专利名称：共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，具体涉及一种共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件及其制造方法。
背景技术：
液晶显示(LCD)器件是一种平板显示器，其中通过向既具有液体的流动性又具有晶体的光学性质的液晶施加电场，LCD器件改变光学各向异性。近年来，LCD器件因为与现有技术的阴极射线管(CRT)相比具有诸如低能耗、薄外形、高分辨率以及适合于大尺寸显示这些有利的性质而被广泛使用。
基于在LCD器件中所用液晶的特性和图案结构，LCD器件具有各种模式。具体地，LCD器件可以分为在扭曲90°的液晶指向矢的排列后通过施加电压控制液晶方向的扭曲向列(TN)模式；通过将一个像素划分为几个畴获得宽视角的多畴(multi-domain)模式；通过在基板外表面上形成补偿膜并根据光的行进方向补偿光的相位的光学补偿双折射(OCD)模式；通过在任一基板上形成两个电极形成平行于两个基板的电场的共平面开关(IPS)模式；通过用负型液晶和垂直对准层，以垂直于对准层平面的方向排列液晶分子的纵(主)轴的垂直对准(VA)模式。
在这些类型的LCD器件中，IPS模式LCD器件一般包括彼此面对的滤色片基板和薄膜晶体管阵列基板，以及形成在两个基板之间的液晶层。滤色片基板包括用于避免漏光的黑矩阵层，和用于在黑矩阵层上实现各种颜色的R/G/B滤色片层。薄膜晶体管阵列基板包括限定像素区域的栅线和数据线，形成在栅线与数据线交叉点处的开关器件，以及交替形成以产生平行于两个基板的电场的公共电极和像素电极。
以下，参看附图1到5说明现有技术的IPS模式LCD器件及其制造方法。
在图1中，薄膜晶体管阵列基板包括栅线12、数据线15、薄膜晶体管TFT、公共线25、多个公共电极24、多个像素电极17和电容电极26。同时，栅线12沿一个方向形成在薄膜晶体管阵列基板上，数据线15垂直于栅线12形成，以限定一像素区域。而且，在栅线12与数据线15的交叉点处形成薄膜晶体管TFT。然后，在像素区域中形成平行于栅线12的公共线25。形成平行于数据线15并从公共线25延伸出的多个公共电极24。同时，多个像素电极17连接到薄膜晶体管TFT，而且每一像素电极17平行地设置在公共电极24之间。从像素电极17延伸出的电容电极26与公共线25相重叠。
另外，薄膜晶体管TFT包括从栅线12延伸出的栅极12a，在包含栅极12a的薄膜晶体管阵列基板的整个表面上形成的栅绝缘层(未示出)，在栅极上方的栅绝缘层上形成的半导体层，以及分别从数据线15延伸出并在半导体层14两侧形成的源极15a和漏极15b。
同时，公共线25与公共电极24作为一体形成，而栅线12与栅极作为一体形成。
同时，公共线与栅线由低阻抗的金属材料形成。而且，任何一个公共电极都与数据线相重叠，从而起黑矩阵层的作用，以提高孔径比。
从公共线26延伸出的像素电极17由具有极高透射比的透明导电金属材料形成，例如氧化铟锡(ITO)，其中每个像素电极17都与公共电极24相交替。而且，像素电极17与薄膜晶体管TFT的漏极相接触，由此像素电极17接收电压。
同时，在公共线25上，设有与像素电极17作为一体形成的电容电极26，由此形成存储电容器。
在这种现有技术的IPS模式LCD器件中，如图2所示，若向公共电极24施加5V的电压，向像素电极17施加0V的电压，则在该两个电极的正上方部分处形成平行于这些电极的等势面，而且在该两个电极之间的部分处形成垂直于这些电极的等势面。从而，由于电场垂直于等势面，因此在公共电极24与像素电极17之间形成水平电场，在各个电极上形成垂直电场，同时在电极的边缘处既形成水平电场又形成垂直电场。
在这种现有技术的IPS模式LCD器件中，液晶分子的排列由电场控制。例如，如图3A所示，若向最初与一个偏阵片的透射轴(transimission axis)相同方向排列的液晶分子31施加足够大的电压，液晶分子31的长轴会平行于电场而排列。在液晶的介电各向异性为负时，液晶分子的短轴平行于电场排列。
更具体地，第一和第二偏阵片形成在相互粘接的薄膜晶体管阵列基板和滤色基板的外表面上，其中第一和第二偏阵片的透射轴相互垂直。同时，在下基板上形成的定向层以平行于一个偏阵片的透射轴的方向摩擦(rub)，从而以常黑模式(normally black mode)进行显示。
即，若没有向器件施加电压，如图3A所示，则液晶分子31进行排列，显示黑状态(black state)。同时，如图3B所示，若向器件施加电压，则液晶分子31平行于电场排列，从而显示白状态。
同时，如图1所示，公共电极24和像素电极17以直线形成交替的图案，或者如图4所示，以Z形图案形成公共电极124和像素电极117。
如图4所示，在公共电极124和像素电极117以Z形图案形成的情况下，液晶分子沿两个方向排列，由此形成双畴IPS结构。与单畴IPS结构相比，这种双畴结构可以获得宽视角。这种双畴IPS结构称为S-IPS(超IPS)结构。
同时，数据线115可以以直线形成，或者可以平行于公共电极124和像素电极117形成。然而，在数据线以直线形成的情形中，与单畴IPS结构相比，这种器件具有相对较低的孔径比。即，如图4所示，在数据线115下方以Z形图案形成与像素电极117相平行的公共电极124，因而使孔径比降低。
为了克服这一问题，如图5所示，数据线215可以直接弯曲，以提高孔径比。在这种情形中，因为数据线的长度增加，所以出现另一个问题，即阻抗增大。
具体地，如图5所示，垂直于栅线212形成数据线215，以限定单元像素区。同时，数据线215以Z形图案形成，与公共电极224和像素电极217相平行。因而，不需要使与像素电极217相平行的公共电极224位于数据线215下方，从而遮光区变成透光区域(open area)，由此提高孔径比。
然而，如上所述，在数据线215以Z形图案形成的情形中，数据线的总长度增长，从而使线的阻抗增大。
发明内容
因此，本发明涉及一种共平面开关(IPS)模式液晶显示(LCD)器件及其制造方法，其基本能够消除由于现有技术的限制和不足而引起的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供一种IPS模式LCD器件及其制造方法，通过以具有若干延伸部分的直线型形成数据线，在不增加数据线的阻抗的情况下提高孔径比。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些目的和优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，按照本发明目的，作为具体和广义的描述，一种IPS模式LCD器件包括基板；形成在所述基板上的多条栅线；与所述栅线交叉、以确定像素区域的多条数据线，每一所述数据线在其两侧具有至少一个延伸部分；基本平行于所述栅线形成的公共线；从所述公共线垂直延伸出的公共电极；形成在所述栅线与所述数据线交叉部分处的薄膜晶体管；以及连接到所述薄膜晶体管的漏极并基本平行于所述公共电极形成的像素电极。
在本发明的另一方面，一种IPS模式LCD器件，包括基板；所述基板上形成在的多条栅线，每一所述栅线在其两侧具有至少一个延伸部分；基本平行于所述栅线形成的公共线；从所述公共线延伸出并基本平行于所述栅线形成的至少一个公共电极；与所述栅线交叉以限定像素区域的多条数据线；在所述栅线与所述数据线交叉部分处形成的多个薄膜晶体管；以及基本平行于所述至少一个公共电极形成的至少一个像素电极。
按照本发明的又一方面，一种IPS模式LCD器件的制造方法，包括在基板上形成多条栅线；形成基本平行于所述栅线的公共线，其中形成从所述公共线垂直延伸出的至少一个公共电极；形成与所述栅线交叉以限定像素区的多条数据线，每一所述数据线在其两侧具有至少一个延伸部分；在所述栅线与所述数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；以及形成连接到所述薄膜晶体管的漏极并基本平行于所述至少一公共电极的至少一像素电极。
应当理解，不仅前面的一般描述而且下面对本发明的详细描述都是示例性和说明性的，其旨在提供对如权利要求书所述的本发明的进一步说明。
所附的附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合构成说明书的一部分，示出本发明的各种实施方式，而且与下面的描述一起用来说明本发明的原理。在附图中图1所示为按照现有技术的单畴IPS结构的平面图；图2所示为沿图1的I-I’提取的IPS模式LCD器件的电压分布图；图3A和3B所示为当电压开/关时IPS模式LCD器件的平面图；图4所示为按照现有技术一种方法的双畴IPS模式LCD器件的平面图；图5所示为按照现有技术另一种方法的双畴IPS模式LCD器件的平面图；图6所示为按照本发明第一种实施方式的IPS模式LCD器件的平面图；图7所示为图6中数据线的放大图；图8所示为按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD器件的平面图；图9所示为图8中数据线的放大图；以及图10所示为按照本发明第三种实施方式的IPS模式LCD器件的平面图。
具体实施例方式
现在，详细说明本发明的各种优选实施方式，其实施例示出在附图中。如果可能，在整个附图中相同的参考数字指代相同或类似的部件。
以下，参照附图描述按照本发明的IPS模式LCD器件及其制造方法。特别地，下面说明IPS模式LCD器件的薄膜晶体管阵列基板。
以下，参照图6和图7描述按照本发明第一种实施方式的IPS模式LCD器件。
如图6所示，按照本发明第一种实施方式的IPS模式LCD器件包括多条栅线312、多条数据线315、薄膜晶体管TFT、公共线325、多个公共电极324以及多个像素电极317。多条栅线312沿一个方向形成，沿与基本垂直于栅线312的方向形成多条数据线315，从而限定像素区。薄膜晶体管TFT形成在由栅线312与数据线315所限定的单位像素区的预定部分内。从而薄膜晶体管TFT转换电压。同时，公共线325与栅线312基本平行地形成，以接收来自有源区外部的公共电极信号。这些从公共线325延伸出的多个公共电极324以Z形图案形成。多个像素电极317与薄膜晶体管TFT相连接，并与成Z形图案的公共电极324基本平行。
如图7所示，数据线315包括具有恒定宽度d2的直线部分，在直线部分两侧形成的若干三角形的延伸部分，其中这些延伸部分相对于直线部分的两侧对称。
薄膜晶体管TFT包括从栅线312延伸出的栅极312a、在栅极312a上形成的半导体层314、从数据线315延伸出并在半导体层3 14边缘处形成的源极315a/漏极315b。
栅线312和数据线315可以由低阻抗金属材料形成，如铜Cu、铝Al、钕化铝AlNd、钼Mo、铬Cr、钛Ti、钽Ta或者钨化钼MoW。
数据线315没有以现有技术的仅有直线型或弯曲型形状形成，而是以具有若干延伸部分的直线部分的形状形成。在这种情况下，数据线315的延伸部分与公共电极324和像素电极317基本平行。即，如图6所示，具有延伸部分的数据线315的每一侧与相邻的公共电极324和相邻像素电极317基本平行。
如图7所示，数据线315的延伸部分关于数据线315的直线部分的纵向对称。同时，数据线315的阻抗值与L/{(d1+d2)/2}成比例，其中L是相邻延伸部分最高点之间的长度，d1是相对称的延伸部分最高点之间的宽度，d2是直线部分的宽度。
同时，在现有技术的单畴IPS结构的直数据线内，假设该直数据线长度为L和宽度为d，则阻抗值与L/d成比例。
因此，数据线的d1和d2可以设定为在使本发明中数据线的L/{(d1+d2)/2}与现有技术中数据线的L/d具有相似阻抗值的适当范围中。此处，d2设为0μm。在这种情形下，因为阻抗值与数据线的长度成比例，与数据线的宽度成相反比例，与数据线材料的介电常数成比例，所以现有技术和本发明的数据线可以由相同的材料形成。
与现有技术的单畴IPS模式相比，按照本发明的第一种实施方式可以形成双畴IPS模式的S-IPS结构，而不增加数据线的阻抗。
在图6中，公共电极324和像素电极317以Z形图案基本相互平行地形成，而且数据线315的每一侧都具有与相邻公共电极324和相邻像素电极317基本平行的延伸部分。从而，如果每一公共电极和像素电极在单位像素区域内弯曲几次，数据线在单位像素区域内也弯曲几次。同时，如果每一公共电极和像素电极在单位像素区域的中心内弯曲一次，数据线在单位像素区域的中心内也弯曲一次。
像素电极317可以由具有高透射比的透明导电金属材料如氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO以及低阻抗金属材料形成。
公共线325和公共电极324可以与栅线312在相同的层上形成，或者可以与栅线312同时形成而且不短于像素电极317。若公共线325和公共电极324在与像素电极317相同的层上形成，则公共线325和公共电极324可以由透明导电层ITO或IZO形成，由此其称作ITO-ITO电极结构。
公共电极324可以与公共线325相连接，从而使公共电极324从公共线325接收电压。同时，各像素电极317的末端用一条与栅线312基本平行的线相互连接，而且连接到薄膜晶体管TFT的漏极315b以接收电压。像素电极317的另一端与公共线325相重叠，并用一条与公共线325重叠的线相连接，因此这些重叠线组成存储电容。
同时，尽管并未示出，在包括栅线312和公共电极324的基板的整个表面上用等离子体增强型化学气相淀积(PECVD)沉积氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的无机绝缘层，从而形成栅绝缘层。该栅极绝缘层使栅线312与数据线315相绝缘。
另外，可以在包括数据线315的基板的整个表面上涂覆氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的无机绝缘层，或者苯并环丁烯BCB或丙烯酸材料的有机绝缘层，从而形成钝化层。
通常，钝化层可以由无机绝缘材料和有机绝缘材料的单层结构或双层结构形成。这种无机绝缘材料与半导体层有强粘着特性，而具有低介电常数的有机绝缘材料可以降低寄生电容。
因此，在采用有机绝缘材料的情况中，即使公共电极324和像素电极317与低层如栅线和数据线层相重叠，也不会产生寄生电容，因此可以在栅线和数据线层上同时形成公共电极324和像素电极317。
在这种情形下，公共电极324和像素电极317可以由具有高透射比的透明导电金属材料如氧化铟锡ITO形成，其被称作ITO-ITO电极结构。
以下，参照图8和图9说明按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD。按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD器件的数据电极结构不同于按照本发明第一种实施方式的IPS模式LCD器件的数据电极结构。
如图8所示，按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD器件包括多条栅线412、多条数据线415、薄膜晶体管TFT、公共线425、多个公共电极424以及多个像素电极417。该多条栅线412沿一个方向形成，而该多条数据线415基本垂直于栅线412形成，从而限定像素区域。薄膜晶体管TFT形成在由栅线412与数据线415限定的像素区域的预定部分内，从而薄膜晶体管TFT转换电压。同时，公共线425基本平行于栅线412形成，从而接收来自有源区外的电源的公共电压信号。从公共线425延伸出的多个公共电极424以Z形图案形成。多个像素电极417与薄膜晶体管TFT相连接，而且与Z形图案的公共电极424基本平行。
如图9所示，数据线415由具有恒定宽度d5的直线部分、多个沿直线部分第一侧形成的第一延伸部分，以及多个沿直线部分第二侧形成的第二延伸部分构成。该第一和第二延伸部分可以是三角形的形状。该第一延伸部分的最高点对应于该第二延伸部分的最低点形成，而该第一延伸部分的最低点对应于该第二延伸部分的最高点形成。因此，如图8所示，数据线415以Z形图案形成，从而使得数据线与以Z形图案形成的公共电极424和像素电极417基本平行。
在图9中，数据线415的阻抗值与L′/{(d4+d5)/2}或者L′/(d3+d5)成比例。当L′是相邻延伸部分的最高点之间的长度、d3是最高点处延伸部分的宽度、d4是相对侧延伸部分的最高点之间的宽度以及d5是直线部分的宽度时，L′/{(d4+d5)/2}和L′/(d3+d5)具有相同的值。
比较起来，当现有技术的单畴IPS结构的直数据线假定长度为L′和宽度为d′时，阻抗值与L′/d′成正比。
因此，数据线415的d3、d4和d5设定为使按照本发明数据线的L′/{(d4+d5)/2}或者L′/(d3+d5)与现有技术数据线的L′/d′为相似阻抗值的适当范围。此处，设d5≥0μm。在这种情形下，现有技术和本发明的数据线可以由相同的材料形成。
与现有技术的单畴IPS模式相比，按照本发明的第二种实施方式可以形成双畴IPS模式的S-IPS结构，而不增加数据线的阻抗。
以下，参照图10的平面图说明按照本发明第三种实施方式的IPS模式LCD器件。在按照本发明第三种实施方式的IPS模式LCD器件内，数据线以及形成在单位像素区域内的像素电极和公共电极的弯曲要小于按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD器件。同时，与按照本发明第三种实施方式的IPS模式LCD器件中的数据线相邻的外公共电极不同于在按照本发明第二种实施方式的IPS模式LCD器件中的外公共电极。
如图10所示，像素区域的像素电极517和公共电极524的弯曲与图8所示相比要小。由于像素电极和公共电极的弯曲部分减小，因此若数据线515的延伸部分基本平行于像素电极517和公共电极524形成，则数据线515的每一延伸部分的尺寸会增大。由于数据线515的每一延伸部分的尺寸增大，因此孔径比减小。在这方面，需要改变与数据线515相邻的公共电极524的图案，从而避免数据线515的延伸部分的尺寸减小。
即，如图10所示，数据线515的延伸部分的尺寸减小，与数据线515相邻的公共电极524的尺寸增大，以与上述减小的延伸部分相对应。从而，数据线的一侧与公共电极524的相邻第一侧基本平行，公共电极524的第二侧与像素电极517和另一公共电极基本平行。因此，与数据线515相邻的公共电极524的宽度并不均匀。
在按照本发明第三种实施方式的IPS模式LCD器件中，通过控制在像素区域边界中与数据线515相邻的公共电极524的宽度，数据线515的延伸部分的尺寸减小，由此避免阻抗的增加。同时，数据线515基本平行于公共电极形成。在这种状态下，由于公共电极是由透明材料形成，因此即使公共电极的尺寸根据数据线延伸部分的尺寸的减小而增大，也可以提高对应于数据线515的延伸部分减小的尺寸的孔径比。
尽管并未示出，但是在本发明的另一实施方式中，如果像素电极和公共电极沿相对于栅线的纵向形成，则像素电极和公共电极与栅线基本平行地形成。因此，由于像素电极和公共电极相对于栅线以Z形图案形成，因此如本发明第一至第三实施方式所述，栅线由直线部分和沿直线部分两侧形成的若干延伸部分构成。在这种实施方式中，栅线的延伸部分可以用与本发明第一至第三实施方式的数据线相同的方法形成。
如上所述，按照本发明的IPS模式LCD器件及其制造方法具有下面的优点首先，栅线或数据线由直线部分和在该直线部分两侧形成的多个延伸部分构成，从而形成与像素电极和公共电极基本平行的数据线或栅线，而不增加阻抗。因此，可以在不增加数据线阻抗的同时，形成S-IPS结构的双畴IPS模式。
此外，即使公共电极和像素电极与现有技术相比具有较小的弯曲结构，也可以形成与相邻公共电极基本平行的数据线，而不增加由数据线的延伸部分占有的区域。因此，可以不增加数据线的阻抗而形成S-IPS结构的双畴IPS模式，以提高孔径比。
本领域普通技术人员来说显而易见的是，可在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明作各种改进和变化。因此，本发明意欲覆盖落入所附权利要求的范围或其等效范围内的本发明的这些改进和变化。
权利要求
1.一种共平面开关模式液晶显示器件，包括基板；在所述基板上形成的多条栅线；与所述栅线交叉以限定像素区的多条数据线，每一所述数据线在其两侧具有至少一延伸部分；与所述栅线基本平行形成的公共线；从所述公共线垂直延伸出的至少一公共电极；在所述栅线与所述数据线交叉部分处形成的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管的漏极相连接并与所述至少一公共电极基本平行形成的至少一像素电极。
2.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线和至少一公共电极与所述栅线在相同的层上形成。
3.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线和所述公共电极与所述像素电极在相同的层上形成。
4.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述数据线由具有恒定宽度的直线部分、沿所述直线部分的第一侧形成的多个第一延伸部分以及沿所述直线部分的第二侧形成的多个第二延伸部分构成。
5.根据权利要求4所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述第一和第二延伸部分关于所述直线部分对称。
6.根据权利要求4所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最高点对应于所述第二延伸部分中一个的最低点，而且相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最低点对应于所述第二延伸部分中一个的最高点。
7.根据权利要求6所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述数据线以Z形图案形成。
8.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，与所述数据线相邻的所述公共电极具有非恒定的宽度。
9.根据权利要求8所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极的一侧与相邻的所述数据线基本平行，所述公共电极的另一侧与相邻的所述像素电极基本平行。
10.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极与所述数据线基本平行。
11.根据权利要求1所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极以Z形图案形成。
12.一种共平面开关模式液晶显示器件，包括基板；在所述基板上形成的多条栅线，每一所述栅线在其两侧具有至少一延伸部分；与所述栅线基本平行形成的公共线；从所述公共线延伸出并与所述栅线基本平行形成的至少一公共电极；与所述栅线交叉以限定像素区域的多条数据线；在所述栅线与所述数据线交叉部分处形成的多个薄膜晶体管；以及与所述至少一公共电极基本平行形成的至少一像素电极。
13.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线和所述公共电极与所述栅线在相同的层上形成。
14.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共线和所述公共电极与所述像素电极在相同的层上形成。
15.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述栅线由直线部分、沿所述直线部分的第一侧形成的多个第一延伸部分、以及沿所述直线部分的第二侧形成的多个第二延伸部分构成。
16.根据权利要求15所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述第一和第二延伸部分关于所述直线部分对称。
17.根据权利要求15所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最高点对应于所述第二延伸部分中一个的最低点，而且相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最低点对应于所述第二延伸部分中一个的最高点。
18.根据权利要求17所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述栅线以Z形图案形成。
19.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，与所述栅线相邻的所述公共电极具有不恒定的宽度。
20.根据权利要求19所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极的一侧与相邻的所述栅线基本平行，所述公共电极的另一侧与相邻的所述像素电极基本平行。
21.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述栅线的所述延伸部分呈三角形。
22.根据权利要求12所述的共平面开关模式液晶显示器件，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极以Z形图案形成。
23.一种共平面开关模式液晶显示器件的制造方法，包括在基板上形成多条栅线；形成与所述栅线基本平行的公共线，其中形成从所述公共线垂直延伸出至少一公共电极；形成与所述栅线交叉以限定像素区域的多条数据线，每一所述数据线在其两侧具有至少一延伸部分；在所述栅线与所述数据线的交叉部分形成薄膜晶体管；以及形成与所述薄膜晶体管的漏极相连接并与所述至少一公共电极基本平行的至少一像素电极。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，在与所述栅线相同的层上形成所述公共线和至少一公共电极，或者在与所述像素电极相同的层上形成所述公共线和至少一公共电极。
25.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述数据线由直线部分、沿所述直线部分的第一侧形成的多个第一延伸部分以及沿所述直线部分的第二侧形成的多个第二延伸部分构成。
26.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，所述第一和第二延伸部分关于所述直线部分对称。
27.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最高点对应于所述第二延伸部分中一个的最低点，而且相对于所述直线部分，所述第一延伸部分中一个的最低点对应于所述第二延伸部分中一个的最高点。
28.根据权利要求25所述的方法，其特征在于，所述数据线以Z形图案形成。
29.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，与所述数据线相邻的所述公共电极具有不均匀的宽度。
30.根据权利要求29所述的方法，其特征在于，所述公共电极的一侧与相邻的所述数据线基本平行，所述公共电极的另一侧与相邻的所述像素电极基本平行。
31.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极与所述数据线基本平行形成。
32.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述公共电极和所述像素电极以Z形图案形成。
全文摘要
本发明公开了一种共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法，用以提高孔径比而不增加数据线的阻抗。这种器件包括基板；在所述基板上形成的多条栅线；与所述栅线交叉以限定像素区域的多条数据线，每一所述数据线在其两侧具有至少一延伸部分；与所述栅线基本平行形成的公共线；从所述公共线垂直延伸出的公共电极；在所述栅线与所述数据线交叉部分处形成的薄膜晶体管；以及与所述薄膜晶体管的漏极相连接并与所述公共电极基本平行形成的像素电极。
文档编号G02F1/1343GK1624547SQ200410096719
公开日2005年6月8日 申请日期2004年12月2日 优先权日2003年12月2日
发明者孙眩镐 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社