专利名称：采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法
技术领域：
本发明涉及采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。
背景技术：
通常，在诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)以及有机发光二极管(OLED)等平板显示器(FPD)中，采用TFT基板独立驱动各像素。以下将具有TFT基板的LCD作为实施例进行说明。
LCD通过利用液晶的电光特性显示图像。为了显示图像，LCD包括液晶面板、背光单元以及驱动电路单元。背光单元向液晶面板提供光并且驱动电路单元驱动该液晶面板。
该液晶面板通过采用由背光单元提供的光显示图像。为此，液晶面板包括TFT基板和与其相对的滤色片基板，在二者之间插入有液晶。
在TFT基板上形成TFT阵列，其中该TFT阵列包括用于向液晶施加电压的TFT、像素电极和公共电极。
在滤色片基板上形成滤色片阵列，该滤色片阵列包括用于表现各种颜色的红、绿和蓝滤色片。
现在将简单描述用于制造具有该结构的液晶面板的工艺。首先，在由玻璃或者塑料等构成的第一基板上形成TFT阵列，并且在也由玻璃或者塑料等构成的第二基板上形成滤色片阵列。随后，在第一和第二基板其中之一上滴注液晶，然后粘结第一和第二基板，然后进行切割，从而完成液晶面板的制造。
在制造液晶面板的过程中，分别通过光刻工艺形成位于第一基板上的TFT阵列和位于第二基板上的滤色片阵列。这样，通过采用使用掩模的曝光设备执行曝光工艺。
例如，为了在第一基板上制造TFT阵列，使用了5片掩模，并且每一掩模用来执行单一的曝光工艺。具体地，通过第一掩模工艺形成包括栅线、栅极和公共电极的栅图案。通过第二掩模工艺形成栅绝缘层、有源层和欧姆接触层。通过第三掩模工艺形成包括数据线、源极和漏极的数据图案。通过第四掩模工艺形成钝化层。并且通过第五掩模工艺形成包括像素电极的透明导电图案。
在曝光工艺中掩模数量的增加使TFT制造工艺更加复杂并且延长了制造TFT所花费的时间，这导致TFT基板和具有该TFT基板的LCD的生产率下降。
因此，已经研发并采用了制造TFT阵列的技术，在该技术中采用四轮掩模并且每一掩模执行单一曝光工艺。详细的说，通过第一掩模工艺形成栅图案。通过第二掩模工艺形成栅绝缘层、有源层、欧姆接触层和数据图案。通过第三掩模工艺形成钝化层。并且通过第四掩模工艺形成透明导电层。这里，第二掩模工艺中采用的掩模为诸如狭缝掩模或者半色调掩模的局部曝光掩模。
用于现用的曝光设备的掩模价格昂贵。尤其是，与其他掩模相比，局部曝光掩模尤其昂贵。原因在于要在位于要形成TFT沟道的区域和曝光掩模重叠的区域的狭缝掩模上形成狭缝图案，并且要对半色调掩模进行表面处理以允许50％的光从其中通过。
此外，由于随着掩模变大，制造掩模也越来越困难，掩模制造成本随着LCD尺寸的增加而成几何级数增加，并因此，制造TFT基板和具有该TFT基板的LCD的单位成本也随之增加。
当前的趋势为正在采用大尺寸第一和第二基板以提高生产率并获得大尺寸LCD。但是在这方面，由于曝光设备的技术局限性导致掩模的尺寸并不能适应这种趋势。
因此，采用了分区曝光(dividing and exposing)方法，即将第一和第二基板划分为多个曝光区域，然后通过多次照射进行曝光。这里，照射是指曝光单一曝光区域，并且根据照射的尺寸确定各曝光区域的尺寸。这里将参照图1和2对此进行详细描述。
图1为用于说明根据现有技术的通过多次照射执行曝光工艺的平面图，并且图2为在图1的相邻曝光区域之间产生的缝缺陷的平面图。
参照图1和图2，进行多次照射以在第一基板10上形成TFT阵列14。当正在进行照射时，发生诸如平移、旋转以及扭曲等失真，这会导致每次照射不能准确对准并因此在相邻照射之间，即在相邻曝光区域18a、18b、18c和18d之间产生断续。
因此，在相邻曝光区域18a、18b、18c和18d之间的边缘会产生亮度差异。这里，所述缝缺陷是指相邻曝光区域18a、18b、18c和18d之间的边缘区域在人眼中呈现带状。该缝缺陷导致LCD的图像质量变差。
发明内容
因此，本发明提出了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，其优点在于通过执行采用无掩模曝光设备的曝光工艺提供TFT基板和具有该TFT基板的平板显示装置的生产率并降低制造成本。
本发明提出了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法，其优点在于通过执行采用无掩模曝光设备的曝光工艺防止缝缺陷。
本发明的前述和其他目的、特征、实施例和优点不限于上述的技术方案并且对于熟悉本领域的技术人员来说通过如下详细描述可以使本发明的精神和范围内的修改和改进更加显而易见。
本发明的示例性实施方式提供了一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法，该方法包括在基板上形成要用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及在所述栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和TFT的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成TFT沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。
本发明的另一实施方式提供一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法，该方法包括通过第一工艺在基板上形成栅图案，该栅图案包括栅线、TFT的栅极和公共电极，所述第一工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺；通过第二工艺形成栅绝缘层、有源层和欧姆接触层，以及包括数据线、TFT的源极和漏极的数据图案，所述第二工艺包括采用无掩模曝光设备的两次曝光工艺；通过第三工艺形成钝化层，所述第三工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺；并通过第四工艺形成包括像素电极的透明导电图案，所述第四工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺。
在根据本发明的采用无掩模曝光设备用于制造TFT基板的方法中，在曝光工艺中不必采用价格昂贵的掩模。
因此，可以降低TFT以及具有该TFT的平板显示装置的制造单位成本。此外，由于通过包括两次曝光工艺的第二工艺形成栅绝缘层、有源层和数据图案，因此可以提高TFT以及具有该TFT的平板显示装置的生产率。
而且，要通过采用无掩模曝光设备曝光的相邻的曝光区域重叠，因此可以防止产生缝缺陷。
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并包含在说明书中构成说明书的一部分，附图描述了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1所示为根据现有技术通过多次照射的曝光工艺的平面图；图2所示为在相邻曝光区域之间产生缝缺陷的平面图；图3所示为根据本发明第一实施方式按照采用无掩模曝光设备和随后显影工艺以多级形式形成光刻胶的结构截面图；图4a到4m为根据本发明第一实施方式采用无掩模曝光设备用于制造TFT的方法的连续工艺的截面图；图5所示为根据本发明第二实施方式采用无掩模曝光设备用于制造TFT的方法的平面图；图6所示为用于说明图5的区域‘I’的曝光方法的平面图；图7所示为根据本发明示例性实施方式的无掩模曝光设备的平面图；图8为图7的数字微镜设备的透视图。
具体实施例方式
结合附图通过如下详细说明将使本发明的上述和其他目的、特征、方面和优点更加显而易见。
参照附图详细描述根据本发明的采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管的方法。
图3所示为根据本发明第一实施方式按照采用无掩模曝光设备和随后显影工艺以多级形式形成光刻胶的结构的截面图。
参照图3，在由诸如玻璃或者塑料等材料构成的基板100上形成栅图案，该栅图案包括栅线以及TFT的栅极112和公共电极114。此外，在基板100和栅图案上形成栅绝缘层120、有源层130和欧姆接触层140。在欧姆接触层140上形成数据金属层150，其中该数据金属层150用于形成包括数据线和TFT的源极和漏极的数据图案。在数据金属层上形成在蚀刻数据金属层150时用作掩模的光刻胶200。这里，该光刻胶200可以具有正或负感光性，并且在本发明中，以具有正感光性的光刻胶200作为实施例进行说明。
仅在要形成数据线和TFT的区域(C)形成光刻胶200。原因在于除了要形成数据线和TFT的区域(C)以外，已经通过无掩模曝光设备对区域(D)处的光刻胶200首先进行了曝光。
要形成数据线和TFT的区域(C)处形成的光刻胶200具有多层形式。换句话说，要形成TFT沟道的区域(C1)的光刻胶厚度(T1)小于要形成数据线和TFT的源极和漏极的区域(C2)的厚度(T2)。
这样做的原因在于采用比无掩模曝光设备进行首次曝光的光量小的光量对要形成TFT沟道的区域(C1)的光刻胶200进行第二次曝光。例如，采用无掩模曝光设备进行首次曝光的光量50％的光量对要形成TFT沟道的区域(C1)的光刻胶进行第二次曝光。
图4a到4m为根据本发明第一实施方式采用无掩模曝光设备用于制造TFT方法的连续工艺的截面图。具体地，图4a和4b为表示第一工艺的截面图，图4c到4i为表示第二工艺的截面图，图4j到4k为表示第三工艺的截面图，并且图4l和4m为表示第四工艺的截面图。
为了制造根据本发明第一实施方式采用无掩模曝光设备的TFT基板，首先，如图4a所示，在基板100上形成要形成栅图案的至少一种栅金属层110，然后通过采用无掩模曝光设备在其上执行单一曝光工艺。
详细的说，例如，在基板100上采用诸如铬或者铬合金、铝或者铝合金、钼或者钼合金、银或者银合金、铜或者铜合金、钛或者钛合金、钽或者钽合金等材料形成至少一种栅金属层110。这里，可以通过采用诸如溅射等方法形成栅金属层。
随后，在栅金属层110上形成光刻胶200。这里，为了形成光刻胶200，可以采用旋转涂敷、狭缝涂敷、旋转和狭缝涂敷、无旋转涂敷和印刷方法其中之一。通过采用所述方法其中之一形成光刻胶200。
然后，对于除了要形成栅图案的区域(A)以外的区域(B)的光刻胶进行一次曝光。
随后，通过采用显影剂对该光刻胶200进行显影，然后进行蚀刻以及剥离从而形成如图4b所示的包括栅线、栅极112和公共电极114的栅图案(第一工艺)。
接下来，如图4c所示，在基板100和栅图案上顺序形成栅绝缘层120、有源层130和欧姆接触层140，在这些层上面，在要形成数据图案的区域处以一层或者多层的形式形成数据金属层150，并且在数据金属层150上形成光刻胶200。
详细地说，例如，在基板100和栅图案上采用诸如SiNX、Si0X等无机材料形成至少一层(或者多层)栅绝缘层120。然后，在该栅绝缘层120上采用诸如非晶硅的材料形成有源层130，并且随后在该有源层130上形成诸如由包括n+掺杂的非晶硅材料构成的欧姆接触层140。这里，为了形成栅绝缘层120、有源层130和欧姆接触层140，可以采用诸如化学汽相沉积(CVD)等方法。
此后，采用诸如铬或者铬合金、铝或者铝合金、钼或者钼合金、银或者银合金、铜或者铜合金、钛或者钛合金、钽或者钽合金等材料在欧姆接触层140上形成一层(或者多层)数据金属层150。这里，为了形成数据金属层150，可以采用诸如溅射的方法。可以连续形成栅绝缘层120、有源层130、欧姆接触层140和数据金属层150。
随后，在数据金属层150上形成光刻胶200。
然后，如图4d所示，通过采用非掩模曝光设备对于位于除了要形成数据线和TFT的区域(C)以外的区域(D)的光刻胶200进行一次曝光(第一曝光工艺)。
接下来，如图4e所示，通过采用非掩模曝光设备对于要形成TFT的沟道区域(C1)处的光刻胶200进行一次曝光。这里，采用比第一曝光工艺少的光量进行第二次曝光(第二曝光工艺)。
此后，如图4f所示，通过采用显影剂对该光刻胶200进行显影以使该光刻胶200具有多层。
并且，如图4g所示，一起蚀刻数据金属层150、欧姆接触层140和有源层130从而暴露在除了要形成数据线和TFT的区域(C)以外的区域(D)的栅绝缘层120。
然后，如图4h所示，通过灰化工艺去除位于要形成TFT的沟道区域(C1)处的光刻胶。这里，可以局部去除要形成数据线和TFT的源极和漏极的区域(C2)的光刻胶200。
随后，如图4i所示，在蚀刻并剥离位于要形成TFT的沟道区域(C1)的数据金属层150和欧姆接触层140时，形成包括数据线152、源极154和漏极156的数据图案。因此，形成TFT的沟道CH并暴露已经形成有TFT的沟道CH的区域(C1)的有源层130(第二工艺)。
此后，如图4j所示，形成钝化层160以覆盖数据图案、有源层130和栅绝缘层120，在该钝化层上通过使用无掩模曝光工艺执行单一曝光工艺。
详细地说，例如，采用具有负光敏特性的丙烯基材料形成钝化层160以覆盖数据图案、有源层130和栅绝缘层120。这里，为了形成钝化层160，可以采用旋转涂敷、狭缝涂敷、旋转和狭缝涂敷、无旋转涂敷和印刷方法其中之一。可选地，除了负光敏特性的有机材料以外，还可以采用正光敏特性的有机材料。或者，还可以采用诸如SiNx或者SiOx的无机材料替代有机材料而将钝化层160形成为一层或者多层。可选地，可以通过混合有机材料和无机材料而将钝化层160形成为一层或者多层。
此后，在位于除了要形成暴露部分漏极156的接触孔区域(E)以外的区域(F)通过采用无掩模曝光设备对钝化层160进行曝光一次。
然后，如图4k所示，对钝化层160进行显影以形成接触孔162和钝化层160(第三工艺)。
随后，如图4l所示，在钝化层160和通过接触孔162暴露的漏极156上形成要形成透明导电图案的透明导电层170。并且在透明导电层170上形成光刻胶200，通过采用无掩模曝光设备在光刻胶200上执行一次曝光工艺。
具体地，例如，采用诸如ITO或者IZO的材料在钝化层160和通过接触孔162暴露的漏极156上形成透明导电层170。这里，可以采用溅射方法形成透明导电层170。
然后，通过采用无掩模曝光设备对于位于除了要形成透明导电图案的区域(G)以外的区域(H)的光刻胶200进行一次曝光。
随后，如图4m所示，通过显影剂对光刻胶200进行显影然后进行蚀刻和剥离以形成包括像素电极172的透明导电图案(第四工艺)。
图5所示为根据本发明第二实施方式采用无掩模曝光设备用于制造TFT的方法的平面图，并且图6所示为用于说明图5的区域‘I’曝光方法的平面图，参照图5和图6，在基板100上形成用于通过第一工艺形成栅图案、通过第二工艺形成栅绝缘层120、有源层130、欧姆接触层140和数据图案并且通过第四工艺形成透明导电图案其中之一的光刻胶，将基板100划分为多个曝光区域180a、180b、180c和180d。或者，在基板100上形成钝化层160。这里，为了对光刻胶200或者钝化层160曝光，采用无掩模曝光设备。
为了避免在划分为多个曝光区域180a、180b、180c和180d的基板上曝光光刻胶200或者钝化层160时可能产生的缝缺陷，将相邻的曝光区域180a、180b、180c和180d相互重叠的区域设计为垒高拼装(lego)图案L1和L2。这里，垒高拼装图案L1和L2是指在彼此重叠时可以作为整体具有连续性的拼案。
例如，对于曝光区域180a和180b重叠的区域(I)，在曝光区域180a处形成垒高拼装图案L1并在曝光区域180b处形成垒高拼装图案L2。然后，在曝光工艺期间通过采用无掩模曝光设备使垒高拼装图案L1和L2重叠从而具有连续性，因此防止产生缝缺陷。
图7所示为根据本发明示例性实施方式的无掩模曝光设备的平面图，并且图8为图7的数字微镜设备的透视图。
参照图7，根据本发明示例性实施方式的无掩模曝光设备300包括工作台310、光源单元320、光收集单元330、图像形成单元340和数字微镜设备(DMD)350。
工作台310可以形成为沿导轨移动。基板100真空吸附在工作台310上。这里，为了通过第一工艺形成栅图案、通过第二工艺形成栅绝缘层120、有源层130、欧姆接触层140和数据图案并且通过第四工艺形成透明导电图案其中之一，在基板100上已经形成有光刻胶200或者钝化层160。以下，将采用在基板100上形成光刻胶200的情况作为实施例进行说明。
光源单元320包括至少一用于发光的灯。这里，灯具有光学光纤阵列。
光收集单元330包括用于收集来自光源单元320发出的光的透镜331，在经过透镜331的光的光路上形成的棒状光学合成器(integrator)334，以及与透镜331相对设置的透镜332，其中所述棒状光学合成器334设置于两透镜之间。
图像形成单元340包括包含透镜341和342的第一图像形成光学系统、包括透镜343和344的第二图像形成光学系统以及位于第一和第二图像形成光学系统之间的微镜阵列346和掩模板348。
如图8所示，DMD 350包括微镜351和352以及形成在微镜351和352下侧的存储器单元358。
微镜351和352分别形成单一像素。该微镜351和352可以按照栅(栅格)形状排列。例如，将1024×768个微镜以栅格形状排列。这里，微镜351和352在垂直方向和水平方向的排列间距为几微米到几十微米。
微镜351和352分别反射从光源单元320发射的光，为此分别在微镜351和352的各表面上形成具有高反射率的材料，诸如铝。这里，该反射率可以达到90％或者更多。
通过分别形成在其下侧的包括枢轴354和卡箍356的支架来支撑微镜351和352。该微镜351和352可以分别围绕对角线相对于存储器单元358在±α°，即，±10°的范围内移动。通过施加存储在存储器单元358中的曝光数据来控制该微镜351和352的移动。
详细地说，例如，当微镜351根据施加于其上的曝光数据开启时，其相对于存储器单元358呈+α°角移动，并且随着微镜351反射光，光照射到光刻胶200上。
这样，可以控制微镜351的开启时间来控制曝光量，但是，本发明并不限于此。例如，可以缩短微镜351的开启时间以减少曝光量，或者可以延长微镜351的开启时间以增加曝光量。
当微镜352根据施加于其上的曝光数据关闭时，其相对于存储器单元358呈-α°角移动，并且由于关闭了微镜352而没有光照射到光刻胶200上。即，通过光吸收单元吸收由关闭的微镜352反射的光。
存储器单元358存储曝光数据。例如，该存储器单元358可以是CMOS。
存储在存储器单元358中的曝光数据为用于控制各微镜351和352运动的数据。随着通过曝光数据控制微镜351和352的运动，通过受控的微镜351和352执行曝光工艺和随后的显影工艺使得光刻胶200具有所需的图案。这里，例如，曝光数据可以是例如用于通过第一工艺形成栅图案、通过第二工艺形成栅绝缘层120、有源层130、欧姆接触层140和数据图案以及通过第四工艺形成透明导电图案的数据。此外，曝光数据可以是对应于垒高拼装图案L1和L2的数据。
现在将对于如上所述构造的无掩模曝光设备300的操作进行说明。首先，来自光源单元320的光经过透镜331从而被收集到棒状光学合成器334中。光在棒状光学合成器334中行进并实现全反射。此时，转变光的方向使其与棒状光学合成器334的纵向平行并且光的截面强度变得很均匀。随后，光经过透镜332，通过镜面360反射然后经过全反射棱镜370照射在DMD 350上。
当将存储在DMD 350的存储器单元358中的曝光数据施加到微镜351和352时，微镜351和352分别围绕对角线相对于存储器单元358呈±α°范围倾斜。此时，已经通过全反射棱镜370照射在DMD 350上的光通过微镜351和352相对于存储器单元358呈±α°范围被反射。
通过光吸收单元吸收由微镜351反射的光，其中该微镜351相对于存储器单元358呈-α°倾斜，同时通过微镜352反射的光沿第一图像形成光学系统的方向前进，其中所述微镜352相对于存储器单元358呈+α°倾斜。
通过第一图像形成光学系统将已经通过DMD 350进入第一图像形成光学系统的光放大几倍，然后成像到微透镜阵列346上。在从成像到微透镜阵列346上的光中去除微弱的光以后，使其进入第二图像形成光学系统。第二图像形成光学系统将已经经过微镜阵列346以后到来的光放大几倍。
然后，通过移动位于第二图像形成光学系统和基板100之间的棱镜对380控制光的焦点。随后，将受控焦点的光照射在基板100的所有曝光区域180a、180b、180c和180d中的局部曝光区域180a、180b、180c和180d的光刻胶200上。
随后，随着工作台310的移动，以光扫描位于基板100上的光刻胶的方式将光顺序照射在所有曝光区域180a、180b、180c和180d的光刻胶200上。
通过一系列如上所述的扫描工艺，可以对基板100上的光刻胶进行一次曝光。这样，通过增加扫描的次数，在显影以后，光刻胶可以形成为多层。
为了描述和说明目的，提供了对于本发明优选实施方式的上述描述，并且本发明不希望穷尽于或者限制于所述公开的简单形式，根据上述的启示或者从实施本发明的过程中可以对本发明进行改进和变形。
因此，应该认识到本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明希望覆盖包括在本发明所附权利要求书的精神和范围内的各种变形和等效结构。
权利要求
1.一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将其上形成有所述数据金属层的基板划分为多个曝光区域，并且所述多个曝光区域中相邻曝光区域以垒高拼装图案的形状彼此重叠并且进行曝光。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当显影所述光刻胶时，要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶厚度小于要形成薄膜晶体管的源极和漏极区域的光刻胶厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用数字微镜设备作为所述第一次和第二次曝光工艺中的无掩模曝光设备以执行无掩模曝光。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述数字微镜设备包括存储器单元，用来存储用于第一次和第二次曝光光刻胶的曝光数据；以及微镜，根据施加的曝光数据控制该微镜的开启和关闭。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将所述基板分为多个曝光区域，并且所述曝光数据包括对应于将多个曝光区域中彼此重叠的相邻曝光区域结合为整体的垒高拼装图案的数据。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一次和第二次曝光工艺中，在向微镜施加曝光数据时，采用通过所述开启的微镜反射的光。
8.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，在第二次曝光中对于曝光量的微镜开启时间比第一次曝光工艺微镜开启的时间要短。
9.一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括通过第一工艺在基板上形成栅图案，该栅图案包括栅线、薄膜晶体管的栅极和公共电极，所述第一工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺；通过第二工艺形成栅绝缘层、有源层和欧姆接触层以及包括数据线、薄膜晶体管的源极和漏极的数据图案，所述第二工艺包括采用无掩模曝光设备的两次曝光工艺；通过第三工艺形成钝化层，所述第三工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺；并且通过第四工艺形成包括像素电极的透明导电图案，所述第四工艺包括采用无掩模曝光设备的单一曝光工艺。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，将其上形成有所述数据金属层的基板划分为多个曝光区域，并且所述多个曝光区域中相邻曝光区域以垒高拼装图案的形式彼此重叠并且进行曝光。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述两次曝光工艺中的每次分别采用不同的曝光量。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述两次曝光工艺包括通过采用无掩模曝光设备对于位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶执行第一次曝光；通过采用无掩模曝光设备对位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶执行第二次曝光，该第二次曝光所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述无掩模曝光设备通过采用电子微镜设备执行无掩模曝光。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电子微镜设备包括存储器单元，用来存储用于第一次和第二次曝光光刻胶的曝光数据；以及微镜，根据施加的曝光数据控制该微镜的开启和关闭。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，将所述基板划分为多个曝光区域，并且所述曝光数据包括对应于将多个曝光区域中彼此重叠的相邻曝光区域结合为整体的垒高拼装图案的数据。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述曝光工艺中，在向微镜施加曝光数据时，采用通过所述开启的微镜反射的光。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述第二次曝光中对于曝光量的微镜开启时间比第一次曝光工艺中微镜开启的时间短。
全文摘要
本发明公开了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)的方法。一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法包括在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。
文档编号G03F7/00GK101078883SQ200610145450
公开日2007年11月28日 申请日期2006年11月15日 优先权日2006年5月25日
发明者池映承, 康秀赫, 金正五 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社