用于集成的影响器元件的装置、方法和计算机程序产品的制作方法

专利名称：用于集成的影响器元件的装置、方法和计算机程序产品的制作方法
交叉引用本申请要求2004年2月12日申请的美国临时申请60/544591以及以下美国专利申请10/812,294，10/811,782和10/812,295(每个都在2004年3月29日申请)；以及美国专利申请11/011,761，11/011,751，11/011,496，11/011,762和11/011,770(每个都在2004年12月14日申请)；以及美国专利申请10/906,220，10/906,221，10/906,222，10/906,223，10/906,224，10/906,226和10/906,226(每个都在2005年2月9日申请)；以及美国专利申请10/906,255，10/906,256，10/906,257，10/906,258，10/906,259，10/906,260，10/906,261，10/906,262和10/906,263(每个都在2005年2月11日申请)中每件申请的权益。在此将以上每件申请整体引入作为参考。
背景技术：
本发明整体涉及用于传播辐射的传送器，更具体地，涉及具有传导通道的波导，所述传导通道具有光学活性成分，光学活性成分提高了波导的影响辐射的特性对外界影响的响应性。
法拉第效应是这样一种现象其中当光线通过放置在磁场中并与磁场平行的透明介质进行传播时，线偏振光的偏振面发生旋转。偏振旋转量的效果随着磁场强度、介质固有的维尔德常数以及光路长度而改变。旋转的经验角度由以下给出β＝BVd， (等式1)其中V称为维尔德常数(并且具有弧度分cm-1高斯-1的单位)。B是磁场，d是在场中的传播距离。在量子力学描述中，由于磁场的加入改变了能级而发生法拉第旋转。
已知的是，使用具有高维尔德常数的离散材料(例如含铁的石榴石晶体)来测量磁场(例如作为评估电流强度的一种方法，而由电流所引发的那些磁场)，或者作为在光学隔离器中使用的法拉第旋转器。光学隔离器包括将偏振平面旋转45度的法拉第旋转器，用于施加磁场的磁体，偏振器和检偏器。常规的光学隔离器是其中没有采用波导(例如，光纤)的体型。
在常规光学装置中，已经由包含顺磁性和铁磁性材料的离散晶体，特别是石榴石(例如钇/铁榴石)生产出了磁光调制器。诸如此类的器件需要相当大的磁控制场。磁光效应还用于薄层技术，特别是用于生产非互易器件，例如非互易接点。诸如此类的器件是基于采用法拉第效应或者科顿-穆顿效应进行的方式转换。
在磁光器件中采用顺磁性和铁磁性材料的另一个缺点在于，除了偏振角度之外，这些材料还对例如振幅、相位和/或者频率的辐射的特性产生不利影响。
现有技术已经知道了将离散磁光体型器件(例如晶体)用于共同地定义显示器件的应用。这些现有技术的显示器具有几个缺点，包括每个图像元素(像素)有着相对较高的成本，控制单个像素的高操作成本，控制复杂度的增加，控制复杂度的增加仍然不能够对相对大的显示器件进行很好的缩放。
常规成像系统可以粗略地分为两类(a)平板显示器(FPD)和(b)投影系统(其包括作为发射显示器的阴极射线管(CRT))。一般来讲，两种系统所采用的主要技术是不同的，尽管存在例外。对任何预期技术来说这两类都具有明显的困难，并且现有技术仍然需要圆满地克服这些困难。
与主流的阴极射线管(CRT)技术相比(与CRT显示器相比，“平板”意味着“平”或者“薄”，CRT显示器的标准深度基本等于显示区域的宽度)，现有FPD技术面临的主要困难在于成本。
为了实现包括分辨率、亮度和对比度的给定的一组成像标准，FPD技术大致比CRT技术昂贵三到四倍。然而，CRT技术的庞大体积和重量是主要缺点，特别是在显示区域被按比例放得更大时。对薄显示器的需求已经驱使在FPD的领域开发出了多种技术。
FPD的高成本很大程度上是由于在主流的液晶二极管(LCD)技术中，或者是在不太普及的气体等离子技术中使用了精密的元件材料。LCD中所使用的向列型材料中的不规则性导致相对较高的缺陷率；其中单个单元有缺陷的LCD元件的阵列经常导致整个显示器的废弃，或者对有缺陷的元件进行昂贵的替换。
对于LCD和气体-等离子显示技术，在这种显示器的制造中对液体或者气体进行控制的固有困难是基本技术和成本局限。
高成本的额外来源是对现有技术中在每个光阀/发光元件上的相对高的开关电压的需求。不管是对LCD显示器的向列型材料进行旋转，进而改变通过液体单元而传输的光的偏振，还是对在气体等离子显示器中气体单元的激发，都需要相对高的电压实现在成像元件上的高开关速度。对于LCD，“有源矩阵”是高成本方案，在其中，将单个晶体管元件分配给每个成像位置。
当图像质量标准增加时，对于高清晰度电视(HDTV)或者更高质量的设备，现有FPD技术现在不能以与CRT可比拟的成本实现图像质量。在质量范围的末端上的成本差异是最明显的。并且，不管对电视还是对计算机显示器，尽管在技术具有可行性，实现35mm电影质量的分辨率将必须承担使其脱离消费电子产品领域的成本。
对于投影系统，存在两种基本子类电视(或者计算机)显示器，和剧场电影投影系统。在与传统的35mm电影投影设备进行比较时，相对成本是主要议题。然而，对于HDTV来说，与常规的CRT、LCDFPD或者气体-等离子FPD相比，投影系统是低成本解决方案。
当前投影系统技术面临着其他困难。HDTV投影系统面临着使显示器深度最小，同时在相对短的到显示器表面的投射距离的局限下保持一致的图像质量的双重困难。该平衡典型地导致在相对较低的成本价格下的较差满意度的妥协。
然而，对于投影系统的技术需求的新领域是电影剧场领域。电影屏幕安装是投影系统的新兴应用区域，在该应用中，典型地不会涉及控制台深度与一致的图像质量之间对立的议题。取而代之的是，困难是在具有可比成本情况下，要相当于(至少)传统35mm电影放映机的质量。包括基于直接驱动图像光源放大器(“D-ILA”)，数字光处理技术(“DLP”)，和光栅光阀(“GLV”)的系统的现有技术在最近尽管质量上相当于传统电影放映装置，其与传统电影放映机相比，具有明显的成本差距。
直接驱动图像光源放大器是JVC投影仪公司开发的反射式液晶光阀器件。驱动集成电路(“IC”)将图像直接写到基于CMOS的光阀上。液晶与信号电平成比例地改变反射率。这些垂直排列(垂面排列)晶体实现了上升时间加上下降时间小于16毫秒的非常快速的响应时间。来自氙或者超高性能(“UHP”)金属卤素灯的光经过偏振光束分离器进行传输，经过D-ILA器件反射，并投影到屏幕上。
在DLPTM投影系统的中心是光学半导体，其被称为数字微镜器件，或者1987年由德州仪器公司的Dr.Larry Hornbeck发明的DMD芯片。DMD芯片是精密复杂的光开关。它包括高达一百三十万个铰链放置的显微镜面的矩形阵列；这些微镜中的每一个的尺寸都小于人头发宽度的五分之一，并且对应所投影图像的一个像素。当DMD芯片与数字视频或图形信号、光源和投影透镜协调工作时，它的镜面将全数字图像反射到屏幕或者其他平面上。DMD及其周围的精密复杂的电子器件被称为数字光处理TM技术。
称为GLV(光栅光阀)的过程正在开发中。基于该技术的原型器件实现了3000∶1的对比度比率(目前典型的高端投影显示器仅仅实现了1000∶1)。该器件使用了三个选定具有特定波长的激光器以提供颜色。这三个激光器是红色(642nm)，绿色(532nm)和蓝色(457nm)。该过程采用了MEMS技术(微机电系统)并且包括在一条线上1,080个像素的微带状阵列。每个像素包括六个带状物，其中三个固定，三个上/下移动。当供电时，三个移动带状物形成一种衍射光栅，其“过滤”出光线。
部分成本差距是由于这些技术在较低成本下实现特定关键图像质量参数面临的固有难题。对于微镜DLP来说，对比度是难以实现的，特别是在“黑色”的质量中。尽管GLV不必面临该难点(通过光学光栅波干涉来实现像素无效，或者黑色)，取而代之的是面临采用线阵列扫描源实现有效的类似电影的间歇图像的难点。
基于LCD或者MEMS的现有技术还受到生产具有至少1K×1K元件阵列(微镜，硅基液晶(“LCoS”)等等)的器件的经济性的约束。当包含这些数量的元件并在必要技术标准下工作时，在基于芯片的系统中的缺陷率高。
已知将阶跃型光纤协同法拉第效应用于各种通信用途。光纤的通信应用是公知的，然而，在将法拉第效应应用到光纤时存在固有冲突，这是因为与色散和其他性能规格有关的常规光纤的通信特性没有进行优化以对法拉第效应达到最优化，在一些情况下通信特性甚至由于法拉第效应的优化而降低了。在一些传统光纤应用中，通过在54米的路径长度上使用100奥斯特的磁场，实现了90度偏振旋转。通过将光纤放置在螺线管内部，并通过导引电流流经该螺线管产生所期望的磁场，来得到所期望的场。对于通信应用，考虑到其设计用于具有以千米计算的总路径长度的系统中时，54米的路径长度是可以接受的。
在光纤环境中的法拉第效应的另一种常规用途是用于覆盖通过光纤的低速数据传输加上常规高速数据传输的系统。法拉第效应用于缓慢地调制高速数据以提供带外信令或控制。此外，该用途是与通信用途一起作为主要考虑事项而实现的。
在这些常规应用中，光纤设计用于通信用途，并且对参与法拉第效应的任何光纤特性的修改都不允许降低通信性能，所述通信性能典型地包括用于公里+-长度光纤通道的衰减和色散性能规格。
一旦对于光纤的性能规格，实现了可接受的级别以允许在通信中使用，光纤制造技术就发展起来并进行改善以允许光学上纯净的与均匀的光纤的超常长度的有效的和节省成本的制造。概观光纤的基本制造过程包括粗加工成品玻璃圆柱体的制造、从该粗加工成品中拉制光纤、以及测试所述光纤。典型地，采用改进化学气相沉积法(MCVD)过程制成半成品，该过程通过硅溶液产生氧气泡，硅溶液具有产生最终光纤所期望属性(例如，折射率、膨胀系数、熔点等)所必需的必不可少的化学成分。引导气体蒸气进入在特定的车床中的合成硅石或者石英管(包层)的内部。该机床打开，吹管(torch)沿着该管的外部移动。来自吹管的热量使得气体中的化学成分与氧气发生反应，并形成二氧化硅和二氧化锗，并且这些二氧化物沉积在该管的内部并熔合在一起，形成玻璃。该过程的结果是产生半成品。
在制成半成品，并且对其进行冷却和测试之后，将其放置在光纤拉丝塔内，光纤拉丝塔将粗加工成品放置在接近石墨熔炉的顶部。该熔炉将粗加工成品的尖端融化，形成融化的“滴”，其由于重力的原因而开始下落。当它下落时，它冷却并形成玻璃线。通过一系列处理站使该线形成丝，其上涂覆所期望的涂层并使所述涂层固化，将该线附着在牵引机上，牵引机以计算机监控的速度对该线进行拉丝，从而使该线具有期望的厚度。以大约33到66英尺/秒的速度拉出光纤，并将已经拉出的线缠绕在线轴上。这些线轴包含有多于1.4英里的光纤的情况并不罕见。
对该已经完成的光纤进行测试，包括对性能规格的测试。通信等级光纤的这些性能规格包括抗拉强度(每平方英寸100,000磅或者更大)，折射率分布图(光学缺陷的数字孔径和屏幕)、光纤几何形状(芯直径、包层尺度和涂层直径)、衰减(在距离上，各种波长的光的减弱)、带宽、色散、工作温度/范围、温度与衰减的依存关系和在水下传导光的能力。
在1996年，出现了上述光纤的变形，该变形从此称为光子晶体光纤(PCF)。PCF是在较高折射率的背景材料中采用低折射率材料的微结构排列的光纤/导波结构。背景材料通常是未掺杂硅石，并且典型地通过沿着光纤长度而连续的空气空间设置低折射率区域。PCF分为两类(1)高折射率传导光纤，和(2)低折射率传导光纤。
与以上所述的常规光纤类似，高折射率传导光纤采用改进的全内反射(MTIR)规则，在固体芯中对光线进行传导。全内反射是由在微结构空气填充区域中的较低的有效折射率造成的。
低折射率传导光纤采用光子能带隙(PBG)效应对光线进行传导。在PBG效应使得在微结构包层区域中进行传播变得不可能时，光线被限制在低折射率芯。
尽管术语“常规波导结构”用于包括广大范围的导波结构和方法，可以如这里所述，对这些结构的范围进行修改，以实现本发明的实施例。对于使用不同光纤类型的很多不同应用采用不同的光纤类型辅助特征。正确操作光纤系统依赖于知道使用了何种类型的光纤以及为什么使用该类型的光纤。
常规系统包括单模的、多模的和PCF的波导，还包括很多亚变形(sub-variety)。例如，多模光纤包括阶跃型光纤和渐变型光纤，并且单模光纤包括阶跃型、匹配包层型、下陷包层型和其他异常的结构。多模光纤最好设计用于较短的传输距离，并且适合用于LAN系统中和视频监控中。单模光纤最好设计用于较长的传输距离，其适合于长距离电话通讯和多通道电视广播系统。“空气包层”或者隐失耦合式波导包括光学线(optical wire)和光学纳米线(optical nano-wire)。
阶跃型通常指波导的折射率有着急剧改变的构造-芯具有比包层更大的折射率。渐变型指提供在远离芯的中心(例如，芯具有抛物线型剖面)过程中折射率分布逐渐减小的结构。单模光纤已经开发出设计用于特定的应用(例如，长度和辐射频率，诸如无色散偏移光纤(NDSF)，色散偏移光纤(DSF)和非零色散偏移光纤(NZDSF))的多种不同分布。已经开发的单模光纤的重要变形称为偏振保持(PM)光纤。迄今为止所讨论的所有其他单模光纤都能够随意地承载偏振光。PM光纤仅仅传播输入光的一个偏振。PM光纤包含其他光纤类型所不曾见到的特征。除了芯之外，存在额外的(2)称为应力棒的纵向区域。正如它们的名字所暗示的那样，这些应力棒在光纤的芯中产生应力，从而使得仅仅便于光的一个偏振平面的传输。
如上所述，常规磁光系统，特别是法拉第旋转器和隔离器，已经采用了特殊的磁光材料，所述材料包括掺杂稀土的石榴石晶体和其他特殊材料，通常为钇铁-榴石(YIG)或者铋-取代YIG。采用浮区(FZ)法使得YIG单晶体生长。在该方法中，将Y2O3和Fe2O3混合在一起以符合YIG的理想配比成分，然后将混合物烧结。将所获得的烧结物设置为FZ熔炉中的一个轴上的母棒，而YIG籽晶设置在剩余的轴上。指定配方的所烧结的材料放置在母棒与籽晶之间的中心区域，以便生成促进YIG单晶体的沉积所需的流体。来自卤素灯的光聚焦在该中心区域，同时转动两个轴。该中心在含氧的大气中被加热时，形成熔化区域。在该条件下，以恒定速度移动母棒和籽晶，造成熔化区域沿着母棒移动，从而使得从YIG烧结物中生长单晶体。
由于FZ方法使得晶体从悬在空中的母棒生长，排除了污染并生产出高纯度晶体。FZ方法生产出尺寸为012×120mm的结晶块。
采用包括LPE熔炉的液相外延(LPE)方法使得双重取代(bi-substituted)铁榴石厚膜生长。对晶体物质和PbO-B2O3助熔剂进行加热并使其在铂坩埚中熔化。将诸如(GdCa)2(GaMgZr)5O12的单晶体晶片在对其进行旋转时，浸泡在熔化的表面上，这就使得双重取代铁榴石厚膜在晶片上生长。能够生长成直径尺寸达到3英寸的厚膜。
为了获得45°的法拉第旋转器，将这些膜研磨到特定厚度，涂覆抗反射涂层，然后切割为1-2mm的正方形以适合于隔离器。双重取代铁榴石厚膜比YIG单晶体具有更大的法拉第旋转能力，必须使其按照100μm的量级变薄，因而需要更高精度的处理。
对于铋-取代钇-铁-榴石(Bi-YIG)材料、薄膜和纳米粉末的生产和合成具有了更新的系统。亚特兰大桃树工业大道5313(GA30341)的nGimat公司采用燃烧化学气相沉积(CCVD)法来生成薄膜涂层。在CCVD过程中，将前体融解在溶液中，前体是用于涂覆目标的含金属化学物，溶液典型的是易燃的燃料。采用特定的喷嘴将该溶液雾化，以形成微小的液滴。然后，氧气流将这些液滴带到火焰中，并在其中被点燃。通过简单地将衬底(被涂覆的材料)拖到火焰前，而加上涂层。来自火焰的热量提供了气化液滴以及前体起反应而沉积(凝结)到衬底上所需的能量。
此外，已经采用了外延揭开(epitaxial liftoff)来实现多个III-IV和基本半导体系统的不均匀集成。然而，采用一些过程对很多其他重要材料系统的器件进行集成已经是困难的了。该问题的好的示例是已经在半导体平台上的单晶体过渡金属氧化物的集成，这是芯片上薄膜光学隔离器所需的系统。已经报道过在磁性石榴石中外延揭开的实现。深度离子注入用于在钆镓石榴石(GGG)上生长的单晶体钇铁榴石(YIG)和铋-取代钇铁榴石(Bi-YIG)外延层中生成埋入牺牲层(buriedsacrificial layer)。注入所产生的破坏引起牺牲层和石榴石其他部分之间的巨大的蚀刻选择性。通过在磷酸中进行蚀刻，已经从原始GGG衬底上揭开了10微米厚的膜。已经将毫米尺寸的片转换为硅和砷化镓衬底。
此外，研究人员已经报告了多层结构，它们称为磁光光子晶体，磁光光子晶体在748nm上显示比相同厚度的单层铋铁榴石膜大140％的法拉第旋转。当前法拉第旋转器通常都是单晶体的或者外延膜的。然而，单晶体器件相当大，使得它们在诸如集成光学中的应用很困难。并且即使是膜显示厚度在500μm的量级上，也期望有可替换的材料系统。已经研究了铁榴石，特别是铋和钇铁榴石的堆积式膜的应用。设计用于750nm的光，堆积的特征在于70nm厚的铋铁榴石(BIG)上面的81nm厚的钇铁榴石(YIG)的四个异质外延层，279nm厚的BIG中心层，以及YIG上面的四个BIG层。为了制造该堆积，采用了使用LPX305i 248nm KrF受激准分子激光器进行的脉冲激光沉积。
如上所述，现有技术在大部分磁光系统中采用了特殊的磁光材料，但是还已经知道的是，通过生成必要的磁场强度来使用采用较少传统磁光材料(例如非PCF光纤)的法拉第效应—只要不危害通信规格。在一些情况中，采用制造后方法结合预先做的光纤，来提供特定的特殊涂层以用在特定磁光应用中。对于特定磁光晶体和其他体型实现方式中也是一样，因为预先做的材料的制造后处理有时需要达到期望的结果。这种额外的处理增加了特制光纤的最终成本，并引入了另外的情况，即，在这些情况中，光纤可能不满足规格。由于很多磁应用装置典型地包括很少数量(典型地为1个或者2个)的磁光元件，因此每个单元的相对高的成本是可以容忍的。然而，随着所期望磁光元件数量的增加，最终成本(按照金钱和时间计)增多，并且在使用几百或几千这样的元件的应用装置中，必需大幅度降低单元成本。
所需要的是可替换的波导技术，与现有技术相比，该技术的优势在于提高波导的影响辐射的特性对于外部影响的响应性，同时降低单元成本并增加可制造性、可重现性、一致性和可靠性。

发明内容
公开了一种用于影响器结构的装置和方法。该装置包括布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件，该导电元件响应影响器信号而影响所述波导的振幅控制属性；以及耦合系统，用于将所述影响器信号发送至所述导电元件。一种操作影响器的方法，该方法包括a)发送影响器信号给布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件；以及b)响应所述影响器信号，影响所述波导的振幅控制特性。
本发明另一优选实施例用于影响器制造方法，该方法包括a)在制造波导期间使导电元件与所述波导的一个或多个传播辐射的介电结构相关联，所述波导具有传导区域和一个或多个边界区域，所述导电元件响应影响器信号，通过在所述传导区域中产生磁场来影响所述波导的振幅控制特性；以及b)形成用于将所述影响器信号发送至所述导电元件的耦合系统。
本发明的装置、方法、计算机程序产品以及传播信号提供了采用改进的并且成熟的波导制造过程的优点。在优选实施例中，该波导是一种光传送器，优选地是一种光纤或波导通道，适于在保持辐射的所期望属性的同时通过包含光学活性成分来增强影响器的短长度特性影响特征。在优选实施例中，将要影响的辐射的特性包括辐射的偏振状态，并且影响器利用法拉第效应，使用可控的、可改变的并平行于光传送器的传输轴传播的磁场来控制偏振旋转角度。光传送器构造为能够通过在非常短的光路上使用低磁场强度，对所述偏振进行快速控制。最初控制辐射，以便产生具有特定偏振的波分量；该波分量的偏振受到影响，以便使第二偏振滤波器响应于影响效应来调制所发出的辐射的振幅。在优选实施例中，这种调制包括熄灭(extinguishing)所发出的辐射。所合并的专利申请，优先权申请和相关申请，公开了法拉第结构波导、法拉第结构波导调制器、显示器以及其它的与本发明协同工作的波导结构和方法。
对这里作为本发明的部分所公开的、成熟并且有效的、用于低成本、一致的、高效的磁光系统元件的生产的纤维光学波导制造过程进行的杠杆式调节，提供了可替换波导技术，与现有技术相比，所述技术的优势在于提高波导的影响辐射的特性对于外部影响的响应性，同时降低单位成本并增加制造能力、可重现性、一致性和可靠性。


图1是本发明的一个优选实施例的总体示意性平面图；图2是图1所示优选实施例的具体实现方式的详细示意性平面图；图3是图2所示优选实施例的端视图；图4是显示器组件的优选实施例的示意性方框图；图5是图4所示的前面板的输出端口的一种排列的示图；图6是对于图2所示的结构波导的一部分的本发明优选实施例的示意性表示；图7是代表性波导制造系统的示意性方框图，其用于制造本发明的波导粗加工成品的优选实施例；图8是用于制造本发明的优选实施例的代表性光纤拉制系统的示意图；图9是具有多个通道的调制器的可替换的优选实施例的示意图；图10是示出多频(例如多色)系统的本发明的可替换的优选实施例的示意图；图11是类似于图10所示系统的多频系统的可替换的优选实施例；图12是具有集成颜色生成的调制器的本发明的优选实施例；图13是用于构造和传播多个可控辐射通道以产生象素/子象素的可替换的系统的优选实施例的示意图；图14是图13所示的系统进一步示出存在可选的芯型(center core)的端视示意图；图15是用于根据本发明的各个公开的实施例产生线圈管型波导的一般波导处理系统的示意图；图16是图15所示的系统包含导电涂覆粗加工成品和表面螺旋切割的第一特定实现方式的示意图；
图17是图15所示的系统包含部分涂覆导电涂层的粗加工成品而没有表面螺旋切割的第二特定实现方式的示意图；图18是图15所示的系统包含嵌入/应用到粗加工成品中的导电元件的第三特定实现方式的示意图；图19是图15所示的系统包含外延地包裹在波导通道周围的薄膜的第四特定实现方式的示意图；图20是图15所示的系统包含使用浸蘸笔纳米平板印刷术在波导通道上布置线圈管的第五特定实现方式的示意图；图21是图15所示的系统包含使用包裹过程在波导通道上布置导电元件的第六特定实现方式的示意图。
具体实施例方式
本发明涉及可替换波导技术，与现有技术相比，所述技术的优势在于提高波导的影响辐射的特性对于外部影响的响应性，同时降低单元成本并增加可制造性、可重现性、一致性和可靠性。以下描述是为了使本领域普通技术人员能够制造和使用本发明，并且以下描述按照专利申请的上下文和其要求提供的。对于于此所描述的优选实施例和通用原理以及特征所进行的各种修改，对于本领域技术人员来说将会是显而易见的。因此，本发明并非旨在限制所示实施例，而是要按照与于此所描述的原理和特征一致的最大范围。
在以下描述中，在本发明的环境中，三个术语具有特定的含义(1)光传送器，(2)特性影响器，和(3)熄灭。为了本发明的目的，光传送器特别适合于提高影响器的影响特性的特征，同时保留辐射的所期望属性的波导。在优选实施例中，要受到影响的辐射特性包括其偏振旋转状态，并且影响器利用法拉第效应，使用可控的、可改变的并平行于光传送器的传输轴传播的磁场来控制偏振角度。光传送器构造为能够通过在非常短的光路上使用低磁场强度，对所述偏振进行快速控制。在一些特定实现方式中，光传送器包括对于所传输辐射的波长保留光纤的导波属性的同时呈现高维尔德常数、并且另外提供该辐射特性(一个或多个)的有效构造以及受特性影响器影响的辐射特性(一个或多个)的联合影响(cooperative affectation)的光纤。
特性影响器是用于实现对光传送器所传输的辐射的特性控制的结构。在优选实施例中，特性影响器可操作地耦合到光传送器，在一个实现方式中，所述光传送器是指由具有芯和一个或多个包层的光纤所形成的光传送器，优选地，所述影响器集成到一个或多个包层中或者在一个或多个包层上，而不会明显地对光传送器的导波属性造成不利变动。在使用所传输辐射的偏振特性的优选实施例中，特性影响器的优选实现方式是偏振影响结构，例如线圈、线圈管或者采用一个或多个磁场(所述一个或者多个磁场是可控的)在光传送器中支持/产生法拉第效应表现场(并因而影响所传输的辐射)的其他能够集成的结构。
本发明的结构波导能够用于一些实施例中，作为调制器中的光传送器，所述调制器控制所传播辐射的振幅。由调制器所发射的辐射将具有由光传送器上的特性影响器的交互作用所控制的最大辐射振幅和最小辐射振幅。熄灭简单地指在足够低的电平(对于特定实施例来说适当的)上的最小辐射振幅，其特征是“关闭”或者“黑”或者其他指示辐射不存在的分类。换句话说，在一些应用中，当电平满足实现方式或者实施例的参数时，足够低但是能够检测/能够辨识的辐射振幅可以适当地看作“熄灭”。本发明通过使用在波导制造期间布置在传导区域中的光学活性成分，改善了波导对于影响器的响应。
图1是用于法拉第结构波导调制器100的本发明的优选实施例的总体示意性平面图。调制器100包括光传送器105、可耦合到传送器105的特性影响器110、第一特性元件120和第二特性元件125。
传送器105可以基于很多已知技术的光波导结构实现。例如，传送器105可以是具有传导通道的经过专门调整的光纤(常规的或者PCF)，其中传导通道包括传导区域和一个或多个边界区域(例如芯和芯的一个或多个包层)，或者传送器105可以是体型器件或者具有一个或多个这种传导通道的衬底的导波通道。基于要被影响的辐射特性的类型和影响器110的性质对常规波导结构进行修改。
影响器110是用于表现对通过传送器105和/或在传送器105上传输的辐射的特性影响(直接或者非直接地，例如通过所公开的效应)的结构。很多不同类型的辐射特性可能受到影响，并且在很多情况下，用于影响任何给定特性的特定结构可以随实现方式的不同而改变。在优选实施例中，可以用于依次控制辐射输出振幅的特性是对于影响所期望的特性。例如，辐射偏振角度是可能受到影响的一个特性，并且是能够用于控制所传输的辐射振幅的特性。另一种元件的使用，例如固定偏振器，会基于与偏振器的传输轴相比的辐射偏振角度来控制辐射振幅。在该示例中，对偏振角度的控制改变了所传输的辐射。
然而，应该理解的是，其他类型的特性也可以受到影响，并可以用于控制输出振幅，例如辐射相位或者辐射频率。典型地，其他元件与调制器100一同使用，以基于特性的性质和对特性的影响的类型和等级，控制输出振幅。在一些实施例中，可能期望对除输出振幅之外的辐射的另一种特征进行控制，所述特征可能要求对除了已经确定的那些特性之外的辐射特性进行控制，或者可能要求对特性进行不同的控制，以实现对所期望属性的所期望控制。
法拉第效应仅仅是在传送器105中实现偏振控制的一种方法的一个示例。用于法拉第偏振旋转影响的影响器110的优选实施例使用了最接近或者在传送器105中/上集成的可变和固定磁场的组合。期望生成这些磁场，从而控制磁场定向为平行于通过传送器105传输的辐射的传播方向。对相对于传送器的磁场的方向和振幅的适当控制达到了对辐射偏振角度的影响的所期望等级。
在该特定示例中优选为，将传送器105构造为提高/最大化影响器110对所选定特性的“可影响能力”。对于采用法拉第效应的偏振旋转特性，对传送器105进行掺杂、成形、处理和/或者加工，以增加/最大化维尔德常数。维尔德常数越大，影响器110越容易能够在给定场强和传送器长度上影响偏振旋转角度。在该实现方式的优选实施例中，对维尔德常数的关注是主要任务，传送器105的波导方面的其他特征/属性/特点是次要的。在优选实施例中，影响器110是与传送器105集成的，或者是通过波导制造过程(例如，粗加工成品制造和/或者拉制过程)与传送器105“强相关”的，尽管一些实现方式可能提供其他方式。
元件120和元件125是用于选择/过滤/操作要受到影响器110影响的所期望辐射特性的特性元件。元件120可以是滤波器，其被用做“选通”元件，以传递具有对于适当特性的所期望状态的输入辐射的波分量，或者它可以是“处理”元件，以使得输入辐射的一个或多个波分量符合对于适当特性的所期望状态。将来自元件120的选通/被处理的波分量提供给光传送器105，并且特性影响器110可控地影响如上所述的被传送的波分量。
元件125是与元件120的合作结构，并且作用在受影响的波分量上。元件125是基于波分量的特性状态、传递WAVE_OUT并控制WAVE_OUT的振幅的结构。该控制的性质和细节涉及来自元件120的受影响的特性和特性的状态以及初始状态如何受到影响器110影响的细节。
例如，当要受到影响的特性是波分量的偏振特性/偏振旋转角度时，元件120和元件125可以是偏振滤波器。元件120选择一种特定类型的偏振用于波分量，例如右旋圆偏振。影响器110在辐射通过传送器105时，控制辐射的偏振旋转角度。元件125基于与元件125的传输角度相比的最终偏振旋转角度，对受到影响的波分量进行滤波。换句话说，当受到影响的波分量的偏振旋转角度与元件125的传输轴匹配时，WAVE_OUT具有高振幅。当受影响的波分量的偏振旋转角度与元件125的传输轴“交叉”时，WAVE_OUT具有低振幅。在该上下文中的交叉指与常规偏振滤波器的传输轴相比，旋转角度偏离了大约90度。
此外，可以建立元件120与元件125的相对方向，以便缺省条件造成WAVE_OUT的最大振幅、WAVE_OUT的最小振幅或者这之间的其他值。缺省条件指没有来自影响器110的影响的输出振幅的量。例如，通过将元件125的传输轴设定为相对于元件120的传输轴成90度，对于优选实施例，缺省条件会是最小振幅。
元件120和元件125可以是分立部件，或者一个或两个结构可以集成到传送器105上或者传送器105中。在一些情况下，在优选实施例中，这些元件可以位于在传送器105的“输入端”和“输出端”，而在其他实施例中，这些元件可以分布在传送器105的特定区域中或者遍布传送器105。
在操作中，辐射(显示为WAVE_IN)入射到元件120，并且对适当的特性(例如右旋圆偏振(RCP)旋转分量)进行选通/处理，以将RCP波分量传递到传送器105。传送器105传输RCP波分量，直到它与元件125交互并传递波分量(显示为WAVE_OUT)。入射WAVE_IN典型地具有多个对于偏振特性(例如右旋圆偏振(RCP)和左旋圆偏振(LCP))的正交状态。元件120产生偏振旋转特性的特定状态(例如，传递正交状态之一并阻塞/偏移其他状态，从而仅仅传递一个状态)。影响器110响应控制信号，影响所传递波分量的该特定的偏振旋转，并可以按照控制信号指定的那样对其进行改变。优选实施例中的影响器110能够影响大约90度范围上的偏振旋转特性。然后，当波分量已经受到影响时，元件125与波分量交互，从而允许在波分量偏振旋转与元件125的传输轴相匹配时将WAVE_IN的辐射振幅从最大值进行调制，并且在波分量偏振与该传输轴“交叉”时从最小值进行调制。通过使用元件120，优选实施例的WAVE_OUT的振幅可以从最大电平变化到熄灭电平。
图2是图1所示优选实施例的具体实现方式的详细示意性平面图。尽管本发明并不局限于该特定示例，对该实现方式进行特别描述以简化论述。图1所示的法拉第结构波导调制器100是图2所示的法拉第光调制器200。
调制器200包括芯205、第一包层210、第二包层215、线圈或线圈管220(线圈220具有第一控制节点225和第二控制节点230)，输入元件235和输出元件240。图3是图2所示优选实施例中的元件235与元件240之间截取的剖面图，其中相同的数字具有相同或对应的结构。
芯205可以包含通过标准光纤制造技术，例如通过真空沉积方法上的变形添加的一个或多个以下掺杂物(a)颜色染料掺杂物(使得调制器200对来自源照明系统的光进行有效地颜色滤波)，和(b)光学活性掺杂物，例如YIG/Bi-YIG或者Tb或者TGG或者其他掺杂物，用于增加芯205的维尔德常数，以在存在主动磁场的情况下实现有效的法拉第旋转。在制造过程中对光纤加热或者施加应力，从而在芯205中添加孔或者不规则形状，以进一步提高维尔德常数和/或者实现非线性效应。这里为了简化论述，所述论述主要集中在非PCF波导上。然而，在该论述的上下文内，可以替代PCF变形用于非PCF波长实施例，除非上下文明显与这种替代相反。对于PCF波导来说，采用波长可选择的能带隙耦合或可被填充并掺杂的纵向结构/空间，而不是采用颜色染料掺杂物，执行颜色滤波。因此，只要结合非PCF波导讨论颜色滤波/染料掺杂，适当时候，波长可选择的能带隙耦合和/或对PCF波导的填充和掺杂也可以被替换。
很多硅石光纤制造为掺杂物相对硅石的百分比是高等级的(该等级大约是50％的掺杂物)。在其他类型光纤的硅石结构中的当前掺杂物浓度在数十微米距离上实现了大约90度旋转。常规光纤制造在提高掺杂物浓度方面(例如可以通过市场从JDS Uniphase买到的光纤)和在控制掺杂物分布方面(例如可以通过市场从Corning公司买到的光纤)持续实现改进。芯205实现了光学活性掺杂物的足够高并且受控的浓度，以提供在微米量级距离上具有低功率的必要的快速旋转，并且当实现进一步改进时，这些功率/距离的值会持续降低。
采用铁磁性单分子磁体对第一包层210(在优选实施例中可选)进行掺杂，当第一包层210曝露在强磁场下时被永久磁化。第一包层210的磁化可以在附到芯205上或者预成形之前进行，或者在调制器200被拉制之后(完成芯、包层、涂层和/或元件)进行。在该过程中，粗加工成品或者所拉制的光纤通过与芯205的传输轴有90度偏移的强永久磁场。在优选实施例中，通过布置为光纤牵引装置的元件的电磁体实现该磁化。第一包层210(具有永久磁特性)用于使得光学活性芯205的磁畴饱和，但是并不改变通过光纤200的辐射的旋转角度，这是由于来自层210的磁场方向是在传播方向的直角上。所并入的临时申请描述了通过对晶体结构中的非最佳晶核进行粉碎，来对掺杂铁磁性包层的方向进行优化的方法。
由于发现单分子磁体(SMM)在相对高的温度下可被磁化，所以这些SMM的使用优选地是作为掺杂物。这些SMM的使用允许较高掺杂浓度的生产和掺杂分布的控制。市场上可以买到单分子磁体的示例和方法是来自于科罗拉多州丹佛市的ZettaCore公司。
采用亚铁磁性材料或者铁磁性材料对第二包层215进行掺杂，并且特征在于具有适当的磁滞曲线。在生成必要场时，优选实施例采用“短”曲线，并且该曲线也是“宽的”和“扁的”。当通过由临近的场生成元件(例如线圈220)所生成的磁场使得第二包层215饱和时，第二包层215很快达到对于调制器200所期望的旋转角度来说合适的磁化等级，其中所述场生成元件本身通过来自例如开关阵列驱动电路的控制器(未示出)的信号(例如控制脉冲)进行驱动。此外，第二包层215将磁化保留在该等级上或者充分接近该等级，直到随后的脉冲或者增加(相同方向的电流)、更新(没有电流或者+/-维持电流)、或者降低(反向电流)该磁化级别。被掺杂的第二包层215的该剩余磁通量随着时间保持适当的旋转角度，而没有恒定应用受影响器110影响(例如线圈220)的场。
在适当的过程步骤上，对被掺杂的亚铁/铁磁性材料的适当修改/优化可以进一步受到包层的离子轰击的影响。参考题目为“Method ofDepositing a Ferromagnetic Film on a Waveguide and a Magneto-OpticComponent Comprising a Thin Ferromagnetic Film Deposited by TheMethod”并转让给法国巴黎的阿尔卡特(Alcatel)的美国专利No.6,103,010，其中，采用离子束在某一入射角度上对采用气相方法在波导上沉积的铁磁性薄膜进行轰击，对优选晶体结构中的非规则核进行粉碎。晶体结构的改变是现有技术中的已知方法，并且所述改变可以用于所加工的光纤中或者被掺杂的粗加工成品材料上的被掺杂硅石包层。该’010专利在此清楚地引入作为参考。
与第一包层210类似，已开发的并在相对高温度上可被磁化的合适的单分子磁体(SMM)，将优选地作为优选实施例中的用于第二包层215的掺杂物，以允许较高的掺杂浓度。
优选实施例的线圈220是在光纤200上或者光纤200中集成制造的，以生成初始磁场。该来自线圈220的磁场使得通过芯205传输的辐射的偏振角度旋转，并对第二包层215中的亚铁/铁磁性掺杂物进行磁化。这些磁场的组合使得所期望的旋转角度保持所期望的一段时间(如这里所并入的相关专利申请之一所述、当光纤200的矩阵共同形成显示器的图像帧的时间)。为了描述本发明，将“线圈管”定义为类似线圈的结构，这是因为多个导电段相互平行放置，并且相对光纤轴为直角。当材料性能提高时，—即，当由于较高维尔德常数的掺杂物而使得被掺杂的芯的有效维尔德常数增大时(或者在增大的结构修改时，包括引入非线性效应的那些修改)—对围绕光纤元件的线圈或者“线圈管”的需求就可以降低或者消除，较简单的单频带或者高斯圆柱体结构会是实用的。这些结构(包括圆柱体结构和线圈以及其他类似结构)当用作这里所述的线圈管的功能时，也包含在线圈管的定义中。
当考虑确定法拉第效应的等式的变量场强、施加场的距离和旋转介质的维尔德常数时，一个结果是使用调制器200的结构、部件和/或者器件能够补偿产生较小强度磁场的材料所形成的线圈或者线圈管。通过使调制器更长，或者通过进一步增大/提高有效的维尔德常数，可以实现补偿。例如，在一些实现方式中，线圈220采用的导电材料是比金属线效率差的导电聚合体。在另外的实现方式中，线圈220采用更宽但是更少的绕组，否则就与更加有效的材料一起使用。在其他例子中，例如，当通过合适的过程制造线圈220但是生产线圈220的工作效率较低时，采用其他参数进行必要补偿以实现合适的整体操作。
在设计参数—光纤长度、芯的维尔德常数以及场生成元件的峰值场输出和效率—之间存在折衷。考虑到这些折衷，而生成完整成形的线圈管的四个优选实施例，包括(1)扭绞光纤以实现线圈/线圈管，(2)用印有导电图案的薄膜外延包裹光纤，以实现多个绕组层，(3)通过浸蘸笔纳米平板印刷术(dip-pen nanolithography)在光纤上印制以制造线圈/线圈管，以及(4)将线圈/线圈管缠绕上具有涂层/被掺杂的玻璃光纤，或者可以替换地具有金属涂层或者没有涂层的导电聚合体，或者金属线。在以上所参考的相关的和并入的临时申请中描述了这些实施例的进一步细节。
节点225和节点230接收用于在芯205、包层215和线圈220中致使必要磁场的生成的信号。在简单实施例中，该信号是具有适当大小和持续时间的DC(直流)信号，以生成所期望的磁场并对通过调制器200传播的WAVE_IN辐射的偏振角度进行旋转。当使用调制器200时，控制器(未示出)可以提供该控制信号。
在优选实施例中，输入元件235和输出元件240是偏振滤波器，作为分立部件或者集成到芯205中/上。输入元件235作为偏振器可以采用很多不同的方法实现。可以采用允许单一偏振类型(特定圆形或者线性)的光通过而进入到芯205中的各种偏振机制；优选实施例采用了外延沉积到芯205的“输入”端的薄膜。可替换的优选实施例在波导200上采用了市场上可以买到的纳米量级的微构造技术，以实现偏振滤波(例如对芯205中的硅石或者所并入的临时申请中所描述的包层的修改)。在用于来自一个或者多个光源的光的有效输入的一些实现方式中，优选照明系统可以包括空腔，其允许对“错误的”初始偏振的光进行重复反射；因此最终所有的光都成为有效的或者“正确的”偏振。可选择地，尤其是根据照明源到调制器200的距离，可以采用保持偏振的波导(光纤、半导体)。
优选实施例的输出元件240是“偏振滤波器”元件，其对于缺省为“关闭”的调制器200的输入元件235的方向，有着90度的偏移。(在一些实施例中，通过排列输入元件和输出元件的轴，可以将缺省设置为“打开”。类似地，通过输入元件和输出元件与来自影响器的合适控制的适当的相互关系，可以实现其他缺省情况，例如50％振幅。)元件240优选地为外延沉积到芯205的输出端的薄膜。可以将输入元件235和输出元件240配置为不同于这里所述的采用其他偏振滤波器/控制系统的配置。当要影响的辐射特性包括除辐射偏振角度之外的特性时(例如相位或者频率)，使用其他输入和输出功能以对如上所述的所期望特性进行适当的选通/处理/滤波，以响应影响器对WAVE_OUT的振幅进行调制。
图4是显示器组件400的优选实施例的示意性方框图。组件400包括多个图像元件(像素)的集合，每个图像元件都由例如图2所示的波导调制器200i，j生成。用于控制调制器200i，j的每个影响器的控制信号由控制器405提供。辐射源410提供用于调制器200i，j进行输入/控制的源辐射，并且可以使用前面板将调制器200i，j排列为所期望的图案和/或者可选择地提供一个或多个像素的输出后处理。
辐射源410可以是单色白平衡的或者独立的RGB/CMY调谐源(一个或多个)或者其他合适的辐射频率。一个或多个辐射源410可以远离调制器200i，j的输入端，临近这些输入端，或者集成到调制器200i，j上/中。在一些实现方式中，采用单一源，而其他实现方式可以采用几个或者更多源(并且在一些情况下，每个调制器200i，j有一个源)。
如上所述，调制器200i，j的光传送器的优选实施例包括特定光纤形式的光通道。但是半导体波导、导波孔或其他光导波通道，包括“在深度上”穿过材料而形成的通道或区域，也包含在本发明的范围内。这些波导元件是显示器的基本成像结构，并且整体地并入了振幅调制机制和颜色选择机制。在FPD实现方式的优选实施例中，每个光通道的长度优选地在大约数十微米级别上(尽管该长度可能不同于这里所述的长度)。
优选实施例的一个特征在于，光传送器的长度短(在大约20mm的级别上以及更短)，并且在有效维尔德值增加和/或磁场强度增加时能够继续缩短。显示器的实际深度将会是通道长度的函数，但是由于光传送器是波导，因此从源到输出的路径(路径长度)不需要是线性的。换句话说，在一些实现方式中，实际路径可以弯曲，以提供甚至更浅的有效深度。如上所述，路径长度是维尔德常数和磁场强度的函数，并且优选实施例提供几个毫米甚至更短的非常短的路径长度的同时，在一些实现方式中也可以采用较长的长度。由影响器确定必要长度，以实现对于输入辐射的所期望的影响/控制的等级。在用于偏振的辐射的优选实施例中，该控制能够实现大约90度的旋转。在一些应用中，当熄灭电平较高(例如较亮)时，则可以采用较小的旋转，其缩短了必要路径长度。因此，路径长度还受到对波分量的所期望影响等级的影响。
控制器405包括用于合适的开关系统的构造和组件的多个可选方案。优选实现方式不仅包括点对点控制器，它还包括结构性地合并和保持调制器200i，j的“矩阵”，并对每个像素进行电子寻址。在光纤的情况中，光纤部件的性质中固有的是用于全光纤、纺织结构和光纤元件的适当寻址的电位。可变形网孔或者固体矩阵是利用附带装配方法的可替换结构。
优选实施例的一个特征在于，可以对一个或者多个调制器200i，j的输出端进行处理，以改善其应用。例如，波导结构的输出端，尤其是在作为光纤实现时，可以被加热处理，并被牵引以形成锥形末端，或以其它方式对其进行磨损、扭绞或者定形，以提高在输出端的光散射，从而改善在显示器表面的可视角度。可以采用类似的或者不类似的方法对一些和/或所有的调制器输出端进行处理，以共同地产生实现所期望结果的所期望输出结构。例如，可以通过对一个或者多个输出端/相应面板位置的处理，控制或者影响来自一个或者多个像素的WAVE_OUT的各种焦点、衰减、颜色或者其他属性。
前面板415可以简单地是面向偏振部件的一块光学玻璃或者其他透明光学材料，或者它可以包括额外的功能性和结构性特征。例如，面板415可以包括导向装置或者其他结构，以将调制器200i，j的输出端排列为相对于相邻调制器200i，j的所期望的相对方向。图5是图4所示的前面板415的输出端口500x，y的一种排列的示图。其他排列也是可能的，取决于所期望的显示器(例如，圆形、椭圆形或者其他规则/不规则几何形状)。当应用需要时，主动显示区不必一定是连续像素，因此在适当时环形或者“圆环形”显示器是可能的。在其他实现方式中，输出端口可以在一个或者多个像素上聚焦、散射、滤波或者执行其他类型的输出后处理。
显示器或者投影机表面的光学几何形状可以自己改变，其中波导末端被端接在所期望的三维平面(例如曲线平面)上，所述平面允许依次采用额外的光学元件和透镜(可以包含其中的一些作为面板415的部分)的额外聚焦能力。一些应用可能需要很多凹面区域、平面和/或者凸面区域，每个都具有不同的曲度和方向，并具有本发明提供的适当的输出形状。在一些应用中，特定的几何形状不需要固定，而是可以动态变化的，以根据需要改变形状/方向/维度。本发明的实现方式还可以生产各种类型触摸显示器系统。
在投射系统实现方式中，辐射源410、具有耦合到多个调制器200i，j的控制器405的“开关组件”和前面板415可以受益于以下情况将其容纳在截然不同的模块或者单元中，并且相互之间存在一定距离。对于辐射源410，在一些实施例中，优势是将照明源与开关组件分离，这是由于典型地所需要的用于对巨大剧院屏幕进行照明的高振幅光类型所产生的热量。即使在使用多个照明源，对另外集中在例如单一氙气灯上的热量输出分配时，热量输出仍然足够大，最好将开关和显示元件分离。因此，将照明源容纳在具有吸热和冷却元件的隔热容器中。然后，光纤会将光从分离的或者单一的源传递到开关组件，并且然后将其投射到屏幕上。屏幕可以包括前面板415的一些特征，或者在对适当的表面进行照明之前使用面板415。
开关组件与投射/显示表面的分离可以具有其自身的优点。将照明和开关组件放置在投影系统底座中(对于FPD也是一样)能够减小投影TV箱体的深度。或者，可以将投影表面包含在薄灯形杆顶部的紧凑球形物中，或者从天花板依靠电缆悬挂着，在前面的投影系统采用反射织物屏幕。
除了别的潜在优点和配置之外，对于剧院投影来说，依靠来自地板上单元的波导结构，将开关组件形成的图像上行传输到投影窗口区域上的小型终端光学单元的可能性，要求空间利用策略以在相同的投影空间内容纳传统电影放映机和优选实施例的新投影机。
波导带的整体结构可以实现高分辨率成像，其中每个波导带都在带上具有并排排列或者粘附的几千个波导。然而，在优选实施例中，“体型”光纤部件结构也可以实现必要的小投影表面区域。单模光纤(尤其是没有对外部通信电缆的耐久性性能需求)具有足够小的直径，以使得光纤的截面面积非常小并且适合于作为显示像素或者子像素。
此外，期望集成光学制造技术能够在单片半导体衬底或者芯片(大块单片的或者表面的)的制造中完成本发明的衰减器阵列。
在熔融光纤投影表面，熔融光纤表面可以被研磨，以实现用于将图像聚焦在光学阵列上的曲度；可以替换的是，采用粘合剂连接或以其它方式结合的光纤末端可以具有成形的顶端，并且如果必要，则可以成形矩阵的形式设置在它们的终点上，以实现弯曲的表面。
对于投影电视或者其他非剧场投影应用，将照明与开关模块与投影机表面分离的选项提供了实现更小体型投影电视箱体结构的新颖方法。
图6是对于图2所示的结构波导205的部分600的本发明的优选实施例的示意性表示。部分600是波导205的辐射传播通道，典型地为传导通道(例如光纤波导的芯)，但是其可以包括一个或者多个边界区域(例如，光纤波导的包层)。其他波导结构具有不同的特定机制，用于提高沿着波导的通道区域传输轴传播的辐射的波导。波导包括光子晶体光纤，结构材料的特定的薄膜叠层以及其他材料。波导的特定机制可以随波导而改变，但是本发明可以适用不同的结构。
为了本发明的目的，术语传导区域或者传导通道与边界区域指用于提高沿着通道的传输轴的辐射传播的协作结构。这些结构不同于缓冲器或者涂层或者波导的制造后加工。原理的不同在于，边界区域典型地能够传播通过传导区域传播的波分量，而波导的其他部件则不行。例如，在多模光纤波导中，较高能级模式的主要能量是通过边界区域传播的。不同的一点在于，传导区域/边界区域对于正在传播的辐射基本上是透明的，而其他支持结构通常是基本不透明的。
如上所述，影响器110与波导205协同工作，以在波分量沿着传输轴传输时，影响正在传播的波分量的特性。因此假设部分600具有影响器响应属性，并且在优选实施例中，该属性特别被配置用于提高正在传播的波的特性对于影响器110的响应性。如任何特定实现方式需要的，部分600包括布置在传导区域和/或者一个或多个边界区域的多种成分(例如，稀土掺杂物605、孔610、结构的不规则形状615、微型泡620和/或者其他元件625)。在优选实施例中，部分600的长度可以非常短，在很多情况下小于大约25毫米，并且如上所述，有时比该长度还要短很多。对通过这些成分而提高的影响器响应属性，针对短长度的波导进行优化(例如，与针对千米量级甚至更高量级的长度进行优化的通信光纤对比，包括衰减和波长散射)。针对不同应用而进行优化的部分600的成分，可能严重降低波导通信应用的质量。所述成分的存在目的不是要降低通信应用的质量，但是本优选实施例的焦点在于通过通信属性而提高影响器响应属性，这就可能发生这种质量降低，并且这不是优选实施例的缺点。
本发明考虑到存在很多不同的波特性，这些波特性可能受到不同结构的影响器110的影响；优选实施例的目标是部分600的与法拉第效应相关的特性。如上所述，法拉第效应使得偏振旋转响应平行于传播方向的磁场而发生改变。在优选实施例中，当影响器110生成平行于传输轴的磁场时，在部分600中，旋转量取决于磁场强度、部分600的长度和部分600的维尔德常数。所述成分提高了部分600对于该磁场的响应性，例如通过增加部分600的有效维尔德常数。
在本发明的波导制造与特征中的范例变化的一个重要意义在于，对制造千米长度的光学上纯净的通信级波导所使用的制造方法的修改，使得能够制造便宜的千米长度的潜在光学上不纯净(但是光学活性的)的影响器响应的波导。如上所述，优选实施例的一些实现方式可以采用按照这里所公开的那样进行修改的无数的长度非常短的波导。通过从由这里所述的较长的已制备波导中(例如劈开)所生成的较短波导形成这些集合，来实现成本的节省和其他功效/优点。这些成本的节省和其他功效与优点包括以下优点采用成熟制造技术，并且采用的设备能够克服采用离散的常规制备的磁光晶体作为系统元件的磁光系统的很多缺点。例如，这些缺点包括高生产成本、大量磁光晶体之间缺乏一致性和单个元件的相对较大的尺寸，所述尺寸限制了单个部件的集合的尺寸。
优选实施例包括光纤波导和光纤波导制造方法的变型。最普通的是，光纤是透明(有感兴趣波长)电介质材料(典型地为玻璃或者塑料)的细丝，并且传导光的截面通常是圆形的。对于早期的光纤来说，圆柱形芯被类似几何形状的包层围绕着，并且与其紧密接触。这些光纤通过为芯提供比包层略大的折射率来传导光。其他光纤类型提供不同的传导机制一在本发明的环境中，感兴趣的光纤类型包括如上所述的光子晶体光纤(PCF)。
硅石(二氧化硅(SiO2))是制备最普通的通信等级光纤的基本材料。硅石可以是结晶或者非结晶形，并且天然为非纯净态，例如石英和沙子。维尔德常数是描述特定材料的法拉第效应强度的光学常数。包括硅石在内的大多数材料的维尔德常数是非常小的，并是波长相关的。在含有诸如铽(Tb)之类的顺磁性离子的材料中维尔德常数非常强。在铽掺杂重火石玻璃中或者在铽镓石榴石(TGG)晶体中具有高维尔德常数。通常该材料具有优良的透明特性，并且非常抗激光损伤。尽管法拉第效应不是彩色的(即它不取决于波长)，但是维尔德常数是非常彻底的波长的函数。在632.8nm，TGG的维尔德常数为-134radT-1，而在1064nm，其下降到-40radT-1。该行为意味着，在一个波长上以特定旋转度制造的器件，在较长的波长上会产生较小的旋转。
在一些实现方式中，成分可以包括光学活性掺杂物，例如YIG/Bi-YIG或者Tb或者TGG或者其他性能最佳的掺杂物，其提高波导的维尔德常数，以在存在主动磁场的情况下实现高效的法拉第旋转。在以下所述的光纤制造过程中进行加热或者加压，会通过在部分600中添加额外成分(例如孔或者不规则形状)而进一步提高维尔德常数。在常规波导中所使用的稀土用作传输属性元件的无源增强，并且其不用在光学活性应用中。
由于硅石光纤的制造中，掺杂物相对硅石的百分比是高等级的，高达至少50％的掺杂物，并且由于必要的掺杂物浓度已经在用于在几十个微米或者更小中实现90度旋转的其他类型的硅石结构中示出；以及在提高掺杂物浓度方面给出改进(例如可以通过市场从JDSUniphase买到的光纤)和在控制掺杂物分布方面给出改进(例如可以通过市场从Corning公司买到的光纤)，因此可以实现光学活性掺杂物的足够高和可控的浓度，以采用低功率在微米量级的距离上引起旋转。
图7是代表性波导制造系统700的示意性方框图，其用于制造本发明的波导粗加工成品的优选实施例。系统700代表改进化学气相沉积法(MCVD)过程，以产生称为粗加工成品的玻璃棒。从常规过程得到的粗加工成品是超高纯度的玻璃固体棒，精确复制所期望光纤的光学特性，但是具有放大两个量级甚至更大的线性维度。然而，系统700产生的粗加工成品不强调光学纯度而是对于影响器响应的短长度优化进行优化。典型地采用以下化学气相沉积(CVD)方法之一制造粗加工成品1.改进化学气相沉积(MCVD)，2.等离子改进化学气相沉积(PMCVD)，3.等离子化学气相沉积(PCVD)，4.外部气相沉积(OVD)，5.轴向气相沉积(AVD)。所有这些方法都基于形成氧化物的热化学蒸气反应，氧化物在旋转着的棒外部或者在玻璃管内部沉积为称为烟黑(soot)的若干层玻璃颗粒。在这些方法中发生相同的化学反应。
在氧气、被加热的起泡器705中每种液体和来自源710的气体的存在的情况下，对为Si和掺杂物提供源的各种液体(例如，原材料是SiCl4，GeCl4，POCl3和气态BCl3的溶液)进行加热。在由质量流量计715控制的氧气流中使这些液体汽化，并且采用所述气体，从硅石车床720中的生产玻璃的卤化物的燃烧中，形成硅石和其他氧化物。在气相中发生称为氧化反应的化学反应，如以下所示
。
二氧化锗和五氧化二磷提高了玻璃的折射率，氧化硼—降低玻璃的折射率。这些氧化物已知作为掺杂物。除了所示的这些之外，可以使用包括用于提高粗加工成品的影响器响应属性的合适成分的其他起泡器705。
在过程中改变混合物的组成影响粗加工成品的折射率分布和成分分布。通过混合阀715控制氧气流量，并且将反应物蒸气725吹入硅石管730，硅石管730包括在其中发生氧化的加热管735。氯气740从管735中吹出，但是氧化物混合物以烟黑745的形式沉积在管中。铁和铜杂质的浓度从原始液体中的大约10ppb降低到烟黑745中的小于1ppb。
采用来回移动的H2O2喷灯750对管735进行加热，并对管735进行旋转以使得烟黑745玻璃化为玻璃755。通过调节各种蒸汽725的相对流量，获得具有不同折射率的几个层，例如芯相对于包层，或者用于GI光纤的可变芯折射率分布。在完成层形成之后，对管735加热，将其皱缩成为具有圆形实体截面的棒，称为粗加工成品棒。在该步骤中，必要的是，棒的中心要完全填满材料并且没有空洞。然后将粗加工成品棒放到熔炉中以进行拉制，如将要结合图8所描述的。
MCVD的主要优点在于，反应和沉积发生在密闭空间中，因此不希望的杂质很难进入。光纤的折射率分布容易控制，并且对于SM光纤所必需的精确性也相对容易实现。设备是容易构建和控制的。所述方法的潜在的重要局限性在于管的尺寸从本质上限制了棒的大小。因此，该技术所形成的光纤典型地长度为35km，或者最大到20-40km。另外，在硅石管中的杂质，主要为H2和OH-，容易扩散进入光纤。而且，熔化沉积物以消除粗加工成品棒的空洞中心的过程，有时会造成芯中的折射率的降低，这就典型地导致光纤不适合于通信用途，但是这不是本发明的环境中通常关心的。在成本和费用方面，所述方法的主要缺点在于沉积率相对较慢，这是因为它采用了非直接加热，即对管735进行加热而不是对蒸汽直接加热，以开始氧化反应并使得烟黑玻璃化。沉积率典型地为0.5到2g/分。
上述过程的变型制造掺杂稀土的光纤。为了制造掺杂稀土的光纤，过程开始于掺杂稀土的粗加工成品—典型地采用溶液掺杂过程制造。最初，主要由熔融硅石组成的光学包层沉积到衬底管的内部。芯材料还可以包括锗，然后在降低的温度下对芯材料进行沉积，以形成扩散可渗透层，其称为“玻璃料”。在玻璃料的沉积之后，该部分完成的粗加工成品在一端封闭，从车床移出并且引入所期望稀土掺杂物(例如钕、铒、钇等)的合适的盐的溶液。在固定时间周期内，保留该溶液以渗透玻璃料。在去掉任何多余溶液之后，将粗加工成品返回车床以对其进行干燥和加强。在加强过程中，在玻璃料中的空隙皱缩并且密封稀土。最后，将粗加工成品进行可控的皱缩，在高温下形成固体玻璃棒—使稀土结合在芯中。通常在光纤电缆中引入稀土不是光学活性的，即，对电或磁或其他干扰或场响应，以影响通过被掺杂的介质传播的光的特征。常规系统是目前对于提高稀土掺杂物百分比的当前需求的结果，其是由改善波导的“被动”传输特征(包括通信属性)的目的所驱动的。但是在波导芯/边界中的掺杂物百分比的提高对于影响优选实施例的混合物介质/结构的光学活性是有利的。如上所述，在优选实施例中，掺杂物与硅石之间的百分比比例至少为50％。图8是用于从粗加工成品805中，例如从图7所示系统700中制造的一个粗加工成品中，制造本发明的优选实施例的代表性光纤拉制系统800的示意图。系统800将粗加工成品805转换为头发丝细的细丝，典型地通过拉制来执行。粗加工成品805放置在进料装置810中，进料装置810附着在靠近拉丝塔815的顶部。装置810放低粗加工成品805直到末端进入高纯度石墨熔炉820中。将纯净的气体喷入熔炉，以提供清洁并且导电的大气。在熔炉820中，严格控制的接近19000度的温度软化粗加工成品805末端。一旦到达粗加工成品的末端软化点，重力就起作用并允许熔化的料块“自由下落”直到已经将其拉长为细线。
操作人员通过激光千分尺825和一系列用于制造传送器835的处理站830x(例如用于涂层和缓冲器)使该光纤线形成丝，传送器835通过牵引器840缠绕在线轴上，并且开始拉制过程。采用位于拉丝塔815底部的牵引器840拉出光纤，然后缠绕在卷筒上。在拉制过程中，采用最适宜温度对粗加工成品805进行加热以实现理想的拉制张力。在工业上每秒10-20米的拉制速度并非不常见。
在拉制过程中，所拉制光纤的直径控制在125微米，公差仅1微米。基于激光的直径标尺825监视光纤的直径。标尺825以超过每秒750次的速率对光纤直径进行采样。将直径的实际值与125微米的目标值进行比较。与目标之间轻微的偏差都会转换为拉制速度的改变，并输入牵引器840中进行修正。
处理站830x典型地包括用于为光纤添加两层保护涂层—柔软的内部涂层和坚硬的外部涂层的模具。这两部分保护套提供了机械保护，以便在保护光纤的干净表面不受恶劣环境的影响的同时进行处理。这些涂层采用紫外灯固化，其作为相同的处理站830x或者其他处理站830x的部分。其他站830x在传送器835通过该站时，可以提供用于提高传送器835的影响器响应属性的装置/系统。例如，各种机械应力器、离子轰击或者其他用于引入影响器响应属性的机制增强了在拉制阶段的成分。
在缠在线轴上之后，测试所拉制的光纤以得到合适的光学和几何参数。对于传输光纤，通常首先测试抗张强度，以确保已经实现了光纤的最小抗张强度。在第一次测试之后，执行很多不同的测试，用于传输光纤的测试包括对传输属性的测试，其包括衰减(在距离上信号强度的减小)、带宽(信息运载能力；多模光纤的重要测量)、数字孔径(光纤的光可接受角度的测量)、截止波长(在单模光纤中，在截止波长之上的波长时，仅能够传输单模)、模场直径(在单模光纤中，光纤中光脉冲的辐射宽度；对于互连来说重要)以及色散(由于不同波长的射线采用不同速度通过芯而产生的光脉冲的散射；在单模光纤中，这是限制信息运载能力的因素)。
图9是具有多个通道的调制器900的可替换优选实施例的示意图。调制器900是以普通配置示出的，没有说明通过单独的以及共同的通道传播的辐射的性质。为了简化以下论述，调制器900被示出包括两个通道，然而在其他实施例以及实现方式中，调制器900根据需要或合乎实施例的需求可以包括两个通道以上。
调制器900包括一对传送器905N(每个支持独立的导波通道)，可操作地耦合至传送器905的一对特性影响器910N，耦合至对应的影响器910N的控制器915N，第一特性元件920，以及第二特性元件925。当然，调制器900的其他实现方式可以包括不同的传送器、影响器和/或控制器的组合。例如，调制器900可以包括耦合至所有影响器910的单个控制器915，或者其可以包括耦合至一个或多个传送器905和/或一个或多个控制器915的单个影响器。此外，一些传送器900可以包括单个物理结构，但是支持多个独立的导波通道。
传送器905，类似于传送器105，可以基于很多已知技术的光波导结构实现。例如，传送器905可以是具有传导通道的经过专门调整的光纤(常规的或者PCF)，其中传导通道包括传导区域和一个或多个边界区域(例如芯和芯的一个或多个包层)，或者传送器905可以是体型器件或者具有一个或多个这种传导通道的衬底的导波通道。基于要被影响的辐射特性的类型和影响器910的性质对常规波导结构进行修改。
影响器910是用于表现对通过传送器905和/或在传送器905上传输的辐射的特性影响(直接或者非直接地，例如通过所公开的效应)的结构。很多不同类型的辐射特性可能受到影响，并且在很多情况下，用于影响任何给定特性的特定结构可以随实现方式的不同而改变。在优选实施例中，可以用于依次控制辐射输出振幅的特性是对于影响所期望的特性。例如，辐射偏振角度是可能受到影响的一个特性，并且是能够用于控制所传输辐射的振幅的特性。另一种元件的使用，例如固定偏振器/检偏器，会基于与偏振器/检偏器的传输轴相比的辐射偏振角度来控制辐射振幅。在该示例中，对偏振角度的控制改变了所传输的辐射。
调制器900示意性地示出了在传送器905x之间共享的第一特性元件920和第二特性元件925。在一些实施例中，每个传送器905可以包括独立的第一元件920和第二元件925。图9示出了作为共享元件的第一特性元件920和第二特性元件925，以示意性的说明调制器900的第二属性。也就是说，调制器900将WAVE_IN分成多个适于调制器900的实现方式和构造的波分量(即导波通道、影响器、控制机构的数量和性质，以及所期望的各个通道和调制器的性能特征)，并引导每个波分量到适合的通道/传送器。例如，在一些情况下，WAVE_IN包括单个波长但是多个正交偏振分量(例如左旋偏振分量和右旋偏振分量)的辐射。在其他情况下，WAVE_IN包括多个具有单个偏振方向分量的频率。在另外的情况下，WAVE_IN具有单个偏振方向类型和单个频率，从而元件920分配WAVE_IN到各个具有相同或不同振幅的波分量中。一些可替换的情况将包括这些情况的组合或其他WAVE_IN的划分。在所有这些情况下，第一特性元件预处理WAVE_IN以将其分成适当的独立的波分量(例如正交偏振分量或离散频率分量)并将每个独立的波分量引入到适当的通道。
类似的，第二特性元件925具有对应于第一特性元件920的上述第二属性的第二属性。该第二特性元件925第二属性组合/合并来自各个导波通道(其可能在通过传送器传播期间已受影响和操作)的输出辐射波分量以集成所述波分量(并且在所述优选实施例中还为每个波分量传递适当的振幅)到WAVE_OUT中。
正如在此所描述的，本发明的优选实施例使用光纤作为传送器905x，并且主要通过使用“线性”法拉第效应实现振幅控制。虽然法拉第效应是线性效应，其中传播辐射的偏振旋转角度变化基于对其施加磁场的长度和通过其传播辐射的材料的维尔德常数直接与在传播方向上施加的磁场的大小相关。然而，传送器中使用的材料在建立所期望的磁场强度中可以不必对例如来自影响器的诱发磁场具有线性响应。在这方面，传播辐射的实际输出振幅响应从控制器和/或影响器磁场所施加的信号和/或偏振和/或其他调制器900或WAVE_IN的属性或特征可以是非线性的。为了当前论述的目的，根据一个或多个系统变量的调制器900(或其元件)的特征被称作调制器900(或其元件)的衰减分布。
任何给定的衰减分布都可以适合特定的实施例，例如通过控制调制器900或其元件的组成、方向和/或排序。例如，改变构成传送器的材料可以改变传送器的“可影响能力”或改变影响器“影响”任何特定的传播波分量的程度。这仅仅是合成衰减分布的一个例子。优选实施例的调制器900使得衰减平滑，其中不同的导波通道具有不同的衰减分布。例如，在一些具有取决于偏振旋向性(polarization handedness)的衰减分布的实现方式中，调制器900可以为用于左旋偏振波分量的传送器905提供与用于右旋偏振波分量的第二传送器905的补充导波通道的衰减分布相比不同的衰减分布。
除了上述提供用于传送器的不同材料组成之外存在用于调节衰减分布的附加机构。在一些实施例中波分量的生成/修改响应传播辐射从WAVE_IN到WAVE_OUT的调制器900元件的顺序，可以不是严格“可交换的”。在这些情况下，可以通过提供不同排序的非交换元件来改变衰减分布。这仅仅是配置衰减分布的一个例子。在其他实施例中，为每一个导波通道建立不同的“旋转偏置”产生不同的衰减分布。如上所述，一些传送器在输入偏振器与输出偏振器/检偏器之间配置有预定义的方向。例如，该角度可以是0度(典型地定义“通常接通”通道)，或者其可以是90度(典型地定义“通常断开”通道)。任何给定的通道对各个角位移区域都可以具有不同的响应(即从0到90度，从30到60度，以及从60到90度)。不同的通道可以被偏置(例如具有缺省的“DC”影响器信号)到具有影响有关该偏置旋转的传播波分量的影响器的不同位移区域中。这仅仅是操作衰减分布的一个例子。具有多个导波通道以及为这些通道剪裁/匹配/补充衰减分布的原因包括在WAVE_OUT中的节能、效率以及一致性。
图10是示出多频(例如多色)系统1000的本发明的可替换的优选实施例的示意图。系统100是对图9所示的较通用的调制器900的特定改进。系统1000包括多个传送器1005，每个传送器定义具有导波通道1010和多个包含相关的第一边界区域1015和相关的第二边界区域1020的边界区域的波导。布置在每个传送器1005的输入端中或上的是输入波特性处理器1025，布置在每个传送器1005的输出端中或上的是输出波特性处理器1030。嵌入其中一个边界区域中的是用于实现波特性改进机构的产生的影响器的元件1035，例如用于在通道1010中产生纵向磁场的线圈管结构。每个传送器1010从辐射源1040接收WAVE_IN辐射，并输出调制的波分量(例如MOD_x)。控制器1045是为系统1000示意性示出的，并且其通过一对耦合器1050耦合至每个元件1035，用于独立的控制通过每个传送器1005传播的辐射。在一些实现方式中，控制器1045可以具有用于控制系统1000的每个传送器1005的离散部件。
如图10中所示，系统1000中的每个辐射源1040在不同于其他源1040的波长上产生辐射。优选地，源1040使用颜色模型通过合成来自辐射源的不同振幅的离散颜色分量的各种排列(permutations)来共同产生辐射，该颜色模型代表颜色的较宽范围。存在许多公知的颜色模型，有加法的和减法的，都可以适合系统1000的各种实现方式，例如RGB，CMYK，HSV或其他从CIE色度图中导出的基色集合。为了简化以下对系统1000的操作的论述，图10示出了使用RGB颜色模型产生由三种颜色分量(红-绿-蓝或RGB)构成的单个图像元素(象素)，每个颜色分量由控制器1045独立进行控制。此外，虽然以上论述中提出了可用于可控地和可重现地改变传播辐射的振幅的影响系统的不同机构，以下论述对于使用法拉第效应的操作进行叙述，该法拉第效应用于可控地旋转传播辐射的偏振角度，并应用修改的辐射到在传输轴角度与传播辐射的未旋转角度之间具有已知关系的偏振器检偏器中。
在操作时，系统1000从提供红色WAVE_IN，绿色WAVE_IN和蓝色WAVE_IN的每个源1040产生独立的颜色分量给不同的传送器1005中的一个(分别由1005R，1005G和1005B标识)。每个输入波特性处理器1025产生具有受影响器系统影响的所期望特性的波分量。在当前示例中，处理器1025在特定的角方向上产生特定的偏振(例如在“0”度上的左旋偏振辐射)。每个单色的特定偏振和定向的波分量通过其传送器1005传播，其中控制器1045依靠由影响器元件1035产生的磁场维持对每个波分量大小的独立控制。如以上所解释的，磁场的大小影响通过通道1010传播辐射的偏振旋转变化。然后将最终的辐射偏振角度施加到输出处理器1030中(例如具有相对于输入处理器传输轴90度偏移量定向的传输轴的偏振器检偏器)，从而每个基色响应控制器1045在从全强度到“关闭”的任何位置被调制。输出波分量(MOD_R，MOD_G，MOD_B)大小的组合为系统1000产生输出色，在此情况下其为单个象素。将多个象素排列成为矩阵以产生多色显示。
系统1000，与调制器900类似，可以在宏象素级别(通道组合)或对每个子象素通道使用衰减平滑。根据显示系统的相对几何结构和各个通道的尺寸，在一些情况下，单个象素由多个系统1000构成，特别是随着显示的维数的增加。
图11是与图10所示的系统1000类似的多频系统1100的可替换的优选实施例。不同于为由系统1100实现的适当的颜色模型产生所期望的离散频率的单独的辐射源1040，统一的辐射源1105(例如白光)给每个传送器1005提供统一的WAVE_IN。系统1100通过合并到处理器1025中的颜色滤波器或通过颜色管理波导通道1110提供颜色控制。(例如通过图10所示的染料掺杂导波通道1010)。除了系统1100的部件的单独的和共同的衰减分布可以不同于系统1000之外，系统1100的操作与以上描述的系统1000非常类似。
应当理解的是，与通过多个荧光点扫描电子束的阴极射线管(CRT)显示系统相比，其中最终的输出取决于荧光体利用什么样的射束强度来激励，本发明提供另外一种控制和调节输出特征的方法。也就是说，本发明不仅可以改变辐射源的大小，也可以改变每个辐射源的输出频率(例如其颜色)。在一些实现方式中，不同的颜色模型或不同的基色集合可用于单个象素。即，单个象素可由六个子象素构成，三个子象素使用一个模型(例如RGB)，并且三个子象素使用另一个模型(HSV)。由于任意三个基色都不可能产生每种单一已知的颜色，不同的基色集合可以都被组合，例如根据CIE色度系统产生的基色集合，以产生较好的丰富的输出色集合。当传送器作为光纤被实现时，维度，特别是对于大显示器来说，使得可以共同使用许多光纤来定义单个象素。
图12是具有集成颜色生成的调制器1200的本发明的优选实施例。可以代替例如图10和图11中所示的传送器/辐射源组合而使用调制器1200。除图10和图11所示的元件之外，调制器1200包括具有集成辐射产生通道1210的颜色集成传送器1205。通道1210用作WAVE_IN的辐射源以为调制器1200产生所期望的频率(例如颜色)。当通道1210没有为调制器1200产生适当的频率时，处理器1025和/或导波通道1010可以为传播波分量产生适当的频率。该优选实施例的调制器1200既提供了辐射生成又提供了辐射调制。
存在很多其中可以修改导波结构以产生所期望的频率或频率范围的方式。例如，在通道1210和这些空间内部产生的微型泡和空间是当例如通过电流或射频传输或光学/辐射泵浦激励或激发时发射辐射的特定气体。准备这些气体以直接发射所期望的辐射频率，或选择频率以便可以方便的由处理器1025和/或通道1010转换成所期望的频率或多个频率，或者在一些情况下通过另外的集成转换元件(未示出)进行转换。
空间/微型泡或其他气体容纳结构可以在制造期间通过适当地掺杂，之后适当的热处理或将所期望的气体注入到调制器1200的特定部分来形成。在一些情况下，有源发光器件(LED或半导体激光器)可以在调制器1200的各个部分装配。也可以采用其他产生辐射的方法。由于传播通道是波导，因此调制器1200的整个物理实现方式可以与图12所示的稍有变化。例如，调制器1200可以包括足够长度的通道1210以从特定密度的气体和激励强度中产生足够的辐射强度。当有必要或期望时，物理路径可以在激励区域中“折叠”，以在较小的物理扩张范围内实现所期望的激励。同时，辐射发射区域可以远离辐射控制区域，而不会明显损失信号强度。图12不必要精确地描绘通道1210相对通道1010的维度，并且一个通道可以比另一个通道更长。调制器1200的导波方面，特别是具有光纤传送器的，允许在排列和布置各个段时有较大的灵活性。
气体的激励/激发或其他辐射源的激活取决于辐射源的性质。电极可以嵌入在通道1210或与通道1210接近的适合的射频/辐射发生器中。施加到电极中的信号的性质，或施加到通道1210中的频率或通过通道1210传播的频率的性质决定从通道1210产生的辐射的大小和频率。调制器1200的衰减分布作为特征并适合所期望的性能，并且可以包括辐射生成方面(例如频率、强度和“固有的”偏振特征)。
图13是用于构造和传播可控辐射的多个通道以产生象素/子象素的可替换的系统1300的优选实施例的示意图。系统1300包括中心支架1305和越过支架1305的长度的多个螺旋槽1310。系统1300可以使用两个或多个槽1310实现调制器900的实施例，或者使用三个或更多的槽实现系统1000和系统1100的实施例。为了简化讨论，系统1300被示为实现三元件模型，例如其中每个槽支持可用颜色模型(例如RGB)中的一个基色的系统1000。系统1300允许单个物理结构支持多个子结构例如像素的所有子象素。图14是图13中所示系统1300的端视示意图，进一步说明了存在可选的芯型(center core)1400。
美国专利3,976,356示出了在光纤外部切割三个螺旋结构，以如这里所述传播辐射。根据本发明改造该发明包括以下修改。在参考文献中公开了可以在光纤粗加工成品上切割多个螺旋轨道并从“轨道粗加工成品”为该多个螺旋轨道填充光学分化(differentiated)的“轨道材料”，然后典型地扭绞并拉丝。实现时特别列举了三个轨道，这在创建该现有技术的20世纪70年代是很实用的。
由于在专利3,976,356中最初建立的光纤结构的形式及其制造方法，在光纤制造方面的技术发展水平已得到极大改进，现在可获得的方法可以用于进一步改进根据本发明构造和制造的光纤的性能。
实践中，优选的利用多个螺旋表面导波轨道制造光纤导致平均比单芯标准单模光纤大的光纤直径。在参考的二十世纪70年代技术发展水平的专利中列举的维度是500微米直径，下限为100微米。然而，当考虑从实现三个独立的、染料掺杂或涂覆的子象素光纤中产生的组合的截面区域，包括包层的维度和其中合并的法拉第衰减器功能性时，在一些情况下，多轨道螺旋表面“单片电路(monolithic)”的净维度将明显小于三个独立的RGB子象素光纤的组合维度。此外，通过将三种颜色合并到一个光纤中可以实现增长的制造成本效率。
在所做的调整中，实现三轨道螺旋表面光纤中所期望的功能性的是(i)颜色子象素实现方式每个独立的RGB轨道材料按照这里所公开的图案进行染料掺杂；(ii)可选的永久磁化部件除了螺旋表面轨道之外可以提供芯1400；(iii)YIG，Tb，TGG，Bi-YIC或最佳实现的光学活性掺杂物与使用染料相同，光学活性掺杂物被添加到轨道粗加工成品材料中；(iv)亚铁/铁磁掺杂物掺杂物添加到光纤及其三个螺旋表面波导轨道周围的薄包层或涂层中；(v)线圈管由于三个平面螺旋波导本身是围绕光纤轴的螺旋形状，通过扭绞方法的线圈管实现方式对光纤来说不像整体那样实用；(vi)扭绞通道粗加工成品然而，可以对轨道粗加工成品材料本身应用扭绞方法。在此情况下，将两个涂层应用到粗加工成品中，第一(内部)亚铁/铁磁涂层和第二(外部)导电涂层，其产生由内部涂层中的剩余磁通维持的脉冲磁场。芯1400可选的可以如前面所公开的用于标准光纤的那样被掺杂。芯的添加还提供了用于实现其他功能性和集成部件的处所(locus)，包括用于激励轨道材料和实现非线性法拉第相关效应的光纤激光器功能性。
对螺旋表面多通道光纤结构的替换是在相同的光纤结构中留出R，G，B通道的芯和包层光纤的变形。在此变形中，存在一个芯和两个光学活性包层结构，每个具有其自己附带的法拉第衰减器结构，每个都被染料掺杂；例如，所述芯被染料掺杂红色，完全不同折射率的包层被染料掺杂绿色，并且第二包层被燃料掺杂蓝色。这种复合光纤结构顺次包括三个法拉第衰减器结构，利用如这里所公开的线圈管或场生成结构制造，但是也可以在连续的光纤层中制造，具有布置在潜在干扰包层/涂层之间的不导磁缓冲器。
对于图12或其他集成辐射源，在光纤长度上，其中允许形成包含氩或其他惰性气体的微型泡的密度，添加荧光材料作为掺杂物。这可以是除染料掺杂之外或替代染料掺杂的其他优选方式。为每个RGB颜色子象素元件选择荧光材料和气体，以便在微型泡中激发的惰性气体以适当频率发出UV频率以激发固态芯中的荧光材料，以在适当的频率发射或者R，G或者B光。整个光纤的染料掺杂有助于确保颜色适当均衡。
图15是根据本发明各种公开的实施例用于产生线圈管型波导的普通波导处理系统1500的示意图。系统1500处理从中产生最终的导波结构的一个或多个元件，包括例如粗加工成品1505，处理后的粗加工成品1510以及产生的包含所期望的线圈管结构的波导1515。系统1500包括一个或多个处理阶段(例如阶段1520，阶段1525和阶段1530)以分别实现粗加工成品1505，粗加工成品1510和波导1515的必要处理。在一些线圈管制造系统1500中，根据要安装的线圈管的类型，可以省略一个或多个阶段。
处理阶段1520到阶段1530以不同的方式实现对波导1515生产的构造和应用处理。这些处理包括(1)光纤扭绞；(2)导电材料应用；以及(iii)PCF特定的实现方式中的一个或多个处理。
光纤扭绞具有许多不同的变形和可能的实现方式。在这些变形和实现方式中，适合响应控制信号而对传播辐射产生必要的影响的导电元件(例如金属结构或导电聚合物)应用于一个或多个阶段中。导电元件可以在扭绞之前或之后应用，导电元件可以应用在导波或边界结构之一的表面或其内部。在一些情况下，光纤被扭绞并被涂覆保护套以禁止解开，在其他情况下，光纤被涂覆保护套然后被扭绞。在另外的情况下，在导波结构将设置和抵抗没有保护套的解开时执行扭绞。例如，在从粗加工成品拉制光纤产生导波结构的情况下，当在光纤处于其玻璃体温度(vitreous temperature)之上的点执行扭绞时，不需要保护套。在一些情况下，导波结构或粗加工成品可以被切割或刻划以促进扭绞。扭绞的目的是产生包括每单位长度高扭绞计数的线圈管，足够必要的影响并维持扭绞而无需保护套。这与常规的通过在波导中经过扭绞引起应力来实现改进的光学特征的光纤扭绞系统形成对比。一个优选实施例的实现方式是由具有不同黏性的材料产生各种波导结构层，以提高围绕相对没受到干扰的芯的有效扭绞。这作为一个目的是期望减少应力以减少破损或断裂的风险。
导电元件可以在不同的时间应用在不同的图案中以实现各种不同的线圈管图案。导电元件可以以延伸粗加工成品或波导结构的长度的线性方式被应用。或者，导电元件可以以具有特定的间距、步进(steep)、浅处(shallow)、其他或变化的螺旋方式被应用。此外，粗加工成品或导波结构，或两者都可以被扭绞，并且在所得到的配置中波导结构对于围绕所述芯的导电元件将具有不同的扭绞图案。扭绞的优选实施例是扭绞操作优选地使所述层支持导电元件，无论其是表面层还是边界区域之一，或围绕所述芯或传导通道扭绞和旋转而不是使所述芯扭绞的其他区域。
导电元件可以应用作为离散结构或者其可以应用作为导电涂层，然后所选择的涂层区域例如通过刻蚀、车床加工、掩膜或其他过程来去除以留下特定的线性的、螺旋的或其他图案在粗加工成品或导波结构上或其内部。在其他方面，该结构也可以如上所述被扭绞。以下是对普通类型的扭绞实现方式的优选实施例的特定示例。
另外，如在制造光子晶体光纤中已知的制造过程中，固态或毛细玻璃可以组合在内部包层及芯或仅是芯的周围。这些多个薄棒(thinrods)或毛细玻璃(在对制造本发明优选实施例的当前特征的当前方法的PCF变形的情况下，进一步参见这里以及所引入的申请中的公开内容)如相对于导电带版本所描述的被事先金属化，从而在当温度合适时扭绞粗加工成品或在拉丝时，围绕光纤的多个薄棒被扭绞在一起作为围绕芯的线圈管。
图16是图15所示包含被导电涂覆的粗加工成品和表面螺旋切割的系统的第一特定实现方式的示意图。该第一实例包括给粗加工成品1605涂覆导电材料，并在拉制期间为表面螺旋切割提供对所述粗加工成品或热波导结构执行的扭绞。粗加工成品1605通过标准的真空沉积或其他光纤制造技术中公知的方法被涂覆金属粉末或其他导电涂层(金属烟黑等)。然后在粗加工成品1605的部分1615上制造螺旋切割1610，优选地通过旋转该粗加工成品并旋进车床加工工具或相对于固定车床加工工具旋进所述粗加工成品(在Y轴旋进进展)。然后拉制所述粗加工成品以产生导波结构1620，并在所述材料在其玻璃温度以上时使用第一轭铁1625和第二轭铁1630扭绞所述粗加工成品，从而在冷却之后持续扭绞，而无需限制性保护套材料。在优选实施例中，所述轭铁是反扭绞结构以提高每单位长度的扭绞数量。其结果是布置在波导1630表面上的导电材料的线圈管，与外部包层相同。螺旋的或螺线的脊通过利用扭绞增加厚度的导电层，利用通过相对粗加工成品中的螺旋切割扭绞消减而分离的扭绞过程形成。
图17是图15中所述系统包含部分导电涂覆的粗加工成品而没有表面螺旋切割的第二特定实现方式的示意图。该第二示例对所述涂覆的粗加工成品是可替换的，其如图16所示是沿螺旋轨道切割的，该第二实施例包括部分涂覆的粗加工成品1700，其在Y轴方向上被扭绞(由箭头1705表示)和旋进，而没有进行螺旋切割。一种工具去除了一些涂层以留下缠绕在波导结构周围的螺旋导电带。然后拉制粗加工成品1700以产生波导结构1710，并在该材料在其玻璃温度之上时使用第一轭铁1715和第二轭铁1720扭绞所述粗加工成品，从而在冷却之后持续扭绞，而无需限制性保护套材料。在所述优选实施例中，轭铁是反扭绞结构以提高每单位长度扭绞的数量。其结果是布置在波导1710表面上的导电材料线圈管，与外部包层相同。波导1710的扭绞和螺旋带的纵向压缩形成了所期望的导电线圈管结构。
对该可替换方式的变形是对粗加工成品精确地涂覆金属粉末，其通过“涂抹”粉末螺旋带来实现，然后对所述粗加工成品退去加热粗加工成品的温度；可选择的是，已均匀涂覆整个表面的粗加工成品可以具有当其开始退火时在粉末中的细线“切割”，通过去除材料来形成螺旋。通过在其轴周围旋转并且同时相对于精确的粉末注射器喷嘴平移该粗加工成品来实现自螺旋。在与从中拉制光纤一样的情况下，保留围绕粗加工成品的薄退火的粉末螺旋(thin annealed-powderspiral)。每光纤长度“转动”的数量平均来看将不会与当所述粗加工成品本身被扭绞时一样大。其他可替换的方式包括与波导的轴平行涂覆导电材料带(通过加热硅石退火的金属粉末，或在粗加工成品上烧结的烟黑)。
图18是图15所示系统包含嵌入/应用到粗加工成品1805中/其上的导电元件1800的第三特定实现方式的示意图。该第三实施例提供了当所述粗加工成品沿着Y轴(如在图8中描述的其在拉丝塔中往下)旋转和旋进以产生纵向延伸的预成形线圈管结构1810时，将要嵌入或布置在粗加工成品1805中的导电元件(例如导线、导电聚合物等)1800。导电元件1800被注入或落在或与粗加工成品1805结合布置。旋转包含导电元件1810的粗加工成品1805(以及沿着Y轴的任何必要的旋进)在拉制之前在粗加工成品1805内部产生初始的螺旋结构。然后拉制粗加工成品1805以产生波导结构1815，并在所述材料在其玻璃温度之上时使用第一轭铁1820和第二轭铁1825扭绞所述粗加工成品，从而在冷却之后持续扭绞，而无需限制性保护套材料。在所述优选实施例中，轭铁是反扭绞结构以提高每单位长度扭绞的数量。其结果是布置在波导1815中或波导1815表面上的导电材料线圈管。波导1815的扭绞以及螺旋导电元件的纵向压缩形成所期望的导电线圈管结构。
另外，如在制造光子晶体光纤中已知的制造过程中，固态或毛细玻璃可以组合在内部包层及芯或仅是芯的周围。这些多个薄棒或毛细玻璃(在对制造本发明优选实施例的当前特征的当前方法的PCF变形的情况下，进一步参见所引入的临时专利申请中的公开内容)如相对于结合图17描述的可替换的方式的导电带所描述的那样被事先金属化，从而在当温度合适时扭绞粗加工成品或在拉制时，围绕波导的多个薄棒/毛细管被扭绞在一起作为围绕芯的线圈管。
图19是图15所述的系统包含外延地缠绕在波导通道周围的薄膜1900的第四特定实现方式的示意图。在该实现围绕波导或粗加工成品的线圈管的优选方法中(对于图19的其他讨论，波导将既指波导又指粗加工成品，除非上下文中清楚地指示其他情况)，线圈生产的导电图案形成在薄膜上(所述导电元件不按规定比例，并在应用后适于产生所期望的线圈管结构)。薄膜1900被缠绕并粘合作为印刷条或带，外延地围绕在波导周围，并且在所述优选实施例中，导“线”接触该波导。连续的纵向缠绕之间的间隙被放大以描绘薄膜缠绕。
聚合体薄膜可以通过纳米颗粒(例如可以通过市场从Blacksburg，VA的Nanosonic公司买到的)的静电自组装(ESA)或者通过现有技术中已知的标准的聚合体制造方法来形成，然后或者按如下所述来印制，接着通过从成形床外延揭开或通过其他常规标准方法来去除，或者形成并结合在主轴上，然后在张力下重新配置，元件如下所述印制或沉积或制造。
首先利用在相对于薄膜边缘，并最终相对于随后薄膜缠绕的光纤轴以直角布置的一系列导电连接的平行线印记或静电地形成所述薄膜(类似Nanosonic的产品)。为了实现缠绕，导电聚合体或者nanoink印制材料优选用于沉积结构。在通过任何建立的半导体布图方法，或通过诸如浸蘸笔纳米平板印刷术之类的较新方法对薄膜印记或沉积导电图案之后，将居间的第二层外延地添加或沉积在薄膜的印刷面上，这种第二层，正像薄膜本身那样，具有适合的电绝缘值，同时具有适合的磁导率。两层薄膜或薄膜与涂层形成双层结构。
这种薄膜可以以大批量制造，并在印制之后缠绕到卷轴上。然后，当它们要被缠绕到波导上时，该波导递增的退绕，同时薄膜条在与波导/粗加工成品邻近的电枢中的线轴上。通过公知方法应用外延绕组的粘合剂，气溶胶或液体或活性干燥材料，以及薄膜的前边缘，利用后退的接触，通过电枢的运动粘结到波导中。
为了从薄膜外部向内部提供选择的导电点，可以有选择地为薄膜打上微穿孔，在印制或沉积导电图案之前通过掩蔽刻蚀、激光器、气压穿孔，或其他现有技术中已知的方法实现。因此，当沉积导电材料时，在那些具有适当尺寸的穿孔的区域中，导电材料可以有选择地通过所述穿孔被进入或接触。穿孔可以是圆形的或拥有其他几何形状，包括线、方形以及更多复杂的形状和形状大小的组合。
可选的，在薄膜条的前边缘，薄膜条对于较小的距离稍微宽一些，从而在缠绕光纤之后，额外的宽度用作接头(tab)并且可以“折叠”以提供对由缠绕薄膜形成的缠绕结构的最内层的良好接触。然后，或者旋转波导，有效地从线轴上拉去薄膜条，或者优选地，线轴本身安装在凸轮驱动主轴上，该主轴绕波导旋转，有效地将薄膜条缠绕在波导周围。
通过该实现方式，电子缠绕图案的多个薄膜层可以缠绕在波导周围，而不会极大地增加所得到的集成器件的直径。其结果是具有非常薄且紧凑间隔的导电带的结构，对于给定的波导部件的长度“L”，不止缠绕一次，而是反复的缠绕所述光纤x次，类似地缠绕相同的x个金属线圈在“L”波导周围。对于线圈管良好的电接触点可以通过选择的穿孔区找到，以便缠绕部分的“最底层”具有通过穿孔到达外部层的“清楚的”(不与多个包裹层覆盖缠绕)导管。然后，当导电液相聚合体溶液通过穿孔区域应用到底部时，该导电溶液渗入并接触最内层。在紫外线(UV)固化时，该接触结构被凝固。
可选的，在一个边缘折叠的薄膜“接头”，为其中开始缠绕的薄膜带的最内部分提供接触点，然后在缠绕薄膜的终止边缘，最终的导电带印制在薄膜上，在光纤元件的输出端。对于通过任何可替换的方法形成的电路，电流在接头处或通过穿孔深度接触进入薄膜线圈管，被分配给底层的平行导线，并且接近缠绕在光纤周围的薄膜带的整个长度上一起印制。电流围绕波导流通与薄膜带被缠绕一样多的次数，最终在薄膜带的最外边缘的接触点，如所示接近光纤部件的“顶端”或输出端，离开薄膜线圈管结构。
该实施例的变形包括在围绕波导通道的螺旋中缠绕薄膜带本身，其通过在来自线轴的张力下旋进凸轮驱动绕组主轴或旋进保持光纤的电枢来实现。虽然在适当的位置缠绕的多个层中没有呈现较大的磁场强度，所述条的多个层的厚度被减少。应当很明显的是，也可以通过薄膜层形成其他电子器件，给出该新颖的方法，可以附加实用性到本发明的实施例中，甚至本发明领域之外的更宽的应用。
图20是图15所示的系统包含使用浸蘸笔纳米平板印刷术在波导通道上布置线圈管2000的第五特定实现方式的示意图。正如可以通过市场从美国NanoInk公司买到的，该优选方法是建立的浸蘸笔纳米平板印刷术过程的新颖的应用。根据本发明的当前实施例，对光纤大批应用纳米管(nanotube)纳米平板印刷器件以立体纳米平板印刷地印刷绕组结构。纳米平板印刷器件安装在稳定的平台上，同时光纤(以及如果需要，线轴)安装在主轴装置上，该主轴旋转并旋进通过浸蘸笔纳米平板印刷器件的光纤。如可以通过市场买到的加工系统控制的精确旋进和旋转，确保了准确形成类似导线的绕组结构。可以通过市场从NanoInk买到的设备使得可以有更优良的结构。应当很明显的是，该可以从市场上买到的浸蘸笔纳米平板印刷术的新颖的应用对于本发明的实施例具有另外的实用性。周期性间隙(gap)2005允许将连续的波导劈成波导段，每个设置有完全功能的线圈管结构。间隙2005不一定按比例，并且如上所公开的，在所引入的专利申请中，附加的内波导结构可以集成到所述空间中以形成大量一致的和完全独立的波导部件。此外，线圈管2000典型地有由任何特定的实现方式确定的特定的线圈计数、密度、材料及其他组成参数。如在其他地方所论述的，在一些实现方式中，离散线圈管结构可以不必为高斯圆柱体(例如完全导电涂覆/金属化的波导部分)，也可以用作线圈管。
图21是图15所示的系统包含使用缠绕过程在波导通道上布置导电元件的第六特定实现方式的示意图。在该优选方法中，所有波导绕组结构都可以实现。例如，当该波导是光纤时—主光纤拉丝塔(图8所示)，制造如在这里所指定的主导波通道，在制造过程中与第二玻璃光纤拉丝塔组合(也是图8中所示的类型)，其拉制绕组光纤。从第二拉丝塔中牵引出的涂覆的(或涂覆的和掺杂的)玻璃光纤的热细丝，实际上直径比包含芯和包层的主光学波导光纤的直径小，其缠绕在从主拉丝塔拉出的热主光纤周围。用于辅助的粗加工成品，绕组光纤使用标准的光纤制造方法涂覆金属粉末或烟黑(或涂覆和掺杂导电掺杂物)，然后进行拉制。在辅助光纤的高电位端通过热粘合硅石附加到主光纤之后。然后旋转该主光纤制造装置，从而辅助光纤紧密缠绕所述主光纤。在光纤都有足够高的温度时绕组使得可以获得新的单一的所有光纤结构，其实现围绕光学波导光纤的导电绕组。长期批处理作业(long batch runs)导致为后面装配成最后的开关矩阵准备的大量的缠绕光纤。
可替换地，导电聚合体细丝，其可以另外通过涂覆金属粉末或烟黑并在加热粗加工成品和拉制光纤时退火来实现金属化，可以缠绕光学波导光纤并使用在光学波导上涂覆的粘合剂来粘合。聚合体细丝可以以极其小的直径制造，并且具有有利的杨氏模量。类似的，金属线可以缠绕在光纤周围。由于传导率较大，在导线直径和灵活性方面存在较大的限制。
应当很明显的是，这里所公开的用于引入线圈管或线圈作为集成光纤部件的实现方式的范围不是相互排斥的，而是可以结合使用以实现所期望的性能级别。图15到图21所示的结构的元件和部件可以被选择和组合。通常对于在当前公开的或整体参考的光纤制造中所涉及的掺杂物和过程的组合，优选共同掺杂以在单个过程中引入多个掺杂物，虽然MCVD(改进化学气相沉积法)，例如，可能不太适于一些需求，例如SOD(溶液掺杂)，因而可以通过不同的连续过程来实现掺杂。
为了在光纤制造的成批作业时允许线圈管结构之间的间隙，从而在将光纤段劈成光纤的“头”和“尾”中，每个没有线圈管，线圈管的保留、扭绞、缠绕、印制等等可以是周期性的。例如，当根据这里所公开的变形对光纤进行拉制和扭绞时，对精确的光纤长度执行扭绞然后停止，但是所述光纤在拉丝塔中继续被拉制，直到达到所期望长度的间隙，并且再次开始扭绞。然后未扭绞的导电材料提供输入和输出接触点(参见在所并入的临时专利申请中公开的中间和内部包层接触方法)。可以在光纤中集成制造的附加结构，其包括晶体管结构(也如在所述临时申请中公开的)，因此可以在光纤的“清晰的”输入部分中制造，该光纤不具有在光纤中集成制造的线圈管结构。根据在此所公开的这些方法的详细说明，缠绕或绕组光纤类似的可以是间歇的；在实现精确长度的绕组之后，光纤的旋转中断(或几乎中断)，从而导电细丝粘结到主光纤上，但是平行粘结(或几乎平行，对更大的间隙长度执行一部分缠绕)。在印制的薄膜缠绕光纤的情况下，可以持续薄膜缠绕，但是印制的线圈管本身是间歇图案。
另外，存在并且可以预见其他光纤结构范例。在它们当中，这里关于“扭绞光纤以围绕内部涂层和芯制造外部线圈管导电包层”已经参考的较老的范例，提供了在单个光纤中结构化地集成R，G，B颜色的机会。其他结构，包括线圈管，优选通过附加到PCF的粗加工成品中的包层来制造，其包括多个掺杂棒(亚铁—铁磁以及永久磁化的)。此后，该方法如对标准光纤、或其逻辑变形及改进所公开的一样。此外，使用所公开的三个表面螺旋波导的变形的线圈管实施例本身是围绕光纤轴的螺旋形状，通过扭绞方法的线圈管的实现方式作为整体对于光纤来说不是很实用。
然而，可以对轨道粗加工成品材料本身应用扭绞方法。在此情况下，两个涂层施加到所述粗加工成品上，第一(内部)亚铁/铁磁涂层和第二(外部)导电涂层，其产生由内部涂层中的剩余磁通维持的脉冲磁场。
正如对标准光纤所公开的，绕组图(三个绕组图，对应于三个螺旋轨道)印制在包裹在光纤周围的一个带上。绕组布置在每个轨道的直角上，并且必须提供多个接触接头，以独立的接触每个轨道的线圈管，后跟之前对标准光纤所公开的图案。
浸蘸笔纳米平板印刷术类似地直接转变为三个通道螺旋表面波导光纤结构。每个印制的线圈管的独立的“底部”和“顶部”接触点印制在光纤包层/涂层上。这种复合的光纤结构可以顺次使用三个法拉第衰减器结构来实现，利用如在此所公开的线圈管或场生成结构来制造，而且在光纤的连续层中制造，具有布置在包层/涂层之间的不导磁缓冲器。
通常，实现本发明的方面的传送器、调制器、以及系统的性能属性包括以下。子像素的直径(包括与光学活性材料相邻的场生成元件)优选的是＜100微米，更优选的是＜50微米。(在以上论述的替换实施例中，多染料掺杂的光通道是以一个复合波导结构来实现的，实现了RGB像素维度中的净减少(net reduction))。子像素元件的长度优选的是＜100微米，更优选的是＜50微米。驱动电流，为了达到有效的90°旋转，对于单个子像素是0-50m.Amp。响应时间通常对于法拉第旋转器来说非常高(即，已经论证的1ns)。
作为整个显示器的功率要求的基础理解，很重要的是要注意，优选实施例的实际功率要求不必基于子像素的总数乘90°旋转所需的最大电流的线性乘法来计算。实际的平均和峰值功率要求的计算必须考虑到下面的因素伽马值和平均颜色子像素使用都显著低于100％因此平均旋转显著小于90°伽马使用所有子像素，即使计算机监视器正显示白色背景，也不要求用于每个子像素的最大伽马值，或就此而言，任何子像素。空间没有考虑到人类感知的视觉科学的详细评估。但是，它是显示器、像素和子像素的相对强度，(为以变化的环境光等级查看给出了所要求的基础显示器亮度)，那对于适当的图像显示来说是必要的。最大伽马值(或接近它)，以及全旋转(越过无论哪一个工作范围，90°或它的某部分)，会仅仅在某些情况下需要，包括需要最极端的对比度的情况，例如对明亮光源的直接拍摄，诸如在直接拍摄太阳的时候。因此用于显示器的平均伽马值将统计地在可能的最大伽马值的某部分上。那就是为什么，为了计算机监视器的稳定“白色”背景的舒适查看，法拉第旋转也不会在最大值上。总之，驱动任何给定子像素的任何给定法拉第衰减器会很少需要处于全旋转，因此很少要求全功率。颜色由于只有纯白色需要簇中RGB子像素的相等强度的结合，应当指出，对于彩色或灰度图像中的任何一个来说，在任何一时刻都是显示器的子像素的某部分会被寻址。由RGB结合附加地形成的颜色暗示了以下一些颜色像素会要求仅仅一个(或者R、G、或者B)子像素(处于变化的强度)是“导通”，一些像素会要求两个子像素(处于变化的强度)是“导通”，而一些像素会要求三个子像素(处于变化的强度)是“导通”。纯白的像素会要求所有三个子像素是“导通”，它们的法拉第衰减器旋转达到相等强度。(彩色和白色像素可以并置而使颜色不饱和；在本发明的一个替换实施例中，“簇”中的附加子像素可以是平衡的白光，以达到对饱和度更加有效的控制)。
考虑到有关子像素簇的颜色和灰度成像命令，显然，对于平均帧来说，会存在所有显示器子像素中的某部分实际上需要被寻址，而对于那些某种程度上“导通”的子像素来说，平均强度会显著小于最大值。这很简单是因为RGB附加配色方案中的子像素的功能，这是除了绝对伽马值的考虑之外的一个因素。
统计分析能够确定FLAT主动矩阵/连续寻址的器件的功率需求曲线，这归功于这些考虑。无论如何，它显著小于同时处于全法拉第旋转的显示器每一子像素的虚构最大值。对于任何给定的帧来说，绝对不是所有子像素“导通”，并且由于各种原因，这些“导通”的子像素的强度典型的是处于最大值的某一相对小的部分。就当前的要求而论，对于0-90°的旋转来说，0-50m.amp被视为最小规格。也很重要的是要指出，根据现有法拉第衰减器器件的性能规格，对于0-90°旋转，示例电流范围已给定出(0-50.amp)，但是这性能规格是作为最小值来提供的，明显已正被用于光学通信的参考器件的技术发展水平取代和胜过。最重要的是它没有反映本发明中所指定的新颖实施例，包括来自改进的方法和材料技术的好处。由于所引用的规格的实现，性能的改善也正在进行，如果任何东西已经在加速并且将继续加速，就会进一步缩小这个范围。
在该申请中所描述的系统、方法、计算机程序产品和所传播的信号当然也可以用硬件实现；例如在中央处理器(“CPU”)、微处理器、微控制器、系统单芯片(“SOC”)或者任何其他可编程器件中或者与之耦合。此外，系统、方法、计算机程序产品和所传播的信号可以用软件(例如，计算机可读代码、程序代码、以任何形式布置的指令和/或者数据，例如源、目标或者机器语言)实现，例如置于用于存储软件的计算机可用(例如可读)介质中。这种软件使在此描述的装置和过程的功能、制造、建模、仿真、描述和/或测试成为可能。例如，其能够通过普通编程语言(例如C，C++)、GDSII数据库、包括VerilogHDL、VHDL、AHDL(Altera HDL)等等的硬件描述语言(HDL)或者其他可用程序、数据库、纳米处理和/或者电路(即简图)捕获工具的使用来实现。这种软件能够置于任何已知计算机可用介质中，包括半导体、磁盘、光盘(例如CD-ROM，DVD-ROM等等)，并且能够作为在计算机可用(例如可读)传输介质(例如，载波或者其他介质，包括数字介质、光学介质、或者基于模拟的介质)中实现的计算机数据信号。同样，所述软件可以通过包括因特网和内联网的通信网络进行传输。采用软件实现的系统、方法、计算机程序产品和所传播的信号可以包含在半导体知识产权核心中(例如在HDL中实现)并在集成电路生产中转化为硬件。此外，在此所述的系统、方法、计算机程序产品和所传播的信号可以作为硬件和软件的组合实现。
本发明的优选实现方式之一，例如用于开关控制，是作为在计算机工作过程中由驻留在计算系统存储器中的指令或者编程步骤组成的操作系统中的例行程序。在计算机系统需要之前，所述程序指令可以存储在另一可读介质中，例如磁盘驱动器中，或者可移动存储器中，例如在CD-ROM计算机输入中使用的光盘或者在软盘驱动器计算机输入中使用的软盘。此外，所述程序指令在本发明的系统中使用之前可以存储在另一计算机的存储器中，并在本发明的用户需要时通过LAN或者例如因特网的WAN进行传输。本领域技术人员应该理解控制本发明的过程能够以多种形式的计算机可读介质的形式发布。
任何合适的编程语言都能够用于实现本发明的例行程序，包括C，C++，Java，汇编语言等等。能够采用不同的编程技术，例如程序上的或者面向对象的。例行程序能够在单一处理器件或者多处理器上执行。尽管步骤、操作或者计算可以采用特定顺序，但是在不同实施例中，该顺序是可改变的。在一些实施例中，在本说明书中顺序示出的多个步骤能够同时执行。在此所述的操作顺序能够中断、暂停、或者进行由另外进程(例如操作系统、内核等等)控制的其他动作。例行程序能够工作在操作系统环境中，或者作为占用系统处理的全部或者主要部分的孤立例行程序。
在此所述中，提供了多个具体细节，例如部件和/或方法的示例，以便于对本发明的实施例的彻底理解。然而本领域技术人员会知道在没有一个或多个明确细节时，或者采用其他装置、系统、组件、方法、部件、材料、部分和/或类似时，也可以实施本发明的实施例。在其他例子中，已知的结构、材料或者操作没有特别详细示出或描述，以避免使本发明的实施例的方面不明显。
用于本发明的实施例的“计算机可读介质”可以是能够通过使用指令执行系统、装置、系统或器件或者与之连接而包括、存储、通信、传播或者传送所使用程序的媒介。例如，计算机可读介质可以是但不局限于电子、磁性、光学、电磁、红外或者半导体系统、装置、系统、器件、传播介质或者计算机存储器。
“处理器”或者“过程”包括处理数据、信号或其他信息的任何人、硬件和/或者软件系统、机制或者部件。处理器能够包括具有通用中央处理器、多个处理单元、功能性专用电路的系统或者其他系统。处理不需要限定在地理位置上，或者具有时间限制。例如，处理器能够采用“实时”、“离线”，采用“批处理模式”等等实现其功能。处理中的组成部分能够在不同时间和不同地点采用不同(或者相同)处理系统执行。
整个说明书中所提到的“一个实施例”、“实施例”、“优选实施例”、“特定实施例”表示，结合实施例所描述的特定特征、结构或者特点包含在本发明的至少一个实施例中，而不必包含在所有实施例中。因此，在整个说明书中的各个地方分别出现的语句“在一个实施例中”、“在实施例中”或者“在特定实施例中”不是必须指相同的实施例。此外，本发明的任意特定实施例的特定的特征、结构或者特点可以以适当的方式与一个或多个其他实施例合并。应该理解的是，根据在此的讲述，在此所描述和图示的本发明的实施例的其他变化和修改是可能的，并且作为本发明的精神和范围的组成部分。
可以通过使用已编程通用数字计算机，通过使用特定用途集成电路、可编程逻辑器件、场可编程门阵列、光学的、化学的、生物的、量子的或者纳米技术的系统、部件和机制实现本发明的实施例。通常，本发明的功能能够通过现有技术中的任何方式实现。能够使用分布式或者网络系统、部件和电路。数据通信或者传送可以是有线的、无线的，或者采用任何其他方式。
还应该认识到，附图/图形中所描述的一个或者多个元件还能够采用更加分离或者集成的方式实现，或者甚至在特定情况下去掉或设为不工作，如根据特定应用所使用的。实现能够存储在机器可读介质中的程序或者代码以允许计算机执行上述任何方法，也在本发明的思想和范围内。
另外，在附图/图形中的任何信号箭头都应该仅作为示例，而不应该进行限定，除非有特殊的标注。此外，在此所用的术语“或者”通常是为了指“和/或者”，除非另有指示。在预见术语提供分离或者合并的能力不清楚的地方，部件或者步骤的组合也将看作是进行了标注。
如在此的描述中和以下权利要求中所使用的，“a”，“an”，“the”包括复数含义，除非上下文明确的规定其他情况。而且，如在此的描述中和以下权利要求中所使用的，“在…之中”的意思包括“在…之中”和“在…之上”，除非上下文明确的规定其他情况。
之前对本发明的图示实施例的描述，包括摘要中所描述的内容，并非穷举或者将本发明限制在于此所公开的精确形式中。在此所描述的本发明的特定实施例、示例仅仅是为了说明的目的，如本领域技术人员将认识和理解的，在本发明的精神和范围内可以进行各种等同修改。如指示的，可以根据在之前的本发明的图示实施例的描述对本发明作出这些修改，并且要包括在本发明的思想和范围内。
因此，这里已经参考其特定实施例描述了本发明，修改的范围、各种变化和置换都在之前的公开文本中，并且应该理解的是，在一些例子中，将会采用本发明的实施例的一些特点，不使用其他相应的特点，而不会脱离所公开的本发明的精神和范围。因此，在本发明的本质精神和范围内，可以进行各种修改以适应特定情况或者材料。本发明目的不是要限定在以下权利要求中所使用的特定术语和/或者限定于作为用于实现本发明的最佳模式而公开的特定实施例，而是要包括在所附权利要求的范围内的任何和所有实施例和等同物。因此，本发明的范围仅由所附权利要求决定。
权利要求
1.一种影响器结构，包括导电元件，布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中，所述导电元件响应影响器信号而影响所述波导的振幅控制属性；以及耦合系统，用于将所述影响器信号发送至所述导电元件。
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件产生大体上与所述波导的传输轴平行的磁场。
3.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件包括具有大体上与所述波导的传输轴螺旋定向的部分。
4.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件布置在所述传导区域中。
5.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件布置在所述传导区域周围。
6.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件布置在所述一个或多个边界区域中的一个或多个中。
7.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件具有比导电金属线的导电率小的导电率。
8.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件包括一系列连续的导电元件，每个导电元件与所述耦合系统通信。
9.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件是所述波导的导电区域，所述导电区域在制造所述波导期间产生。
10.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导是具有所述导波通道和所述一个或多个边界区域的光纤，所述导波通道定义芯且所述一个或多个边界区域为所述芯提供一个或多个包层。
11.根据权利要求10所述的结构，其中所述导电元件是从具有扭绞包层区域的粗加工成品中产生的，所述扭绞包层区域与未扭绞芯区域协同布置。
12.根据权利要求10所述的结构，其中所述光纤是光子光纤晶体，并且所述导电元件包括微结构掺杂棒。
13.根据权利要求1所述的结构，其中所述导电元件印制在所述波导的介电元件上。
14.一种操作波导的方法，该方法包括a)发送影响器信号给布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件；以及b)响应所述影响器信号，影响所述波导的振幅控制特性。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件产生大体上与所述波导的传输轴平行的磁场。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件包括具有大体上与所述波导的传输轴螺旋定向的部分。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件布置在所述传导区域中。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件布置在所述传导区域周围。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件布置在所述一个或多个边界区域中的一个或多个中。
20.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件具有比导电金属线的导电率小的导电率。
21.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件包括一系列连续的导电元件，每个导电元件与所述耦合系统通信。
22.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件是所述波导的导电区域，所述导电区域在制造所述波导期间产生。
23.根据权利要求14所述的方法，其中所述波导是具有所述导波通道和所述一个或多个边界区域的光纤，所述导波通道定义芯且所述一个或多个边界区域为所述芯提供一个或多个包层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述导电元件是从具有扭绞包层区域的粗加工成品中产生的，所述扭绞包层区域与未扭绞芯区域协同布置。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述光纤是光子光纤晶体，并且所述导电元件包括微结构掺杂棒。
26.根据权利要求14所述的方法，其中所述导电元件印制在所述波导的介电元件上。
27.一种制造方法，包括a)在制造所述波导期间使导电元件与波导的一个或多个传播辐射的介电结构关联，所述波导具有传导区域和一个或多个边界区域，所述导电元件响应影响器信号、通过在所述传导区域内产生磁场而影响所述波导的振幅控制特性；以及b)形成用于将所述影响器信号发送至所述导电元件的耦合系统。
28.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构涂覆包含所述导电元件的导电元件结构。
29.根据权利要求28所述的制造方法，还包括去除所述导电元件结构的螺旋区域以形成所述导电元件。
30.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构缠绕包含所述导电元件的导电元件结构。
31.根据权利要求30所述的制造方法，其中所述导电元件结构包括布置有所述导电元件的带状物。
32.根据权利要求30所述的制造方法，其中所述导电元件包括导电聚合体。
33.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述波导是光纤，并且所述一个或多个介电结构包括所述边界区域。
34.根据权利要求33所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞生产波导的粗加工成品以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
35.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程在光纤拉制步骤之前。
36.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程发生在光纤拉制步骤期间。
37.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程发生在光纤拉制步骤之后。
38.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述螺旋导电元件是从布置在所述波导的一个或多个边界区域中的导电结构中产生的。
39.根据权利要求29所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞从生产波导的粗加工成品中拉制的光纤以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
40.根据权利要求39所述的制造方法，其中所述扭绞在拉制的光纤超过所述拉制光纤的玻璃温度时发生，其中所述拉制的光纤保持其扭绞。
41.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞产生具有扭绞周期的扭绞光纤，该方法还包括在所述波导周围布置保护套以保持所述扭绞周期。
42.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程之前布置。
43.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程期间布置。
44.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程之后布置。
45.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构印制包含所述导电元件的导电元件结构。
46.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构嵌入包含所述导电元件的导电元件结构。
47.根据权利要求46所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞包含所述导电元件结构的生产波导的粗加工成品，以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
48.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述波导包括一个或多个光子晶体结构，其中所述关联步骤还包括在所述介电结构内设置一个或多个导电纵向光子结构元件作为包含所述导电元件的导电元件结构。
49.根据权利要求48所述的制造方法，其中所述导电元件是在制造期间从扭绞所述一个或多个导电纵向光子结构元件中产生的。
50.一种计算机程序产品，包括载有当使用计算系统执行时用于操作波导的程序指令的计算机可读介质，该执行的程序指令执行一种方法，该方法包括a)发送影响器信号给布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件；以及b)响应所述影响器信号，影响所述波导的振幅控制特性。
51.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件产生大体上与所述波导的传输轴平行的磁场。
52.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件包括具有大体上与所述波导的传输轴螺旋定向的部分。
53.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件布置在所述传导区域中。
54.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件布置在所述传导区域周围。
55.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件布置在所述一个或多个边界区域中的一个或多个中。
56.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件具有比导电金属线的导电率小的导电率。
57.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件包括一系列连续的导电元件，每个导电元件与所述耦合系统通信。
58.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件是所述波导的导电区域，所述导电区域在制造所述波导期间产生。
59.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述波导是具有所述导波通道和所述一个或多个边界区域的光纤，所述导波通道定义芯且所述一个或多个边界区域为所述芯提供一个或多个包层。
60.根据权利要求59所述的计算机程序产品，其中所述导电元件是从具有扭绞包层区域的粗加工成品中产生的，所述扭绞包层区域与未扭绞芯区域协同布置
61.根据权利要求59所述的计算机程序产品，其中所述光纤是光子光纤晶体，并且所述导电元件包括微结构掺杂棒。
62.根据权利要求50所述的计算机程序产品，其中所述导电元件印制在所述波导的介电元件上。
63.一种传播信号，其上载有计算机可执行指令，当由计算系统执行时该指令执行一种方法，该方法包括a)在制造所述波导期间使导电元件与波导的一个或多个传播辐射的介电结构关联，所述波导具有传导区域和一个或多个边界区域，所述导电元件响应影响器信号、通过在所述传导区域中产生磁场来影响所述波导的振幅控制特性；以及b)形成用于将所述影响器信号发送至所述导电元件的耦合系统。
64.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构涂覆包含所述导电元件的导电元件结构。
65.根据权利要求28所述的制造方法，还包括去除所述导电元件结构的螺旋区域以形成所述导电元件。
66.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构缠绕包含所述导电元件的导电元件结构。
67.根据权利要求30所述的制造方法，其中所述导电元件结构包括布置有所述导电元件的带状物。
68.根据权利要求30所述的制造方法，其中所述导电元件包括导电聚合体。
69.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述波导是光纤，并且所述一个或多个介电结构包括所述边界区域。
70.根据权利要求33所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞生产波导的粗加工成品以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
71.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程在光纤拉制步骤之前。
72.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程发生在光纤拉制步骤期间。
73.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞过程发生在光纤拉制步骤之后。
74.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述螺旋导电元件是从布置在所述波导的一个或多个边界区域中的导电结构中产生的。
75.根据权利要求29所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞从生产波导的粗加工成品中拉制的光纤，以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
76.根据权利要求39所述的制造方法，其中所述扭绞在拉制的光纤超过所述拉制光纤的玻璃温度时发生，其中所述拉制的光纤保持其扭绞。
77.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述扭绞产生具有扭绞周期的扭绞光纤，该方法还包括在所述波导周围布置保护套以保持所述扭绞周期。
78.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程之前布置。
79.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程期间布置。
80.根据权利要求41所述的制造方法，其中所述保护套在所述扭绞过程之后布置。
81.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构印制包含所述导电元件的导电元件结构。
82.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述关联步骤包括对所述介电结构嵌入包含所述导电元件的导电元件结构。
83.根据权利要求46所述的制造方法，其中所述关联步骤包括扭绞包含所述导电元件结构的生产波导的粗加工成品，以产生在所述传导通道周围布置的螺旋导电元件。
84.根据权利要求27所述的制造方法，其中所述波导包括一个或多个光子晶体结构，其中所述关联步骤还包括在所述介电结构内设置一个或多个导电纵向光子结构元件作为包含所述导电元件的导电元件结构。
85.根据权利要求48所述的制造方法，其中所述导电元件是在制造期间由扭绞所述一个或多个导电纵向光子结构元件产生的。
86.一种设备，该设备包括用于发送影响器信号给布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件的装置；以及用于响应所述影响信号，影响所述波导的振幅控制特性的装置。
87.一种设备，该设备包括用于在制造所述波导期间使导电元件与波导的一个或多个传播辐射的介电结构关联的装置，所述波导具有传导区域和一个或多个边界区域，所述导电元件响应影响器信号，通过在所述传导区域中产生磁场来影响所述波导的振幅控制特性；以及用于形成耦合系统的设备，所述耦合系统用于将所述影响器信号发送至所述导电元件。
全文摘要
用于影响器结构的装置和方法。该装置包括布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件，该导电元件响应影响器信号而影响所述波导的振幅控制特性；以及耦合系统，用于将所述影响器信号发送至所述导电元件。一种操作影响器的方法，该方法包括a)发送影响器信号给布置在具有传导区域和一个或多个边界区域的波导的一个或多个传播辐射的介电结构中的导电元件；以及b)响应所述影响器信号，影响所述波导的振幅控制特性。
文档编号G02F1/295GK1977196SQ200580011036
公开日2007年6月6日 申请日期2005年2月12日 优先权日2004年2月12日
发明者萨瑟兰·埃尔伍德 申请人:帕诺拉马实验室有限公司