全氟聚醚液体薄膜和使用全氟聚醚液体清洁掩模的方法

专利名称：全氟聚醚液体薄膜和使用全氟聚醚液体清洁掩模的方法
技术领域：
本发明涉及用于光刻投影装置的掩模的薄膜和清洁掩模的方法。
背景技术：
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束的截面赋予图案的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致。本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应。这样的构图装置的一个例子是掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
构图装置的另一例子是可编程反射镜阵列。这种阵列的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一可选实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电场，或者通过使用压电致动器，使得每个该反射镜能够独立地绕一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已定址的反射镜以与未寻址的反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射。按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以采用框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
构图装置的另一例子是可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；但是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂覆辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯)。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过一次曝光目标部分上的全部掩模图案而辐射每一目标部分。这种装置通常称作晶片步进器。另一种备选装置(通常称作步进-扫描装置)，通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分。因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻装置的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得。
在已知的用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂覆抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量和/或检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC等器件的单层形成图案。这种带图案的层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学一机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。确保不同堆叠层尽可能精确地重叠(叠置)非常重要。为此，在晶片的一个或多个位置上设置微小的参考标记，从而定义晶片上坐标系统的原点。采用与基底保持器定位装置相结合的光学和电子器件(下文中称作“对准系统”)，每当一新层要叠置到已有层上时该标记可以被重新定位并且可以用作对准参考。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割等技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜片”。可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置、反射光学装置和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一操作的部件，该部件用于操纵、成形或者控制辐射的投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜片”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置。
参照图2，用于光刻投影装置的掩模10一般包括具有例如在其一表面上由例如铬形成的带图案的不透明材料层12的玻璃或石英坯料11。薄膜20用于防止污染物例如灰尘微粒接触掩模10。任何掩模10上的污染物都将会改变理想的图案成像。薄膜20包括连接在坯料11上的框架21和连接在框架21上的膜22。膜22被定位在带图案层的上方大于成像在掩模10上的辐射焦距的高度H处，以使其不妨碍辐射到达掩模。任何膜22上的污染物距掩模10上方留有间距，以使离焦且不会对图案的像产生不利影响。
膜22可通过在含氟聚合物层上涂覆抗反射涂层或通过在适当薄膜上旋涂具有足够粘性的聚合物溶液形成。涂覆到含氟聚合物层上的抗反涂层可通过旋压形成。薄膜应当比较厚以耐受与旋涂处理有关的力。膜22的厚度直接影响辐射经膜22到达掩模10的透射。膜22对辐射的吸收和反射减少了辐射到达掩模10的透射并防止所有辐射被用于光刻处理。膜22应当有足够的厚度以使其具有足够的机械强度来被旋压涂覆、抬起、粘着地安装在框架21上。图2所示的薄膜20包括聚合物层和旋涂涂覆的涂层，一般被称作软薄膜以区别一般被称作硬薄膜的石英薄膜。硬薄膜一般比软薄膜贵并且可作为附加光学元件，其可对成像产生不利影响并且压制了光刻投影装置的性能。软薄膜，虽然加工不太贵，但由于薄膜的弯曲或凹陷会引入光学畸变。软薄膜还比硬薄膜更不耐用并且可能需要比硬薄膜更频繁的替换。
膜22一般容易碎并且容易被常规的掩模清洁处理破坏。常规清洁处理可包括在掩模10上喷涂例如去离子水或氢氧化铵等清洁液体、旋转掩模10以去除过量清洁液体和冲洗喷淋。膜22常在掩模清洁前被去除然后被再连接到框架21上。掩模10于是必须重新鉴定以用于光刻投影装置。每个薄膜构造成与特定的掩模匹配。去除膜22、清洁掩模20、再把膜22连接到框架21上和重新鉴定掩模10的过程耗费时间并且花费大。薄膜的膜厚度和粗糙度的不均匀也导致膜中辐射透射的不均匀。薄膜厚度必须精确控制以允许对于辐射波长在最大条纹处工作。
集成电路器件向更小化的趋势需要光刻投影装置能够印刷比那些目前使用248nm和193nm辐射印刷的图案具有甚至更小的临界尺寸(CD)的特征的图案。目前研制的利用157nm辐射的光刻投影装置能够印刷具有70-100nm大小CD的图案。但是目前被用于248nm和193nm光刻的薄膜的膜的已知聚合物并不适用于157nm的光刻。商业上可获得的含氟聚合物，例如TEFLONAF和CYTOP，由于它们缺少足够的机械完整性所以在1 57nm辐射下会快速爆裂。
目前研制的含氟聚合物具有足够的透明度以产生大约95％的透射率。在辐射下含氟聚合物经受光化学变暗，其会减少薄膜的透射率和使用寿命。一般假定薄膜的使用寿命随着透明度的增加均匀地增加。但是，DuPont研制的以用作157nm光刻的薄膜的TEFLONAF(TAFx)聚合物显示出具有不同吸收性的材料具有相似的使用寿命和具有相同吸收性的聚合物具有不同的使用寿命。理论上，用于157nm光刻的薄膜应该至少98％是透明的并且抵抗光化学变暗以保持对于0.75KJ/cm2的曝光使用寿命有用。
重要的是用作157nm光刻的薄膜的含氟聚合物具有所必需的光学性质(即透明性和吸收性)、薄膜构成特征和机械及光化学辐射耐用性。含氟聚合物还必须具有产生最小除气作用所必须的低光学吸收性并且与用于将膜连接到薄膜框架上的非杂质粘合剂、用于将薄膜框架连接到掩模的衬垫材料和薄膜框架的材料相容。因为在157nm处由空气产生的光学吸收比在193nm处高四个量级，完全曝光系统需要被设计并保持无污染物。光路，包括晶片和掩模台，能暴露于仅百万分之一浓度的氧气、水和有机分子。在掩模被曝光前需要附加分子清洁步骤。当前的掩模清洁技术包括用例如氮等气体清洗。清洗过程增加了使用光刻投影装置生产集成电路器件的生产成本和时间。

发明内容
本发明一方面提供具有可用于光刻投影装置的薄膜的构图装置，该投影装置提供带图案的投影光束或辐射，其包括157nm的辐射，以在基底上印刷图案。本发明的另一方面提供制造和清洁具有可用于光刻投影装置的薄膜的构图装置的方法，该投影装置提供带图案的投影光束或辐射，其包括157nm的辐射，以在基底上印刷图案。
根据本发明的该方面和其他方面通过用于光刻投影装置的构图装置实现，该构图装置包括由石英、玻璃、MgF或CaF2中的一种形成的坯料层；在坯料层表面上的不透明材料层的带图案层；和在坯料层表面上覆盖表面的全氟聚醚(PFPE)液体层。
根据本发明的又一方面，提供一种用于光刻装置的构图装置的制造方法，该方法包括提供具有坯料层和在坯料层表面上的带有图案的不透明材料层的构图装置；在坯料层表面涂覆覆盖表面的全氟聚醚(PFPE)液体以形成PFPE液体层；和去除至少部分PFPE液体层。
根据本发明的又一方面，提供一种用于光刻装置的构图装置的清洁方法，该构图装置包括坯料层和在坯料层表面上的带有图案的不透明材料层，该方法包括在坯料层表面涂覆覆盖表面的全氟聚醚(PFPE)液体以形成PFPE液体层；和去除至少部分PFPE液体层。
根据本发明的又一方面，提供一种用于集成电路、集成光学系统、磁筹存储的图案、液晶显示板和薄膜磁头的器件，该器件通过这样的方法制造，包括提供至少部分被辐射敏感材料层覆盖的基底；提供投影辐射投影光束；使用根据本发明的构图装置给辐射光束的截面赋予图案；和在辐射敏感材料层的目标部分投影带图案的辐射光束。
虽然在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的普通技术人员可以理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm的波长范围)，和粒子束，如离子束或者电子束。


现在仅通过举例的方式，参照示意附图描述本发明的实施例，其中图1是光刻投影装置的示意说明；图2是根据已知结构的掩模和薄膜的示意说明；图3是根据本发明典型实施例的掩模和薄膜的示意说明；图4是根据本发明另一典型实施例的掩模和薄膜的示意说明；图5-7是根据本发明典型实施例的装置的示意说明，该装置能够根据本发明在掩模上制造薄膜；图8是根据本发明典型实施例在掩模上形成薄膜的方法的示意说明；图9是根据本发明典型实施例用于清洁具有根据本发明的薄膜的掩模的方法的示意说明；图10是根据本发明另一典型实施例用于清洁具有根据本发明的薄膜的掩模的方法的示意说明；图11是用于集成电路、集成光学系统、磁畴存储、液晶显示板或薄膜磁头的器件的制造方法的示意说明；和图12是根据本发明的方法制造的用于集成电路、集成光学系统、磁畴存储器、液晶显示板或薄膜磁头的器件的示意说明；在图中，相应的附图标记表示相应的部件。
具体实施例方式
图1示意性描述了基于本发明一具体实施例的光刻投影装置。该装置包括辐射系统Ex、IL，用于提供辐射投影光束PB(例如UV或EUV辐射，例如由工作在248nm、193nm、或157nm的受激准分子激光器产生或由工作在13.6nm的激光激发等离子源产生)。在本实施例中，辐射系统还包括辐射源LA。该装置还包括第一目标台(掩模台)MT，其设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；第二目标台(基底台)WT，其设有用于保持基底W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于投影系统PL精确定位的第二定位装置PW连接；投影系统或镜片PL(例如石英和/或CaF2透镜系统或反射或反折射系统、反射镜组或场偏转器阵列)，其构造并布置成使掩模MA的受辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。投影系统PL支撑在参考框架RF上，如上所述，该装置是透射型的(即具有透射掩模)。但是该装置通常也可以是反射型的，例如具有反射掩模。作为选择，该装置可以采用其他类型的构图装置，例如上述类型的可编程反射镜阵列。
源LA(例如UV受激准分子激光器、波动器或围绕存储环或同步加速器中的电子束路径设置的摆动器、激光放电等离子源、放电源或电子或离子光束源)产生辐射束PB。该光束PB直接或经过如扩束器Ex等调节装置后，再馈送到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射在掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意，图1中的源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过适当的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明包含这两种方案。特别地，本发明和权利要求包含一些实施例，其中采用辐射源Ex，IL来提供小于170nm左右的波长的辐射投影光束，例如像157nm、126nm、和13.6nm的波长。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。经过掩模MA之后的光束PB通过镜片PL，该镜片将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和干涉仪IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可仅与短冲程致动器连接，或者固定。掩模MA和基底W通过使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2可以被对准。掩模MA和基底W可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2来对准。
所示的装置可以按照两种不同模式使用在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投影，即单“闪”，到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投影光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜片PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
参照图3，根据本发明典型实施例的掩模30包括坯料层31和带图案的不透明层32，即硬掩模。硬掩模32可例如由铬来形成。由于常规的石英和玻璃(例如硼硅酸盐玻璃或熔融硅玻璃)在157nm处不透明，所以坯料层31由CaF2形成。可以理解在使用193nm或248nm辐射的光刻投影装置中的坯料层31可由石英或玻璃形成。
全氟聚醚(PFPE)液体的薄膜40形成在掩模30上。PFPE液体可以是例如FOMBLIN或GALDEN，从Ausimont公司可获得，或KRYTOX，从DuPont可获得。PFPE液体通常被用作真空泵内的润滑剂并且因而与光刻投影装置在其中使用的清洁空间环境相容。PFPE液体是光学清洁、无毒、化学惰性并与至少某些现有的抗蚀剂材料相容的。PFPE液体的157nm吸收率为10a＝10-3μm-1的157nm(以10为基数)，比目前实验157nm的抗蚀剂低一千倍，比目前157nm的薄膜材料低十倍。
PFPE液体还具有与用于157nm光刻中的掩模坯料的CaF2更接近地匹的折射率。再参照图2，空气占据膜22和坯料11之间的空间，空气具有n＝1.0的折射率。膜22的折射率和空气的折射率间的差值相当大，就像空气的折射率和坯料11的折射率间的差值一样。这些折射率间的相当大的差值导致辐射反射的增强和通过掩模的辐射量的减少。一般而言，折射率间的差值越大反射越强。目前用作薄膜的膜的包括抗反射涂层的膜层具有1.13到1.2之间的折射率。因此薄膜的膜和空气之间折射率的差值在0.13到0.2之间。
再参照图3，CaF2的折射率约为1.56。FOMBLINZ-25在157nm的折射率为n＝1.35。FOMBLINY-18在157nm的折射率为n＝1.37。更高分子量形式的FOMBLINY-140在157nm的折射率为n＝1.38。因此CaF2坯料31和液体薄膜40的折射率间的差值可在0.18到0.21之间，其与可以得到的被用作薄膜的膜的具有抗反射涂层的通用薄层的差值相当。另外，折射率间的差值可以通过在光刻投影装置的末端光学元件上使用适当的涂层来减少或消除。
PFPE液体具有化学稳定性和耐溶剂性。它还具有极好的热阻和电阻性并且不与金属、塑料、合成橡胶和橡胶反应。PFPE液体对于液体和气态氧是惰性的并且不可燃。由于PFPE液体能够耐受高氧环境，因其不受光致抗蚀剂剥除处理建立的高氧环境影响适于用作掩模生产中薄膜。PFPE液体也能够耐受在铝刻蚀期间产生的路易斯酸(Lewis acids)、硫磺的产物、多数酸、多数碱和多数氧化剂。它们可以具有各种粘度并且蒸发损失小。PFPE液体还具有极好辐射硬度和在电离辐射的条件下的抗聚合性。PFPE液体具有零潜在臭氧损耗并且也不属于环境保护机构规定分类的挥发性有机化学制品。
参照图4，根据本发明典型实施例的交替或衰减相移掩模50包括掩模坯料，其包括坯料层51和不透明层，即硬掩模52。如上所述，坯料层51可由CaF2、MgF、掺杂氟的石英或玻璃、或任何其他具有适合于157nm光刻的光学特性的材料形成，并且可以由用于193nm或248nm光刻的玻璃或石英形成。具有特征53和54的图案被形成在掩模50上，掩模50可以由任何已知方法制造，其包括在掩模坯料上涂覆例如抗蚀剂等辐射敏感材料，在带有图案的辐射投影光束下曝光抗蚀剂，去除硬掩模，和通过湿或干法刻蚀形成图案。
参照图5，装置的典型实施例，用于在掩模60上形成包括坯料层61和带有图案的不透明层62的薄膜，包括旋转卡盘70和掩模支撑物71。旋转驱动器72操作上与旋转卡盘70连接。PFPE液体源74设置为给掩模60的表面提供PFPE液体，该掩模的上面具有带图案的不透明层62。该源74可以例如是喷涂装置、喷嘴或配量臂。
参照图6，源74向掩模60提供PFPE液体80以覆盖包括带图案的不透明层62的掩模60的表面。PFPE液体80以大于厚度H的厚度T被涂覆到掩模60上，在该厚度H上PFPE液体80上的污染物将不会妨碍辐射经过掩模60并且由于其在焦点之外从而不会影响图案的成像。
如图6的箭头记号A所示，旋转卡盘70被旋转驱动器72旋转以甩掉过量PFPE液体80。如图7所示，甩掉过量PFPE液体80直到带有图案的不透明层62上的液体厚度H等于或稍大于辐射在掩模60上成像的焦距。液体甩掉的量可通过控制旋转驱动器72来控制旋转卡盘70的速度和/或通过控制旋转驱动器72来控制旋转卡盘70的旋转时间来控制。PFPE液体80的厚度能通过已知测量/检验装置测定。旋压掩模60还提供了增强的对PFPE液体80厚度的均匀性的控制。
参照图8，根据本发明典型实施例的形成薄膜的方法包括提供掩模S110、涂覆PFPE液体S120和去除部分PFPE液体以调整掩模上PFPE液体的厚度S130。可以理解该方法可用于在各种形式掩模上形成薄膜，包括，例如衰减相移掩模、交替相移掩模、二进制掩模和混合掩模。也可以理解PFPE液体可通过不同于旋转的方法去除，例如，像通过摇动(例如掩模的反复往复运动)、化学反应、或通过具有与掩模有一预定距离的边缘的构件例如刀片，掠过涂覆有PFPE液体的掩模。
图5-7所示的装置也可通过去除被污染的PFPE液体薄膜和以新的PFPE液体薄膜代替被污染的薄膜来清洁掩模。参照图9，根据本发明典型实施例的清洁掩模的方法包括去除被污染的PFPE液体薄膜S210、在掩模上涂覆PFPE液体S220、和去除部分PFPE液体S230以调整掩模上PFPE液体的厚度。如上所述，被污染的PFPE液体薄膜可用任何方法，例如旋转或摇动来去除。
参照图10，根据本发明另一典型清洁掩模的方法包括在具有被污染的PFPE液体薄膜的掩模上涂覆PFPE液体S310、和去除部分PFPE液体以调整掩模上PFPE液体的厚度S320。在该第二典型实施例中，在应用清洁PFPE液体前没有去除被污染的PFPE液体薄膜。被污染的PFPE液体薄膜被应用清洁PFPE液体代替。掩模在应用清洁PFPE液体的同时可被旋转或摇动或在应用足够替代被污染的PFPE液体薄膜的清洁PFPE液体量之后可被旋转或摇动。
参照图11，用于集成电路、集成光学系统、磁畴存储器、液晶显示板、或薄膜磁头的器件的制造方法包括提供至少部分被辐射敏感材料层覆盖的基底S510；提供使用辐射系统的辐射投影光束S520；使用根据本发明典型实施例的具有薄膜的掩模给投影光束的截面赋予图案S530；和在辐射敏感材料层的目标部分投影带图案的辐射光束S540。
参照图12，通过根据本发明典型方法制造的器件900包括具有在其中包含形成的特征933、944的图案的基底910。如上所述，可以理解器件900可在集成电路、集成光学系统、磁畴存储器、液晶显示板、或薄膜磁头的制造中形成。也可以理解器件900可包括通过重复该方法或其变型形成的多个带图案层。
根据本发明包括PFPE液体薄膜的掩模能增强光刻投影装置的生产能力。通过去除或代替被污染的PFPE液体薄膜的掩模的清洁能够比具有薄膜框架和膜的掩模的清洁用时更少地完成，后者还可能会在清洁处理期间被损坏或破坏。在用于生产带图案的晶片的光刻装置中该减少的清洁时间使得掩模在比包括薄膜框架和膜的常规掩模更少的时间内被去除、清洁和代替。根据本发明的包括PFPE液体薄膜的掩模还不需要用以保护掩模或薄膜的特殊封装。该掩模可与PFPE液体薄膜一起被装运或储存，该薄膜在用于光刻投影装置之前可由无污染的PFPE液体薄膜容易地替换。根据本发明的清洁掩模的方法比当前使用去离子水的方法更好，因为清洁后保留在掩模上的任何去离子水都将吸收157nm的辐射并对图案的图像产生不利影响。
以上已描述本发明的具体实施例，但应当理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施。本说明不作为对本发明的限定。
权利要求
1.一种用于光刻投影装置的构图装置，包括由石英、玻璃、MgF或CaF2形成的坯料层；在坯料层表面上的不透明材料层的带图案层；和在坯料层表面上覆盖该表面的全氟聚醚液体层。
2.根据权利要求1的构图装置，其中，坯料层折射率和全氟聚醚液体层的折射率之间的差值小于或等于0.21。
3.根据权利要求1的构图装置，其中，坯料层包括一图案，该图案对应于不透明材料层中的图案。
4.根据权利要求1的构图装置，其中，全氟聚醚液体层的厚度近似等于在构图装置上成像的辐射的焦距。
5.一种制造用于光刻装置的构图装置的方法，该方法包括提供具有坯料层和在坯料层表面上的带有图案的不透明材料层的构图装置；在坯料层表面涂覆覆盖该表面的全氟聚醚液体以形成全氟聚醚液体层；和去除至少部分全氟聚醚液体层。
6.根据权利要求5的方法，其中，坯料层折射率和全氟聚醚液体层的折射率之间的差值小于或等于0.21。
7.根据权利要求5的方法，其中，坯料层包括一图案，该图案对应于不透明材料层中的图案。
8.根据权利要求5的方法，其中，去除至少部分全氟聚醚液体层包括去除部分全氟聚醚液体层从而将全氟聚醚液体层的厚度调整为近似等于被成像在构图装置上的辐射的焦距。
9.根据权利要求5的方法，其中，去除部分全氟聚醚液体层包括旋转或摇动掩模。
10.一种用于光刻装置的构图装置的清洁方法，该构图装置包括坯料层和在坯料层表面带有图案的不透明材料层，该方法包括；在坯料层表面涂覆覆盖该表面的全氟聚醚液体以形成全氟聚醚液体层；和去除至少部分全氟聚醚液体层。
11.根据权利要求10的方法，还包括在涂覆全氟聚醚液体层之前从表面去除被污染的全氟聚醚液体层。
12.根据权利要求10的方法，其中，坯料层折射率和全氟聚醚液体层的折射率之间的差值小于或等于0.21。
13.根据权利要求10的方法，其中，坯料层包括一图案，该图案对应于不透明材料层中的图案。
14.根据权利要求10的方法，其中，去除部分全氟聚醚液体层包括旋转或摇动掩模。
15.根据权利要求10的方法，其中，去除部分全氟聚醚液体层包括去除部分全氟聚醚液体曾从而将全氟聚醚液体层的厚度调整为近似等于被成像在构图装置上的辐射的焦距。
16.一种用于集成电路、集成光学系统、用于磁畴存储器的图案、液晶显示板、和薄膜磁头的器件，该器件通过一种方法制造，该方法包括提供至少部分被辐射敏感材料覆盖的基底；提供投影辐射投影光束；使用根据权利要求1的构图装置给辐射光束的截面赋予图案；和在辐射敏感材料层的目标部分投影带图案的辐射光束。
全文摘要
一种用于光刻装置的构图装置，例如掩模，包括坯料层、在坯料层表面上的不透明材料层的带图案层；和覆盖所述表面的全氟聚醚液体薄膜。一种构图装置的制造方法包括提供具有坯料层和在坯料层表面上的带有图案的不透明材料层的构图装置；在所述表面涂覆覆盖该表面的全氟聚醚液体以形成全氟聚醚液体层；和去除至少部分全氟聚醚液体层。一种用于光刻投影装置的构图装置的清洁方法，该构图装置包括坯料层和在坯料层表面上的带有图案的不透明材料层，该方法包括在坯料层表面涂覆覆盖表面的全氟聚醚液体以形成全氟聚醚液体层；和去除至少部分全氟聚醚液体层。
文档编号G03F7/22GK1517799SQ200410005900
公开日2004年8月4日 申请日期2004年1月14日 优先权日2003年1月15日
发明者K·库明斯, K 库明斯 申请人:Asml荷兰有限公司