等离子体显示模块及制造其的方法

专利名称：等离子体显示模块及制造其的方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示模块。
背景技术：
等离子体显示模块是一种显示装置，在所述显示装置上，使用由放电气体产生的紫外线激发荧光材料而发射的光来显示预定的图像。由于可以生产薄而大的显示表面，所以所述显示装置被预期为下一代显示装置。
图1是传统等离子体显示模块的透视图。等离子体显示模块包括PDP(等离子体显示面板)1，其包括前面板10和后面板20；底板40，其支撑PDP1；和多个电路基板61、62、63、64、65和66，其驱动PDP1并被置于底板40的后侧。电路基板61、62、63、64、65和66通过连接线缆55相互连接并通过连接线缆51、52、53和54被连接到PDP1。
放置在底板40的上中心部分上的电路基板61的作用是将从外部供应的能量转换成所需的形式，放置在底板40的下中心部分上的电路基板62的作用是将从外部接收的图像信号转换以符合PDP1的驱动方法，放置在底板40左侧的电路基板63的作用是将放电脉冲施加到将在后面描述的Y电极13，放置在底板40的右侧的电路基板64的作用是将放电脉冲施加到将在后面描述的X电极12，和放置在底板40的最上、最下部分的电路基板65和66的作用是将放电脉冲施加到将在后面描述的寻址电极22。
在图1中描述的PDP1是双寻址驱动PDP，在双寻址驱动PDP中，寻址电极被分开在底板40的最上、最下部分。因此，需要用于将寻址信号施加到寻址电极22的两个电路基板。然而，在寻址电极没有被分开的PDP中，需要上述电路基板65和66中的一个。
在PDP1的制造工艺中，排气孔P被用于去除不纯的气体并在密封了前面板10和后面板20之后填充放电气体，并且当不纯的气体的去除和放电气体的填充完成时，排气孔P的末端被密封。
PDP1包括显示区AD，在所述显示区图像被显示，并且所述显示区位于前面板10和后面板20的重叠区；和密封区AS，在所述密封区上，用于将前面板10和后面板20结合的密封剂如熔块被涂覆在显示区AD周围。
前面板10包括第一连接单元AC1，放置在密封区AS的左侧并被连接到连接线缆53；和第二连接单元AC2，放置在密封区AS的右侧，并且连接线缆54被附在其上。后面板20包括第三连接单元AC3，放置在密封区AS的上边缘，并且连接线缆51被附在其上；和第四连接单元AC4，放置在密封区AS的下边缘，并且连接线缆52被附在其上。
图2是传统等离子体显示模块的剖面分解透视图，在其中显示了显示区AD的结构。在图2中描述的PDP1与Iguchi等人在第1998-172442号日本专利公开中所公开的“Plasma Display and Manufacturer Thereof”的PDP相似。
所述PDP1包括后基板21；多个寻址电极22，相互平行地放置在后基板21的整个表面上；后介电层23，其覆盖所述寻址电极22；多个障肋24，形成在后介电层23上；荧光层25，形成在障肋24的侧表面和后介电层23的整个表面上；前基板11，平行于后基板21放置；多个维持放电电极对14，放置在前基板11的后表面上；前介电层15，其覆盖维持放电电极对14；和MgO薄膜16，其覆盖前介电层15。
所述维持放电电极对14包括X电极12和Y电极13。X电极12和Y电极13分别包括透明电极12b、13b和汇流电极12a和13a。在上述的PDP1中，由一个维持放电电极对14和两个相邻障肋24来限定一个子象素。在上述的PDP1中，通过寻址电极22和Y电极13之间的寻址放电来选择将发光的子象素，选择的子象素通过在选择的子象素的X电极12和Y电极13之间发生的维持放电来发光。更具体地讲，填充在子象素中的放电气体通过维持放电来产生紫外线，并且所述紫外线激发荧光层25以产生可见光。通过从荧光层25发射的光在PDP1上显示图像。
对于增大PDP1的发光效率存在各种条件。条件之一是阻碍从荧光层25发射的可见光的发射的元件必须被最小化。
然而，在上述的PDP1的结构中，由于从荧光层25发射的部分可见光被MgO薄膜16、前介电层15、透明电极12b和13b、以及汇流电极12a和13a吸收或反射，所以透过前基板11的可见光大约为荧光层25发射的光的60％。
另外，因为寻址电极22和Y电极13之间的距离(在传统产品中为150μm(微米))远，所以产生寻址放电需要时间并且寻址电压高。
为了制造传统的PDP1，前面板10可以这样的方式制造，即维持放电电极对14形成在前基板11上，并且维持放电电极对14被前介电层15和MgO薄膜16覆盖，后面板20可以这样的方式制造，即寻址电极22形成在后基板21上，寻址电极22被后介电层23覆盖，并且障肋24和荧光层25形成在后介电层23上。然后，前面板10和后面板20被气密性密封。通过将在前面板10和后面板20之间形成的空间中的不纯的气体排尽并在所述空间中填充放电气体来完成PDP1的制造。
为了制造传统的PDP1，分别需要一列用于制造前面板10的设备、另一列用于制造后面板20的设备和再一列用于排尽不纯的气体和填充放电气体的设备。
当从一个工艺转换到另一个工艺或当排列前面板10和后面板20时，各种设备可导致产品失败，并且工艺时间长并范围大，由此增加了制造成本。

发明内容
因此本发明的目标是提供一种可提高光的发射效率的等离子体显示模块。
本发明的另一目的是提供一种可快速产生寻址放电并降低寻址电压的等离子体显示模块。
本发明的另一目的是提供一种可降低失败率和制造成本的等离子体显示模块。
本发明的另一目的是当从一个工艺转换到另一个工艺或当排列前面板和后面板时防止各种设备可导致产品失败的情况。
本发明的另一目的是提供时间较短并且区域较小的工艺时间，由此降低制造成本。
根据本发明的一方面，提供了一种等离子体显示模块，包括基板，由透明绝缘体形成；底板，位于所述基板的后侧上；多个障肋，位于基板和底板之间由电介质形成，并且与基板和底板一起来限定放电室；多个前放电电极，形成在放电室周围的障肋中；多个后放电电极，与前放电电极隔开并形成在放电室周围的障肋中；荧光层，位于放电室内；放电气体，填充在放电室中；和多个电路基板，其将电信号施加到位于底板的后侧的电极。
障肋可形成在基板的后表面上。
底板可由绝缘体形成。在这种情况下，底板的前表面可被MgO薄膜覆盖。
底板可由导电材料形成，并且绝缘层可形成在底板的前表面上。在这种情况下，绝缘层的前表面可被MgO薄膜覆盖。
荧光层可形成在限定放电室的基板的后表面上，并且荧光层的厚度可小于15μm。
底板可由绝缘体形成，障肋可形成在底板的前表面上，并且荧光层可形成在限定放电室的底板的前表面上。在这种情况下，基板的后表面可被MgO薄膜覆盖并且荧光层的厚度可小于15μm。
底板可由导电材料形成，绝缘层可形成在底板的前表面上，障肋可形成在绝缘层的前表面上，并且荧光层可形成在放电室中的绝缘层的前表面上。在这种情况下，基板的后表面可被MgO薄膜覆盖并且荧光层的厚度可小于15μm。
前放电电极和后放电电极可在一方向上延伸，底板可由绝缘体形成，延伸与前放电电极和后放电电极交叉的寻址电极可形成在底板的前表面上，所述寻址电极被介电层覆盖，障肋可形成在所述介电层的前表面上，并且荧光层可形成在放电室中的所述介电层的前表面上。在这种情况下，基板的后表面可被MgO薄膜覆盖并且荧光层的厚度可小于15μm。
前放电电极和后放电电极可在一方向上延伸，底板可由导热性材料形成，绝缘层可形成在底板的前表面上，延伸与前放电电极和后放电电极交叉的寻址电极可形成在绝缘层的前表面上，寻址电极可被介电层覆盖，障肋可形成在介电层的前表面上，并且荧光层可形成在放电室中的介电层的前表面上。在这种情况下，基板的后表面可被MgO薄膜覆盖，并且荧光层的厚度可小于15μm。
前放电电极和后放电电极可在一方向上延伸，并且后放电电极可延伸使得与前放电电极交叉。在这种情况下，前放电电极和后放电电极可均具有梯形形状。
前放电电极和后放电电极可在一方向上延伸，并且等离子体显示模块还可包括位于障肋中的寻址电极以围绕所述放电室，并且所述寻址电极延伸与前放电电极和后放电电极交叉。在这种情况下，前放电电极、后放电电极和寻址电极可均具有梯形形状。
寻址电极可被放置在前放电电极的前面或后面。
障肋的侧表面可被MgO薄膜覆盖。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述等离子体显示模块包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述基板的后表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述基板的后表面上形成荧光层；并且在气密性地密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述底板的前表面上形成MgO薄膜。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述方法包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导热性材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述基板的后表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述基板的后表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述绝缘层的前表面上形成MgO薄膜。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述方法包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述底板的前表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述底板的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述方法包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导电材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中的所述绝缘层的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述方法包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述底板的前表面上形成寻址电极；形成覆盖寻址电极的介电层；在所述介电层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中的所述介电层的前表面上形成荧光层；并且在气密性地密封通过结合基板和底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
根据本发明的一方面，提供了一种制造等离子体显示模块的方法，所述方法包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导电材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的前表面上形成寻址电极；形成覆盖寻址电极的介电层；在所述介电层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中的所述介电层的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合基板和底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。在这种情况下，所述方法还可包括在所述障肋侧表面上形成MgO薄膜和在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。


通过结合附图来参考以下的详细描述，本发明更完整的说明及其很多附属的优点将会变得更加清楚，同时其也被更好地理解，其中，相同的符号表示相同或相似的元件，其中图1是传统等离子体显示模块的分解透视图；图2是图1中的传统等离子体显示模块的剖面分解透视图；图3是根据本发明第一实施例的等离子体显示模块的分解透视图；图4是图3中的等离子体显示模块的显示区的透视图；图5是图4中的电极的结构的剖面透视图；图6和图7是沿图3中的线A-A截取的截面图；
图8是沿图3中的线B-B截取的截面图；图9至图19是沿图4中的线C-C截取的截面图，用于描述制造根据本发明的第一实施例的等离子体显示模块的方法；图20是根据本发明第一实施例的第一修改版本的等离子体显示模块的显示区的分解透视图；图21是根据本发明第一实施例的第二修改版本的等离子体显示模块的显示区的分解透视图；图22是图21中的电极结构的剖面透视图；图23是根据本发明第二实施例的等离子体显示模块的分解透视图；图24是图23中的等离子体显示模块的显示区的分解透视图；图25和图26是沿图23中的线A-A截取的截面图；图27是沿图23中的线B-B截取的截面图；图28是根据本发明第二实施例的第一修改版本的等离子体显示模块的显示区的分解透视图；图29是根据本发明的第二实施例的第二修改版本的等离子体显示模块的显示区的分解透视图；图30是根据本发明的第二实施例的第三修改版本的等离子体显示模块的显示区的分解透视图。
具体实施例方式
现在将结合附图来更加详细地描述本发明，本发明的示例性实施例示出于附图中。
现在将参照图3至8来描述根据本发明的第一实施例的等离子体显示模块。
等离子体显示模块包括基板111、底板150、多个障肋115、MgO薄膜116、多个前放电电极113、多个后放电电极112、多个寻址电极122、荧光层125、放电气体及电路基板61、62、63、64、65和66。
底板150由绝缘体例如塑料形成，并且被设置在基板111的后侧面上。绝缘体可由具有抵抗通过在稍后将描述的放电室126中发生的放电而产生的热变形的能力和高热导率的材料形成。此外，因为底板150通过与基板111结合来限定放电室126，所以底板150的前表面优选地是扁平的。
底板150支撑被设置在底板150的后面(X方向)上的电路基板61、62、63、64、65和66。虽然它在附图中没有被示出，但是因为MgO薄膜发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以底板150的前表面150a被MgO薄膜(未示出)覆盖。
电路基板61、62、63、64、65和66将电信号施加给稍后将描述的电极113、112和122。更具体而言，设置在底板150的中上侧面上的电路基板61起到将从外部供应的能量转换成所需形式的作用，设置在底板150的中下部分上的电路基板62起到转换从外部接收的图像信号以满足PDP1的驱动方法的作用，设置在底板150的左侧面上的电路基板63起到将放电脉冲施加到稍后将描述的后放电电极112的作用，设置在底板150的右侧面上的电路基板64起到将放电脉冲施加到亦稍后将描述的前放电电极113的作用，并且设置在底板150的最上和最下部分上的电路基板65和66起到将放电脉冲施加到稍后将描述的寻址电极122的作用。电路基板61、62、63、64、65和66是示例性的，并且不能根据电路基板61、62、63、64、65和66的位置来确定每个电路基板的作用。
电路基板61、62、63、64、65和66通过连接线缆55而彼此连接，电路基板65和66分别通过连接线缆51和52而连接到寻址电极122的端部122a，电路基板63通过连接线缆53而连接到下放电电极的端部112a，并且电路基板64通过连接线缆54而连接到上放电电极的端部113a。
图3中所示的等离子体显示模块1通过双重寻址方法来驱动，在所述的等离子体显示模块中，寻址电极122在底板150的最上和最下部分(-Z方向和Z方向)上被分开。因此，需要两个电路基板65和66用以将寻址信号施加到寻址电极122。然而，在其中寻址电极122没有被分开的等离子体显示模块中，需要上述电路基板65和66中的一个。
基板111由透明的绝缘体例如玻璃形成。基板111包括显示区域AD，图像显示在其上；密封区域AS，密封元件例如将底板150和基板111粘合的熔块涂覆在其上，并且包围被涂覆的显示区域；第一连接单元AC1，连接线缆53附着其上，并且被设置在密封区域AS的左侧面上；第二连接单元AC2，连接线缆54附着其上，并且被设置在密封区域AS的右侧面上；第三连接单元AC3，连接线缆51附着其上，并且被设置在密封区域AS的上侧面上；和第四连接单元AC4，连接线缆52附着其上，并且被设置在密封区域AS的下侧面上。
图3所示的插销P’被形成以用于密封形成在底板150上的排气孔。在等离子体显示模块的制造过程中，在排出杂质气体并将放电气体填充在形成于基板111和底板150之间的空间中之后，用插销p’密封排气孔。
维持放电电极对14和覆盖维持放电电极对14的前介电层15没有形成在限定放电室126的基板111的后表面111a的部分上，所述的维持放电电极对14形成在传统的PDP1的基板的后表面11a上。因此，从稍后将描述的荧光层125中发射的可见光的80％(百分比)以上通过基板111，从而提高等离子体显示模块的光发射效率。
障肋115设置在基板111和底板150之间，更具体而言，在基板111的后表面111a上。障肋115与基板111和底板150一起限定放电室，并且由电介质形成。
放电室126按图4中的矩阵设置，但是本发明不局限于此，并且可以设置成三角形状。此外，放电室126的横截面(y-z平面的横截面)的形状是矩形，但是本发明不局限于此，可以是多边形的形状，例如三边形或五边形，或椭圆或圆。
障肋115由电介质形成，这样可以防止后放电电极112、前放电电极113和寻址电极122之间的串扰以及通过与带电粒子碰撞而引起对电极112、113和122的损坏。电介质可以是PbO、B2O3或SiO2。
参照图4，至少障肋115的侧表面115’可被MgO薄膜116覆盖。MgO薄膜可通过沉积来形成，并且在沉积MgO薄膜116时MgO薄膜116可形成在障肋115的后表面115’和基板111的后表面111a上。然而，根据本发明，形成在障肋115的后表面115’和基板111的后表面111a的MgO薄膜116对等离子体显示模块的工作没有影响。因为MgO薄膜的厚度小于1μm(微米或千分尺)，所以形成在基板111的后表面111a上的MgO薄膜116不会阻断可见光的通过，但有利于产生二次电子。
包围放电室126的前放电电极113、后放电电极112和寻址电极122设置在障肋115中。前放电电极113和后放电电极112通过其间插入稍后将描述的第二障肋115b而彼此分隔开，并且后放电电极112和寻址电极122通过其间插入第三障肋115c而彼此分隔开。
在本实施例中，前放电电极113和后放电电极112沿一个方向延伸，并且寻址电极122延伸使得与前放电电极113和后放电电极112交叉。在图5中，前放电电极113、后放电电极112和寻址电极122中的每个按梯形的形状形成，但是本发明不局限于此，并且这个形状有利于在放电室126的所有侧表面上产生寻址放电和维持放电。
在本实施例中，前放电电极113和后放电电极112包围放电室126，这与传统的维持放电电极12和13不同。因此，因为沿放电室126的外围发生维持放电，所以其中发生维持放电的空间体积比现有技术相对大。从而根据本实施例的等离子体显示模块的光发射效率大于传统的等离子体显示模块的光发射效率。
前放电电极113和后放电电极112是用于在等离子体显示模块上显示图像的维持放电电极。前放电电极113和后放电电极112由导电性金属例如Ag、Al或Cu形成，并且寻址电极122也可由导电性金属形成。
两个维持放电电极(维持放电电极对)，即，X和Y电极与一个寻址电极122被设置在由寻址放电和维持放电驱动的等离子体显示模块的一个放电室126中。寻址放电是在Y电极和寻址电极122之间发生的放电。当寻址电极122像本实施例中那样设置在后放电电极112的后侧面上时，后放电电极112可为Y电极，并且前放电电极113可为X电极。另一方面，当寻址电极122设置在前放电电极113的前侧面上时，前放电电极113可为Y电极，并且后放电电极112可为X电极。在任一情况下，寻址电极122和Y电极之间的距离小于100μm。因此，在根据本实施例的等离子体显示模块中，与传统的等离子体显示模块相比时，用于产生寻址放电所需的时间和用于产生寻址放电的寻址电压可以降低。
荧光层125形成在放电室126中，更具体而言，在基板111的后表面111a上。因为如果荧光层125是厚的，则从荧光层125的下部分发出的可见光朝基板111的通过可被阻断，所以荧光层125的厚度T可小于15μm。通过在将包括荧光粉的涂浆印刷或散布在放电室126的表面上之后干燥和退火该涂浆，可形成荧光层125。
涂浆包括红色荧光粉、绿色荧光粉和蓝色荧光粉中的一个、溶剂和粘合剂。红色荧光粉可以是Y(V，P)O4∶Eu，绿色荧光粉可以是Zn2SiO4∶Mn或YBO3∶Tb，并且蓝色荧光粉可以是BAM∶Eu。
放电气体填充在放电室126中。放电气体可以是包括5-15％Xe的Ne-Xe气体混合物，并且在必要时，Ne部分可以被He替代。
现在将参照图6至8来描述密封区域AS和密封区域AS附近的结构。从附图中可知，基板111包括显示区域AD、密封区域AS和第一连接单元AC1。
设置在显示区域AD和密封区域AS之间的排气区域AT是这样的区域，在该区域上形成将用于从基板111和底板150之间的空间中排出杂质气体并在使用稍后将描述的方法将基板111紧密接触底板150之后将放电气体填充在该空间中的通路R，障肋层115a、115b、115c和115d及电极112、113和122形成在所述的基板111上。排气区域AT连接到用上述的插销P’关闭的排气孔。
放电室126中的杂质气体通过由于MgO薄膜116和底板150的前表面150a之间的公差所形成的间隙(未示出)而传输到通路R，并且到达通路R的杂质气体通过排气孔而排出到外面。放电气体通过与排出杂质气体的相反的顺序而填充在空间中。在其上形成用于通过气体的通路R的排气区域AT可有助于杂质气体的排出和填充放电气体，但是通路R不是必要的。
密封元件130涂覆在密封区域AS上，并且熔块可用作密封元件130。熔块以熔融的状态被涂覆在密封区域AS上，并且可通过将涂层干燥和退火来密封基板111和底板150。
图6中所示的后放电电极112的每个末端112a(第一连接单元AC1的横截面)分别连接到形成在连接线缆53上的电线，图7中所示的前放电电极113的每个端部113a(第二连接单元AC2的横截面)分别连接到形成在连接线缆54上的电线，并且图8中所示的寻址电极122的每个端部122a(第三连接单元AC3的横截面)分别连接到形成在连接线缆51上的电线。省略第四连接单元AC4的横截面的连接，由于它相对于图8中所示的横截面是对称的。
现在将描述具有上述结构的等离子体显示模块的操作。通过在寻址电极122和后放电电极112之间施加寻址电压来发生寻址放电，并且作为寻址放电的结果，选择在其中发生维持放电的放电室126。放电室126的选择表示壁电荷积聚在与前放电电极113和后放电电极112相邻的障肋115(如果障肋115被MgO薄膜116覆盖，则为MgO薄膜116)的区域上。当寻址发送完成时，正离子积聚在与后放电电极112相邻的区域内，并且电子积聚在与前放电电极113相邻的区域内。
在寻址放电之后，当在前放电电极113和后放电电极112之间施加维持放电电压时，通过积聚在与后放电电极112相邻的区域内的正离子和积聚在与前放电电极113相邻的区域内的电子碰撞，发生维持放电。当维持放电继续时，放电维持电压被重复逆向地施加到后放电电极112和前放电电极113。
通过维持放电提高放电气体的能级，并且在放电气体能级降低时放电气体发射紫外线。紫外线提高包含在设置于放电室126中的荧光层125中的荧光粉的能级。当荧光层125的能级降低时产生可见光。通过从每个放电室126中发出的可见光，图像被显示在等离子体显示模块上。
现在将参照图9至19来详细地描述制造根据第一实施例的等离子体显示模块的方法。该方法包括稍后将描述的操作(a)、(b)、(c)和(d)。
操作(a)是用于制备由透明的绝缘体形成的基板111和由绝缘体形成的底板150的步骤，操作(b)是用于在基板111的后表面111a上交替地形成障肋层和电极112、113和122的步骤，操作(c)是用于在基板111的后表面111a上形成荧光层125的步骤，所述基板限定由通过障肋层形成的障肋115分隔的放电室126，并且操作(d)是用于在密封由密封基板111和底板150形成的空间之后将放电气体填充在该空间中的步骤。
在操作(a)中制备的基板111可由具有高透光率的绝缘体例如玻璃形成。在操作(a)中制备的底板150可由例如塑料的绝缘体形成。此参照图9，制备基板111。制备的底板150未示出。根据本实施例的等离子体显示模块不包括后基板21，这与传统的等离子体显示模块不同。因此，用于制造后基板21的设备线是不必要的，并且可以减少用于安装设备的空间，从而降低制造成本。
在制备底板150中，因为MgO薄膜产生很多有助于等离子体放电的二次电子，所以优选地，底板150具有MgO薄膜在底板150的前表面150a上。
在操作(b)中，障肋层115a、115b、115c和115d及电极113、112和122交替地形成在基板111的后表面111a上。
首先，第一障肋层115a形成在基板111的后表面111a上。通过干燥印刷在基板111的后表面111a上的介电涂浆，第一障肋层115a形成预定的图案。将第一障肋层115a形成为预定的图案的方法可以是预先将介电涂浆按预定图案印刷的方法，或者可以是在将介电涂浆印刷在基板111的整个后表面111a上之后使用喷沙除去不必要的部分的方法。如果有必要的话，在干燥第一障肋层115a之后可执行退火过程。形成的第一障肋层115a示出于图10中。
在完成第一障肋层115a的形成之后形成前放电电极113。通过在将涂浆印刷例如丝网印刷(screen printing)在第一障肋层115a的后表面115a’上之后对由涂浆形成的层进行干燥、曝光和洗印来形成前放电电极113，在所述涂浆中包括导电性金属，例如Ag、Cu或Al。形成的前放电电极113示出于图11中。
在完成前放电电极113的形成之后形成覆盖前放电电极113的第二障肋层115b。通过与用于形成第一障肋层115a相同或相似的方法来形成第二障肋层115b，并且形成的第二障肋层115b示出于图12中。
接下来，在完成第二障肋层115b的形成之后形成后放电电极112。通过与用于形成前放电电极113相同或相似的方法来形成后放电电极112，并且形成的后放电电极112示出于图13中。
在完成后放电电极112的形成之后形成覆盖后放电电极112的第三障肋层115c。通过与用于形成第一障肋层115a相同或相似的方法来形成第三障肋层115c，并且形成的第三障肋层115c示出于图14中。
在完成第三障肋层115c的形成之后形成寻址电极122。通过与用于形成前放电电极113相同或相似的方法来形成寻址电极122，但是寻址电极122形成不同于前放电电极113的图案，并且形成的寻址电极122示出于图15中。
在完成寻址电极122的形成之后形成覆盖寻址电极122的第四障肋层115d。通过与用于形成第一障肋层115a相同或相似的方法来形成第四障肋层115d，并且形成的第二障肋层115b示出于图16中。
第一障肋层115a、第二障肋层115b、第三障肋层115c和第四障肋层115d中的每个可通过堆叠两层以上以增加其厚度来被形成。此外，为了使电极绝缘，第二障肋层115b和第三障肋层115c是必需的，但是因为第一障肋层115a和第四障肋层115d不是必需的并且被用于牢固放电空间，所以第一障肋层115a和第四障肋层115d可以不被形成。
在操作(b)中，形成在第一障肋层115a和第二障肋层115b之间的前放电电极113沿一个方向延伸，形成在第二障肋层115b和第三障肋层115c之间的后放电电极112平行于前放电电极113延伸，并且形成在第三障肋层115c和第四障肋层115d之间的寻址电极122延伸使得与前放电电极113交叉。此外，前放电电极113、后放电电极112和寻址电极122被形成以包围放电室126。
在图5中，前放电电极113、后放电电极112和寻址电极122按梯形的形状形成，但是本发明不局限于此。此外，在本实施例中，寻址电极122设置在后放电电极112的后侧面上，并且寻址电极122可设置在前放电电极113的前侧面上。
操作(c)是用于将荧光层125形成在放电室126的前侧面上，更具体而言，在基板111的后表面111a上的步骤，所述的放电室126被障肋层115a、115b、115c和115d间隔限定。可通过将包括荧光粉的涂浆印刷或散布在基板111的后表面111a上之后干燥和退火该涂浆来形成荧光层125。优选地，退火之后荧光层125的厚度T小于15μm(微米)。形成的荧光层125示出于图18中。
在操作(c)之前或之后还可包括用于将MgO薄膜116形成在障肋115的侧表面115’上的操作。MgO薄膜116可形成小于1μm的厚度，例如0.7μm。MgO薄膜116防止由电介质形成的障肋115在等离子体放电发生并且产生很多有助于等离子体放电的二次电子时被正离子溅射。在本实施例中，在执行操作(c)之前形成MgO薄膜116，并且形成的MgO薄膜116示出于图17中。
当在操作(c)之前通过沉积来形成MgO薄膜116时，MgO薄膜116形成在荧光层125和基板111之间。当执行操作(c)之后通过沉积来形成MgO薄膜116时，MgO薄膜116形成在荧光层125上。在这两种情况下，MgO薄膜116形成在障肋115的后表面115”上。在这两种情况中形成的MgO薄膜116都不负面地影响等离子体显示模块的工作。
在操作(c)之前或之后通过将具有预定图案的掩膜设置在障肋115的后侧面上，MgO薄膜116可按预定的图案沉积。掩膜可具有任意图案，使得MgO薄膜116只能形成在障肋115的侧表面115’上。
在完成操作(a)至(c)之后执行操作(d)。在操作(d)中，基板111和底板150被粘合，并且在基板111和底板150之间形成的空间从外面被密封。执行密封使得例如熔块的密封元件130的熔融状态被涂覆在基板111和/或底板150的密封区域AS上，并且在硬化密封元件130之前基板111和底板150被粘合。过后，通过退火熔块来完成密封。
在用密封元件密封基板111和底板150之间的空间之后，将该空间中存在的杂质气体排出。然后，通过形成在底板150上的排气孔来将放电气体填充在该空间中。当放电气体的填充完成时，使用插销P’关闭排气孔。基板111和底板150的密封和粘合的状态示出于图19中。
制造电路基板61、62、63、64、65和66、将电路基板61、62、63、64、65和66安装在底板150的后侧面上、以及使用连接线缆51、52、53、54和55来连接形成在基板111上的电极的端部112a、113a和122a的描述被省略，因为这些技术在本领域中是众所周知的。
现在将参照图20描述第一实施例的第一修改版本，主要关于与第一实施例的不同。本修改版本与第一实施例的不同点在于，底板250由导热性金属形成，并且绝缘层251形成在底板250的前表面250a上。
当发生等离子体放电时，在放电室中产生大量的热。然而，如果底板250与第一实施例一样由非导热性金属例如塑料形成，则在显示区域AD中局域产生的热不可能容易地被驱散到其它元件。在这种情况下，潜像可以生成在积聚热的部分上，从而降低图像质量。此外，在等离子体显示模块工作长时间之后，整个显示区域AD的图像质量可能降低。
在本修改版本中，因为导热性金属具有比绝缘体大的热导率，所以底板250由导热性金属例如铝形成。然而，因为如果导电性金属暴露于放电室126中，则可能从等离子体放电中出现严重的问题，所以绝缘层251可形成在底板250的前表面250a上。
此外，因为MgO薄膜发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以优选地，绝缘层251的前表面251a被MgO薄膜(未示出)覆盖。
根据本修改版本的制造等离子体显示模块的方法至少类似于第一实施例中所述的制造等离子体显示模块的方法。然而，它们在操作(a)中有如下不同。
也就是说，在操作(a)中，由导电性金属形成的底板250必须被制备，并且绝缘层251形成在底板250的前表面250a上。然后，MgO薄膜(未示出)可形成在绝缘层251的前表面251a上。
在第一实施例的第一修改版本中没有描述的元件与第一实施例的元件相同。
现在将参照图21和22描述第一实施例的第二修改版本，主要关于与第一实施例的不同。本修改版本与第一实施例的不同在于，在本实施例中没有寻址电极122。
在特定的放电室126中只有两个放电电极可以产生放电。因此，对于在放电室126中产生放电，寻址电极122不是必需的。然而，如果没有寻址电极，前放电电极313和后放电电极312延伸使得彼此交叉，从而其中发生放电的放电室126可被选择。电极的结构示出于图22中。
在本实施例中，因为没有寻址电极，所以只有三个障肋层是必需的，以将电极设置在障肋层之间，并且因为最前的和最后的障肋层不是必要的，所以只能有一个障肋层是必需的。在这种情况下，一个障肋层设置在前放电电极313和后放电电极312之间。
因为制造根据本修改版本的等离子体显示模块的方法类似于制造根据第一实施例的等离子体显示模块的方法，所以该方法被略去。
第一实施例的第二修改版本可以与第一实施例的第一修改版本结合。
在第一实施例的第二修改版本中没有描述的元件与第一实施例的元件相同。
现在将参照图23至27来描述根据第二实施例的等离子体显示模块。
等离子体显示模块包括基板411、底板450、多个障肋415、MgO薄膜416、多个前放电电极413、多个后放电电极412、多个寻址电极422、荧光层425、放电气体以及多个电路基板61、62、63、64、65和66。
底板450由绝缘体例如塑料形成，并且被设置基板411的后面(-X方向)上。绝缘体可由具有抵抗由在放电室126中放电而产生的热的能力和高热导率的材料形成。此外，因为底板450通过与基板411结合来限定放电室426，所以底板450的前表面450a是偏平的。
底板450支撑设置在底板450的后面(-X方向)上的电路基板61、62、63、64、65和66。虽然它没有示出于附图中，但是因为MgO薄膜发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以底板450的前表面450a可被MgO薄膜(未示出)覆盖。
电路基板61、62、63、64、65和66将电信号施加给稍后将描述的电极413、412和422。电路基板61、62、63、64、65和66通过连接线缆55而彼此连接，电路基板65和66分别通过连接线缆51和52而连接到寻址电极422的端部422a，电路基板63通过连接线缆53而连接到后放电电极412的端部412a，并且电路基板64通过连接线缆54而连接到前放电电极413的端部413a。
图23中所示的PDP通过双重寻址方法来驱动，在所述的PDP中，寻址电极422在底板450的最上和最下部分(-Z方向和Z方向)上被分开。因此，需要两个电路基板65和66用以将寻址信号施加到寻址电极422。然而，在其中寻址电极122没有被分开的PDP中，需要上述电路基板65和66中的一个。
基板411由透明的绝缘体例如玻璃形成。基板411包括显示区域AD，图像显示在其上；密封区域AS，密封元件例如粘结底板450和基板411的熔块涂覆在其上，并且包围显示区域AD。
参照图25至27，障肋415通过障肋层415a、415b、415c和415d形成，电极413、412和422插入在障肋层之间，并且端部413a、412a和422a中的每个形成在底板450的前表面450a上。因此，如图23中所示，连接单元AC1、AC2、AC3和AC4设置在底板450上，而不是在基板411上，这与第一实施例中的情况不同。图23中所示的插销P’用于关闭形成在底板450上排气孔。
传统的PDP的设置在基板11的后表面11a上的维持放电电极对14和覆盖维持放电电极对14的前介电层15未形成在限定放电室426的基板411的后表面411a的部分上。因此，从稍后将描述的荧光层425中发出的可见光的80％以上可通过基板411，从而提高了等离子体显示模块的光发射效率。
虽然基板411的后表面411a在附图中未示出，但是因为MgO薄膜(未示出)发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以后表面411a被MgO薄膜覆盖。如果MgO薄膜以小于0.7μm(微米)的厚度形成，则MgO薄膜不阻断从荧光层425中发出的可见光的通过。
在本实施例中，障肋415和荧光层425形成在底板450的前表面450a上，这与第一实施例不同。障肋415与基板411和底板450一起限定放电室426，并且由电介质形成。放电室426的横截面的形状和排列不局限于图24中所示的形状和排列。
障肋415可防止后放电电极412、前放电电极413和寻址电极422之间的串扰以及通过与带电粒子碰撞而引起对电极412、413和422的损坏。电介质可以是PbO、B2O3或SiO2。
参照图24，至少障肋415的侧表面415’可被MgO薄膜416覆盖。MgO薄膜416可通过沉积来形成。而且，MgO薄膜416可沉积在障肋415的前表面415”和底板450的前表面450a上。然而，根据本发明，形成在障肋415的前表面415”和底板450的前表面450a上的MgO薄膜416对等离子体显示模块的工作没有影响。
包围放电室426的前放电电极413、后放电电极412和寻址电极422设置在障肋415中。前放电电极413和后放电电极412通过其间插入稍后将描述的第三障肋415c而彼此分隔开，并且后放电电极412和寻址电极422通过其间插入第二障肋415b而彼此分隔开。
在本实施例中，前放电电极413和后放电电极412沿一个方向延伸，并且寻址电极422延伸使得与前放电电极413和后放电电极412交叉。电极412、413和422的排列与在图5中所示的结构相同。在图5中，前放电电极413、后放电电极412和寻址电极422中的每个按梯形的形状形成，但是本发明不局限于此，并且这个形状有利于在放电室426的所有侧表面上产生寻址放电和维持放电。
在本实施例中前放电电极413和后放电电极412包围放电室426，与传统的维持放电电极12和13不同。因此，因为沿放电室426的外围发生维持放电，所以其中发生维持放电的空间体积比传统的技术中相对大。从而根据本实施例的等离子体显示模块的光发射效率大于传统的等离子体显示模块的光发射效率。
前放电电极413和后放电电极412是电极，并且在前放电电极413和后放电电极412之间发生用于将图像显示在等离子体显示模块上的维持放电。前放电电极413和后放电电极412可由导电性金属例如Ag、Al或Cu形成，并且寻址电极422还可由导电性金属形成。
两个维持放电电极(维持放电电极对)，即，X和Y电极与一个寻址电极422被设置在由寻址放电和维持放电驱动的等离子体显示模块的一个放电室426中。寻址放电是在Y电极和寻址电极422之间发生的放电。当寻址电极422像本实施例中那样设置在后放电电极412的后侧面上时，后放电电极412可为Y电极，并且前放电电极413可为X电极。另一方面，当寻址电极422设置在前放电电极413的前侧面上时，前放电电极413可为Y电极，并且后放电电极412可为X电极。在任一情况下，寻址电极422和Y电极之间的距离小于100μm。因此，在根据本实施例的等离子体显示模块中，与传统的等离子体显示模块相比时，用于产生寻址放电所需的时间和用于产生寻址放电的寻址电压可以降低。
荧光层425形成在放电室426中，更具体而言，在限定放电室416的底板450的前表面450a上。因为如果荧光层425是厚的，则从荧光层425的下部分发出的可见光朝基板411的通过可被阻断，所以荧光层425的厚度T可小于15μm。通过在将包括荧光粉的涂浆印刷或散布在放电室426的表面上之后干燥和退火该涂浆，可形成荧光层425。
涂浆包括红色荧光粉、绿色荧光粉和蓝色荧光粉中的一个、溶剂和粘合剂。红色荧光粉可以是Y(V，P)O4:Eu，绿色荧光粉可以是Zn2SiO4:Mn或YBO3:Tb，并且蓝色荧光粉可以是BAM:Eu。
放电气体填充在放电室426中。放电气体可以是包括5-15％Xe的Ne-Xe气体混合物，并且在必要时，Ne部分可以被He替代。
现在将参照图25至27来描述密封区域AS和密封区域AS附近的结构。从附图中可知，基板411被分成显示区域AD和密封区域AS。
设置在显示区域AD和密封区域AS之间的排气区域AT是这样的区域，在该区域上形成在使用稍后将描述的方法将基板411紧密接触底板450之后将用于从基板411和底板450之间的空间中排放杂质气体并将放电气体填充在该空间中的通路R，障肋层415a、415b、415c和415d及电极412、413和422形成在所述的底板450上。排气区域AT连接到用上述的插销P’关闭的排气孔。
放电室426的杂质气体通过由于MgO薄膜416和基板411的后表面411a之间的公差所形成的间隙(未示出)而传输到通路R，并且到达通路R的杂质气体通过排气孔而排出到外面。放电气体通过与排出杂质气体的相反的顺序而填充在空间中。在其上形成用于通过气体的通路R的排气区域AT可有助于杂质气体的排出和填充放电气体，但是通路R不是必需的。
密封元件430涂覆在密封区域AS上，并且熔块可用作密封元件430。熔块以熔融的状态被涂覆在密封区域AS上，并且可通过干燥和退火涂层来密封基板411和底板450。
图25中所示的后放电电极412的每个末端412a分别连接到形成在连接线缆53上的电线，图26中所示的前放电电极413的每个端部413a分别连接到形成在连接线缆54上的电线，并且图27中所示的寻址电极422的每个端部422a分别连接到形成在连接线缆51上的电线。
具有上述结构的等离子体显示模块按第一实施例中所述的方式工作。
现在将描述制造根据第二实施例的等离子体显示模块的方法，主要关于与第一实施例的不同。
制造根据第二实施例的等离子体显示模块的方法与第一实施例中的情况一样也包括操作(a)、(b)、(c)和(d)。第二实施例的操作(a)和(d)分别与第一实施例的操作(a)和(d)相同。但是，在第二实施例的操作(a)中，期望制备基板411，因为MgO薄膜发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以其后表面411a具有MgO薄膜(未示出)。
与第一实施例的操作(b)不同，第二实施例的操作(b)是用于在底板450的前表面450a上交替地形成障肋层415a、415b、415c和415d及电极413、412和422的步骤。用于形成障肋层415a、415b、415c和415d中的每个及电极413、412和422的材料及其形成方法与第一实施例的材料和方法相同，但是堆叠障肋层415a、415b、415c和415d及电极413、412和422的顺序是不同的。也就是说，在本实施例中，第一障肋层415a形成在底板450上，寻址电极422形成在第一障肋层415a上，第二障肋层415b形成在寻址电极422上，后放电电极412形成在第二障肋层415b上，第三障肋层415c形成在后放电电极412上，前放电电极413形成在第三障肋层415c上，并且第四障肋层415d形成在前放电电极413上。
第一障肋层415a、第二障肋层415b、第三障肋层415c和第四障肋层415d中的每个可通过堆叠至少三层以增加其厚度来被形成。此外，为了使电极绝缘，第二障肋层415b和第三障肋层415c是必需的，但是因为第一障肋层415a和第四障肋层415d不是必需的并且被用于牢固放电空间，所以第一障肋层415a和第四障肋层415d可以不被形成。
在操作(b)中，形成在第三障肋层415c和第四障肋层415d之间的前放电电极413沿一个方向延伸，形成在第二障肋层415b和第三障肋层415c之间的后放电电极412平行于前放电电极413延伸，并且形成在第一障肋层415a和第二障肋层415b之间的寻址电极422延伸使得与前放电电极413交叉。此外，前放电电极413、后放电电极412和寻址电极422形成包围放电室426。
第二实施例的操作(c)是用于将荧光层425形成在限定放电室426(或确定其周边)的底板450的前表面450a上，与第一实施例的操作(c)不同。本实施例的荧光层425的厚度及其形成方法与第一实施例的荧光层125的方法相同。然而，该位置是不同的。
在操作(c)之前或之后还可包括用于将MgO薄膜416形成在障肋415的侧表面415’上的操作。MgO薄膜416可以小于1μm的厚度形成，例如0.7μm。MgO薄膜416防止由电介质形成的障肋115在等离子体放电发生并且产生很多有助于等离子体放电的二次电子时被正离子溅射。
当执行操作(c)之前通过沉积来形成MgO薄膜416时，MgO薄膜416可形成在荧光层425和底板450之间。当执行操作(c)之后通过整体沉积来形成MgO薄膜416时，MgO薄膜416形成在荧光层425上。在这两种情况下，MgO薄膜416形成在障肋415的前表面415”上。在任一情况中形成的MgO薄膜416都不负面地影响等离子体显示模块的工作。
在操作(c)之前或之后通过将具有预定图案的掩膜设置在障肋415的前侧面上，MgO薄膜416可按预定的图案沉积。掩膜可具有任意图案，使得MgO薄膜416只能形成在障肋415的侧表面415’上。
在第二实施例中没有描述的元件与第一实施例的元件相同。
现在将参照图28描述第二实施例的第一修改版本，主要关于与第一实施例的不同。本修改版本与第一实施例的不同点在于，底板550由导热性金属形成，并且绝缘层551形成在底板550的前表面550a上。
当发生等离子体放电时，在放电室中产生大量的热。然而，如果底板550与第二实施例一样由非导热性材料例如塑料形成，则局域地产生在显示区域AD中的热不可能容易地被驱散到其它元件。在这种情况下，潜像(latent image)可以生成在积聚热的部分上，从而降低图像质量。此外，在等离子体显示模块工作长时间之后，整个显示区域AD的图像质量可能降低。
在本修改版本中，因为导热性材料具有比绝缘体大的热导率，所以底板550由导热性材料例如铝形成。然而，因为如果导热性金属暴露于放电室426中，则可能在等离子体放电中出现严重的问题，所以绝缘层551可形成在底板550的前表面550a上。障肋415和荧光层425形成在绝缘层551的前表面551上。
此外，因为MgO薄膜发射很多有助于等离子体放电的二次电子，所以优选地，绝缘层551的前表面551a被MgO薄膜(未示出)覆盖。
制造根据本修改版本的等离子体显示模块的方法与制造第一实施例中所述的等离子体显示模块的方法相同或相似。然而，本修改实施例与第二实施例的不同在于，在操作(a)中，必须制备由导热性材料形成的底板550，并且绝缘层551形成在底板550的前表面上。
在第二实施例的第一修改版本中没有描述的元件与第二实施例的元件相同。
现在将参照图29描述第二实施例的第二修改版本，主要关于与第二实施例的不同。本修改版本与第二实施例的不同在于，寻址电极622形成在底板450的上表面450a上。
寻址电极622延伸使得与在一个方向上延伸的前放电电极613和后放电电极612交叉，并且被介电层623覆盖。障肋415和荧光层425形成在介电层623的前表面623a上。
按下面方法制造根据第二实施例的本第二修改实施例的等离子体显示模块。该方法包括(a)制备由透明的绝缘体形成的基板411和由绝缘体形成的底板450；(b)将寻址电极622形成在底板450的前表面450a上；(c)形成覆盖寻址电极622的介电层623；(d)将障肋层和电极交替地形成在介电层623的前表面623a上；(e)将荧光层425形成在放电室426中的介电层623的前表面623a上，所述的放电室623由形成在障肋层上的障肋415限定；(f)在密封通过结合基板411和底板450所形成的空间之后，将放电气体填充在该空间中。
本修改实施例的操作(a)与第二实施例的操作(a)相同，操作(b)与第二实施例的不同在于形成寻址电极的顺序不同，在操作(c)中的介电层通过至少类似于第二实施例中形成障肋层的方法的方法来形成，本修改实施例的操作(d)与第二实施例的操作(b)的不同在于在本修改实施例中不形成寻址电极和一个障肋，操作(e)与第二实施例的操作(c)的不同在于荧光层425的位置不同，并且操作(f)与第二实施例的操作(d)相同。
第二实施例的第二修改版本可结合第二实施例的第一修改版本。在这种情况下，底板450由导电性材料形成，并且绝缘层形成在底板450的前表面450a上。障肋415和荧光层425形成在绝缘层的前表面上。
在第二实施例的第二修改版本中没有描述的元件与第二实施例的元件相同。
现在将参照图30描述第二实施例的第三修改版本，主要关于与第二实施例的不同。本修改版本与第二实施例的不同在于，本修改版本没有寻址电极422。
在特定的放电室426中仅有两个放电电极可以产生放电。因此，对于在放电室426中产生放电，寻址电极422不是必需的。然而，如果没有寻址电极，前放电电极713和后放电电极712延伸成彼此交叉，使得其中发生放电的放电室726可被选择。电极的结构示出于图22中。
在本第三修改版本中，因为没有寻址电极，所以只需要三个障肋层用于将电极设置在障肋层之间，并且因为最前和最后障肋层不是必要的，所以只有一个障肋层可以在最前和最后放电室中工作。在这种情况下，一个障肋层被设置在前放电电极713和后放电电极712之间。
因为制造根据第二实施例的第二修改版本的等离子体显示模块类似于制造根据第二实施例的等离子体显示模块的方法，所以将省略对它的描述。
第二实施例的第三修改版本可与第二实施例的第一修改版本结合。
在第二实施例的第三实施例中没有描述的元件与第二实施例的元件相同。
本发明提供一种可提高光的发射效率的等离子体显示模块。
本发明还提供一种可快速产生放电并降低寻址电压的等离子体显示模块。
本发明还提供一种可以较低成本和较低的失败率制造的等离子体显示模块。具体而言，根据本发明在等离子体显示模块中不包括后基板，该后基板对传统的PDP是必需的，从而降低了制造成本。
尽管已经结合本发明的示例性实施例对本发明进行了详细示出和描述，但本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离权利要求所界定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明的形式和细节进行各种更改。
权利要求
1.一种等离子体显示模块，包括基板，由透明绝缘体形成；底板，位于在所述基板的后侧；多个障肋，位于在所述基板和所述底板之间由电介质形成，并且所述多个障肋与所述基板和所述底板一起限定放电室；多个前放电电极，在围绕所述放电室的所述障肋中形成；多个后放电电极，与前放电电极分隔开并在围绕所述放电室的所述障肋中形成；荧光层，位于所述放电室内；放电气体，填充在所述放电室内；和多个电路基板，其位于所述底板的后侧将电信号施加到所述电极。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述障肋形成在所述基板的后表面上。
3.根据权利要求2所述的等离子体显示模块，其中，所述底板由绝缘体形成。
4.根据权利要求3所述的等离子体显示模块，其中，所述底板的前表面被MgO薄膜覆盖。
5.根据权利要求2所述的等离子体显示模块，其中，所述底板由导热性材料形成并且绝缘层形成在所述底板的前表面上。
6.根据权利要求5所述的等离子体显示模块，其中，所述绝缘层的前表面被MgO薄膜覆盖。
7.根据权利要求2所述的等离子体显示模块，其中，所述的荧光层形成在限定所述放电室的所述基板的后表面上。
8.根据权利要求7所述的等离子体显示模块，其中，所述荧光层的厚度小于15μm。
9.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述底板由绝缘体形成，所述障肋形成在所述底板的前表面上，并且所述荧光层形成在限定所述放电室的所述底板的前表面上。
10.根据权利要求9所述的等离子体显示模块，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆盖。
11.根据权利要求9所述的等离子体显示模块，其中，所述荧光层的厚度小于15μm。
12.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述底板由导热性材料形成，绝缘层形成在所述底板的前表面上，所述障肋形成在所述绝缘层的前表面上，并且所述荧光层形成在所述放电室内的绝缘层的前表面上。
13.根据权利要求12所述的等离子体显示模块，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆盖。
14.根据权利要求12所述的等离子体显示模块，其中，所述荧光层的所述厚度小于15μm。
15.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极和所述后放电电极在一方向上延伸；所述底板由绝缘体形成；寻址电极形成在所述底板的前表面上，并延伸以与所述前放电电极和所述后放电电极交叉；所述寻址电极被介电层覆盖；所述障肋形成在所述介电层的前表面上；并且所述荧光层形成在所述放电室中的介电层的前表面上。
16.根据权利要求15所述的等离子体显示模块，其中，所述底板的后表面被MgO薄膜覆盖。
17.根据权利要求15所述的等离子体显示模块，其中，所述荧光层的厚度小于15μm。
18.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极和所述后放电电极在一方向上延伸；所述底板由导热性材料形成；绝缘层形成在所述底板的前表面上；寻址电极形成在所述绝缘层的前表面上，并延伸以与所述前放电电极和所述后放电电极交叉；所述寻址电极被介电层覆盖；所述障肋形成在所述介电层的前表面上；并且所述荧光层形成在所述放电室中的所述介电层的前表面上。
19.根据权利要求18所述的等离子体显示模块，其中，所述基板的后表面被MgO薄膜覆盖。
20.根据权利要求18所述的等离子体显示模块，其中，所述荧光层的厚度小于15μm。
21.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极在一方向上延伸，并且所述后放电电极延伸以与所述前放电电极交叉。
22.根据权利要求21所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极和所述后放电电极具有梯形形状。
23.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极和所述后放电电极在一方向上延伸，并还包括寻址电极，其位于围绕所述放电室的所述障肋中并延伸以与所述前放电电极和所述后放电电极交叉。
24.根据权利要求23所述的等离子体显示模块，其中，所述前放电电极、所述后放电电极和所述寻址电极具有梯形形状。
25.根据权利要求23所述的等离子体显示模块，其中，所述寻址电极位于所述前放电电极的前面。
26.根据权利要求23所述的等离子体显示模块，其中，所述寻址电极位于所述后放电电极的后面。
27.根据权利要求1所述的等离子体显示模块，其中，所述障肋的侧表面被MgO薄膜覆盖。
28.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述基板的后表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述基板的后表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
29.根据权利要求28所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
30.根据权利要求28所述的方法，还包括在所述底板的前表面上形成MgO薄膜。
31.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导电材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述基板的后表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述基板的后表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
32.根据权利要求31所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
33.根据权利要求31所述的方法，还包括在所述绝缘层的前表面上形成MgO薄膜。
34.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述底板的前表面上交替地形成障肋层和电极；在其限定由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室的所述底板的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
35.根据权利要求34所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
36.根据权利要求34所述的方法，还包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
37.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导电材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中的所述绝缘层的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合所述基板和所述底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
38.根据权利要求37所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
39.根据权利要求37所述的方法，还包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
40.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由绝缘体形成的底板；在所述底板的前表面上形成寻址电极；形成覆盖寻址电极的介电层；在所述介电层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中的所述介电层的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合基板和底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
41.根据权利要求40所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
42.根据权利要求40所述的方法，还包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
43.一种制造等离子体显示模块的方法，包括制备由透明绝缘体形成的基板和由导电材料形成的底板；在所述底板的前表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的前表面上形成寻址电极；形成覆盖寻址电极的介电层；在所述介电层的前表面上交替地形成障肋层和电极；在位于由所述障肋层形成的障肋分隔的放电室中所述介电层的前表面上形成荧光层；并且在密封通过结合基板和底板形成的空间后，在所述空间内填充放电气体。
44.根据权利要求43所述的方法，还包括在所述障肋的侧表面上形成MgO薄膜。
45.根据权利要求43所述的方法，还包括在所述基板的后表面上形成MgO薄膜。
46.一种等离子体显示装置，包括基板，由绝缘体形成；底板，位于所述基板的第一侧面；多个障肋，位于所述基板和所述底板之间由电介质形成，并与所述基板和所述底板一起限定放电室；多个前放电电极，形成在包围所述放电室的障肋中；多个后放电电极，与前放电电极分隔开并形成在包围所述放电室的障肋中；和多个电路基板，通过位于所述底板的第一侧面上来将电信号施加给所述电极。
47.根据权利要求46所述的等离子体显示装置，其中，所述障肋形成在所述基板的后表面上，所述底板由导热性材料形成，和绝缘层形成在所述底板的前表面上。
48.根据权利要求46所述的等离子体显示装置，其中，所述底板由绝缘体形成。
49.根据权利要求46所述的等离子体显示装置，其中，所述前放电电极和所述后放电电极在一方向上延伸，并还包括寻址电极，其位于围绕所述放电室的所述障肋中并延伸以与所述前放电电极和所述后放电电极交叉。
全文摘要
提供了一种等离子体显示模块，其可提高光的发射效率，快速产生放电、减少寻址电压，并制造成本低和失败率低，所述等离子体显示模块包括基板，由透明绝缘体形成；底板，位于所述基板的后部；多个障肋，位于所述基板和所述底板之间由电介质形成，并与所述基板和所述底板一起限定放电室；多个前放电电极，形成在围绕所述放电室的障肋中；多个后放电电极，与前放电电极隔开并形成在围绕所述放电室的障肋中；荧光层，位于所述的放电室中；放电气体，填充在所述放电室中；和多个电路基板，其位于所述底板的后部并将电信号施加到所述电极。
文档编号G09F9/313GK1707570SQ2005100722
公开日2005年12月14日 申请日期2005年5月27日 优先权日2004年5月27日
发明者禹锡均, 姜景斗, 洪种基 申请人:三星Sdi株式会社