一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件及其制造方法

专利名称：一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器件及其制造方法，特别涉及一种彩膜在薄膜晶体 管之上的液晶显示器件及其制造方法。
背景技术：
平板显示器由于轻薄和低能耗的优点，被广泛运用于便携式显示。在各 种平板显示器中，液晶显示器件由于其高清晰度和画面品质的优势，已经被 大量使用于电脑显示器、笔记本电脑和电视方面。液晶显示器的图像显示是 利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性实现的。液晶分子本身的这些特点， 导致其不同的排列取向改变入射光的折射和透射。因为液晶分子各向异性的 介电性能，外界施加电场可以改变它们的排列取向。换而言之，控制液晶显 示器的施加电场，就能显示所要的画面。具体来讲，液晶显示器一般由上下 两张玻璃基板组成，每张玻璃基板都有电极相对应，并间隔一定距离，液晶 分子夹于两张玻璃之间。通过两张玻璃基板的电极，向液晶分子施加外电场， ^使得液晶分子排列成特定的相对应于外加电场的方向，由此导致的光透过率 变化，实现图像数据的显示。各种液晶显示器中使用最广泛的是有源矩阵液晶显示器，利用形成矩阵 的薄膜晶体管控制单个像素，实现高清晰度的大容量信息显示。薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)包括两张玻璃基板，其中一张是阵列基板，其上形成 控制开关薄膜晶体管和像素电极，另一张是彩膜基板，其上形成红、绿、蓝 的单色滤光层和公共电极。液晶分子夹于阵列基板和彩膜基板之间，受两张 玻璃基板的电极形成的电场作用，而形成一定趋向排列，如前所述实现画面 图像显示。
图1是一种传统的TFT LCD器件在薄膜晶体管处的横截面示意图。它包 括一个彩膜基板1 (又称上基板)， 一个阵列基板5 (下基板)和一层液晶分 子16。由于彩色滤光层2和黑矩阵3形成在上基板，上基板又称彩膜基板； 由于薄膜晶体管在下基板上形成矩阵式的开关器件组合，下基板又称阵列基 板。彩膜基板1和阵列基板5间隔一定距离，中间填充液晶分子16。彩膜基 板1的彩色滤光层2分别由红、蓝、绿三原色的树脂胶组成，树脂胶之间有 不透光的黑矩阵3隔离。黑矩阵3的作用是防止像素区域的漏光，和防止光 照薄膜晶体管产生的暗态漏电流。在彩色滤光层2和黑矩阵3之上，有一层 透明导电薄膜形成的公共电极4，作为液晶层电场的参考电极。阵列基板有 矩阵式的薄膜晶体管，它包括一个栅电极6、本征半导体层8、掺杂半导体层 9、源电4及10和漏电极11。栅电极绝缘层在栅电极6和本征半导体8之间保 护栅电极，更为重要的是形成薄膜晶体管正常工作所必需的栅极电场。本征 半导体8和源电极10以及漏电极11之间有一层摻杂半导体9,形成和源漏 电极金属接触必需的欧姆层，薄膜晶体管沟道12形成在常在本征半导体8的 掺杂半导体9上。在薄膜晶体管之上有一层钝化保护膜13,防止湿气水分腐 蚀薄膜晶体管和氧气氧化金属电极以及半导体薄膜。 一层透明导电薄膜构成的像素电极15形成于像素区域，通过钝化保护膜过孔14与薄膜晶体管的漏 电极ll连结。上述结构的TFT LCD器件可以通过以下工艺步骤制作的通过四次光刻 在上基板(彩膜基板l)上依次形成黑矩阵3和红、蓝、绿的彩色滤光层2; 利用磁控溅射的方法在彩膜基板1上淀积一层公共电极4;通过薄膜沉积和 五次光刻工艺在阵列基板5上依次形成栅电极6、栅电极绝缘层7，构成有源 层的本征半导体薄膜8和掺杂半导体薄膜9、薄膜晶体管沟道12、源电极IO 和漏电极ll、钝化保护膜13、钝化保护膜过孔14、和像素电极15;利用涂 敷、摩擦、清洗、滴注、真空对盒、烘烤固化等工艺方法，使阵列基板5和 彩膜基板1按照像素区域(像素电极15 )和彩色滤光层2相对应的方式固定
在一起，并在间隔的空间填充液晶分子16。上述TFT LCD器件结构和制造方法有下述一些缺点和不足。使用两张玻 璃基板形成彩膜1和薄膜晶体管的阵列基板5,在对盒时设备对位精度差异 可能导致彩色滤光层2和像素电极15的区域发生错位，产生显示不良如 Zaratsuki漏光和白Mura等；基于对位精度和上述漏光现象的考虑，使得设 计TFT LCD时开口率不能最大化，降低的开口率减少了透过率和增大背光源 的功率和成本；复杂的工艺步骤导致生产成本增加和缺陷发生机率上升。美国专利6873382、 6912024、 7046315提出了相似的彩膜位于薄膜晶体 管之上的复合结构的阵列基板及制造方法。美国专利6873382提出的用于液 晶显示器的阵列基板，有一组栅线和数据线以及它们定义的像素，有一个薄 膜晶体管位于栅线和数据线的交叉部，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，有一层黑矩阵覆盖薄膜晶体管并暴露漏电极的一部分，有第 一层像素电极位于像素区域并和漏电极接触，有一层彩膜覆盖像素区域的第 一层像素电极，有第二层像素电极在彩膜之上并与第一层像素电极接触。前 述阵列基板形成在底^fr结构的薄膜晶体管之上，美国专利7046315是在顶栅 结构的薄膜晶体管之上制作与之相同的黑矩阵、彩膜和像素电极结构。美国 专利6912024提出另外一种彩膜和薄膜晶体管的复合结构。它没有黑矩阵， 利用高反光率的栅电极金属薄膜替代黑矩阵，彩膜位于栅线和数据线定义的 像素区域，夹于玻璃基板和栅极绝缘层之间，与栅线和数据线在边缘部分有 小部分重叠。上述发明的器件结构或者制作方法还存在一些不足需要5次 光刻工艺制作薄膜晶体管；栅极绝缘薄膜和钝化保护膜覆盖彩色滤光层，导 致光透过率和开口率的下降；黑矩阵的去除使得金属线的关键尺寸增大和像 素的开口率下降；制作两层像素电极增加工艺的复杂性；彩膜光刻工艺的精度差异可能导致两层像素电极的断线。

发明内容
为了克服上述现有技术中的缺陷，本发明提供一种的薄膜晶体管在彩膜 之上的液晶显示器件及其制造方法，其能够提高液晶显示器件的光透过率和 开口率，能够简化波品显^器件的制造工艺方法。为了实现上述目的，本发明提供一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件，其中包括一下基板；一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述下基板之上； 一栅电极绝缘层，形成在所述栅线、栅电极和下基板之上； 一本;f正半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上； 一薄膜晶体管沟道，形成在本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层； 一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导 体层之上；一钝^/(呆护膜，形成在所述数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道 和栅电极绝缘层之上，且在漏电极对应部分开有过孔；一个黑矩阵，形成在所述钝化保护膜之上，且在所述钝化保护膜过孔位 置对应处开有过孔，黑矩阵开口处对应于像素区域；一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，位于所述像素区域的钝化 保护膜之上；一像素电极，形成在所述的彩色滤光层之上，并通过所述的钝化保护膜 过孔以及黑矩阵过孔与漏电极接触； 一上基板；一公共电极，形成在所述上基板上；一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。上述方案中，所述黑矩阵部分完全覆盖栅线、数据线、源电极、漏电极、 薄膜晶体管沟道，且超出它们边缘部分。所述黑矩阵和彩色滤光层边缘部分 重叠，重叠部分彩色滤光层在黑矩阵之上。所述黑矩阵厚度在0. 5-1. 5微米
之间。所述彩色滤光层厚度在1. 5-2. 5拔i米之间。所述数据线、源电极以及 漏电极的图案和掺杂半导体层的图案完全一致，与本征半导体层的图案除在 薄膜晶体管沟道部分外一致。所速像素电极除在过孔外，边缘不超出彩色滤 光层，并和彩色滤光层之下的黑矩阵有部分重叠。为了实现上述目的，本发明同时提供一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶 显示器件的制造方法，其中包括提供一下基板；在所述下基板之上形成栅线和与其连接栅电极； 在所述栅线、栅电极和下基板之上连续形成栅电极绝缘层 在所述栅电极绝缘层上连续沉积本征半导体层、掺杂半导体层和金属薄膜层；使用一个灰色调掩模版进行掩模、曝光和刻蚀形成数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；在所述数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道和栅电极绝缘层之上形成一层4电化保护膜；在所述钝化保护膜之上形成黑矩阵，并使开口处对应于像素区域； 在所述漏电极上部的钝化保护膜及黑矩阵相同位置处形成过孔； 在所述黑矩阵的开口处形成彩色滤光层；在所述彩色滤光层之上形成像素电极，并使像素电极通过所述过孔与所 述漏电极连接。上述方案中，所述形成黑矩阵和彩色滤光层使用的是相同的光刻设备和 光刻工艺。所述使用一个灰色调掩模版进行掩模、曝光和刻蚀形成数据线、 源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道具体为使用 一个灰色调掩模版形成台阶状 光刻胶，刻蚀金属薄膜成形成数据线；采用光刻胶灰化工艺去除较薄的光刻 胶，刻蚀金属薄膜和4参杂半导体层，形成薄膜晶体管沟道、源电极和漏电极。 所述形成栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极和像素电极在薄膜沉积中 是采用的溅射方法制备。所述形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、
钝化保护膜是通过等离子体化学气相沉积方法制备。所述形成黑矩阵过孔和 钝化保护膜过孔是通过一个掩模版光刻工艺完成，形成于彩色滤光层之前。 所述形成黑矩阵过孔和钝化保护膜过孔是通过一个掩模版光刻工艺完成，形 成于彩色滤光层之后。相对于现有技术，本发明由于彩膜形成于薄膜晶体管之上，因此消除了 对盒工艺精度引起的漏光不良和其它缺陷。再者，本发明使用灰色调掩^^版光刻工艺或离地剥离工艺形成黑矩阵或 薄膜晶体管，减少了工艺步骤和提高了产品良率。下面结合附图和具体实施例对本发明进行进一步更为详细地说明。


图1是现有技术中一种典型TFT LCD器件横截面图；图2是本发明彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件橫截面图；图3是本发明彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件的俯视图；图4A是本发明形成栅电极的橫截面图；图4B是本发明形成源、漏电极的横截面图；图4C是本发明形成钝化保护膜和黑矩阵的橫截面图；图4D是本发明形成彩色滤光层的横截面图；图4E是本发明形成像素电极的横截面图。图中标记1、彩膜基板；2、彩色滤光层；3、黑矩阵；4、公共电极；5、 阵列基板；6、栅电极；7、栅电极绝缘层；8、本征半导体层；9、掺杂半导 体层；10、源电极；11、漏电极；12、薄膜晶体管沟道；13、钝化保护膜； 14、过孔；15、像素电极；16、液晶分子；17、栅线；18、数据线。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。需要指出的是附图中各
薄膜厚度和区域大小不反映器件结构的真实比例，只是为了清楚地示意说明 本发明内容。本发明的液晶显示器件包括一个阵列基板和一个公共电极基板，夹于二 者之间的液晶分子，周边电路和驱动电路板，以及背光源。与传统液晶显示 器件不同之处在于，彩色滤光层和黑矩阵形成于薄膜晶体管之上，薄膜晶体管形成于阵列基板的玻璃之上；另一个玻璃基板只有透明导电薄膜构成的公 共电极。图2所示是本发明的一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件横 截面示意图，图3所示是本发明一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件 的阵列基板俯视示意图。如图2所示，在阵列基板5之上有一个薄膜晶体管的栅电极6, —个栅 电极绝缘层7覆盖栅电极6和阵列基板的其它部分。 一个本征半导体层8在 栅电极绝缘层7之上， 一个掺杂半导体层9在本征半导体层8之上，形状和 区域与本征半导体层8相同，只在薄膜晶体管沟道12处断开。掺杂半导体层 9的两端有金属薄膜构成的源电极10和漏电极11，形成低电阻的欧姆接触层。 源电极10和漏电极11的形状与掺杂半导体层9的形状完全一致。栅电极6、 栅电极绝缘层7、本征半导体层8、掺杂半导体层9、源电极10和漏电极11 构成薄膜晶体管。 一层钝化保护膜13覆盖整个基板表面，保护源电极10、 薄膜晶体管沟道12、部分漏电极ll、栅电极绝缘层7、以及部分本征半导体 层8和掺杂半导体层9的側面，在像素区域以及其它部分覆盖栅极绝缘层7。 上述部分与传统的薄膜晶体管基本相同。漏电极11之上的钝化保护膜13开 有过孔14,在薄膜晶体管的钝化保护膜13有一层不透光的黑色树脂材料构 成的黑矩阵3，薄膜晶体管的边缘部分也:f皮黑矩阵3覆盖，包括延伸进入像 素区域的部分。后面还要说明黑矩阵3也覆盖与栅电极6连结的栅线18以及 与源电极11连接的数据线19。黑矩阵3在钝化保护膜过孔14的相同位置开 有过孔。三原色滤光层红、绿、蓝色树脂薄膜覆盖像素区域的钝化保护膜13, 构成彩色滤光层2，与黑矩阵3的边缘部分重叠并覆盖小部分黑矩阵3。 一层 透明导电薄膜构成的像素电极15覆盖像素区域的彩色滤光层2,通过黑矩阵 3和钝化^f呆护膜13的过孔14与漏电极11接触。除在和漏电极11接触部分 即过孔14处之外，像素电极15的区城小子彩色滤光层2，像素电极15的边 缘部分和彩色滤光层2之下的黑矩阵3重叠。 一层透明导电薄膜构成的公共 电极4形成在原来的彩膜玻璃基板1之上，和上述阵列基板一起夹住液晶分 子16，形成薄膜晶体管液晶显示器。如图3所示，相邻栅线18和数据线19交叉定义一个像素。薄膜晶体管 的栅电极6、源电极IO、漏电极11和薄膜晶体管沟道12在像素区的一个角 落或者边^彖区。源电极IO、漏电极ll、数据线19与掺杂半导体层9的形状 完全一致，与本征半导体层8的形状基本一致，只在薄膜晶体管沟道12处不 同。彩膜形成于薄膜晶体管之上，黑矩阵3对应于薄膜晶体管、栅线18和数 据线19的区域，彩色滤光层2对应于像素区的像素电极15。图2、 3、 4所 示的黑矩阵3对应(覆盖)薄膜晶体管的栅电极6、源电极IO、漏电极ll和 构成有源层的本征半导体层8和掺杂半导体层9。像素电极15的区域略小于 彩色滤光层2的区域，其边缘部分有黑矩阵3交叠，薄膜晶体管的过孔14处 的像素电极15部分完全被黑矩阵3覆盖。黑矩阵3和彩色滤光层2的边缘也 有部分交叠，延伸进入像素区域的黑矩阵3被彩色滤光层3覆盖(图2所示), 或者覆盖彩色滤光层2 (图3所示)。黑矩阵3和彩色滤光层2的重叠部分尺 寸，黑矩阵3和像素电极15的重叠部分尺寸，以及黑矩阵3在栅线18和数 据线19的延伸部分尺寸，根据液晶显示器件的光学特性而设计确定， 一般在 1至10微米之间。图2和图3所示的黑矩阵3的厚度在0. 5-1. 5微米之间， 彩色滤光层2的厚度在1. 5-2. 5微米之间。图2所示的薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件是通过附图4A至图 4E所示的工艺步骤制作的。如图4A所示，通过溅射的方法，在阵列基板玻璃5上面沉积一层100-500 纳米的低电阻的金属薄膜，如铝、钼、铝镍、鵠、铜等，通过光刻工艺形成 栅线和4册电4及6。如图4B所示，在栅线和栅电极6上面，连续沉积100-1000纳米的栅电 极绝缘层7、 100-500纳来的本征半导休层8、 50-200纳来的掺杂半导体层9、 和一层100-500纳米的金属薄膜。其中栅电极绝缘层7、本征半导体层8、和 掺杂半导体层9通过等离子体增强化学气相沉积方法形成，金属薄膜通过溅 射方法形成，其材料是铝、钼、铝镍、鴒、铜等。栅电极绝缘层7可以是氮 化硅，本征半导体层8和掺杂半导体层9可以是非晶硅或者多晶硅。使用一 个灰色调光刻掩模版，在光刻工艺中形成台阶状光刻胶，利用光刻胶作为刻 蚀掩模版，首先刻蚀形成数据线19、源电极IO、和漏电极11,然后利用光 刻胶灰化工艺去除薄膜晶体管沟道12处的较薄的光刻胶，再刻蚀去除薄膜晶 体管沟道12处的金属薄膜和掺杂半导体层9,形成薄膜晶体管沟道12。如图4C所示，通过等离子体增强化学气相沉积方法在基板表面形成一层 100-500纳米的钝化保护膜13,其材料为氮化硅。在钝化保护膜13之上涂布 一层不透光的黑矩阵材料，通过曝光和显影工艺形成厚度在0. 5至1. 5微米 之间的黑矩阵3。如图4D所示在黑矩阵3和钝化保护膜13之上涂布一层厚度在1至3微 米的光刻胶，使用过孔掩模版，通过曝光和显影工艺形成黑矩阵3的过孔14， 在相同位置通过刻蚀工艺形成钝化保护膜13的过孔14。黑矩阵3和钝化保 护膜13的过孔14具有相近直径，在5至20微米之间。使用与形成黑矩阵3 类似的方法，在像素区域的钝化保护膜13和黑矩阵3的边缘部分，通过涂敷、 曝光和显影工艺，依次形成厚度在1. 5至2. 5微米之间的红色树脂薄膜图案、 绿色树脂薄膜图案、蓝色树脂薄膜图案，对应于像素区域，它们构成彩色滤 光层2。如图4E所示，通过溅射方法在彩色滤光层2和黑矩阵3之上形成一层厚 度在5至50纳米之间的透明导电薄膜，通过光刻工艺形成像素电极15。至 此完成彩膜在薄膜晶体管上的阵列基板的制作。
最后，利用与传统工艺相同的方法，如涂布和摩擦取向膜、滴注液晶、 密封和退火老化，和形成公共电极的玻璃基板以及液晶一起^L成液晶显示器。本发明提供的薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法，简 化了制造工艺和降低了生产成本。另外，黑矩阵直接覆盖薄膜晶体管，减弱 了对盒精度引起的漏光现象，增大了设计容限和像素开口率。再者，使用灰 色调掩模光刻工艺和离地剥离工艺，减少了掩模板和光刻工艺步骤，更进一 步降低了制造成本。最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制， 尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当 按照需要可使用不同材料和设备实现之，即可以对本发明的技术方案进行修 改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
权利要求
1、一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件，其特征在于，包括一下基板；一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述下基板之上；一栅电极绝缘层，形成在所述栅线、栅电极和下基板之上；一本征半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上；一薄膜晶体管沟道，形成在所述本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层；一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导体层之上；一钝化保护膜，形成在所述数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道和栅电极绝缘层之上，且在漏电极对应部分开有过孔；一个黑矩阵，形成在所述钝化保护膜之上，且在所述钝化保护膜过孔位置对应处开有过孔，黑矩阵开口处对应于像素区域；一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，位于所述像素区域的钝化保护膜之上；一像素电极，形成在所述的彩色滤光层之上，并通过所述的钝化保护膜过孔以及黑矩阵过孔与漏电极接触；一上基板；一公共电极，形成在所述上基板上；一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。
2、 根据权利要求l所述的液晶显示器件，其特征在于所述黑矩阵部分 完全覆盖栅线、数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道，且超出它们边 缘部分。
3、 根据权利要求l所述的液晶显示器件，其特征在于所述黑矩阵和彩 色滤光层边缘部分重叠，重叠部分彩色滤光层在黑矩阵之上。
4、 才艮据权利要求1所迷的液晶显示器件，其特征在于所述黑矩阵厚度 在0. 5-1. 5微米之间。
5、 根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在千所述彩色滤光层 厚度在1. 5-2. 5微米之间。
6、 4艮据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于所述数据线、源 电极以及漏电极的图案和掺杂半导体层的图案完全一致，与本征半导体层的 图案除在薄膜晶体管沟道部分外一致。
7、 根据权利要求l所述的液晶显示器件，其特征在于所述像素电极除 在过孔外，边缘不超出彩色滤光层，并和彩色滤光层之下的黑矩阵有部分重 叠。
8、 一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件的制造方法，其特征在于， 包括提供一下基板；在所述下基板之上形成栅线和与其连接栅电极； 在所述栅线、栅电极和下基板之上连续形成栅电极绝缘层 在所述栅电极绝缘层上连续沉积本征半导体层、掺杂半导体层和金属薄膜层；使用一个灰色调掩模版进行掩模、曝光和刻蚀形成数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；在所述数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道和栅电极绝缘层之上形成一层钝化保护膜；在所述钝化保护膜之上形成黑矩阵，并使开口处对应于像素区域； 在所述漏电极上部的钝化保护膜及黑矩阵相同位置处形成过孔； 在所述黑矩阵的开口处形成彩色滤光层；在所述彩色滤光层之上形成像素电极，并使像素电极通过所述过孔与所 述漏电极连接。
9、 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于所述形成黑矩阵和彩色滤光层使用的是相同的光刻设备和光刻工艺。
10、 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于所述使用一个灰色 调掩模版进秄掩模、曝先和刻蚀形成数棍线、源电极、漏电权和薄膜晶休營 沟道具体为使用 一个灰色调掩模版形成台阶状光刻胶，刻蚀金属薄膜成形成 数据线；采用光刻胶灰化工艺去除较薄的光刻胶，刻蚀金属薄膜和掺杂半导 体层，形成薄膜晶体管沟道、源电极和漏电极。
11、 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于所述形成栅线、栅 电极、数据线、源电极、漏电极和像素电极在薄膜沉积中是采用的濺射方法 制备。
12、 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于所述形成栅电极绝 缘层、本征和掺杂半导体层、和钝化保护膜是通过等离子体化学气相沉积方 法制备。
13、 才艮据权利要求8至12任一所述的制造方法，其特征在于所述形成 黑矩阵过孔和钝化保护膜过孔是通过一个掩模版光刻工艺完成，形成于彩色 滤光层之前。
14、 4艮据权利要求8至12任一所述的制造方法，其特征在于所述形成 黑矩阵过孔和钝化保护膜过孔是通过一个掩模版光刻工艺完成，形成于彩色滤光层之后。
全文摘要
本发明公开了一种彩膜在薄膜晶体管之上的液晶显示器件，其中包括下基板；栅线及栅电极；薄膜晶体管，形成栅电极上；数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在薄膜晶体管之上；钝化保护膜，形成薄膜晶体管沟道之上，且在漏电极对应部分开有过孔；黑矩阵，形成在钝化保护膜之上，且在前述过孔位置对应处开有过孔，黑矩阵开口处对应于像素区域；彩色滤光层，形成在黑矩阵的开口处；一像素电极，形成在的彩色滤光层之上，并通过过孔与漏电极接触；上基板；公共电极，形成在上基板上；一液晶分子层，形成在上基板和下基板之间。本发明同时公开了该显示器件的制造方法。本发明提高了液晶显示器件的光透过率和开口率，简化了工艺方法。
文档编号G02F1/13GK101149541SQ200610139758
公开日2008年3月26日 申请日期2006年9月22日 优先权日2006年9月22日
发明者龙春平 申请人:北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司