机材料层可以进一步包括本领域已知的各种其他功能层的各种结构形成，只要 其包括发光单元。作为能够包括在有机材料层中的层，可使用电子注入层、空穴阻挡层、电 子传输层、空穴传输层或空穴注入层。
[0068] 电子注入层或电子传输层可使用例如电子接收有机化合物来形成。此处，作为 电子接收有机化合物，可使用已知的任选化合物而没有特别限制。作为这种有机化合 物，可使用多环化合物，如对三联苯（P-terphenyl)或四联苯（quaterphenyl)或其衍生 物；多环经化合物，如萘、稠四苯（tetracene)、花（pyrene)、六苯并苯（coronene)、窟 (chrysene)、蒽（anthracene)、二苯基蒽、并四苯（naphthacene)或菲（phenanthrene)或其 衍生物；或杂环化合物，如邻二氮杂菲、红菲绕啉、啡啶、叮啶、喹啉、喹喔啉（quinoxaline) 或吩嗪（phenazine)或其衍生物。此外，如下化合物可用作包含在低反射层中的电子 接收有机化合物：焚光素（fluoroceine)、花（perylene)、酞花（phthaloperylene)、萘 并(naphthaloperylene)、$ 酉同（perynone)、$ 酉同（phthaloperynone)、蔡并 $ 酉同 (naphthaloperynone)、二苯基丁二稀、四苯基丁二稀、噁二唑、醛连氮（aldazine)、双苯 并嚼唑啉（bisbenzoxazoline)、联苯乙稀（bisstyryl)、R比嗪、环戊二稀、8-羟基喹啉 (oxine)、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙稀、乙烯基蒽、二氨基味唑、吡喃、噻喃（thiopyrane)、聚 甲炔（polymethine)、部花青（merocyanine)、喹吖啶酮、红焚稀或其衍生物；在专利公布文 本如日本专利申请第1988-295695号、第1996-22557号、第1996-81472号、第1993-009470 号或1993-017764号公报中公开的金属螯合络合物，例如具有至少一种金属螯合羟基喹啉 类化合物（如8-羟基喹啉盐）作为配位体的金属络合物，所述8-羟基喹啉盐包括三（8-羟 基喹啉）铝、双（8-羟基喹啉）镁、双[苯并（f)-8-羟基喹啉]锌、双（2-甲基-8-羟基喹 啉）铝、三（8-羟基喹啉）铟、三（5-甲基-8-羟基喹啉）铝、8-羟基喹啉锂、三（5-氯-8-羟 基喹啉）镓、双（5-氯-8-羟基喹啉）钙及其衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第 1993-202011 号、第 1995-179394 号、第 1995-278124 号或第 1995-228579 号公报中公开 的噁二唑化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1995-157473号公报中公开的三嗪化 合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-203963号公报中公开的芪（stilbene)衍 生物；二苯乙烯基亚芳基（distyrylarylene)衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第 1994-132080号或第1994-88072号公报中公开的苯乙烯基衍生物；在专利公布文本如日 本专利申请第1994-100857号或第1994-207170号公报中公开的二烯烃衍生物；荧光增白 剂，如苯并噁唑化合物、苯并噻唑或苯并咪唑化合物；均二苯乙烯化合物，如1，4-双（2-甲 基苯乙烯基）苯、1，4_双（3-甲基苯乙烯基）苯、1，4_双（4-甲基苯乙烯基）苯、二苯乙烯 基苯、1，4_双（2-乙基苯乙烯基）苄基、1，4_双（3-乙基苯乙烯基）苯、1，4_双（2-甲基 苯乙烯基）-2-甲基苯或1，4-双（2-甲基苯乙烯基）-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物， 如2, 5-双（4-甲基苯乙烯基）吡嗪、2, 5-双（4-乙基苯乙烯基）吡嗪、2, 5-双[2-(1-萘 基）乙烯基]吡嗪、2, 5-双（4-甲氧基苯乙烯基）吡嗪、2, 5-双[2-(4-联苯）乙烯基]吡 嗪或2,5_双[2-(1-芘基）乙烯基]吡嗪；二亚甲基dimethylidine)化合物，如1，4-E苯 基二亚甲基、4,4' -亚苯基二亚甲基、2, 5-二甲苯二亚甲基、2,6_亚萘基二亚甲基、1，4_亚 联苯基二亚甲基、1，4-对-亚苯基二亚甲基、9,10-蒽二基二亚甲基或4,4' -(2, 2-二-叔 丁基苯基乙烯基）联苯、4,4' -(2, 2-二苯基乙烯基）联苯或其衍生物；在专利公布文本如 日本专利申请第1994-49079号或第1994-293778号公报中公开的硅烷胺（silanamine)衍 生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-279322号或第1994-279323号公开的多官 能苯乙烯基化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-107648号或第1994-092947 号公报中公开的噁二唑衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-206865号公报中 公开的蒽化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1994-145146号公报中公开的羟基喹 啉（oxinate)衍生物；在专利公布文本如日本专利申请第1992-96990号公报中公开的四苯 基丁二烯化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1991-296595号公报中公开的有机三 官能化合物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-191694号公报中公开的香豆素衍生 物；在专利公布文本如日本专利申请第1990-196885号公报中公开的茈衍生物；在专利公 布文本如日本专利申请第1990-255789号公报中公开的萘衍生物；在专利公布文本如日本 专利申请第1990-289676号或第1990-88689号公报中公开的酞茈酮（phthaloperynone) 衍生物；或在专利公布文本如日本专利申请第1990-250292号公报中公开的苯乙烯基胺衍 生物。此外，本文中，可使用如LiF或CsF的材料形成电子注入层。
[0069] 空穴阻挡层可为如下的一种层：其能够通过防止经注入的空穴穿过发光单元进入 电子注入电极层而改善器件的使用寿命及效率，且需要时可使用已知材料形成于发光层和 电子注入电极层之间的适当部分。
[0070] 空穴注入层或空穴传输层可包括例如电子供给有机化合物。作为电子供给有机化 合物，可使用Ν，Ν'，Ν' -四苯基-4,4' -二氨基苯基、Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（3-甲基苯 基）-4,4' -二氨基联苯、2, 2-双（4-二-对甲苯基氨基苯基）丙烷、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四-对 甲苯基-4,4' -二氨基联苯、双（4-二-对甲苯基氨基苯基）苯基甲烷、Ν，Ν' -二苯基-Ν， Ν' -二（4-甲氧基苯基）-4,4' -二氨基联苯、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四苯基-4,4' -二氨基二苯基 酿、4,4' -双（二苯基氛基）四联苯、4_Ν，Ν-二苯基氛基_(2_二苯基乙烯基）苯、3_甲氧 基-4' -Ν，Ν-二苯基氨基苯乙烯基苯、Ν-苯基咔唑、1，1_双（4-二-对三氨基苯基）环己 烧、1，1_双（4_二-对二氛基苯基）_4_苯基环己烧、双（4_二甲基氛基_2_甲基苯基）苯 基甲烷、N，N，N-三（对甲苯基）胺、4-(二-对甲苯基氨基）-4'-[4-(二-对甲苯基氨基） 苯乙烯基]芪、N，N，N'，N' -四苯基_4,4' -二氨基联苯、N-苯基咔唑、4,4' -双[N-(l-萘 基）-Ν-苯基-氨基]联苯、4,4' -双[N-(l-萘基）-Ν-苯基氨基]对三联苯、4,4' -双 [Ν-(2-萘基）-Ν-苯基氨基]联苯、4,4' -双[Ν-(3-苊基）-Ν-苯基氨基]联苯、1，5_双 [N-(l-萘基）-Ν-苯基氨基]萘、4,4'_双[Ν-(9-蒽基）-Ν-苯基氨基]联苯苯基氨基]联 苯、4,4' -双[N-(l-蒽基）-Ν-苯基氨基]-对三联苯、4,4' -双[Ν-(2-菲基）-Ν-苯基氨 基]联苯、4,4'-双[Ν-(8-氟蒽基）-Ν-苯基氨基]联苯、4,4'-双[Ν-(2-芘基）-Ν-苯基 氨基]联苯、4,4'_双[Ν-(2-茈基）-Ν-苯基氨基]联苯、4,4'_双[N-(l-蔻基）-Ν-苯基 氨基]联苯、2,6-双（二-对甲苯基氨基）萘、2,6-双[二-(1-萘基）氨基]萘、2,6-双 [N-(l-萘基）-Ν-(2-萘基）氨基]萘、4,4'_双[Ν，Ν-二（2-萘基）氨基]三联苯、4,4'_双 {Ν-苯基-N-[4-(l-萘基）苯基]氨基}联苯、4,4' -双[Ν-苯基-Ν-(2-芘基）氨基]联 苯、2,6_双[Ν，Ν-二-(2-萘基）氨基]芴或4,4' -双（Ν，Ν-二-对甲苯基氨基）三联苯 或芳胺化合物如双（Ν-1-萘基）（Ν-2-萘基）胺，但本申请不限于此。
[0071] 空穴注入层或空穴传输层可通过将有机化合物分散在聚合物中形成，或者使用由 有机化合物所产生的聚合物形成。此外，也可使用η-共辄聚合物，如聚对苯乙炔及其衍生 物；空穴传输非共辄聚合物，如聚（Ν-乙烯基咔唑）或聚硅烷的σ-共辄聚合物。
[0072] 空穴注入层可使用导电聚合物形成，所述导电聚合物为例如：金属酞菁如铜酞菁 或非金属酞菁、碳膜和聚苯胺，或者空穴注入层可通过使用芳胺化合物作为氧化剂而与路 易斯酸反应形成。
[0073] 有机材料层的具体结构没有特别限制。用于形成空穴注入电极层或电子注入电极 层和有机层（例如发光单元）、电子注入或传输层、或空穴注入或传输层的各种材料和方法 是本领域已知的，并且所有方法都可用于制造0ED。
[0074] 0ED的上部区可包括无机材料层和覆盖膜，其在顶部方向依次形成。为了将无机材 料层与用于0Η)的基板的无机材料层分开，可将包括在上部区的无机材料层称为第二无机 材料层，包括在基板中的无机材料层称为第一无机材料层。
[0075] 存在第二无机材料层以防止、抑制或减少外部材料的透过，从而获得耐久性，具体 材料和形成方法可与第一无机材料层的类别中所描述的相似。然而，当第二无机材料层被 设计用于向基板区发射光时，不需要形成第二无机材料层以具有高折射率，这与第一无机 材料层的高折射率相同。
[0076] 存在于第二无机材料层上的覆盖膜可以是用于保护0ED的结构，例如其是已知的 阻挡膜、金属板、或导电膜、或其至少两种的堆叠结构。上部区中的覆盖膜可通过粘合层 (如上述具有阻隔性的粘合层）被粘附在第二无机材料层的顶部表面。
[0077] 在又一方面，本申请提供0ED--例如0LED--的用途。0LED可有效地应用于液 晶显示器（LCD)的背光源、照明装置、传感器、打印机或影印机的光源、车辆仪