专利名称：半导体器件的清洗液和制造方法
技术领域：
本发明涉及在半导体器件的制造工艺中的灰化工艺之后除去残余物的清洗液，和使用该清洗液的半导体器件的制造方法，特别涉及在制造具有镍硅化物层的半导体器件中使用的清洗液和该半导体器件的制造方法。
背景技术：
随着最近系统LSI(大规模集成电路)的小型化和性能的增强，存在对降低用于形成晶体管的扩散层(源极区和漏极区)的电阻的需要。对使用具有比钴硅化物更低电阻的镍硅化物在扩散层上形成硅化物层的形成方案进行了研究，其中钴硅化物传统地用来减小源极区和漏极区的接触电阻。
当在半导体器件的制造工艺中形成孔和布线槽等时，通常，使用光刻技术形成光致抗蚀剂图形，用光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻，然后执行用等离子体等的灰化光致抗蚀剂图形的灰化工艺，并且用清洗液除去粘在晶片表面和孔内部上的残余物。对于灰化工艺之后剩余的残余物，诸如不完全灰化的产物和由灰化工艺产生的光致抗蚀剂的氧化物的灰化残余物附着在晶片表面上，并且在干蚀刻时产生的蚀刻沉积物附着在孔内部。
除去那些残余物的常规清洗液包括由诸如硫酸/过氧化氢/水混合物(SPM)的酸性清洗液和诸如氢氧化铵/过氧化氢/水混合物(APM)的碱性清洗液组成的RCA清洗液等。其它清洗液包括含有诸如羟胺(hydroxyl amine)的胺化合物的溶液、含有诸如氟化铵的含氟化合物的溶液、含有胺化合物和含氟化合物的溶液、含有有机酸的溶液以及含有有机酸和含氟化合物的溶液。
对于在其上形成有Cu布线和低介电层间绝缘膜的衬底提出了清洗液(例如，见日本专利申请(JPA)No.2003-167360、JPA No.2003-280219和JPA No.2003-313594)。在JPA No.2003-167360中介绍的光致抗蚀剂残余物清除溶液通过使用含有从脂肪族多元羧酸(aliphaticpolycarboxylic acid)和脂肪族多元羧酸盐(aliphatic polycarboxylate)的组中挑选出来的一种或多种化合物，以及含有从还原化合物及其盐的组中挑选出来的一种或多种化合物的成分，抑制布线材料的腐蚀和层间绝缘膜的恶化。在JPA No.2003-280219中介绍的光致抗蚀剂残余物清除溶液通过使用含有一种或多种含氟化合物和从水合乙醛酸(glyoxylic acid)、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖的组中挑选出来的一种或多种化合物的成分，防止布线材料的腐蚀以及阻挡金属层和层间绝缘膜的损坏。此外，在JPA No.2003-313594中介绍的清洗液含有具有0.001到1质量百分比的浓度和2到7的pH的氟化物离子，由此防止低阻金属薄膜和低介电层间绝缘膜的溶解和恶化。
然而，现有技术存在以下问题。虽然钴硅化物不溶于RCA清洗液，但是镍硅化物溶于RCA清洗液。当用常规地用来清洗其上形成钴硅化物层的衬底的RCA清洗液来清洗形成镍硅化物层的衬底时，存在除去沉积物的同时镍硅化物层溶解的问题。不希望镍硅化物层溶解和变薄，因为这会增加接触电阻。在不用杂质掺杂的镍硅化物层上比在用杂质掺杂的镍硅化物层上更要注意通过清洗使镍硅化物层的溶解。特别地，干蚀刻的上层部分或形成通孔的部分易于溶解。
如在JPA No.2003-167360中介绍的含有胺化合物的清洗液和含有有机酸的清洗液存在灰化残余物的可除去性的问题。如在JPANo.2003-313594中介绍的含有胺化合物和含氟化合物的清洗液、含有含氟化合物的清洗液，以及如在JPA No.2003-280219中介绍的含有有机酸和含氟化合物的清洗液存在能够完全清除残余物而不破坏镍硅化物层的成分范围和浓度范围非常窄的问题。例如，含有胺化合物和含氟化合物的清洗液可能导致更长的工艺时间，因此不适于要求快速处理的清洗方法，例如单个晶片清洗。含有含氟化合物的清洗液以及含有有机酸和含氟化合物的清洗液不能用在导致密度变化的工艺中，例如重复利用化学溶液的工艺，因为清洗液不损坏镍硅化物层的范围狭窄。
虽然在JPA No.2003-167360、JPA No.2003-280219和JPANo.2003-313594中介绍的清洗液不破坏布线材料和层间绝缘膜，但是由于布线材料和层间绝缘膜为300nm厚或更厚，所以如果溶解也根本无关紧要。由于镍硅化物层非常薄，大约10nm厚，并且预计将来变得更薄，所以即使厚度轻微的变化也可能极大地影响接触电阻并且可能导致运行故障。
发明内容
因此，本发明的目的是提供清洗液和半导体器件制造方法，其能够除去在灰化之后的残余物而不损坏镍硅化物层，并且具有宽的使用裕度。
根据本发明的清洗液包括含氟化合物；螯合剂(chelating agent)；和有机酸盐，由此使用清洗液来清洗其上形成镍硅化物层的衬底。
由于本发明的清洗液基本上由残余物可除去性出色的含氟化合物、防止残余物重新附着并调整HF2-产生的螯合剂以及保持HF2-的含量恒定的有机酸盐或缓冲成分组成，所以能够除去在灰化之后剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。由于有机酸盐被加入清洗液中，所以即使当浓度变化时，HF2-的含量也能够保持恒定。这使得使用的裕度比常规清洗液更宽。
优选的是含氟化合物的含量为1.0到5.0质量百分比，螯合剂的含量为0.2到5.0质量百分比，有机酸盐的含量为0.1到3.0质量百分比。特别优选含氟化合物的含量为2.0到3.0质量百分比，螯合剂的含量为0.5到2.5质量百分比，有机酸盐的含量为0.3到1.5质量百分比。因此，能够有效地除去在灰化之后剩余的残余物而不破坏镍硅化物层。
含氟化合物是从例如氢氟酸、氟化铵和胺氟化物的组中挑选出来的至少一种含氟化合物。这能够改善在灰化之后残余物可除去性。
当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸(basic acid)的分解级(dissociation stage)是第n级时，螯合剂在25℃下具有2.5或更大的酸解常数(acid dissociation constant)pKan。这能够使得使用裕度更宽。
当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，是羧酸类铵盐(carboxylic ammonium salt)的有机酸盐在25℃下具有2.5或更大的酸解常数pKan。这能够保持HF2-的含量恒定，从而能够使得使用裕度更宽。
根据本发明的上述清洗液，其中清洗液的pH可以设置为7.0或更小。这能够改善灰化之后残余物可除去性。例如，镍硅化物层具有50nm或更小的厚度。镍硅化物层含有从Ta、Zr、Co和V的组中挑选出来的至少一种金属，或者可以用杂质掺杂。
根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤在衬底上形成镍硅化物层；在镍硅化物层上形成层间绝缘膜；通过用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形，形成通孔；以及通过用含有含氟化合物、螯合剂和有机酸盐的清洗液清洗衬底，除去在干蚀刻和灰化之后剩余的残余物。
由于清洗液基本上由残余物可除去性出色的含氟化合物、防止残余物重新附着并调整HF2-产生的螯合剂以及保持HF2-成分的含量恒定的有机酸盐或缓冲分量组成，所以能够在灰化之后有效地除去剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。
优选的是使用含氟化合物的含量为1.0到5.0质量百分比，螯合剂的含量为0.2到5.0质量百分比，有机酸盐的含量为0.1到3.0质量百分比的清洗液。更优选使用含氟化合物的含量为2.0到3.0质量百分比，螯合剂的含量为0.5到2.5质量百分比，有机酸盐的含量为0.3到1.5质量百分比的清洗液。因此，能够有效地除去在灰化之后剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。
除去残余物的步骤可以在衬底上进行旋转型单个晶片清洗。这可以防止残余物的重新附着，由此改善残余物可除去性。此外，在除去残余物的步骤中，可以重复利用清洗液。这可以保证有效率的清洗，由此改善生产能力。
由于含氟化合物和螯合剂加入到根据本发明的清洗液中，所以可以除去在灰化之后剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。另外，由于具有保持含氟化合物的分解物的含量恒定作用的有机酸盐加入到清洗液中，所以可以使得使用裕度更宽。
图1A到1D逐步地示出了根据本发明第二实施例的半导体器件的制造方法的剖面图；图2示出了晶片清洗方法的流程图；以及图3示例性地示出了晶片清洗方法的透视图。
具体实施例方式
以下将参考附图具体介绍本发明的优选实施例。本发明人进行实验和研究以解决上述问题，并且发现用杂质掺杂的镍硅化物层在干蚀刻和灰化的时候暴露于等离子体时从结晶状态改变到非晶态，并且将变得易溶于清洗液。本发明人还发现镍硅化物层的溶解受含氟化合物的溶解离子(HF2-)的影响。
首先，将讨论根据本发明第一实施例的清洗液。根据该实施例的清洗液是用在其上形成了镍硅化物层的衬底的清洗液中的溶液，并且含有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物、0.2到5.0质量百分比的螯合剂以及0.1到3.0质量百分比的有机酸盐。由于根据该实施例的清洗液基本上由残余物可除去性出色的含氟化合物以及具有防止蚀刻沉积物的重新附着的增强作用的螯合剂组成，所以残余物可除去性较高。由于该实施例的清洗液含有保持含氟化合物的溶解离子的含量的作为缓冲成分的有机酸盐，所以即使当由于重复利用等使清洗液变浓时，也能够防止镍硅化物层由于含氟化合物的溶解。由于该实施例的清洗液的成分的浓度可以在该范围中最佳化，所以可以在短时段中除去残余物。因此，即使执行单个晶片清洗，同时重复利用清洗液，也可以在短时段中除去在灰化之后剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。以下将讨论对本实施例的清洗液进行数字限制的理由。
含氟化合物1.0到5.0质量百分比含氟化合物具有除去残余物的作用。当含氟化合物的含量小于1.0质量百分比时，残余物可除去性下降。当含氟化合物的含量超过5.0质量百分比时，在改善残余物可除去性的同时溶解或恶化了镍硅化物层和层间绝缘膜。因此，含氟化合物的含量应该优选为1.0到5.0质量百分比，更优选2.0到3.0质量百分比。加入实施例的清洗液中的可用的含氟化合物包括氢氟酸、氟化铵和胺氟化物盐类。具体地，可以使用氟化铵、酸性氟化铵(acidic ammonium fluoride)、甲胺氟化氢盐(methylamine hydrogen fluoride salt)、乙胺氟化氢盐(ethylaminehydrogen fluoride salt)、丙胺氟化氢盐、四甲基铵氟化物、四乙铵氟化物、乙醇胺氟化氢盐、甲基乙醇胺氟化氢盐(methylethanolaminehydrogen fluoride salt)、二甲基乙醇(dimethylethanol)氟化氢盐和三乙烯二胺氟化氢盐。
螯合剂0.2到5.0质量百分比螯合剂具有防止蚀刻沉积物的重新附着并调整含氟化合物的溶解离子(HF2-)的作用。当螯合剂的含量小于0.2质量百分比时，残余物可除去性下降。当螯合剂的含量超过5.0质量百分比时，在清洗液中的HF2-的浓度增加，引起镍硅化物层和层间绝缘膜的溶解或恶化。因此，螯合剂的含量优选为0.2到5.0质量百分比，更优选0.5到2.5质量百分比。加入到实施例的清洗液中的可用螯合剂包括每个分子具有两个或更多配位体(ligand)的有机酸盐等，并且与金属离子反应，以便成为螯合化合物。在螯合剂中，特别优选含有总共两个或更多羧基或羟基的化合物以及β-二酮化合物。这样的螯合剂包括草酸和丙二酸，即，脂肪族二元羧酸(aliphatic dicarboxylic acid)、脂肪族羟基羧酸(aliphatic hydroxy carboxylic acid)、乙酰丙酮(acetylacetone acid)，即β-二酮、邻苯二酚，即，二羟基苯和邻苯三酚，即，三羟基苯。加入到实施例的清洗液中的螯合剂优选为含水的，并且其溶液具有7.0或更小的pH。当螯合剂的pH超过7.0时，残余物可除去性下降。
当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，加入到实施例的清洗液中的螯合剂应该优选在25℃下具有2.5或更大的酸解常数pKan。即使具有少量添加剂，酸解常数pKan具有较小值的螯合剂的使用增加了在清洗液中HF2-的浓度。以下表格1示出了在25℃下主要螯合剂的酸解常数pKan。
表1
如表1所示，草酸的酸解常数pKa1在第一级小于2.5，从而草酸作为螯合剂的使用使得比使用表1中所示的其它螯合剂的情况更容易溶解镍硅化物层。当诸如柠檬酸的弱酸用作螯合剂时，即使当清洗液变浓时，它也变得更难损坏镍硅化物层，由此能够加宽使用裕度。在实施例的清洗液中，更优选使用酸解常数pKan为8.0或更大的螯合剂，例如，乙酰丙酮、邻苯二酚和邻苯三酚。这可以显著地减少镍硅化物层的损坏。因为诸如硫酸(sulfic acid)、硝酸和磷酸的无机酸对镍硅化物产生损坏，所以不能使用它们。在第一级的酸解常数pKa1为4.56的乙酸类似于柠檬酸，是弱有机酸，但是没有两个或更多配位体，不生产螯合化合物，因此没有防止残余物的重新附着的作用。
有机酸盐0.1到3.0质量百分比有机酸盐是当清洗液中的每个成分的浓度由于稀释、变浓等变化时，保持清洗液中的HF2-的浓度恒定的缓冲成分。当有机酸盐的含量小于0.1质量百分比时，在清洗液中的HF2-的浓度增加，引起镍硅化物层和层间绝缘膜的溶解或恶化。当有机酸盐的含量超过3.0质量百分比时，残余物可除去性下降。因此，有机酸盐的含量优选为0.1到3.0质量百分比，更优选0.3到1.5质量百分比。优选使用在25℃下酸解常数pKan为2.5或更大的羧酸类铵盐作为加入实施例的清洗液中的有机酸盐。这样的可用的有机酸盐包括铵丙二酸盐、乳酸铵、铵羟乙酸盐、柠檬酸铵和酒石酸铵。在有机酸盐中，特别优选酒石酸铵和柠檬酸铵。即使当清洗液变浓或稀释时，这样的有机酸盐的使用也可以除去残余物而不损坏镍硅化物层。这加宽了使用裕度，由此允许重复利用清洗液。
优选本实施例的清洗液的pH应为7.0或更小。当溶液的pH超过7.0时，残余物的可除去性降低。当清洗液的酸性增加时，镍硅化物层很可能会损坏。就此而言，优选清洗液的pH应为5.0或更大，更优选5.0到6.0。这可以提高残余物的可除去性并且可以显著抑制镍硅化物层上的损坏。
本实施例的清洗液在清洁其上具有如Ta、Zr、Co或V的金属添加到NiSix的硅化物层的衬底、具有掺杂在镍硅化物层中的杂质的衬底以及其上形成有NiSix的硅化物层的衬底时显示出类似的效果。本实施例的清洗液同样可以适用于镍硅化物层具有10nm或更小厚度的衬底。虽然以上说明介绍了包括基本上由含氟化合物、螯合剂以及有机酸盐组成的溶液的清洗液，但是本发明不限于这种类型，而是除含氟化合物、螯合剂以及有机酸盐之外，清洗液还可以含有例如诸如表面活性剂或含水有机溶剂。
下面将介绍作为第二实施例，使用第一实施例的清洗液制造半导体器件的方法。图1A到1D逐步示出了根据第二实施例的半导体器件的制造方法的剖面图。首先，如图1A所示，镍硅化物层2形成在硅衬底1上。镍硅化物层2的厚度例如为10nm左右。镍硅化物层2的顶面和下面的衬底1以5到10eV的加速电压分别掺杂有约1×1015到5×1015cm-2的As和P作为扩散层。
接下来，如图1B所示，层间绝缘膜3形成在镍硅化物层2上。可以通过依次叠置等离子体硅氮化物(P-SiN)膜、氧化硅(SiO2)膜以及等离子体氧化硅膜(P-SiO2)形成层间绝缘膜3。P-SiN膜、SiO2膜以及P-SiO2膜分别具有30nm左右、100nm左右和450nm左右的厚度。如图1c所示，抗蚀剂图形形成在层间绝缘膜3上，用抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻，然后用等离子体等进行灰化工艺以除去抗蚀剂图形，由此在层间绝缘膜3中形成了通孔4。此时，包括不完全灰化产物和抗蚀剂的氧化物的灰化残余物5粘附到层间绝缘膜3的顶面，含有C、F、Si、O、Ni、N等的蚀刻沉积物6粘附到通孔4的内部。
接下来，用由1.0到5.0质量百分比的含氟化合物、0.2到5.0质量百分比的螯合剂以及0.1到3.0质量百分比的有机酸盐、其余为水和不可避免杂质组成的清洗液来清洁图1C所示的灰化工艺之后的晶片。结果，如图1D所示除去了粘附到层间绝缘膜3的顶面以及通孔4的内部的诸如灰化残余物5和蚀刻沉积物6的残余物。
以下是残余物除去方法，即灰化工艺之后清洁晶片的方法的详细说明。图2示出了晶片清洁方法的流程图，图3示例性示出了晶片清洁方法的透视图。如图2和3所示，在根据本实施例的半导体器件的制造方法中，使用提供有清洗液喷嘴11、纯水喷嘴12以及氮气喷嘴13的旋转(spin)型清洁装置进行单晶片的清洗。首先，灰化工艺之后的晶片10放置在清洁装置中，在以例如500rpm旋转晶片的同时，用以约1升/分钟的速率从清洗液喷嘴11滴落在顶面上的清洗液来清洗晶片10达1到2分钟(步骤S1)。在步骤S1使用的清洗液被收集、滤除灰尘等、并重复利用。
接下来，转数改变为300rpm，用以约1升/分钟的速率从纯水喷嘴12滴落在顶面上的纯水冲洗晶片10的顶面达0.5到1分钟(步骤S2)。此后，将转数改变为1500到2000rpm，用以约50升/分钟的速率从氮气喷嘴13喷射到顶面的氮气喷干燥晶片10的顶面达0.5到1分钟(步骤S3)。
由于根据本实施例的半导体器件的制造方法使用了含有氟化合物、螯合剂以及有机酸盐的溶液作为清洗液，因此可以除去灰化之后剩余的残余物而不损坏镍硅化物层。由于具有宽使用裕度，因此可以循环清洗液。由于根据本实施例的半导体器件制造方法进行了旋转型单晶片清洗，因此残余物不会如浸泡清洗中那样重新粘附，由此具有优良的残余物可除去性。
虽然在室温执行了根据第二实施例的半导体器件的制造方法，但本发明不限于该情况，而是可以在从室温到40℃的温度范围内进行清洁。虽然在根据第二实施例的半导体器件的制造方法的以上介绍中提到镍硅化物层2的厚度为10nm左右，但是如果镍硅化物层2的厚度在5到50nm左右的范围之内，也可以获得类似的效果。
下面将具体介绍与本发明范围之外的比较例相比，本发明各例的效果。首先，作为本发明的第一例，使用氟化铵(NH4F)或甲基乙醇胺(methylethanolamine)(MEA)和氢氟酸(HF)作为含氟化合物、使用檬酸盐三铵(triammonium citrate)作为有机酸盐，并通过改变螯合剂的类型的混合物制备例1到10的清洗液。作为第1例的比较例1，制备具有添加磷酸代替螯合剂的清洗液，制备具有添加乙酸的清洗液作为比较例2，以及具有添加甲基磺酸(methanesulfonic)的清洗液作为比较例3。例1到10以及比较例1到3的成分在下表中给出。
表2
评估例1到10以及比较例1到3的清洗液对残余物的可除去性、镍硅化物层以及层间绝缘膜的影响。首先，将具有通过图1A到1C示出的方法经历了直到灰化工艺的晶片浸泡在每种清洗液中5分钟而不搅拌。然后每种清洗液的温度保持在35℃。接下来，用流动的DIW(去离子水)冲洗晶片1分钟，然后用氮气气流干燥，之后对各项进行评估。用×100,000左右的放大倍数观察晶片表面，评估残余物的可除去性，当观察到没有灰化残余物和蚀刻沉积物时标记“○”，当观察到时，标记“×”。用×300,000左右的放大倍数观察镍硅化物层和层间绝缘膜的剖面，评估镍硅化物层和层间绝缘膜上的损坏，当没有观察到表面粗糙时标记“○”，当观察到轻微的表面粗糙之处时标记“△”，当膜变薄显示出基底时标记“×”。标记为“○”和“△”的那些例子可以认为是适合的。结果显示在下面的表3中。
表3
如表3所示，不含有螯合剂的比较例1到3的清洗液在显示出具有良好的残余物可除去性的同时，损坏了镍硅化物层。使用磷酸或无机酸的比较例1的清洗液以及使用甲基磺酸或有机酸的比较例3的清洗液也损伤了层间绝缘膜。另一方面，例1到10的清洗液可以除去灰化之后的残余物，同时没有损伤镍硅化物层和层间绝缘膜。特别是，使用具有8.0或更大酸解常数pKan的乙酰丙酮、邻苯二酚和邻苯三酚的例1到10的清洗液，获得了极平滑的镍硅化物层的表面。
接下来，作为本发明的第二例，通过使用氟化铵(NH4F)作为含氟化合物、乙酰丙酮作为螯合剂以及檬酸盐三铵作为有机酸盐，并通过改变每种成分的含量而制备例11到21的清洗液。通过类似于第一例的方法评估那些清洗液对残余物可除去性、镍硅化物层以及层间绝缘膜的影响。这些结果显示在下面的表4中。
表4
由表4可见，例11到21的所有清洗液是适合的。然而应当注意，例16清洗液因为含氟化合物的含量小于2.0质量百分比，在残余物可除去性上轻微的降低。虽然例17的清洗液是适合的，但是层间绝缘膜的表面轻微的变粗糙。例18的清洗液显示出残余物可除去性轻微降低，因为螯合剂的含量小于0.5质量百分比。虽然例19的清洗液在镍硅化物层和层间绝缘膜上显示出轻微的变粗糙，但是仍然是适合的。对于有机酸盐的含量小于0.3质量百分比，例20的清洗液在适合的范围之内，但是轻微地损坏镍硅化物层。对于有机酸盐的含量大于1.5质量百分比，例21的清洗液的残余物可除去性稍差。例11到15的清洗液可以除去在灰化之后的残余物，同时几乎不损坏镍硅化物层和层间绝缘膜。
接着，作为本发明的第三个例子，评估清洗液的使用裕度。具体地，通过类似于第一和第二例子的方法使用表4所示的例子13的清洗液评估残余物可除去性以及对镍硅化物层和层间绝缘膜的损坏，晶片在清洗液中的浸泡时间为两分钟、五分钟和十分钟，清洗液的温度为25℃、35℃和45℃。结果显示在下面的表5中。
表5
由表5可明显看出，本发明的例子13的清洗液可以除去在灰化之后的残余物而不损坏镍硅化物层和层间绝缘膜，晶片在清洗液中浸泡的时间为2到5分钟，清洗液的温度范围在25到35℃。在表5中给于的评估结果显示出晶片浸泡在清洗液中的结果。另一方面，当通过旋转型进行清洗时，发生清洗液的横向流动，从而可以在比根据例子进行浸泡清洗的情况下更短的时间中完成清洗，由此用大约1到3分钟的清洗时间产生相似的清洗效果。浸泡法与旋转法之间对镍硅化物层和层间绝缘膜的损坏影响方面几乎没有任何差别，即使当用旋转进行清洗法时，在1到5分钟内也可以进行充分的清洗。
权利要求
1.一种清洗液，包括含氟化合物；螯合剂；以及有机酸盐，由此所述清洗液用于清洗其上形成镍硅化物层的衬底。
2.根据权利要求1的清洗液，其中所述含氟化合物的含量为1.0到5.0质量百分比，所述螯合剂的含量为0.2到5.0质量百分比，并且所述有机酸盐的含量为0.1到3.0质量百分比。
3.根据权利要求2的清洗液，其中所述含氟化合物的含量为2.0到3.0质量百分比，所述螯合剂的含量为0.5到2.5质量百分比，所述有机酸盐的含量为0.3到1.5质量百分比。
4.根据权利要求1的清洗液，其中所述含氟化合物是从氢氟酸、氟化铵和胺氟化物的组中挑选出来的至少一种化合物。
5.根据权利要求1的清洗液，其中当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，在25℃下所述螯合剂具有2.5或更大的酸解常数pKan。
6.根据权利要求1的清洗液，其中当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，所述有机酸盐是在25℃下具有2.5或更大的酸解常数pKan的羧酸类铵盐。
7.根据权利要求1的清洗液，其中所述清洗液具有7.0或更小的pH。
8.根据权利要求1的清洗液，其中在所述清洗液中的所述镍硅化物层具有50nm或更小的厚度。
9.根据权利要求1的清洗液，其中在所述清洗液中的所述镍硅化物层含有从Ta、Zr、Co和V的组中挑选出来的至少一种金属。
10.根据权利要求1的清洗液，其中所述镍硅化物层掺杂有杂质。
11.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成镍硅化物层；在所述镍硅化物层上形成层间绝缘膜；通过用所述层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻并然后通过灰化除去所述光致抗蚀剂图形来形成通孔；以及通过用含有含氟化合物、螯合剂和有机酸盐的清洗液清洗所述衬底来除去在所述干蚀刻和所述灰化之后剩余的残余物。
12.根据权利要求11的方法，其中所述含氟化合物的含量为1.0到5.0质量百分比，所述螯合剂的含量为0.2到5.0质量百分比，所述有机酸盐的含量为0.1到3.0质量百分比。
13.根据权利要求11的方法，其中所述含氟化合物的含量为2.0到3.0质量百分比，所述螯合剂的含量为0.5到2.5质量百分比，并且所述有机酸盐的含量为0.3到1.5质量百分比。
14.根据权利要求11的方法，其中所述含氟化合物是从氢氟酸、氟化铵和胺氟化物的组中挑选出来的至少一种化合物。
15.根据权利要求11的方法，其中当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，在25℃下所述清洗液含有具有2.5或更大的酸解常数pKan的所述螯合剂。
16.根据权利要求11的方法，其中当具有n(n是1或更大的整数)价的碱式酸的分解级是第n级时，在25℃下所述清洗液包括具有2.5或更大的酸解常数pKan的羧酸类铵盐作为所述有机酸盐。
17.根据权利要求11的方法，其中所述清洗液具有7.0或更小的pH。
18.根据权利要求11的方法，其中在所述清洗液中的所述镍硅化物层具有50nm或更小的厚度。
19.根据权利要求11的方法，其中在所述清洗液中的所述镍硅化物层含有从Ta、Zr、Co和V的组中挑选出来的至少一种金属。
20.根据权利要求11的方法，其中所述镍硅化物层掺杂有杂质。
21.根据权利要求11的方法，其中除去所述残余物的所述步骤在所述衬底上进行旋转型单个晶片清洗。
22.根据权利要求11的方法，其中除去所述残余物的所述步骤重循环地使用所述清洗液。
全文摘要
制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。
文档编号B44C1/22GK1690183SQ20051006705
公开日2005年11月2日 申请日期2005年4月27日 优先权日2004年4月27日
发明者青木秀充, 铃木达也, 大和田拓央, 池上薰, 石川典夫 申请人:恩益禧电子股份有限公司, 关东化学株式会社