一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃及其制造方法，包括依次在玻璃基板上沉积底层电介质层、第一红外反射功能层、第一阻挡层、中间电介质层、第二红外反射功能层、第二阻挡层和顶层电介质层，所述第一红外反射功能层和第二红外反射功能层均由Ag形成。本发明的技术方案易于制造且具有极高的、不低于80％的透过率和极低的、小于0.025的辐射率，尤其适用于寒冷地区使用。
【专利说明】一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于玻璃制造领域，涉及一种镀膜玻璃，具体涉及一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃。
【背景技术】
[0002]镀膜玻璃^1888)也称反射玻璃。镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足某种特定要求。镀膜玻璃按产品的不同特性，可分为以下几类:热反射玻璃、低辐射玻璃、导电膜玻璃等。
[0003]高透型匕戒玻璃具有较高的可见光透射率、较高的太阳能透过率和远红外线发射率，所以采光性极佳、透过玻璃的太阳热辐射多、隔热性能优良，适用于北方寒冷地区和部分地域的高通透性建筑，突出自然采光效果。
[0004]专利⑶20231915仙公开了一种双银镀膜夹层玻璃，包括多层结构，所述的多层结构包括自内向外连接的玻璃基片(丨)、聚乙烯醇缩丁醛的薄膜层(2^双银镀膜的玻璃层
(3)。该专利的优点是通过外层为双银镀膜的玻璃层、中间层的聚乙烯醇缩丁醛的薄膜层以及内层的玻璃基片，其中外层的双银镀膜的玻璃层结合中间层的聚乙烯醇缩丁醛的薄膜层，阻挡了多达30%的太阳辐射，阻热效果好，在降低空调费用的同时，也大大减少了能耗的损失；以及高节能防紫外线，避免了室内设施褪色；此外，双银镀膜的外层结构具有中性的外观，无论在透视颜色或室内反射颜色都为自然的中性色。但该专利的透过性能和低辐射性能较低且制造复杂。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明提供了一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃及其制造方法。
[0006]为达到上述目的，具体技术方案如下:
[0007]一方面，提供了一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃，包括依次沉积在玻璃基板上的底层电介质层、第一红外反射功能层、第一阻挡层、中间电介质层、第二红外反射功能层、第二阻挡层和顶层电介质层，所述第一红外反射功能层和第二红外反射功能层均由^形成。
[0008]优选的，所述底层电介质层包括底层第一电介质层和底层第二电介质层。
[0009]优选的，所述底层第一电介质层为层，所述底层第二电介质层为211八1(?层。
[0010]优选的，所述底层第一电介质层的厚度为10?4011111，所述底层第二电介质层的厚度为0?2011111。
[0011]优选的，所述中间电介质层包括中间第一电介质层和中间第二电介质层。
[0012]优选的，所述中间第一电介质层为211311(?层，所述底层第二电介质层为211八1(?层。
[0013]优选的，所述中间第一电介质层的厚度为60?8011111，所述中间第二电介质层的厚度为0?2011111。
[0014]优选的，所述顶层电介质层为SiNx层，厚度为10?40nm。
[0015]优选的，所述第一阻挡层和第二阻挡层为T1x层，厚度为5?15nm。
[0016]优选的，所述第一红外反射功能层的厚度为O?15nm，所述第二红外反射功能层的厚度为5?20nmo
[0017]另一方面，提供了一种如权利高透过低辐射的双银镀膜玻璃的制造方法，包括以下步骤:
[0018]步骤I，提供玻璃基板，采用中频电源，在氩氧气氛下沉积底层电介质层；
[0019]步骤2，采用Ag靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第一红外反射功能层；
[0020]步骤3，采用T1x靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第一阻挡层；
[0021]步骤4，采用中频电源，在氩氧气氛下沉积中间电介质层；
[0022]步骤5，采用Ag靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第二红外反射功能层；
[0023]步骤6，采用T1x靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第二阻挡层；
[0024]步骤7，采用中频电源，在氩氮气氛下沉积顶层电介质层。
[0025]相对于现有技术，本发明的技术方案易于制造且具有极高的、不低于80%的透过率和极低的、小于0.025的辐射率，尤其适用于寒冷地区使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是本发明实施例的高透过低辐射的双银镀膜玻璃的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本发明实施例，对本发明技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]以下将对本发明的实施例做具体阐释。
[0030]本发明的实施例的一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃，优选其膜层结构依次为:玻璃基板1、底层第一电介质层2、底层第二电介质层3、第一红外反射功能层4、第一阻挡层5、中间第一电介质层6、中间第二电介质层7、第二红外反射功能层8、第二阻挡层9、顶层电介质层10。
[0031]其中，优选底层第一电介质层2为T1x层，厚度优选为10-40nm。底层第二电介质层3为ZnAlOx层，厚度为0-20nm ；
[0032]优选第一红外反射功能层4为Ag层，厚度为0-15nm ；
[0033]第一阻挡层5为T1x层，厚度为5-15nm ；
[0034]中间第一电介质层6为ZnSnOx层，厚度为60_80nm。中间第二电介质层7为ZnAlOx层，厚度为0_20nm ；
[0035]第二红外反射功能层8为Ag层，厚度为5-20nm ；
[0036]第二阻挡层9为T1x层，厚度为5-15nm ；
[0037]顶层电介质层10为31版层，厚度为10-4011111。
[0038]本发明的实施例的一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃的制造方法，优选包括:
[0039]步骤1，提供玻璃基板1，采用陶瓷靶材，中频电源，在氩氧气氛下沉积底层第一电介质层2。采用2—1合金靶材，中频电源，在氩氧气氛下沉积底层第二电介质层3 ；
[0040]步骤2，采用金属^靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第一红外反射功能层4。采用丁101陶瓷靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第一阻挡层5 ；
[0041〕 步骤3，采用211?合金靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积中间第一电介质层6。采用2—1合金靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积中间第二电介质层7 ；
[0042]步骤4，采用金属^靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第二红外反射功能层8。采用丁101陶瓷靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第二阻挡层9 ；
[0043]步骤5，采用51八1靶材、中频电源，在氩氮气氛下沉积顶层电介质层10。
[0044]本发明实施例的高透过低辐射的双银镀膜玻璃及其制造方法简便易行且具有极高的、不低于80%的透过率和极低的、小于0.025的辐射率，尤其适用于寒冷地区使用。
[0045]实施例1
[0046]优选底层第一电介质层2为采用陶瓷靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为2311111。底层第二电介质层3为211八101，采用211八1合金革[1材、中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为9111
[0047]第一红外反射功能层4为八8，采用金属勒材、直流电源，在氩气气氛下沉积，厚度为 9111110
[0048]第一阻挡层5为110^采用陶瓷靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为
7111110
[0049]中间第一电介质层6为采用211&1合金革巴材，中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为6511111。中间第二电介质层7为211八1?^，采用211八1合金革[1材，中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为15111
[0050]第二红外反射功能层8为八8，采用金属勒材，直流电源，在氩气气氛下沉积，厚度为 1111111。
[0051]第二阻挡层9为110^采用陶瓷靶材，中频电源，在氩氧气氛下沉积，厚度为
10鹽0
[0052]顶层电介质层10为31版，采用51八1革[1材，中频电源，在氩氮气氛下沉积，厚度为20^0通过上述方法形成的双银镀膜玻璃的可见光透过率为82%，可见光反射率为5%，太阳能透过率为43 %，辐射率为0.02。
[0053]以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
【权利要求】
1.一种高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，包括依次沉积在玻璃基板上的底层电介质层、第一红外反射功能层、第一阻挡层、中间电介质层、第二红外反射功能层、第二阻挡层和顶层电介质层，所述第一红外反射功能层和第二红外反射功能层均由Ag形成。
2.如权利要求1所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述底层电介质层包括底层第一电介质层和底层第二电介质层。
3.如权利要求2所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述底层第一电介质层为T1x层，所述底层第二电介质层为ZnAlOx层。
4.如权利要求2所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述底层第一电介质层的厚度为10?40nm，所述底层第二电介质层的厚度为O?20nm。
5.如权利要求1所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述中间电介质层包括中间第一电介质层和中间第二电介质层。
6.如权利要求5所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述中间第一电介质层为ZnSnOx层，所述底层第二电介质层为ZnAlOx层。
7.如权利要求6所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述中间第一电介质层的厚度为60?80nm，所述中间第二电介质层的厚度为O?20nm。
8.如权利要求1所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述顶层电介质层为SiNx层，厚度为10?40nmo
9.如权利要求1中所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层为T1x层，厚度5?15nm。
10.如权利要求1中所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一红外反射功能层的厚度为O?15nm，所述第二红外反射功能层的厚度为5?20nm。
11.一种如权利要求1至10任一项中所述的高透过低辐射的双银镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤I，提供玻璃基板，采用中频电源，在氩氧气氛下沉积底层电介质层； 步骤2，采用Ag靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第一红外反射功能层； 步骤3，采用T1x靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第一阻挡层； 步骤4，采用中频电源，在氩氧气氛下沉积中间电介质层； 步骤5，采用Ag靶材、直流电源，在氩气气氛下沉积第二红外反射功能层； 步骤6，采用T1x靶材、中频电源，在氩氧气氛下沉积第二阻挡层； 步骤7，采用中频电源，在氩氮气氛下沉积顶层电介质层。
【文档编号】B32B17/06GK104494237SQ201410719739
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月1日 优先权日:2014年12月1日
【发明者】郭爽, 穆键 申请人:上海北玻镀膜技术工业有限公司, 上海北玻玻璃技术工业有限公司, 洛阳北方玻璃技术股份有限公司