 0倍以下的范围沿长度方向拉伸。当拉伸倍率小于3. 3倍时，长度方向的热伸长率HStffi有形成正值的倾向，即薄膜有 伸长的倾向，不优选。另一方面，拉伸倍率大于4.0倍时，长度方向的伸长率(Stffi)存在变得 过小的倾向，不优选。另外，长度方向的热伸长率(HSm)存在变得过小的倾向，不优选。使 拉伸倍率为3. 3倍以上4. 0倍以下，这对于使长度方向的伸长率(Sm)和热伸长率(HSm)在 所需数值范围内是很重要的。若在(Tg+2)°C以上0^+40)1以下的温度条件下，将未拉伸聚酯薄膜以3.7倍以 上4.0倍以下的范围沿长度方向拉伸，则可以使纵向的厚度偏差为3.0%以下。如果长度方 向的拉伸倍率过低，则有纵向的厚度偏差变差的倾向。基于上述观点，长度方向的拉伸倍率 的下限更优选3. 8倍以上。另一方面，如果长度方向的拉伸倍率过高，则在纵向拉伸步骤中所得的长度方向单轴拉伸聚酯薄膜中，横向的厚度偏差有变差倾向，另外形成一部分取向 结晶的部分，因此难以使脱模薄膜的横向厚度偏差良好。[线内涂布步骤]在线内涂布步骤中，通过线内在长度方向单轴拉伸聚酯薄膜的至少一个面上涂布 脱模层形成组合物(以下也可称为涂剂)，可获得具有涂膜的聚酯薄膜。即，脱模层通过在 单向拉伸的聚酯薄膜上涂布脱模层形成组合物来形成。线内涂布步骤中使用的涂剂优选使用含有后述的水系热固化性有机硅树脂组合 物的水性涂液。对涂布方法没有特别限定，可以采用作为水性乳液的涂布方法已知的任意涂布方 法。例如可通过辊涂、喷涂、凹涂、逆凹涂或狭缝涂布等方法，在通过一次拉伸步骤得到的长 度方向单轴拉伸聚酯薄膜上涂布涂剂。本发明的脱模薄膜具有可在线内涂布涂剂的特征。本发明的脱模薄膜通过在线内 涂布涂剂，然后进行第二轴拉伸，进一步进行热定型，由此完成对脱模薄膜的热处理。之后 在线外不施加热。因此可以在保持作为脱模薄膜的制备目标值而规定的物性、尤其是长度 方向的伸长率(Sm)、宽度方向的伸长率(Std)或长度方向的热伸长率(HSm)、宽度方向的热 伸长率(HStd)的状态下进行实际应用。即，本发明的脱模薄膜通过线内涂布涂剂，制备脱模 薄膜时的物性的目标值可以直接成为脱模薄膜的最终物性，因此形成尺寸稳定性优异的脱 模薄膜。另一方面，在使用成膜的聚酯薄膜、线外涂布用于形成脱模层的涂剂的方法中，需 要经过干燥除去涂剂中所含的溶剂、使作为脱模层的树脂固化的步骤。使脱模层树脂固化 的步骤中，必须施加150°C左右的温度，因此在线外形成脱模层的脱模薄膜中，在脱模薄膜 的长度方向和宽度方向两者中，伸长率变大，在陶瓷层/脱模薄膜复合体的搬运步骤中薄 膜伸长，不优选。本发明的脱模薄膜中，线内涂布涂剂、获得涂膜后，仅凭涂布后的预热、第二轴拉 伸以及热定型的各步骤中施加的热即可以干燥除去来自涂膜的溶剂，使涂剂中所含的树脂 固化，由此可以使脱模层的树脂与聚酯薄膜粘附。因此，无需特别设置使涂膜干燥固化的步 骤，因此可以获得尺寸稳定性优异的脱模薄膜，同时不会使获得脱模薄膜的步骤复杂。另外，本发明的脱模薄膜的特征在于线内将涂剂涂布在单轴拉伸聚酯薄膜上。通 过上述方案，可以使脱模层与聚酯薄膜的粘附性更加提高。另外，脱模层所含有的表面活性 剂的种类以及添加量容易调节，可以使防剥离静电性的提高效果更加提高。涂剂的固形成分浓度优选0.5% (质量)以上30% (质量)以下，进一步优选 (质量)以上15% (质量)以下，特别优选1.5% (质量)以上10% (质量)以下。涂剂 的固形成分浓度低于0.5% (质量)时，在聚酯薄膜表面涂布涂剂时，涂剂在聚酯薄膜表面 分散，有无法均勻涂布的倾向。而超过30% (质量)时，所得脱模层上产生白雾，或者涂剂 容易发生凝胶化，可能产生涂布费用较高，而效果降低的问题。[ 二次拉伸步骤]二次拉伸步骤中，将具有通过线内涂布步骤获得的涂膜的聚酯薄膜沿宽度方向拉 伸(以下也可称为横向拉伸)，由此获得双轴拉伸聚酯薄膜。此时，如果在二次拉伸步骤之前预先在(Tg+10) V以上(Tg+30) V以下的温度条
9件下实施辅助加热，则可以充分干燥涂剂中所含的溶剂，在之后进行的二次拉伸步骤中可 以均勻拉伸，因此优选。二次拉伸步骤中，在(Tg+10)°C以上(Tg+80)°C以下、优选在辅助加热温度以上 (Tg+70) °C以下的温度条件下，在3. 0倍以上5. 0倍以下的范围内沿宽度方向拉伸，若宽度 方向的拉伸倍率在上述数值范围内，则横向的厚度偏差优异。宽度方向的拉伸倍率过低时， 横向的厚度偏差有变差倾向。另一方面，宽度方向的拉伸倍率过高时，制备中有薄膜容易断 裂的倾向。基于上述观点，宽度方向的拉伸倍率更优选为3. 5倍以上4. 5倍以下，进一步优 选为3. 9倍以上4. 3倍以下，特别优选为4. 0倍以上4. 2倍以下。本发明中，优选面拉伸倍率(纵向拉伸倍率X横向拉伸倍率)为15以上，这可以 使纵向和横向的厚度偏差更好。面拉伸倍率更优选为16以上。本发明中的一次拉伸步骤的拉伸倍率(以下也可称为纵向拉伸倍率)和二次拉伸 步骤中的拉伸倍率(以下也可称为横向拉伸倍率)的关系优选为纵向拉伸倍率<横向拉伸 倍率。如果存在纵向拉伸倍率<横向拉伸倍率的关系，则长度方向的伸长率(Sm)、宽度方 向伸长率(Std)、以及长度方向的热伸长率(HStffi)、宽度方向的热伸长率(HStd)容易控制为 所希望的值。[热定型步骤]热定型步骤中，通过将由二次拉伸步骤获得的双轴拉伸聚酯薄膜进行热定型，获 得脱模薄膜。热定型的温度条件根据构成聚酯薄膜的聚酯的种类而不同，通常优选在 (Tg+70) °C以上(Tm) °C以下的温度范围内进行。例如聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯时，优选 在180°C以上235°C以下的温度范围内进行热定型。聚酯为聚2，6_萘二甲酸乙二酯时，优 选在185°C以上240°C以下的温度范围内进行热定型。通过在该温度范围内进行热定型，可 以获得所需的伸长率(Sm和Std)、热伸长率(HS-和(HStd)。这里，Tm表示聚酯的熔点(单 位V )。热定型不只在1个区域实施，优选分成多个区域分阶段实施，优选在3个区域以上 控制温度来进行。例如在3个区域实施热定型时，可设定为第1区域180°C以上210°C以下， 第2区域比第1区域高，为3个区域中的最高温度。优选第3区域比第2区域温度低，设定 为180°C以上200°C以下。这样，以第2区域为最高温度，使第3区域的温度比其低进行热 定型，由此可以良好保持所得脱模薄膜的平面性，可以降低陶瓷片的厚度偏差。对热定型的 时间没有特别限定，例如优选以1秒以上60秒以下左右来进行。为了使脱模薄膜的宽度方向的热伸长率(HStd)为所期望的值，优选在热定型步骤 的最后区域中，将导辊宽度( >一>幅)缩小2%以上5%以下左右，使薄膜进行松弛处理。[冷却步骤](任意步骤)本发明的脱模薄膜在热定型步骤之后可以任意设置冷却步骤。通过设置冷却步 骤，可以使所得脱模薄膜的平面性保持良好，可以降低陶瓷片的厚度偏差。冷却步骤中，优选使冷却温度在(Tg_30)°C以上(Tg+20)°C以下的范围实施，还优 选与上述热定型步骤同样分成多个区域进行。若冷却温度比上述数值范围低，则热伸长率 (HSb, HStd)均可能过小。而冷却温度比上述数值范围高时，即使在薄膜的长度方向的中心 线附近物性在各方向上均等，在长度方向的边缘部位也发生取向倾斜增强的现象，因此不优选。长度方向的边缘部位形成取向倾斜的现象可在上述热定型温度的优选范围的下限一 侧发生，但其程度比较小。〈聚酯薄膜〉[聚酯]本发明中使用的形成聚酯薄膜的聚酯即可以是均聚聚酯，也可以是共聚聚酯。本发明中使用的聚酯薄膜含有均聚聚酯时，优选为使芳族二羧酸与脂族二醇缩聚 获得。这里，所使用的芳族二羧酸例如有对苯二甲酸、2，6-萘二甲酸等。所使用的脂族二醇 例如有乙二醇、二甘醇、1，4_环己烷二甲醇等。本发明中使用的聚酯薄膜的代表性均聚聚酯 有聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2，6_萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。本发明中使用的用于形成聚酯薄膜的聚酯为共聚聚酯时，优选相对于全部酸成分 使20% (摩尔)以下的作为第三成分的二羧酸和/或二醇共聚所得的共聚物。作为共聚聚酯的单体成分的二羧酸例如有间苯二甲酸、对苯二甲酸、2，6_萘二 甲酸、己二酸、癸二酸、羟基羧酸(例如对羟基苯甲酸等)等，可以使用它们的一种或两种以 上。作为共聚聚酯的单体成分的二醇有乙二醇、二甘醇、丙二醇、丁二醇、1，4_环己烷二甲 醇、新戊二醇等，可以使用它们的一种或两种以上。作为本发明中使用的聚酯薄膜的材料，其中，优选80% (摩尔)以上、更优选90% (摩尔)以上为对苯二甲酸乙二醇酯单元的聚对苯二甲酸乙二醇酯，或者优选80% (摩尔) 以上、更优选90% (摩尔)以上为2，6_萘二甲酸乙二醇酯单元的聚2，6_萘二甲酸乙二醇 酯，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。通常聚对苯二甲酸乙二醇酯的Tg在78°C附近时为低 温，因此使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜作为在100°C附近的温度下进行处理的陶瓷片制 备用载体薄膜时，步骤中的尺寸稳定性的问题特别突出。与此相对，本发明的脱模薄膜的尺 寸稳定性优异，因此，即使在远远超过Tg的温度下使用也可以充分发挥脱模薄膜的性能。[添加剂]为了实现作为薄膜时具有易滑动性这个主要的目的，优选在作为本发明中使用的 聚酯薄膜材料的聚酯中配合颗粒。所配合的颗粒的种类只要是具有易滑动性的颗粒即可， 没有特别限定，具体例如有二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钙、磷酸钙、磷酸镁、高 岭土、氧化铝、氧化钛等颗粒。还可以使用如日本特公昭59-5216号公报、日本特开昭59-217755号公报等中所 述的耐热性的有机颗粒。耐热性有机颗粒的其它例子有含有有机硅树脂、热固化性脲树 脂、热固化性酚醛树脂、热固化性环氧树脂、苯并胍胺树脂等的颗粒。还可进一步在聚酯的 制备步骤中使用将催化剂等金属化合物的一部份沉淀、微分散所得的析出颗粒。对上述用于使薄膜具有易滑动性的颗粒的形状没有特别限定，可以使用球状、块 状、棒状、扁平状等任何形式。对其硬度、比重、颜色等也没有特别限定。并且，这些颗粒还 可以根据需要将两种以上结合使用。颗粒的平均粒径优选0. Iym以上Iym以下，进一步优选0. 2μπι以上0. 5μπι以 下。平均粒径低于0.1 μπι时，颗粒容易聚集，可能导致分散性不足。而超过Iym时，所得 聚酯薄膜的表面粗糙度过粗，难以实现脱模薄膜的脱模层表面最大高度(Rmax)、以及不具 有脱模层一侧的表面的最大高度(Rmax)在IOOnm以上600nm以下。在聚酯薄膜中，为了使薄膜具有易滑动性而配合的颗粒的含量优选0.01% (质量)以上2% (质量)以下，进一步优选0.01% (质量)以上(质量)以下。颗粒的含 量低于0.01% (质量)时，存在薄膜的易滑动性不足的倾向，而超过2% (质量)时，存在 薄膜表面的平滑性不足的倾向。对使聚酯薄膜中含有颗粒的方法没有特别限定，可以采用以往公知的方法。例如 可以在制备聚酯的任意阶段中添加要配合的颗粒，优选在酯化阶段或者酯交换反应结束后 配合颗粒，然后进行缩聚反应。还可以按照以下方法进行使用带通气的混炼挤出机，将分 散于乙二醇或水等中的颗粒浆和聚酯原料掺混的方法；或者使用混炼挤出机，将干燥的颗 粒和聚酯原料掺混的方法等。[层构成]对本发明中的聚酯薄膜的构成没有特别限定，可以是单层构成也可以是积层构 成。为积层构成时，除2层、3层构成之外，只要不超越本发明的宗旨，还可以是4层或更多 的层。对积层构成没有特别限定，例如可以是A/B、A/B/A、A/B/C、A/B/A’等的积层构成。这 里，A、B、C分别表示由上述聚酯形成的层，可以相同也可以不同。A’表示由结构尤其与A类 似的聚酯形成的层。[聚酯薄膜的厚度]对本发明的聚酯薄膜的整体厚度没有特别限定，优选为9μπι以上50 μ m以下，进 一步优选为15 μ m以上38 μ m以下，特别优选为25 μ m以上31 μ m以下。〈脱模层〉[有机硅树脂组合物]有机硅树脂组合物乳液状态很稳定，因此本发明的脱模层优选主要由有机硅树脂 组合物形成。有机硅树脂组合物含有由聚硅氧烷形成的主剂和由含氢聚硅氧烷形成的交联 剂作为构成成分。其中聚硅氧烷是1个分子中至少具有2个不饱和基团或羟基的至少任意 一种，含氢聚硅氧烷是1个分子中至少具有2个与硅原子直接键合的氢原子。本发明中，涂 布含有所述有机硅树脂组合物的水性涂液(涂剂)，形成涂膜，使所述涂膜固化，形成脱模 层。本发明中的有机硅树脂组合物优选为水系有机硅树脂组合物。水系有机硅树脂组 合物作为乳液时的稳定性优异，因此结果可以提高涂剂的稳定性。另外，后述的表面活性剂 的选择肢很多，例如可以使用更多含有羟基的表面活性剂，这可以使防剥离静电性的提高 效果进一步提高。水系涂剂从环境方面考虑也优选。本发明中，使有机硅树脂组合物固化的方法可例举热固化、紫外线固化、电子射线 固化等，其中优选热固化，即，有机硅树脂组合物优选热固化性有机硅树脂组合物。本发明 中，如前所述，在线内涂布步骤中获得具有涂膜的聚酯薄膜，在之后的热定型步骤中进行热 处理。如果有机硅树脂组合物是热固化性有机硅树脂组合物，则可以通过热定型步骤中的 热处理来促进交联反应，可以使有机硅树脂组合物的固化充分进行，可获得具有脱模性优 异等的优异特性的脱模层。由以上可知，本发明中的有机硅树脂组合物特别优选水系热固化性有机硅树脂组 合物。这里，“主要”表示相对于脱模层的重量，75% (质量)以上由有机硅树脂组合物形 成。有机硅树脂组合物可以是加成聚合型(主剂含有1个分子中至少具有2个不饱和
12基团的聚硅氧烷时)和缩合型(主剂含有1个分子中至少具有2个羟基的聚硅氧烷时)的 任意一种形式，为加成聚合型时，优选涂剂中含有作为催化剂的钼，为缩合型时，优选涂剂 中含有作为催化剂的锡。其中从剥离特性优异的角度考虑，优选加成聚合型。交联剂可优 选使用同时使用的主剂的制备厂家所推荐的产品。以下给出本发明中可优选使用的水系热固化性有机硅树脂组合物的具体例子。Dffacker Silicone (密歇根州，Adrian)的水性400E有机硅树脂组合物。包含聚 硅氧烷、钼催化剂和由甲基含氢聚硅氧烷形成的V20交联剂系。2) Dow Corning (密歇根州，Midland)的水性X2-7720有机硅树脂组合物。由甲基 含氢聚硅氧烷形成，该甲基含氢聚硅氧烷含有甲基乙烯基聚硅氧烷和由钼聚硅氧烷形成的 X2-7720交联剂系。3)PCL(Phone-Poulenc Inc.，南卡罗来纳州，Rock Hill)的水性 PC-105 有机硅树
脂组合物。由甲基含氢聚硅氧烷形成，该甲基含氢聚硅氧烷含有甲基乙烯基聚硅氧烷和由 钼聚硅氧烷形成的PC-95的催化剂成分。4) PCL PC-107水性有机硅树脂组合物(与PC-105类似)。含有上述PC-95交联 剂。5) PCL PC-188水性有机硅树脂组合物(与PC-105类似)。含有上述PC-95交联 剂。这些水系的热固化性有机硅树脂组合物可通过加入去离子水等适当调节固形成 分浓度，作为涂剂使用。[硅烷偶联剂]本发明的脱模层进一步优选含有硅烷偶联剂。硅烷偶联剂优选具有与聚酯树脂和 /或有机硅树脂组合物结合的反应基团的有机硅低分子化合物，优选所述反应基团具有甲 氧基、乙氧基、硅烷醇基、乙烯基、环氧基、(甲基)丙烯基、氨基、巯基、氯基、羟基、羧基等的 至少1种以上的有机硅低分子化合物。所述硅烷偶联剂的含量相对于脱模层的固形成分重量优选0. (质量)以上至 20% (质量)，进一步优选(质量)以上10% (质量)以下，特别优选3% (质量)以 上7% (质量)以下。通过使含量在上述数值范围内，可以提高脱模层的粘附性。[表面活性剂]本发明的脱模层优选相对于脱模层的固形成分重量含有0. 5% (质量)以上10% (质量)以下的表面活性剂。通过使脱模层以上述数值范围的量含有表面活性剂，可以抑制 卷绕卷状脱模薄膜时的剥离静电、以及从脱模薄膜上剥离陶瓷片时的剥离静电。另外，制备 积层陶瓷电容器时，可以抑制内部电极的位置偏离。并且在涂剂中，通过添加表面活性剂， 涂剂对聚酯薄膜表面的湿润性良好，其结果不仅可以抑制涂剂的局部剥落缺陷(!、欠 点)等，可获得均勻的涂膜，而且还可以抑制剥离陶瓷片时产生的针孔缺陷。基于上述观点，以脱模层的总干燥重量为基准，表面活性剂的含量更优选为1. 0% (质量)以上7.0% (质量)以下，特别优选为2.0% (质量)以上5.0% (质量)以下。含 量低于0.5% (质量)时，剥离静电升高。另外，存在涂剂对聚酯薄膜表面的湿润性不足的 倾向。而超过10% (质量)时，对陶瓷片的剥离力存在重剥离的倾向，不优选。表面活性剂可以是离子系表面活性剂(阴离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、两性离子系表面活性剂)和非离子系表面活性剂(非离子系表面活性剂)。其中优选非 离子系表面活性剂。使用阴离子系表面活性剂、阳离子系表面活性剂、两性离子系表面活性 剂等离子系表面活性剂时，这些表面活性剂对于用于形成脱模层的有机硅树脂组合物来说 成为催化剂毒物，可能无法使有机硅树脂组合物充分固化。非离子系表面活性剂可以例举聚氧乙烯型、多元醇脂肪酸酯型、多元醇烷基醚型、 含氮型等的表面活性剂，以及非离子系的有机硅系表面活性剂、非离子系的氟系表面活性剂等。聚氧乙烯型表面活性剂可例举聚(氧乙烯)烷基醚、聚(氧乙烯)烷基苯基醚、 聚(氧乙烯)聚(氧丙烯)烷基醚、聚(氧乙烯)脂肪酸酯、聚(氧乙烯)失水山梨醇脂肪 酸酯等。其中，聚(氧乙烯)烷基醚优选例举聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯肉豆蔻基醚、 聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯油基醚等具有碳原子数12以上的烷基的 聚(氧乙烯)烷基醚。所述烷基可以是直链状也可以是支链状。多元醇脂肪酸酯型表面活 性剂可例举丙二醇脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、失水山梨醇脂肪酸酯、蔗糖 脂肪酸酯等。多元醇烷基醚型表面活性剂可例举烷基多苷(7 > * > f 'J ‘”矢、> K ) 等。含氮型表面活性剂可例举烷基二乙醇酰胺、烷基氧化胺等。有机硅系表面活性剂可例举聚醚改性有机硅、聚甘油改性有机硅等。所述改性有 机硅的结构分类为支链改性型、两末端改性型(ABA型)、单末端改性型(AB型)、两末端支 链改性型、直链嵌段型(ABn型)、分支型等，可以是任一类结构。作为本发明中的表面活性剂，其中，优选聚氧乙烯型表面活性剂、有机硅系表面活 性剂。它们难以成为有机硅树脂组合物的催化剂毒物，还可以表现出足够的湿润性。特别 优选有机硅系表面活性剂，其更加难以成为有机硅树脂组合物的催化剂毒物，可以使脱模 特性更为优异，还可以使防剥离静电的提高效果进一步提高。对本发明中的脱模层的厚度(即干燥后的厚度)没有特别限定，优选为20nm以上 90nm以下。通常如果低于20nm，则难以发挥轻剥离力等的作为脱模层的效果，而超过90nm 时，应与费用相应的效果减少。〈脱模薄膜的用途〉本发明的脱模薄膜可作为树脂片、陶瓷片等片成型用薄膜，或者标签用、医疗用、 办公用品用等的粘贴用薄膜的隔层(一夕一)使用。特别是本发明的脱模薄膜在陶瓷片制备时可充分满足脱模薄膜所要求的性能，因 此可适合作为陶瓷片制备用的载体薄膜使用。若使用本发明的脱模薄膜制备陶瓷片，则可 精度良好地获得薄膜陶瓷片，所得薄膜陶瓷片伴随小型化、大容量化，可适用于要求内部电 极多层化的积层陶瓷电容器。陶瓷片的制备中，将准备的陶瓷浆料涂布在本发明的脱模薄膜的脱模层表面，干 燥除去陶瓷浆料中所含的溶剂即可。对陶瓷浆料的涂布方法没有特别限定，可以采用以往 公知的涂布方法。例如可采用通过逆辊涂布法涂布将陶瓷粉末和粘合剂等分散于溶剂中所 得的陶瓷浆料，通过加热干燥除去溶剂的方法。对所使用的粘合剂没有特别限定，例如可以 使用聚乙烯醇缩丁醛等。对所使用的溶剂也没有特别限定，例如可以使用乙醇、甲苯等。〈薄膜卷〉本发明的薄膜卷是将上述所得的脱模薄膜卷绕成卷状而得到的薄膜卷。脱模薄膜
14卷可以是由上述脱模薄膜的制备步骤直接获得的母卷，也可以是将母卷切裁(7 U 7卜) 成顾客所要求的宽度和长度的切裁卷。本发明的薄膜卷中，卷表层的维式硬度(Hv)为0以上450以下。通过使卷表层的 维式硬度(Hv)在上述数值范围内，则可以获得平坦性优异的脱模薄膜。另外，在脱模薄膜 卷中难以发生卷绕偏离或皱纹。维式硬度是使用相对面夹角为136度的金刚石正四棱锥压头，在试验面上压出棱 锥形的压痕，将此时的载荷除以由永久压痕的对角线的长度求出的表面积，所得的商为维 氏硬度，按照下述式计算。Hv = (2 · P · sin(a/2))/d2P 载荷(kg)，d 压痕的对角线长度的平均(mm)，α 相对面夹角a = 136度，因 此上式如下。Hv = 1. 854XP/d2通常，将薄膜卷绕成卷状，则薄膜厚度较厚的部分由于卷绕直径增大，导致卷绕过 紧，可能产生所谓的条带状的缺陷。所述部分中，薄膜拉伸，薄膜的平坦性受损。该倾向随 着卷表层的维式硬度(Hv)提高而显著。即，卷表层的维式硬度(Hv)超过450时，卷绕力过 强，薄膜的拉伸过大，薄膜的平坦性变差。基于上述观点，卷表层的维式硬度(Hv)的上限优 选为430以下，进一步优选为420以下，特别优选为410以下。而卷表层的维式硬度(Hv) 过低时，有容易发生卷绕偏离的倾向，优选在不发生该问题的程度下尽量低。从上述观点可 知，卷表层的维式硬度(Hv)的下限优选为340以上，进一步优选为360以上，特别优选为 380以上。上述卷表层的维式硬度(Hv)可通过调节卷绕脱模薄膜时的卷绕张力或夹持压力 (二 7 圧力)等的卷绕条件来实现。卷绕张力必须是使初始张力为49N/m以下。通过使初始张力在上述数值范围，可 以使卷表层的维式硬度(Hv)为450以下。另外，卷绕中卷入的空气量适量，可以降低薄膜厚 度偏差的影响，即，可以抑制卷绕过紧，平坦性更为优异。还可以抑制卷绕偏离。初始张力 过高时，卷表层的维式硬度(Hv)有过高的倾向。卷绕中卷入的空气量存在变少的倾向，平 坦性有变差的倾向。基于该观点，初始张力的上限优选为48N/m以下，进一步优选为47N/m 以下。另外，初始张力过低时，卷绕变得不稳定，存在薄膜容易变成蛇行的倾向，存在卷端面 不整齐，或者产生皱纹，或者切裁不良的倾向，优选在不发生这些问题的程度下尽量低。基 于上述观点，初始张力的下限优选为30N/m以上。所述初始张力表示实质上将作为成品的 脱模薄膜开始卷绕成卷状时的张力，并不一定表示刚开始在卷芯上卷绕后的张力。即，为了 减少卷芯表面的杂质或划痕等的影响，通常采取由刚开始在卷芯上卷绕之后至数米乃至数 十米的长度期间特别提高卷绕张力的方法，所述初始张力并不是指这部分的卷绕张力。还必须施加张力锥度，相对于初始张力，使最终张力降低。具体来说，必须使最终 张力相对于初始张力的比例(张力锥度率)为80%以下。通过使张力锥度率在上述数值范 围内，则可以降低卷表层的维式硬度(Hv)，同时可以抑制卷绕偏离。张力锥度率过高时，卷 表层的维式硬度(Hv)存在变得过高的倾向。基于上述观点，张力锥度率的上限优选为70% 以下，进一步优选为60%以下。另一方面，基于卷硬度的观点，优选张力锥度率低，但张力锥 度率过低时，最终张力变得过低，存在容易发生卷端面偏离等问题的倾向。基于上述观点，张力锥度率的下限优选为30%以上。本发明中，由初始张力至最终张力期间只要卷绕张力 不超过49N/m，则可以有卷绕张力增加的部分，在卷的主要部分中，优选使卷绕张力连续性 渐减的方案，优选以一定的比例连续渐减的方案。通过使张力锥度如上述方案，则在卷中可 以使卷绕方向的内部应力总是保持为0以上，可以抑制横向的折痕状缺陷(T-Bars)或间隙 等问题。这里，卷的主要部分是表示自卷芯表层沿着卷的直径方向5mm以上的外侧、自卷的 表层5mm以上的内侧的部分。由上述初始张力和张力锥度率可知，最终张力必须为39N/m以下。通过使最终张 力为上述数值范围，则可以使卷表层的维式硬度(Hv)为450以下。最终张力过高时，卷表 层的维式硬度(Hv)存在变得过高的倾向。基于上述观点，最终张力的上限优选为38N/m以 下，进一步优选为30N/m以下。另外，从卷硬度的角度考虑，优选最终张力低，但最终张力过 低时，卷绕变得不稳定，存在薄膜容易变成蛇行的倾向，存在容易产生卷端面偏离等问题的 倾向。基于上述观点，最终张力的下限优选为ΙΟΝ/m以上，进一步优选为15N/m以上。夹持压力必须是使初始夹持压力为200N/m以下。通过使初始夹持压力为上述数 值范围，则可以使卷表层的维式硬度(Hv)为450以下。另外，卷绕中的卷入空气量适量，可以降低薄膜厚度偏差的影响，S卩，可以抑制卷 绕过紧，平坦性更为优异。还可以抑制卷绕偏离。初始夹持压力过高时，卷表层的维式硬度 (Hv)存在变得过高的倾向。另外，卷绕中的卷入空气量存在变少的倾向，存在平坦性变差 的倾向。基于上述观点，初始夹持压力的上限优选为180N/m以下，进一步优选为160N/m以 下，特别优选为120N/m以下。另外初始夹持压力过低时，存在卷绕变得不稳定的倾向，存在 容易发生卷绕偏离或皱纹的倾向。基于上述观点，初始夹持压力的下限优选为50N/m以下， 进一步优选为80N/m以上。可以施加夹持压力锥度，但通过以-10%以上10%以下的夹持压力锥度率施加夹 持压力锥度，则可以抑制皱纹或针孔的发生、卷端面的偏离。由上述初始夹持压力和夹持压力锥度率可知，最终夹持压力可以是220N/m以下， 最终夹持压力过高时，卷表层的维式硬度(Hv)存在变得过高的倾向。基于上述观点，最终 夹持压力的上限优选为170N/m以下，进一步优选为150N/m以下，特别优选为140N/m以下。 另一方面，最终夹持压力过低时，存在卷绕变得不稳定的倾向。基于上述观点，最终夹持压 力的下限优选为50N/m以上，进一步优选为70N/m以上，特别优选为90N/m以上。实施例以下，给出实施例和比较例，进一步具体地说明本发明，本发明只要不超过其宗 旨，并不限于这些实施例。〈测定 评价方法〉在实施例和比较例中，对于以下的项目，按照以下的方法来实施各测定·评价。(1)颗粒的平均粒径使用岛津制作所制造的商品名CP-50型离心粒度分析仪(Centrifugal Particle Size Analyzer)进行测定。由各种粒径的颗粒及其存在量的积分曲线读取相当于50% (质 量)的粒径——“等价颗粒直径”，将该值作为颗粒的平均粒径(单位μ m)(参照Book“粒 度测定技术”日刊工业新闻发行，1975年，242 247页)。其中，所述的各种粒径是根据测 定得到的离心沉降曲线计算的。
(2)最大高度(Rmax)按照JIS规格(B0601 表面粗糙度-定义和表示，B0651 触针表面粗糙度测定 仪)，通过三维表面粗糙度仪(小坂研究所公司制造，商品名SE-3AK)，在倍率2万倍、扫 描间距2μπκ扫描长度1mm、扫描线数100线，切断0. 25mm的条件下求出该面积的最大 高度，测定10点，将结果的平均值作为Rmax(单位mm)。(3)载荷下的伸长率(S·、Std)使用TMA(七^ X y %-y AJ y y (株)制造，商品名SS6000)，在湿度50% RH下，以样品宽度4mm、夹具间距20mm，对长度方向单位面积分别施加0. 3MPa、l. OMPa, 2. 5MPa的载荷，以升温速度为10°C /分钟由起始温度30°C起进行升温。按照下述式，由达 到100°C时的薄膜的伸缩动态求出0. 3MPa、l. OMPa,2. 5MPa各载荷条件下的伸长率(Sffil)(单 位％)。同样在宽度方向上施加0. OlMPa的载荷，实施测定，求出所述载荷条件下的伸长 率(Std)(单位％ )。伸长率(S·、Std)是对10片试样分别采集数据，求其平均值。伸长率(Sw,Sw) = (AM/M0) XlOO (% )Δ M = M-M0上式中，Mtl表示热处理前的薄膜的长度方向或宽度方向的长度，M表示热处理后的 薄膜在同方向的长度。即，伸长率(Sm)和伸长率(Std)为负数时表示薄膜收缩，为正数时表 示薄膜伸长。(4)无载荷下的热伸长率(HSb^HStd)将预先测定了正确长度的长度约30cm的正方形薄膜样品悬垂于温度设定为 IOO0C的烘箱中，在无载荷下保持30分钟进行处理。经过30分钟后从烘箱中取出薄膜样品， 恢复至室温后测量其尺寸变化，按照下述式求出热伸长率(HSm、HStd)(单位％ )。伸长率 (HSm^HStd)是对10片样品分别采集数据，求其平均值。热伸长率(HSm,HStd) = (AL/L0) X100(% )AL = L-L0上式中，Ltl表示热处理前的薄膜的长度方向或宽度方向的长度，L表示热处理后的 薄膜在同方向的长度。即，热伸长率(HSm)和热伸长率(HStd)为负数时表示薄膜收缩，为正 数时表示薄膜伸长。(5)陶瓷片的表面平滑性的评价(实际应用特性代替评价)(条件1)使用模头涂布机，在脱模薄膜的脱模层一侧的面上涂布含有下述组成的 陶瓷浆料，形成干燥后的厚度为5μπι的陶瓷层，卷绕200m。(条件2)准备宽450mm、长2，OOOm的脱模薄膜的卷。使用模头涂布仪，以60m/分 钟的薄膜传送速度在脱模层一侧的表面涂布含有下述组成的陶瓷浆料，形成干燥后的厚度 为5 μ m的陶瓷层，得到长度1，900m的陶瓷层/脱模薄膜复合体，卷绕成卷状。然后，在由条件1和2得到的陶瓷层/脱模薄膜复合体中，从脱模薄膜上剥离陶瓷 层，得到陶瓷片。对于所得陶瓷片(测定对象面积Im2)的两面，用扫描式激光显微镜(>
、y々公司制造)进行表面观察，按照下述的评价基准实施表面平滑性的评价。[陶瓷浆料组成]·钛酸钡(富士 f夕 > 公司制备，平均粒径0. 7μπι) 100份·聚乙烯醇缩丁醛树脂(积水化学公司制备，商品名- ；^ ^ ^夕BM-S) 30份
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·增塑剂(邻苯二甲酸二辛基酯):5份·甲苯/乙醇混合溶剂(混合比例为6 4) 200份[表面平滑性评价基准]〇深度0.5μπι以上的凹坑(凹陷)为2个/m2以下(实际应用上没有问题的水平)Δ 深度0. 5 μ m以上的凹坑(凹陷)超过2个/m2但低于6个/m2(实际应用上可能有问题的水平)X 深度0. 5 μ m以上的凹坑(凹陷)为6个/m2以上(实际应用上有问题的水平)(6)脱模薄膜的剥离静电评价在实施上述(5)(条件2)的评价时，测定卷绕脱模薄膜卷时的剥离静电量。在距 离刚从卷上卷取后的脱模薄膜表面(卷中的卷绕内侧的表面)垂直上方5cm的位置设置集 中电位测定仪(春日电机(株)制造，商品名静电电位测定仪SV-10)，在温度22°C、湿度 44% RH的气氛下测定剥离静电量。在卷取全长2，OOOm的脱模薄膜卷期间，每隔IOOm测定 剥离静电量，至少测定15点，将它们的平均值作为脱模薄膜的剥离静电量(单位kV)。或 者按照下述评价基准实施评价。[脱模薄膜剥离静电评价基准]〇剥离静电量为2. OkV以下(剥离静电良好)X 剥离静电量超过2. OkV (剥离静电不良)(7)陶瓷片的剥离静电评价按照与上述(5)(条件2)同样的方法得到陶瓷层/剥离薄膜复合体。在所得陶瓷 层/剥离薄膜复合体的陶瓷层表面，通过丝网印刷法形成金属膜形式的、干燥后的厚度为 3μπι的图案化的M电极印刷层。接着，将所得金属膜/陶瓷层/脱模薄膜复合体切裁为 300mmX300mm的大小，得到单片样品。对于所得单片样品，以20m/分钟的剥离速度从脱模 薄膜上剥离金属膜/陶瓷层复合体，测定所述剥离中的剥离静电量。在剥离的金属膜/陶 瓷层复合体上的距离陶瓷层的表面5cm的位置设置集中电位测定仪(春日电机(株)制 造，商品名静电电位测定仪SV-10)，在温度22°C、湿度44% RH的气氛下测定剥离静电量。 测定是对100片单片样品进行实施，将它们的平均值作为陶瓷片的剥离静电量(单位kV)。 或者按照下述评价基准实施评价。[陶瓷片剥离静电评价基准]〇剥离静电量为20kV以下(剥离静电良好)X 剥离静电量超过20kV(剥离静电不良)(8)陶瓷片的剥离评价对于上述(7)中的单片样品，在从脱模薄膜上剥离金属膜/陶瓷层复合体时，按照 下述评价基准对所述的剥离状况实施评价。[剥离评价基准]◎剥离力适度，金属膜/陶瓷层没有断裂，脱模薄膜上未见陶瓷层的残留(实际 应用上完全没有问题的水平)〇剥离力稍重，或者是金属膜/陶瓷层上可见一些破裂，或者脱模薄膜上稍微可见陶瓷层的残留(实际应用上完全没有问题的水平)X 剥离力过重，或者金属膜/陶瓷层上可见破裂，或者脱模薄膜上可见陶瓷层的 残留(实际应用上有问题的水平)(9-1)陶瓷片的积层评价1 (实际应用特性代替评价)在由上述(5)(条件1)得到的陶瓷片上积层图案印刷的Ni电极印刷层(干燥后 的厚度为3 μ m)。使用所得陶瓷片/电极积层体，以一侧的端部为基准积层10层，按照下述 评价基准对此时的电极印刷层的位置偏离程度实施位置偏离评价。[位置偏离评价基准]◎位置偏离低于200 μ m(实际应用上完全没有问题的水平)〇位置偏离200 μ m以上但低于400 μ m(实际应用上没有问题的水平)X 位置偏离400 μ m以上(实际应用上有问题的水平)(9-2)陶瓷片的积层评价2 (实际应用特性代替评价)使用通过C⑶照相机检测位置的方式的叠层机夕” W H、乂 )，将按照与 上述(7)同样的方法得到的切裁以及剥离后的金属膜/陶瓷层复合体积层10层，得到积层 体。对于所得积层体，以第1层的金属膜/陶瓷层复合体为基准，使用显微镜测定各层的偏 离量，将所得值作为位置偏离(单位ym)。评价是按照下述评价基准实施的。积层是在剥 离脱模薄膜后立即实施。[位置偏离评价基准]◎位置偏离低于200 μ m(实际应用上完全没有问题的水平)〇位置偏离200 μ m以上但低于400 μ m(实际应用上没有问题的水平)X 位置偏离400 μ m以上(实际应用上有问题的水平)(10)卷表层的维式硬度(Hv)按照JIS Z2244(1961)的方法，通过以下方法进行测定。测定是在实施例得到的 脱模薄膜卷的表层，除去距离端面5mm的部分，在宽度方向上测定10点，以最大值作为卷表 层的维式硬度(Hv)。(11)卷绕偏离对于实施例所得的脱模薄膜卷，按照下述评价基准评价端面的卷绕偏离状况。[卷绕偏离评价基准]◎卷绕偏离为Imm以下(完全没有问题，可优选使用的水平)〇卷绕偏离超过Imm但为2mm以下(可没有问题地使用的水平)Δ 卷绕偏离超过2mm但为3mm以下(稍有问题但可以使用的水平)X 卷绕偏离超过3mm(有问题，无法使用的水平)(12)平坦性由脱模薄膜卷中取长度2m的薄膜样品，将卷绕在卷上时为卷的表面的一侧朝上， 在平坦的台面上水平铺开。静置10分钟后观察薄膜样品的整个表面，测量残留在该表面上 的皱纹(凹槽，薄膜从上述台面上翘起的部分)的长度(单位cm)，将其合计除以测定面积 (单位m2)，计算平坦度(单位cm/m2)。平坦性的评价按照下述评价基准实施。[平坦性评价基准]◎平坦度为28cm/m2以下(实际应用上完全没有问题的水平)
〇平坦度超过28cm/m2但为33cm/m2以下(实际应用上没有问题的水平)X 平坦度超过33cm/m2 (实际应用上有问题的水平)(13)薄膜的厚度偏差使用测微计(7 > U 7 (株)制备，商品名“K-402B”型)，以IOcm的间隔在薄膜 的纵向上选取10点，以IOcm间隔将所述纵向10点的测定沿横向分成10列，共测定100点 的薄膜厚度，计算所得100点薄膜厚度的平均值，作为薄膜厚度(单位μ m)。接着，使用电子测微计(7· > U (株)制备，商品名“K-312A”型)，以针压30g、 移动速度25mm/秒横跨薄膜的纵向lm、横向450mm长度进行测定，得到连续厚度数据记录。 由所得数据记录分别读取纵向、横向的最大厚度(单位μπι)和最小厚度(单位ym)，结 合上述薄膜厚度，由下述式求出厚度偏差(单位％ )。厚度偏差(％)=((最大厚度-最小厚度)/薄膜厚度)X 100(14)陶瓷片的厚度偏差对于由上述(5)(条件2)所得的陶瓷层/脱模薄膜复合体，使用测微计(7 > 1J ,(株)制备，商品名“K-402B”型)测定厚度，接着将测定了厚度的位置的陶瓷层完全剥 离，在同一位置再次测定厚度，将它们差作为陶瓷片的厚度求出。所述操作是在纵向上以Im 间隔选取10点，以Icm间隔将所述纵向10点的测定沿横向分成10列，全部共实施100点 测定，将所得100点的陶瓷片的厚度的平均值作为陶瓷片厚度(单位ym)。接着，在上述 100点的测定中，以最大的作为最大厚度(单位μ m)、最小的作为最小厚度(单位ym)， 由下述式求出厚度偏差(单位％)。厚度偏差(％)=((最大厚度-最小厚度)/陶瓷片厚度)X 100评价按照下述的评价基准实施。[厚度偏差评价基准]◎厚度偏差为2.0%以下(厚度偏差非常优异，实际应用上完全没有问题的水 平)〇厚度偏差超过2.0%但为3.0%以下(厚度偏差优异，实际应用上没有问题的 水平)X 厚度偏超过3.0% (厚度偏差较差，实际应用上有问题的水平)实施例1[聚酯的制备]向100份对苯二甲酸二甲酯和70份乙二醇的混合物中添加作为酯交换催化剂的 乙酸锰4水合物，使所得聚酯中的锰的元素量为80ppm，一边将内部温度由150°C缓慢升高 一边进行酯交换反应。酯交换反应达到95%时添加0. 01份作为稳定剂的亚磷酸，充分搅拌 后添加0. 03份三氧化锑。接着将混入到体系内的水充分馏出，然后添加平均粒径0. 6μ m 的合成碳酸钙颗粒作为内部填料(滑动剂)，使其相对于所得聚酯的质量为0.2% (质量)， 充分搅拌。接着将反应产物转移到聚合反应器中，在高温真空下(最终内部温度为295°C) 进行缩聚，得到特性粘度为0. 65(35°C，邻氯苯酚中)的聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物。[涂剂的制备]在88. 5份去离子水、10份有机硅乳液400E (Wacker Silicones公司制备，有机硅 具有乙烯基的甲基聚硅氧烷，添加交联剂时可以结合使用用于防止与钼催化剂早熟反应的
20抑制剂)、1份交联剂V72 (Wacker Silicones公司制备，为甲基含氢聚硅氧烷的乳液，在甲 基硅氧烷中与双键反应)中添加0.5份硅烷偶联剂(信越〉U 二一 >公司制备，商品名 KBM-403)，由此得到涂剂。固形成分重量为5% (质量)。[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]将上述所得聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物在170°C下干燥5小时，使聚合物的含 湿率为0.05% (质量)。接着将干燥的聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物供给挤出机，在熔融 温度280 300°C下熔融，使用平均网孔Ilym的钢线滤器进行高精度过滤，然后使用挤出 模头、通过静电粘附法与冷却转鼓接触骤冷，获得厚度450 μ m的未拉伸聚酯薄膜。[一次拉伸步骤]将所得未拉伸聚酯薄膜在75°C下预热，接着在低速、高速辊之间、在薄膜温度 105°C下沿长度方向拉伸至3. 6倍，然后骤冷，由此得到长度方向(纵向)拉伸聚酯薄膜。[线内涂布步骤]接着，在所得长度方向拉伸聚酯薄膜上涂布上述制备的涂剂，使干燥后的厚度为 40nm,由此得到具有涂膜的聚酯薄膜。[二次拉伸步骤]接着，将所得的具有涂膜的聚酯薄膜供给拉幅机，在105°C、115°C的两个区域内分 别进行2秒钟的预热，然后在120°C、13(TC、145°C、155°C的4个区域内，分别均勻拉伸2秒 钟，使与长度方向相垂直的方向(宽度方向)的拉伸倍率(横向拉伸倍率)总计为4. 1倍， 制成双轴拉伸聚酯薄膜。[热定型步骤]对于所得双轴拉伸聚酯薄膜，在210°C、225°C、195°C的3个区域内分别实施2秒、 共计6秒的热定型，在最后的195°C的热定型区域中，在与长度方向相垂直的方向(宽度方 向)上实施2.5%的松弛处理，由此得到总厚度31μπι的脱模薄膜。使用所得脱模薄膜进行 各种的测定·评价。结果如表1所示。实施例2在二次拉伸步骤中，使与长度方向相垂直的方向(宽度方向)的拉伸倍率为4. 5 倍，使热定型步骤中第3区域的松弛量为4. 0%，除此之外与实施例1同样地得到脱模薄膜。 使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价，结果如表1所示。比较例1在脱模薄膜的制备中，不在线内涂布含有水系热固化型有机硅组合物的脱模剂涂 液，除此之外与实施例1同样，得到不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜。另外，在加成型有机硅系化合物(东芝* 'J 二一 >公司制备，商品名TPR_6721) 的甲苯溶液(固形成分浓度3% (质量))中添加Pt催化剂(东芝〉U 二一 >公司制备， 商品名CM670)，使其相对于100质量份加成型有机硅型化合物的固形成分为1质量份，制 备脱模剂涂液。接着，卷出上述所得的不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜卷，在与卷出的双轴拉 伸聚酯薄膜的长度方向相垂直的方向(宽度方向)中的中央部涂布上述制备的脱模剂涂 液，涂布量(wet)为6g/m2，使用下方和上方的空气吹出口的间隔分别为38cm的空气悬浮传 送式干燥装置，以传送张力2，000kPa、干燥温度160°C干燥16秒，形成脱模层，得到脱模层的干燥固化后的重量为0. 2g/m2的脱模薄膜。使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价， 结果如表1所示。比较例2在一次拉伸步骤中，使长度方向(纵向)的拉伸倍率为3.0倍，除此之外与实施例 1同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价，结果如表1所示。比较例3使一次拉伸步骤中长度方向(纵向)的拉伸倍率为4. 8倍、二次拉伸步骤中与长 度方向相垂直的方向(宽度方向)的拉伸倍率为3.0倍，除此之外与实施例1同样，得到脱 模薄膜。使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价，结果如表1所示。 与实施例1同样，得到特性粘度为0. 65(35°C，邻氯苯酚中)的聚对苯二甲酸乙二 醇酯组合物。[涂剂的制备]在搅拌下，向87份去离子水中添加作为主剂的10份有机硅乳液400E(Wacker Silicones公司制备，有机硅具有乙烯基的甲基聚硅氧烷，添加交联剂时可以结合使用用 于防止与钼催化剂早熟反应的抑制剂，固形成分浓度50% (质量))、1份交联剂V72(Wacker Silicones公司制备，为甲基含氢聚硅氧烷的乳液，在甲基硅氧烷中与双键反应，固形成分 浓度50% (质量))、0.3份硅烷偶联剂(信越〉U 二一 > (株)制备，商品名KBM-403)、 以及作为非离子系表面活性剂的0.15份聚氧乙烯油基醚(花王(株)制备，商品名工7 ^ Y > 404) (Si成分)，由此得到涂剂。涂剂的固形成分浓度为6. 0% (质量)。由涂剂得 到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂84.1%(质量)交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5.0% (质量)表面活性剂2. 5% (质量)[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]将上述所得聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物在170°C下干燥5小时，使聚对苯二甲 酸乙二醇酯组合物的含湿率为0.05% (质量)以下。接着将干燥的聚对苯二甲酸乙二醇酯 组合物供给挤出机，在熔融温度280 300°C下熔融，使用平均网孔Ilym的钢线滤器进行 高精度过滤，然后由模头挤出，制成熔融片，将所述熔融片按照静电粘附法与冷却转鼓接触 骤冷，由此得到厚度450 μ m的未拉伸聚酯薄膜。[一次拉伸步骤]使用所得未拉伸聚酯薄膜，与实施例1同样，得到长度方向单轴拉伸聚酯薄膜。[线内涂布步骤]接着，在所得长度方向单轴拉伸聚酯薄膜上涂布上述制备的涂剂，使所得脱模薄 膜中脱模层的厚度为40nm，由此得到具有涂膜的聚酯薄膜。涂剂的涂布实施于在未拉伸聚 酯薄膜成型步骤中未接触冷却转鼓的面。[二次拉伸步骤]接着，将所得的具有涂膜的聚酯薄膜供给拉幅机，与实施例1同样，制成双轴拉伸 聚酯薄膜。[热定型步骤]对于所得的双轴拉伸聚酯薄膜，与实施例同样，得到总厚度为31 μ m的脱模薄膜。 使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价。结果如表2所示。实施例4各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例3同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]作为表面活性剂，使用0. 06份非离子系的有机硅系表面活性剂_聚氧乙烯/甲基 聚硅氧烷共聚物(日本- > > (株)制备，商品名EMALEX SS-5051) (S2成分)代
24替聚氧乙烯油基醚。涂剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂85.4%(质量)交联剂8.5% (质量)硅烷偶联剂5· (质量)表面活性剂1.0% (质量)[二次拉伸步骤]横向拉伸倍率为4. 5倍。[热定型步骤]松弛处理中的松弛量为4. 0 %。实施例5各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例4同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]使用0. 15份非离子系的有机硅系表面活性剂-聚氧乙烯/甲基聚硅氧烷共聚物 (日本工^ >夕3 > (株)制备，商品名EMALEXSS-5051) (S2成分)作为表面活性剂。涂 剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固 形成分比例如下。主剂84.1%(质量)交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5.0% (质量)表面活性剂2. 5 % (质量)实施例6各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例4同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]使用0. 3份非离子系的有机硅系表面活性剂_聚氧乙烯/甲基聚硅氧烷共聚物 (日本工^ >夕3 > (株)制备，商品名EMALEX SS-5051) (S2成分)作为表面活性剂。涂 剂的固形成分浓度为6. 2% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固 形成分比例如下。主剂82.0%(质量)交联剂8.2% (质量)硅烷偶联剂4.9% (质量)表面活性剂4· 9% (质量)实施例7各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例4同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]使用0.6份非离子系的有机硅系表面活性剂-聚氧乙烯/甲基聚硅氧烷共聚物(日本工^ >夕3 > (株)制备，商品名EMALEX SS-5051) (S2成分)作为表面活性剂。涂 剂的固形成分浓度为6. 5% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固 形成分比例如下。主剂78.1%(质量)交联剂7.8% (质量)硅烷偶联剂4.7% (质量)表面活性剂9· 4% (质量)比较例4各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例4同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]不使用表面活性剂。涂剂的固形成分浓度为5. 9% (质量)。由该涂剂得到的脱 模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂86.2%(质量)交联剂8.6% (质量)硅烷偶联剂5.2% (质量)表面活性剂0% (质量)[一次拉伸步骤]纵向拉伸倍率为3.0倍。比较例5各步骤中的各条件如下，除此之外与比较例4同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[一次拉伸步骤]纵向拉伸倍率为4. 8倍。[ 二次拉伸步骤]横向拉伸倍率为3.0倍。比较例6不涂布涂剂，除此之外与实施例3同样，得到不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜。接着，在加成聚合型的有机硅树脂组合物(东芝〉U 二一 >(株)制备，商品名 TPR-6721)的甲苯溶液(固形成分浓度3% (质量))中添加Pt催化剂(东芝〉'J 二一 > (株)制备，商品名CM670)，使其相对于100质量份加成聚合型有机硅树脂组合物的固形 成分为1质量份，制备脱模剂涂液。该脱模剂涂液中不含有表面活性剂。接着，卷出上述得到的不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜的卷，在卷出的双轴拉 伸聚酯薄膜的宽度方向中的中央部涂布上述制备的脱模剂涂液，涂布量(wet)为6g/m2，使 用下方和上方的空气吹出口的间隔分别为38cm的空气悬浮传送式干燥装置，以传送张力 2，000kPa、干燥温度160°C、干燥时间16秒进行干燥，形成脱模层，得到脱模层的干燥固化 后的重量为0. 2g/m2的脱模薄膜。使用所得脱模薄膜进行各种的测定 评价，结果如表2所 示。脱模剂涂液的涂布实施于在未拉伸聚酯薄膜成型步骤中未与冷却转鼓接触的面上。 实施例8[聚酯的制备] 与实施例1同样，得到特性粘度为0. 65(35°C，邻氯苯酚中)的聚对苯二甲酸乙二 醇酯组合物。[涂剂的制备]与实施例3同样，得到涂剂。涂剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由涂剂得到 的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂84.1%(质量)交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5.0% (质量)表面活性剂2.5% (质量)[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]使用上述得到的聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物，与实施例3同样，得到厚度 450 μ m的未拉伸聚酯薄膜。[一次拉伸步骤]使用所得未拉伸聚酯薄膜，与实施例1同样，得到长度方向单轴拉伸聚酯薄膜。[线内涂布步骤]接着，在所得长度方向单轴拉伸聚酯薄膜上涂布上述制备的涂剂，使所得脱模薄 膜中的脱模层的厚度为40nm，由此得到具有涂膜的聚酯薄膜。涂剂的涂布实施于在未拉伸 聚酯薄膜成型步骤中未与冷却转鼓接触的面。[ 二次拉伸步骤]接着，将所得的具有涂膜的聚酯薄膜供给拉幅机，与实施例1同样，制成双轴拉伸 聚酯薄膜。[热定型步骤]对于所得双轴拉伸聚酯薄膜，与实施例1同样，得到总厚度为31 μ m的脱模薄膜。 将这里所得的脱模薄膜作为切裁前的脱模薄膜，进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[切裁步骤]卷绕条件是初始张力47N/m、张力锥度率60% (固定)、夹持压力150N/m、夹持压 力锥度率100%、速度180m/分钟，得到450mm宽、2000m长的脱模薄膜卷。对于所得脱模薄 膜卷进行各种的测定·评价，结果如表3所示。在距离所得脱模薄膜卷的表层500m的位置取样，得到脱模薄膜。将这里所得的脱 模薄膜作为切裁后的脱模薄膜，进行各种的测定·评价，结果如表3所示。实施例9各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例8同样，得到切裁前的脱模薄膜、 脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[涂剂的制备] 不使用表面活性剂。涂剂的固形成分浓度为5. 9% (质量)。由涂剂得到的脱模 层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂86.2%(质量)交联剂8.6% (质量)硅烷偶联剂5.2% (质量)
表面活性剂0% (质量)[ 二次拉伸步骤]横向拉伸倍率为4. 5倍。[热定型步骤]松弛处理中的松弛量为4. 0 %。实施例10各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例9同样，得到切裁前的脱模薄膜、 脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[涂剂的制备]使用0. 06份非离子系的有机硅系表面活性剂_聚氧乙烯/甲基聚硅氧烷共聚物 (日本工ι ^ ” 3 >株式会社制备，商品名EMALEXSS-5051) (S2成分)作为表面活性剂。 涂剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的 固形成分比例如下。主剂85.4%(质量)交联剂8.5% (质量)硅烷偶联剂5· (质量)表面活性剂1· 0% (质量)实施例11各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例10同样，得到切裁前的脱模薄 膜、脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[涂剂的制备]使表面活性剂(S2成分)的添加量为0. 15份。涂剂的固形成分浓度为6.0% (质 量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂84.1%(质量)交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5.0% (质量)表面活性剂2· 5% (质量)[切裁步骤]切裁步骤中的卷绕条件如表3所示。实施例I2 I5切裁步骤中的卷绕条件如表3所示，除此之外与实施例11同样，得到切裁前的脱 模薄膜、脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所不。实施例16各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例10同样，得到切裁前的脱模薄 膜、脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[涂剂的制备]使表面活性剂(S2成分)的添加量为0. 3份。涂剂的固形成分浓度为6. 2% (质 量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。
主剂82.0%(质量)交联剂8.2% (质量)硅烷偶联剂4· 9% (质量)表面活性剂4· (质量)实施例17各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例10同样，得到切裁前的脱模薄 膜、脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[涂剂的制备]使表面活性剂(S2成分)的添加量为0. 6份。涂剂的固形成分浓度为6. 5% (质 量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂78.1%(质量)交联剂7.8% (质量)硅烷偶联剂4.7% (质量)表面活性剂9· 4% (质量)比较例7各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例9同样，得到切裁前的脱模薄膜、 脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[一次拉伸步骤]纵向拉伸倍率为3. 0倍。比较例8各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例9同样，得到切裁前的脱模薄膜、 脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。[一次拉伸步骤]纵向拉伸倍率为4. 8倍。[二次拉伸步骤]横向拉伸倍率为3.0倍。比较例9不涂布涂剂，除此之外与实施例8同样，得到不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜。接着，在加成聚合型的有机硅树脂组合物(东芝〉'J 二一 >公司制备，商品名 TPR-6721)的甲苯溶液(固形成分浓度3% (质量))中添加Pt催化剂(东芝〉'J 二一 > 公司制备，商品名CM670)，使其相对于100质量份加成聚合型有机硅树脂组合物的固形成 分为1质量份，制备脱模剂涂液。该脱模剂涂液中不含有表面活性剂。接着，卷出上述得到的不具有脱模层的双轴拉伸聚酯薄膜的卷，在卷出的双轴拉 伸聚酯薄膜的宽度方向中的中央部涂布上述制备的脱模剂涂液，涂布量(wet)为6g/m2，使 用下方和上方的空气吹出口的间隔分别为38cm的空气悬浮传送式干燥装置，以传送张力 2，000kPa、干燥温度160°C、干燥时间16秒进行干燥，形成脱模层，得到脱模层的干燥固化 后的重量为0. 2g/m2的脱模薄膜。将这里得到的脱模薄膜作为切裁前的脱模薄膜，进行各 种的测定·评价，结果如表3所示。脱模剂涂液的涂布实施于在未拉伸聚酯薄膜成型步骤 中未与冷却转鼓接触的面上。
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[切裁步骤]切裁步骤中的卷绕条件如表3所示，得到脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它 们进行各种的测定·评价，结果如表3所示。参考例1切裁步骤中的卷绕条件如表3所示，除此之外与实施例11同样，得到切裁前的脱 模薄膜、脱模薄膜卷、切裁后的脱模薄膜。使用它们进行各种的测定·评价，结果如表3所 实施例18[聚酯的制备
与实施例1同样，得到特性粘度为0. 65(35°C，邻氯苯酚中)的聚对苯二甲酸乙二 醇酯组合物。[涂剂的制备]与实施例3同样，得到涂剂。涂剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由涂剂得到 的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂84.1%(质量)交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5.0% (质量)表面活性剂2· 5% (质量)[未拉伸聚酯薄膜成型步骤]将上述所得聚对苯二甲酸乙二醇酯组合物在170°C下干燥5小时，使聚对苯二甲 酸乙二醇酯组合物的含湿率为0.05% (质量)以下。接着将干燥的聚对苯二甲酸乙二醇酯 组合物供给挤出机，在熔融温度280 300°C下熔融，使用平均网孔Ilym的钢线滤器进行 高精度过滤，然后由模头挤出，制成熔融片，通过静电粘附法使所述熔融片与冷却转鼓接触 骤冷，获得厚度480 μ m的未拉伸聚酯薄膜。[一次拉伸步骤]将所得未拉伸聚酯薄膜在75°C下预热，接着在低速、高速辊之间、在薄膜温度 105°C下沿长度方向拉伸至3. 8倍，然后骤冷，由此得到长度方向单轴拉伸聚酯薄膜。[线内涂布步骤]接着，在所得长度方向单轴拉伸聚酯薄膜上涂布上述制备的涂剂，使所得脱模薄 膜中的脱模层的厚度为40nm，由此得到具有涂膜的聚酯薄膜。涂剂的涂布实施于在未拉伸 聚酯薄膜成型步骤中未与冷却转鼓接触的面。[ 二次拉伸步骤]接着，将所得的具有涂膜的聚酯薄膜供给拉幅机，与实施例1同样，制成双轴拉伸 聚酯薄膜。[热定型步骤]对于所得双轴拉伸聚酯薄膜，与实施例1同样，得到总厚度31 μ m的脱模薄膜。使 用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价，结果如表4所示。实施例19各步骤中的各条件如下所示，除此之外与实施例18同样，得到总厚度31 μ m的脱 模薄膜。使用所得脱模薄膜进行各种的测定·评价，结果如表4所示。各步骤中的各条件如下，除此之外与实施例3同样，得到脱模薄膜。使用所得脱模 薄膜进行各种的测定·评价，结果如表2所示。[涂剂的制备]作为表面活性剂，使用0. 06份非离子系的有机硅系表面活性剂_聚氧乙烯/甲基 聚硅氧烷共聚物(日本- ι ^ ” 3 >株式会社制备，商品名EMALEX SS-5051) (S2成分)代 替聚氧乙烯油基醚。涂剂的固形成分浓度为6.0% (质量)。由该涂剂得到的脱模层100% (质量)中各成分的固形成分比例如下。主剂84.1%(质量)
交联剂8.4% (质量)硅烷偶联剂5·0% (质量)表面活性剂2. 5% (质量)[一次拉伸步骤]纵向拉伸倍率为4. 0倍。[热定型步骤]松弛处理中的松弛量为4. 0 %。
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发明效果 本发明的脱模薄膜在制备陶瓷偏时的加热张力下具有适度的尺度变化率，使陶瓷浆料干燥时的热收缩平衡优异。即，可充分满足作为陶瓷片制备时使用的脱模薄膜所要求 的性能。因此，在使用本发明的脱模薄膜作为陶瓷片制备用的载体薄膜时，不仅是搬运步 骤，在干燥步骤中载体薄膜的热收缩平衡也优异，因此可以高度抑制所得陶瓷片的厚度偏差。具有本发明的优选方案的脱模薄膜，其表面平滑性优异，因此可以抑制所得陶瓷 片中针孔的发生。因此，利用具有本发明的优选方案的脱模薄膜可以使陶瓷片以及陶瓷电 容器的生产性提高。并且具有本发明的优选方案的脱模薄膜可以高度抑制在载体薄膜卷取步骤或从 载体薄膜上剥离陶瓷片的步骤中发生的剥离静电。其结果，在使用本发明的脱模薄膜制备 的陶瓷片来制备陶瓷电容器时，可以高度抑制所得电容器的内部电极的位置偏离。本发明的薄膜卷可以提供平坦性优异的脱模薄膜。使用由所述脱模薄膜制备的陶 瓷片来制备陶瓷电容器时，可以得到容量均勻的陶瓷电容器。
权利要求
脱模薄膜，该脱模薄膜是在聚酯薄膜的至少一个面上具有脱模层的脱模薄膜，在脱模薄膜的长度方向上施加0.2MPa以上4.0MPa以下的张力时，100℃下的长度方向的伸长率SMD满足下述式(1)；在与脱模薄膜的长度方向相垂直的方向上施加0.01MPa张力时，100℃下的与长度方向相垂直的方向的伸长率STD满足下述式(2)；脱模薄膜在无载荷下、100℃下的长度方向的热伸长率HSMD满足下述式(3)；脱模薄膜在无载荷下、100℃下的与长度方向相垂直的方向的热伸长率HSTD满足下述式(4)；长度方向的热伸长率HSMD和与上述长度方向相垂直的方向的热伸长率HSTD满足下述式(5)0.0961X 0.45≤SMD≤0.0961X 0.25 (1)式(1)中，X为施加于薄膜单位面积上的张力MPa，X表示0.2MPa以上4.0MPa以下的值， 0.6≤STD≤ 0.2 (2) 0.4≤HSMD≤ 0.1 (3) 0.6≤HSTD≤ 0.2 (4)HSMD＞HSTD(5)。
2.权利要求1所述的脱模薄膜，其中，脱模层表面通过接触式三维表面粗糙度计测定 的最大高度Rmax在IOOnm以上600nm以下的范围。
3.权利要求1或2所述的脱模薄膜，其中，脱模层表面和不具有脱模层的一侧的表面通 过接触式三维表面粗糙度计测定的最大高度Rmax分别为IOOnm以上600nm以下的范围。
4.权利要求1 3中任一项所述的脱模薄膜，其中，脱模层含有相对于脱模层的重量为 0.5% (质量)以上10% (质量)以下的表面活性剂。
5.权利要求1 3中任一项所述的脱模薄膜，其中，纵向的厚度偏差为3.0%以下，横 向的厚度偏差为3.0%以下。
6.权利要求1 5中任一项所述的脱模薄膜，其中，脱模层是通过在单轴拉伸的聚酯薄 膜上涂布脱模层形成组合物来形成的。
7.权利要求1 6中任一项所述的脱模薄膜，该脱模薄膜用于制备陶瓷片。
8.权利要求7所述的脱模薄膜，其中陶瓷片用于制备陶瓷电容器。
9.薄膜卷，该薄膜卷是将权利要求1 6中任一项所述的脱模薄膜卷绕成卷状而得到 的，卷表层的维式硬度Hv为0以上450以下。
全文摘要
本发明的目的在于提供在制备陶瓷片时的加热张力下具有适度的尺寸变化率、陶瓷浆料干燥时的热收缩平衡也优异、可充分满足陶瓷片制备时使用的脱模薄膜所要求的性能的脱模薄膜。本发明的脱模薄膜在特定的载荷下具有特定的伸长率，在无载荷下具有特定的热伸长率。
文档编号B32B15/08GK101909875SQ2009801021
公开日2010年12月8日 申请日期2009年1月8日 优先权日2008年1月11日
发明者渡边真哉 申请人:帝人杜邦薄膜日本有限公司