专利名称：液晶显示设备及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示设备及其制造方法，尤其涉及一种半透射反射型液晶显示设备(之后称作半透射反射型LCD设备)及其制造方法。
背景技术：
半透射反射型LCD设备越来越多地用于装配在诸如新近的便携式电话、数码摄像机和数码照相机等移动设备上的显示器或显示单元。这是因为用于膝上型计算机的显示器和桌上型计算机的监视器的常用透射型液晶显示设备具有下列缺点。具体地说，在透射型LCD设备的情形中，由于光在LCD设备表面上的反射，很难在强太阳光下的位置处观看显示器。
作为光源，在户内使用背光，在户外使用环境光，诸如太阳光。因而，对于半透射反射型LCD设备，在任何地方都可获得良好的显示性能。此外，因为半透射反射型LCD设备中的功率消耗较小，所以该设备最适于用作移动设备和照相机的显示器。
新近的移动设备，尤其是便携式电话等不仅具有电话功能，而且还可作为数码照相机和作为允许用户观看TV的设备。在这些应用中，除肖像模式之外，LCD设备更加频繁地用在风景模式中。在这种情形中，当LCD设备的视角(视野)窄时，肖像模式和风景模式之间的显示质量差别非常显著。结果，在风景模式中LCD设备的性能下降。因而，对具有宽视角的小型LCD设备的需求增加了。
下面将描述用于制造具有宽视角的半透射反射型LCD设备的一些方法。一般地，具有扭曲向列型(TN型)液晶材料的LCD设备具有窄视角。由于该原因，经常使用光学补偿膜作为增加视角的方法。在该方法中，尽管一定程度地增加了水平方向上的视角，但在垂直方向上的视角增加是有限的。结果，在该LCD设备中，在肖像模式中的视角和在风景模式中的视角彼此不同。这在使用时固定的显示设备，诸如监视器的情形中是没有问题的。然而，在用在肖像模式和风景模式中的移动设备的情形中，对于使用光学补偿膜的TN型LCD设备，LCD设备的性能会降低。结果，近年来，具有负介电各向异性的液晶材料的垂直取向液晶显示设备(VA-LCD设备)越来越多地用于移动设备。在VA-LCD设备的情形中，当不施加电压时，液晶分子(LC分子)垂直于玻璃基板取向。当施加电压时，LC分子根据电压值倾斜，那么LC分子显示出光学各向异性。然而，当不调节LC分子时，LC分子倾斜的方向不固定。由于该原因，必须调节LC分子的倾斜方向。当调节所述方向时，通过使用使LC分子在所有方向上都均匀倾斜的多畴取向方法可获得宽视角特性。LC分子的取向通常分为两个或四个方向。
在通常的LC分子的多畴取向方法中，彼此面对的基板之间的每条电通量线变形，从而控制LC分子的倾斜方向。存在两种使基板之间的电通量线变形并由此控制LC分子倾斜方向的方法。在一种方法中，由有机绝缘膜等形成凸起。在另一种方法中，给像素电极设置狭缝。在日本专利申请未决公开公布No.H-11-242225(之后称作专利文献1)中公开了由有机绝缘膜等形成凸起的方法的例子。在日本专利申请未决公开公布No.2004-069767(之后称作专利文献2)中公开了给像素电极设置狭缝的方法的例子。上述专利文献1和2可单独使用或组合使用。使用凸起的LC分子的多畴取向的制造成本高于使用电极狭缝的制造成本，因为需要使用有机绝缘膜来形成凸起。因此，在许多情形中，给形成LCD设备的一对基板之一设置凸起，并给另一个基板中的像素设置狭缝。与使用TN型LC的情形相比，使用任何一种方法都增加了制造VA-LCD设备的工序数，由此增加了VA-LCD的制造成本。
日本专利申请未决公开公布No.2003-287754(之后称作专利文献3)等中提出了对于LC分子的多畴取向既不使用凸起也不使用狭缝的例子。该专利文献3公开了下述方法，其中使用形成得比面对像素电极的公共电极小且形成为相当对称的形状的像素电极来获得LC分子的多畴取向。然而，存在一个问题，即LC分子的取向不稳定，因为LC分子的每一个多畴的中心点不固定。
此外，在半透射反射型LCD设备中，不仅在VA型LCD设备情形中，而且在其他类型的情形中，获得最佳光学特性的条件(迟滞值)在透射和反射区之间是不同的。由于该原因，如日本专利申请未决公开公布No.H-11-242226(之后称作专利文献4)中所述，需要使用多间隙结构，其中透射区中液晶层厚度与反射区的不同。此外，为了获得半透射反射型LCD设备的良好的反射性能，需要用不平坦的表面形成反射电极，用于获得漫反射特性。为了形成不平坦的表面，通常使用光敏有机膜。前述专利文件4公开了下述方法，其中用于形成不平坦表面的有机膜还用作用于调整LC层厚度的调整层，用于形成多间隙结构。
如上所述，在VA型半透射反射型LCD设备中的一对基板之一中，需要形成三个元件，即用于调整LC层厚度的调整层、具有不平坦表面的反射电极、和用于LC分子的多畴取向的凸起和像素狭缝的任何一个。日本专利申请未决公开公布No.2004-246328(之后称作专利文献5)公开了同时形成凸起和具有用于漫反射的不平坦表面的有机绝缘膜的方法。这里，凸起用于获得LC分子的多分割取向。然而，在专利文献5的方法中，为了单独形成LC层厚度的调整层，有机绝缘膜需要形成两次。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种解决现有技术中上述问题的半透射反射型LCD设备。
本发明的半透射反射型LCD设备包括反射区中的不平坦层和不平坦层上的反射电极。这里，不平坦层由有机膜材料形成。透射区设置有由有机膜材料形成的且用于在空间上将LC层中的LC分子的取向分为多个畴的凸起。在本发明的半透射反射型LCD设备中，反射区的不平坦层和透射区的凸起都由有机膜材料形成。该有机膜材料由光敏有机膜形成。反射区的不平坦层的特征在于其还可用作LC层厚度调整层，其使反射区的LC层的厚度与透射区的LC层的厚度彼此不同。在本发明的半透射反射型LCD设备中，使用具有负介电各向异性的LC作为LC层。
在本发明的半透射反射型LCD设备中，可在像素电极上面或下面设置凸起。在本发明的半透射反射型LCD设备中，不平坦层的高度和凸起的高度可形成为彼此不同。顺便说一句，可使反射区中的不平坦层高于透射区中的凸起。
在本发明的半透射反射型LCD设备中，透射区的透射电极和反射区的反射电极如下形成。具体地说，在绝缘基板上形成由透明膜制成的透射电极之后，在绝缘基板上形成光敏有机膜。此外，使用光掩模，将光敏有机膜曝光，然后显影。然后，在绝缘基板上的反射区和透射区各区域中，同时形成由光敏有机膜形成的不平坦层和凸起。在不平坦层上形成由光反射膜制成的反射电极。通过控制估计曝光量来调整不平坦层的高度和凸起的高度。顺便说一句，在使用光敏有机膜形成不平坦层和凸起之后，可在包括凸起的透射区的区域中形成透射电极。
在本发明的半透射反射型LCD设备中，以与使用具有正介电各向异性的TN型LC的常规半透射反射型LCD设备相同的制造工序，同时形成用于垂直取向液晶材料的多畴取向的凸起、和反射区的不平坦层，该不平坦层还用作LC层厚度调整层。因此，本发明可获得具有宽视角和高对比度的低成本的半透射反射型LCD设备。
当结合附图时，本发明上面和其他的目的、特征和优点将从下面的详细描述而变得更加显而易见，其中图1A到1G是图解制造根据本发明的第一个实施例的LCD设备的工序的横截面图；图2是根据本发明的第一个实施例的LCD设备的横截面图；图3是根据本发明的第一个实施例的LCD设备的像素的平面图；图4A和4B是沿图3的线I-I的横截面图，并是图解根据本发明的第一个实施例的LCD设备的操作的视图；图5A到5F是图解制造根据本发明的第二个实施例的LCD设备的工序的纵向横截面图；图6A到6B是图解根据本发明的第二个实施例的LCD设备的操作的横截面图；图7是根据本发明的第三个实施例的LCD设备的横截面图；图8是根据本发明的第三个实施例的LCD设备的平面图；和图9是沿图8的线II-II的横截面图，并且是图解根据本发明的第三个实施例的LCD设备操作的视图。
具体实施例方式
下面将参照图1A到1G描述本发明的LCD设备的实施例。首先，通过溅射在玻璃基板11上形成铬(Cr)膜。通过将该Cr膜构图，形成用于切换像素的薄膜晶体管(TFT)的栅极电极12、和扫描线(没有示出)(图1A)。
之后，通过化学气相沉积(CVD)方法，在玻璃基板11的整个表面上形成氮化硅(SiNx)膜作为栅绝缘膜13。接着，通过CVD方法形成无定形硅(a-Si)膜作为半导体膜，并形成磷掺杂的无定形硅(n+a-Si)膜作为欧姆接触膜。然后，通过光刻将a-Si膜和n+a-Si膜构图为岛形，从而形成半导体膜14。随后，通过溅射形成Cr膜，并将其构图，从而形成TFT的源极电极15B、漏极电极15A和信号线(没有示出)(图1B)。然后，在去除了保留在源极电极15B与漏极电极15A之间的n+a-Si膜之后，通过CVD方法形成SiNx膜作为钝化膜16。
之后，在钝化膜16上形成接触孔17。通过使用氧化铟锡(ITO)膜形成透射电极18。ITO膜通过溅射来形成。透射电极18通过接触孔17与源极电极15B电连接(图1C)。接下来，通过旋涂方法在玻璃基板11整个表面上形成正型光敏丙烯酸树脂作为有机膜19(图1D)。然后，使用光掩模30进行曝光(图1E)。顺便说一句，图1E的一部分光掩模30上所示的箭头象征性地表示透射过光掩模30的光量。
随后，通过进行显影工序和热处理，同时形成用于获得漫反射特性的不平坦层20和用于LC分子的多畴取向的凸起21(图1F)。此时，完成LC设备之后的透射区1的LC层的厚度被设为大约是反射区2的LC层的厚度的两倍。由于该原因，如此调整不平坦层20距基板表面的高度，使得在透射部分1和反射部分2的LC层之间存在厚度差。通过选择涂布丙烯酸树脂的适当厚度和曝光的适当量来调整不平坦层20距基板表面的高度。此外，尽管同时形成的凸起21不需要与LC层厚度调整层一样高，但凸起21的曝光量被设置为大于不平坦层20的曝光量，因为凸起21由与不平坦层20相同材料的光敏丙烯酸树脂形成。结果，凸起21能够形成为比不平坦层20低。
之后，在不平坦层20和凸起21上分别形成由铝(Al)膜、钼(Mo)膜等形成的层叠膜构成的电极膜22A和22B(图1G)。此时，透射电极18和电极膜22A部分地彼此重叠，并彼此电连接。不平坦层20上的电极膜22A用作反射区中的反射电极。顺便说一句，Al膜和Mo膜通过溅射来形成。作为电极膜22A和22B的材料，代替每个都由Al膜和Mo膜形成的层叠膜，可使用银(Ag)等。电极膜22A和22B可由超过两层的层叠膜形成。Al和Mo每一个都可以是与其他金属形成的合金。电极膜22A可由诸如Al或Ag的单一层形成。
随后，在TFT基板10上形成由聚酰亚胺树脂形成的取向膜43A。之后，使用控制基板之间的距离的间隔器(没有示出)，将CF基板40和TFT基板10重叠，其中CF基板包括滤色器(CF)42并也相似地施加了取向膜43B。然后，在这些基板之间填充液晶材料，并用密封剂将它们密封在其中。由此，形成了LC层60，如此完成了LCD设备100(图2)。
在用于图1E中所示有机膜19的曝光的光掩模30上，在对应于不平坦层20的凸部的区域中形成不透明膜32。然后，在光掩模30上，在对应于凹部的区域和对应于凸起21的区域中分别形成半透明膜31。在许多情形中，半透明膜31主要由下述任意一种半透明膜形成，所述半透明膜包括由Cr等形成的薄金属膜、由钨(W)或Mo形成的硅化物膜、金属氧化物膜等。通过选择半透明膜31的适当光透射率和曝光量，可将不平坦层20距基板表面的高度和凸起21距基板表面的高度设置为理想的值。通过在光掩模30的下述两个各自区域中将半透明膜的光透射率设置为不同的值，可包含更多种处理条件。具体地说，所述区域之一对应于不平坦层20，另一个区域对应于凸起21。例如，当将对应于凸起的区域中的半透明膜的透射率设为高于对应于不平坦层的区域中的半透明膜的透射率时，使用相同的曝光量可使凸起21低于不平坦层20。
顺便说一句，尽管使用正型光敏丙烯酸树脂作为有机膜19材料的例子，但还可使用由酚醛清漆树脂等形成的不透明有机膜、或除该不透明有机膜之外的其他有机膜。此外，有机膜19的材料可以是负型光敏树脂。
此外，代替半透明膜31，可使用比曝光设备的分辨率极限小的图案。例如，在曝光设备的分辨率极限为3μm的情形中，通过给光掩模设置具有1μm尺寸的格子或线条/间隙(lines/spaces)、或者通过布置具有1μm尺寸的点，可获得与半透明膜相同的效果。与使用半透明膜的半色调掩模相比，该方法一般称作灰度色调。通过选择线条/间隙的适当宽度和空间的宽度、或者点的尺寸及其间的间隔，灰度色调掩模可控制光透射率。灰度色调掩模具有减小其制造成本的优点，因为灰度色调掩模比半色调掩模需要较少的工序。此外在使用灰度色调掩模的情形中，通过改变对应于不平坦层20的区域和对应于凸起21的区域的灰度色调掩模的两个区域的光透射率，可控制不平坦层的高度和凸起的高度。
接下来，将参照图3、4A和4B描述本发明的LC分子的多畴取向的效果。参照图3。像素包括反射区1和透射区2。在反射区的不平坦层20上形成有电极膜22A，在透射区中形成有透射电极18。电极膜22A和透射电极18彼此电连接。透射电极18具有按下述方式形成的形状，即相对对称的形状彼此连接。在图3的例子中，该形状如此形式，即两个正方形彼此连接。在每个正方形的大致中心中，形成相应一个凸起21。每个凸起21都具有正方锥的形状，LC分子51沿着其各表面取向。在图3所示的例子中，LC分子51在图的上、下、右和左的四个方向上取向。作为除了图3中所示之外的其他例子，可以如此布置凸起21，即其正方锥形状旋转45度角。在该情形中，尽管视角加宽的方向旋转了45度，但可根据所需的视角方向，选择视角的适当方向和尺寸。凸起21的形状可为球体。在该情形中，LC分子沿球体的整个表面均匀取向。
图4A是显示没有施加电压的LC分子的取向状态的视图。图4B是显示在透射电极18和公共电极48之间形成电压的情形中LC分子的取向状态的视图。在图4A和4B中，与图1中所示相同的参考标号表示与图1中相同的元件或组件。图4A和4B的参考标号15表示信号线。通常地，在CF基板40中给每个像素设置有CF 42。这里，CF 42形成在玻璃基板41上，并通过使用三种彩色光阻层(color resist)来形成，其中红色、蓝色和绿色的光波分别透射通过所述三种彩色光阻层。在CF 42上，设置作为公共电极48的ITO膜。在TFT基板10和CF基板40的各自表面上，形成有用于垂直取向的取向膜43A和43B。作为取向膜43A和43B的材料，可使用聚酰亚胺树脂。在两个基板之间插入具有负介电各向异性的LC层60。图4A和4B的参考标号51示意性地表示LC分子。当没有形成电压时(图4A)，LC分子51垂直于取向膜43A和43B的表面而取向。因此，在透射电极18和公共电极48的各个平坦部分中，LC分子51垂直于基板取向。然而，因为在凸起21部分中的LC分子51垂直于倾斜的表面而取向，所以LC分子51以如此方式取向，即它们相对于基板11的表面倾斜。当在透射电极18和公共电极48之间形成电压时，由于透射电极18和凸起21的边缘效应，产生了电通量线52，如图4B中所示。因为LC分子51易于以其纵向方向垂直于电通量线的方式取向，所以LC分子51如图4B中所示倾斜。因此，如图3中所示，正方锥形状的凸起21可将LC分子51的状态调节为LC分子在四个方向上取向的状态。这是因为LC分子51与正方锥的四个表面对齐。此时，因为透射电极18具有对称形状，诸如图3中所示的正方形，且因为公共电极48大于透射电极18，所以使得电通量线52沿着透射电极18的四个边彼此对称。由此，在上面的情形中，LC分子在四个方向上取向。通过使凸起21的表面和透射电极48的各个边彼此相对应，LC分子在四个方向上稳定地取向。这里，在不设置凸起21的情形中，LC分子的取向不稳定，因为分割畴的中心不固定。在本实施例中，给透射电极18的中心设置凸起21提供了下述效果，即便于LC分子在四个方向上取向，并通过固定分割畴的中心而稳定了LC分子的取向。
如上所述，描述了透射区2。同时，在反射区1上形成不平坦层20。因而，每个凸部都具有与透射区2的凸起21相同的功能，从而LC分子在不同的方向上取向。因此，不必与透射区2一样给反射区1设置凸起。然而，为了稳定LC分子51的取向，可以在朝向电极膜22A的公共电极中形成狭缝，从而达到使LC分子51取向的目的。
将用特定值描述不平坦层20的高度和凸起21的高度。透射区中LC层的厚度定义为没有形成凸起21的区域中的透射电极18上的取向膜43A与在CF基板40的公共电极48上的取向膜43B之间的平均距离。反射区中LC层的厚度定义为形成在不平坦层20上的电极膜22A表面上的取向膜43A，与CF基板40的公共电极48上的取向膜43B之间的平均距离。此外，不平坦层20的高度和凸起21的高度分别定义为距钝化膜16表面的平均高度。
在透射区2的LC层的厚度设为4μm的情形中，反射区1的LC层的厚度是透射区2的厚度的一半，即2μm。由于该原因，还用作LC层厚度调整层的不平坦层20的厚度需要为2μm。相反，用于进行多畴取向的凸起21的高度为1μm或更小就足够了。然而，当凸起21的高度为2μm时，即与不平坦层20是相同的高度，凸起21的倾斜表面与基板11的表面所成的角度(之后称作倾斜角)较大。结果，LC分子的取向变得不稳定。此外，当凸起21的高度保持为2μm时，如果倾斜角减小，则凸起21的底表面面积不可避免地增加。然而，当如图4A中所示没有形成电压时，在凸起21的部分中，LC分子51与基板表面倾斜地取向。由于该原因，发生双折射，在黑状态下光会泄漏。结果，对比度系数(之后称作对比度)减小。因此，在凸起21上，形成电极膜22B作为遮光膜，其中电极膜22B由与电极膜22A相同的金属膜形成。然而，由于金属膜形成的电极膜22B，透射率在白状态时减小。因而，理想的是，在LC分子在多畴取向时不发生问题的范围内，凸起21形成得低且小。因而，考虑到将不平坦层20的高度固定从而不平坦层20还可用作LC层厚度调整层的事实，凸起21的高度需要变化。
接下来，将参照图5A到5F描述第二个实施例。在玻璃基板11上，由Cr膜形成TFT的栅极电极12和扫描线(没有示出)(图5A)。Cr膜通过溅射形成。然后，通过CVD方法形成SiNx膜作为栅绝缘膜13。随后，通过CVD方法，形成a-Si膜作为半导体膜，形成n+a-Si膜作为欧姆连接层。通过光刻将a-Si膜和n+a-Si膜构图成岛形，从而形成半导体膜14。之后，通过溅射将Cr膜构图，从而形成TFT的源极电极15B和漏极电极15A、以及信号线(没有示出)(图5B)。
然后，去除保留在源极电极15B与漏极电极15A之间的n+a-Si膜。之后，形成SiNx膜作为钝化膜16。随后，在基板的整个表面上形成具有正型光敏特性的丙烯酸树脂作为有机膜19(图5C)。之后，将有机膜19曝光，然后显影。通过对有机膜19进行热处理，形成不平坦层20、凸起21和接触孔17。不平坦层20用于获得漫反射特性。凸起21用于对LC分子进行多畴取向。接触孔17穿透不平坦层20。此外，通过干蚀刻方法形成穿透钝化膜16的接触孔17(图5D)。然后，通过溅射形成ITO膜作为透射电极18(图5E)。
接下来，在不平坦层20上形成由层叠膜构成的反射电极22，所述层叠膜由Al膜和Mo膜形成。Al膜和Mo膜通过溅射形成。反射电极22通过接触孔17与源极电极15B电连接。透射电极18与反射电极22电连接(图5F)。
图6A显示了在没有形成电压的情形中LC分子的取向。图6B显示了在透射电极18与公共电极48之间形成电压的情形中LC分子的取向。尽管本发明的LCD设备的操作和效果与第一个实施例中的相同，但本实施例与第一个实施例不同在于，本实施例的凸起21形成在透射电极18下面。如图6A中所示，因为即使当没有形成电压时LC分子51也在凸起21周围以倾斜状态取向，所以发生双折射。结果，在黑状态下光会泄漏，这使对比度减小。因而，与第一个实施例中一样，通过用金属膜遮蔽凸起21可阻止透射率的减小。然而，因为在白状态下光穿过的部分的面积(孔径比)减小，所以透射率减小。由于该原因，LCD设备的亮度减小。因此，根据亮度和对比度哪一个优先来确定是否附加遮光膜。
在给本发明的第二个实施例的结构的凸起21设置遮光膜的情形中，在形成栅极电极12或源极电极(漏极电极)时通过留下Cr膜形成遮光膜。这里，Cr膜的材料与栅极电极12或源极电极的材料相同。顺便说一句，在形成反射电极22时通过在凸起21上留下由Al膜和Mo膜形成的层叠膜也可形成遮光膜。这里，Al膜的材料和Mo膜的材料与反射电极22的材料相同。
接下来，将参照图7描述根据本发明的第三个实施例的LCD设备。在本实施例中，在透射电极18上形成凸起21。此外，在凸起21上不形成反射电极。尽管图7中没有形成，但如本发明的第二个实施例中所述，可给凸起21的下层、或给CF基板设置遮光膜。
在本发明的第三个实施例中，凸起21形成为肋状形状，如图8中所示。此外，如图9中所示，还给CF基板设置凸起44。因此，使用分别在TFT基板10和CF基板40这两个基板上的凸起，可使LC分子在不同的方向上取向。顺便说一句，在本实施例中，因为凸起21设置在透射电极18上，所以电通量线弯曲与第一和第二个实施例中的不同。由此，尽管多畴取向方法与第一和第二个实施例中的实质上相同，但LC分子51如何倾斜也是不同的。此外，本实施例的凸起21和不平坦层20能够以与本发明的第一个实施例相同的方式形成。顺便说一句，参考标号44表示的虚线指示布置凸起44的位置。这里，给面对TFT基板10的CF基板设置凸起44。
尽管结合一定优选实施例描述了本发明，但应当理解，本发明包含的主题不限于这些具体的实施例。相反，本发明的主题包括落在权利要求的精神和范围内的所有可选方案、修改和等价方案。
权利要求
1.一种液晶显示设备，包括第一基板；面对第一基板的第二基板；和夹在第一基板和第二基板之间的液晶层，其中给像素设置反射区和透射区，像素具有由设置在第一基板上的反射区的反射电极和透射区的透射电极组成的像素电极，反射电极形成在由有机膜制成的不平坦层上，透射区包括由与不平坦层相同的有机膜材料形成的凸起，从而使液晶层中液晶分子的取向在空间上被分为多个畴；其中反射区中液晶层的厚度和透射区中液晶层的厚度彼此不同，其中反射区的不平坦层还用作液晶层厚度调整层，从而使反射区中液晶层的厚度和透射区中液晶层的厚度彼此不同。
2.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中液晶层由具有负介电各向异性的液晶形成。
3.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中凸起布置在透射电极的下面。
4.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中凸起布置在透射电极上。
5.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中不平坦层的高度和凸起的高度彼此不同。
6.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中不平坦层的高度高于凸起的高度。
7.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中反射区的液晶层的厚度大约是透射区的厚度的一半。
8.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中凸起具有半球形和正方锥中的一种形状。
9.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中有机膜材料由光敏有机膜形成。
10.根据权利要求1所述的液晶显示设备，其中透射电极具有对称形状彼此连接的形状。
11.一种制造根据权利要求1所述的液晶显示设备的方法，该方法包括在第一基板上形成由透射导电膜制成的透射电极；在第一基板上形成光敏有机膜；在通过使用光掩模曝光之后将光敏有机膜显影，由此分别在基板上的反射区的区域中和透射区的区域中同时形成由光敏有机膜形成的不平坦层和凸起；和在不平坦层上形成由金属膜制成的反射电极。
12.根据权利要求11所述的制造液晶显示设备的方法，其中通过分别将不平坦层和凸起曝光不同的积累光量，将不平坦层和凸起形成为具有彼此不同的高度。
13.根据权利要求11所述的制造液晶显示设备的方法，其中光掩模的一部分包括半透明膜。
14.根据权利要求11所述的制造液晶显示设备的方法，其中对应于不平坦层的光掩模的一部分半透明膜的光透射率与对应于凸起的其另一部分的光透射率不同。
15.根据权利要求11所述的制造液晶显示设备的方法，其中光掩模的一部分包括具有图案宽度小于曝光的分辨率极限的掩模图案。
16.根据权利要求11所述的制造液晶显示设备的方法，其中，在不平坦层上形成金属膜时，在凸起上同时形成与不平坦层上的金属膜相同材料的金属膜。
17.一种制造根据权利要求1所述的液晶显示设备的方法，该方法包括在第一基板上形成光敏有机膜；在通过使用光掩模曝光之后将光敏有机膜显影，由此分别在第一基板上的反射区的区域中和透射区的区域中同时形成由光敏有机膜形成的不平坦层和凸起；在透射区上形成由透射导电膜制成的透射电极；和在不平坦层上形成由金属膜制成反射电极。
18.根据权利要求17所述的制造液晶显示设备的方法，其中通过分别用彼此不同的估计曝光量将不平坦层和凸起曝光，来将不平坦层和凸起分别形成为具有彼此不同的高度。
19.根据权利要求17所述的制造液晶显示设备的方法，其中光掩模的一部分包括半透明膜。
20.根据权利要求17所述的制造液晶显示设备的方法，其中对应于不平坦层的光掩模的一部分半透明膜的光透射率与对应于凸起的其另一部分的光透射率彼此不同。
21.根据权利要求17所述的制造液晶显示设备的方法，其中光掩模的一部分包括具有图案宽度小于曝光的分辨率极限的掩模图案。
全文摘要
通过使用光敏有机膜，同时形成不平坦层和用于液晶的多分割取向的凸起，该不平坦层用于形成半透射反射型液晶显示设备的反射区的反射电极。通过使用曝光光敏有机膜的积累光量来调整不平坦层的高度和凸起的高度。不平坦层可用作调整液晶层的厚度的调整层。
文档编号G02F1/1335GK101063779SQ20071010120
公开日2007年10月31日 申请日期2007年4月24日 优先权日2006年4月24日
发明者工藤泰树 申请人:Nec液晶技术株式会社