专利名称：：光致抗蚀剂剥离用组合物和剥离方法以及显示装置的制法的制作方法
技术领域：
：本发明涉及光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的剥离光致抗蚀剂的方法和显示装置的制造方法。
背景技术：
：液晶显示装置利用液晶物质的光学性质、电性质来显示图像。与阴极射线管(CRT)、等离子体显示装置等相比，液晶显示装置具有轻量、低电力、低驱动电压等优点。一般而言，液晶显示装置包括液晶显示面板和对液晶显示面板提供光的光源。液晶显示面板包含薄膜晶体管显示板、滤色器显示板以及位于这些显示板之间的液晶层。由光源产生的光通过液晶层，液晶层调节光的透过率而显示图像。薄膜晶体管显示板包含2个以上的具有层积结构的薄膜晶体管。通过反复进行形成导电性或非导电性薄膜的步骤以及通过使用光致抗蚀剂的照相蚀刻工序将薄膜图案化的步骤，能够形成薄膜晶体管，此时照相蚀刻工序包括在光致抗蚀剂之上施加光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将残留的光致抗蚀剂剥离的步骤。将此时所用的光致抗蚀剂剥离用组合物回收，用过滤器进行过滤后，部分光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用。但是，此时，过滤器仅起到了将与光致抗蚀剂剥离用组合物混合的杂质进行物理分离的作用，因此在光致抗蚀剂剥离用组合物中溶解的光致抗蚀剂残留物不能够被分离。所以，与一次也未使用的原来的光致抗蚀剂剥离用组合物相比较，被再次使用的光致抗蚀剂剥离用组合物的性能降低。
发明内容本发明要解决的课题在于提供一种光致抗蚀剂剥离用组合物，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用，同时性能不降低，并且还提供一种使用这样的光致抗蚀剂剥离用组合物来剥离光致抗蚀剂的方法，以及提供一种使用这样的光致抗蚀剂剥离用组合物来制造显示装置的方法。本发明的技术课题并不受以上所述的技术课题限制，本领域技术人员由以下记载能够明确理解未提及的其他技术课题。本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量°/。98.5重量％砜系化合物、1重量°/。10重量％内酯系化合物以及0.1重量％5重量％烷基磺酸。砜系化合物可以包括选自四氢噻吩-l,l-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l，l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l,l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物。内酯系化合物可以包括选自Y-丁内酯、a-亚甲基-，丁内酯、，己内酯之中的至少一种化合物。烷基磺酸可以包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。砜系化合物可以为四氢噻吩-l，l-二氧化物，内酯系化合物可以为y-丁内酯。本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法包括如下步骤在基板上形成2个以上的光致抗蚀剂图案的步骤；在光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量°/。98.5重量％砜系化合物、1重量％10重量°/。内酯系化合物以及o.i重量％5重量y。烷基磺酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将光致抗蚀剂图案剥离的步骤；将施加到光致抗蚀剂图案上的光致抗蚀剂剥离用组合物回收的步骤以及在臭氧反应器内向回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解的步骤。在将光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后，还可以包括对光致抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，从而将上述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的臭氧除去的步骤。上述砜系化合物包括选自四氢噻吩-l，l-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l，l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l，l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物，上述内酯系化合物包括选自i丁内酯、ct-亚甲基-Y-丁内酯、Y-己内酯之中的至少一种化合物，上述垸基磺酸可以包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸和丁基磺酸之中至少一种化合物。本发明的实施例中的显示装置的制造方法包括形成包含栅极的栅极线的步骤、在栅极线之上形成栅极绝缘膜的步骤、在栅极绝缘膜之上形成半导体层的步骤、在半导体层之上形成与栅极线交叉且含有源极的数据线和与源极对置的漏极的步骤、形成与漏极连接的像素电极的步骤，其中，在形成栅极线的步骤、形成半导体层的步骤、形成数据线和漏极的步骤、形成像素电极的步骤之中的至少一个步骤包括如下步骤形成光致抗蚀剂图案的步骤；在光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量％98.5重量％砜系化合物、1重量°/。10重量。/。内酯系化合物以及0.1重量％5重量％烷基磺酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将光致抗蚀剂图案剥离的步骤；将施加到光致抗蚀剂图案上的光致抗蚀剂剥离用组合物回收的步骤以及向回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解的步上述砜系化合物可以包括选自四氢噻吩-l,l-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l,l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l,l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物；上述内酯系化合物可以包括选自Y-丁内酯、a-亚甲基-Y-丁内酯、y-己内酯之中的至少一种化合物；上述垸基磺酸可以包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。在将光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后，还可以包括对光致抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，将光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的臭氧除去的步骤。即使反复使用光致抗蚀剂剥离用组合物，其剥离性能也不会实质性降低，因此能够减少照相蚀刻工序的成本。图1为表示本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法的流程图。图2为能够在本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法中使用的光致抗蚀剂剥离装置的示意性截面图。图3为显示本发明的<实验例2〉的结果的试片的SEM照片。图4为显示本发明的<实验例3〉的结果的试片的SEM照片。图5为显示本发明的实施例中的显示装置用薄膜晶体管显示板的结构的配置图。图6为沿VI-VI线切断图5的薄膜晶体管显示板而得到的截面图。图7图13为依次说明制造图5和图6的薄膜晶体管显示板的方法的截面图。符号说明10光致抗蚀剂剥离装置17传送机20装载部30卸载部100室102第1池104第2池106第3池107第1隔壁108第2隔壁110,第1槽112第1排出管线114第2排出管线115第l喷嘴116第2喷嘴120，第2槽122第3排出管线124，第3喷嘴126第4喷嘴130第3槽132第5喷嘴134第6喷嘴140，臭氧反应器145臭氧气体注入口147废液排出口150脱气装置155氮气注入口160新液槽170回收管线50掩模110绝缘基板120金属层121栅极线124栅极140栅极绝缘膜154岛形半导体层163、165电阻性接触层164杂质半导体图案171数据线173源极175漏极180保护膜185接触孔191像素电极具体实施例方式其他实施例的具体事项包括在详细的说明和附图中。参照与附图一同在后面详细说明的实施例，可以清楚本发明的优点和特征、实现这些优点和特征的方法。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，能够以相互不同的多种方式实现，但是本实施例完整地公开了本发明，并且本实施例仅是为了使具有本发明所属
技术领域：
中的普通知识的技术人员完全获知发明的范围而提供的，本发明被权利要求的范围所定义。首先，对本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物进行说明。本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物包含砜系(sulfone)化合物、内酯系(lactone)化合物和烷基磺酸(alkylsulfoneacid)。砜系化合物为主剥离剂，起到将光致抗蚀剂剥离的作用。砜系化合物可以选自四氢噻吩-l，l-二氧化物(tetrahydrothiophenel,l-dioxide)、2-甲基四氢噻吩-1，1-二氧化物(2-11^1^^&31^&0^(^1161161，1-dioxide)、四氢噻吩-3-羟基-l，l-二氧化物(tetrahydrothiophene-3-ol-l,l-dioxide)、四氢噻吩亚砜(Tetrahydrothiophene-1-oxide)中的一种以上化合物，其中的四氢噻吩-l,l-二氧化物是特别优选的。相对于光致抗蚀剂剥离用组合物的总量，所述光致抗蚀剂剥离用组合物含有约80重量％约98.5重量°/。的砜系化合物。当砜系化合物的含量小于约80重量％时，无法充分剥离光致抗蚀剂，当砜系化合物的含量大于约98.5重量％时，光致抗蚀剂剥离用组合物的性能不稳定。内酯系化合物起到主剥离剂的辅助作用，并且起到使主剥离剂维持一定的性能的作用。内酯系化合物可以选自，丁内酯("butymlactone)、a-亚甲基-y-丁内酉旨(a-methlyne-，butyrolactone)、y-己内酉旨Cy腳hexanolactone)中的一种以上的化合物，其中的Y-丁内酯是进一步优选的。相对于光致抗蚀剂剥离用组合物的总量，所述光致抗蚀剂剥离用组合物含有约1重量％约10重量％的内酯系化合物。当内酯系化合物的含量小于约1重量％时，光致抗蚀剂剥离用组合物的稳定性降低，当内酯系化合物的含量大于约10重量％时，剥离光致抗蚀剂时产生不良。垸基磺酸不仅起到主剥离剂的辅助作用，而且起到防止金属的腐蚀的作用。烷基磺酸可以选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸、丁基磺酸中的一种以上的化合物，其中的甲基磺酸是优选的。相对于光致抗蚀剂剥离用组合物的总量，所述光致抗蚀剂剥离用组合物含有约0.1重量°/。约5重量°/。垸基磺酸。当垸基磺酸的含量小于约0.1重量％时，光致抗蚀剂剥离用组合物的性能是不稳定的，当烷基磺酸的含量大于约5重量％时，反而会对金属产生损伤。由于本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物具有较高的分解光致抗蚀剂的性能，因而能够再次使用。下面，参照附图对本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法进行具体说明。图1是表示本发明的一实施例中的光致抗蚀剂剥离方法的流程图。在本发明的一实施例中的光致抗蚀剂剥离方法中，首先准备出形成有光致抗蚀剂图案的基板，在光致抗蚀剂图案上施加光致抗蚀剂剥离用组合物(SIO)。接下来，将施加到光致抗蚀剂图案上的光致抗蚀剂剥离用组合物回收(S20)，向回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解(S30)。施加到光致抗蚀剂图案上之前的光致抗蚀剂剥离用组合物包含约80重量％约98.5重量°/。砜系化合物、约1重量°/。约10重量％内酯系化合物以及约0.1重量°/。约5重量％垸基磺酸。图2是表示在本发明的一实施例中的光致抗蚀剂剥离方法中能够使用的光致抗蚀剂剥离装置的示意图。如图2所示，光致抗蚀剂剥离装置10包括室100、传送机17、第1槽110'、第2槽120，、第3槽130、臭氧反应器140'、脱气装置150以及新液槽160。含有光致抗蚀剂图案的显示板P被传送机17输送到室100内。室100的内部被第1隔壁107和第2隔壁108分割，从而能形成2个以上的池，例如，第1池(bath)102、第2池104以及第3池106。并且，室100可以具有喷射光致抗蚀剂剥离用组合物的第1第6喷嘴115、116、124'、126、132、134。传送机17起到将显示板P供给到室100的内部的作用，优选显示板P具有一定的斜度地通过室100的内部。从最初被固定的装载(load)部20开始经过室100到显示板P被排出的卸载(unload)部30为止，显示板P能够被连续移动。显示板P可以连续通过各池，或者可以在喷射光致抗蚀剂剥离用组合物期间在各池停留一定时间后向下一池移动。喷射到显示板P上的光致抗蚀剂剥离用组合物在重力的作用下流到各池底。传送机17从装载部20到卸载部30具有一定斜度时，通过喷嘴喷射出的光致抗蚀剂剥离用组合物与显示板P均匀接触，由此易于进行工序控制。并且，能够防止光致抗蚀剂剥离用组合物因显示板的凹陷(sag)等而残留在显示板上。当室100包含2个以上池时，光致抗蚀剂剥离是容易的，并且能够根据光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂残留物的浓度进行分类后回收光致抗蚀剂剥离用组合物。传送机17可以使用辊型传送机17，使得液体光致抗蚀剂剥离用组合物容易被排出，此外也可以使用能使显示板P在室100内部移动的其他输送手段。作为显示板P具有一定斜度地在室100内部移动的方法，有使传送机17本身相对于水平面倾斜一定角度的方法。作为其他方法，可以在平行传送机之上使用具有一定倾斜角的支撑台(未图示)。支撑台的下表面与传送机17相接，显示板P与支撑台的上表面相接。支撑台可以具有楔形形状，以使支撑台的上表面倾斜。具体地说，显示板P从装载部20移动到室100的第1池102。第1池102被室100的壁和第1隔壁107所限定，第1池102具有喷射光致抗蚀剂剥离用组合物的第1喷嘴115和第2喷嘴116。第1喷嘴115起到喷射光致抗蚀剂剥离用组合物(用于将显示板P的光致抗蚀剂剥离)的作用，垂直或以一定角度向显示板P的上表面喷射光致抗蚀剂剥离用组合物。为了将流到显示板P的下表面的光致抗蚀剂剥离，第2喷嘴116向显示板P的下表面喷射光致抗蚀剂剥离用组合物。第2喷嘴116的喷射量可以少于第1喷嘴115的喷射量。第1喷嘴115和第2喷嘴116喷射出的光致抗蚀剂剥离用组合物将形成在显示板P上的光致抗蚀剂图案溶解，然后流到第1池102的底部，通过第1排出管线112流入第1槽110'。第1槽110，的光致抗蚀剂剥离用组合物与由第2槽120'供给的光致抗蚀剂剥离用组合物混合，再次通过第1喷嘴115和第2喷嘴116被喷射到在第1池102中的显示板P上。在第1池102中进行了光致抗蚀剂图案的一次剥离，然后，显示板P被移动到第2池104。向显示板P喷射由第2槽120'供给的光致抗蚀剂剥离用组合物。第2池104具有将由第2槽120'供给的光致抗蚀剂剥离用组合物喷射到显示板P上的第3喷嘴124'和第4喷嘴126。第3喷嘴124'和第4喷嘴126的喷射方式与第1喷嘴115和第2喷嘴116实质相同。但是，喷射的光致抗蚀剂剥离用组合物由第2槽120'供给，因此所含有的光致抗蚀剂成分等杂质的量少于储存在第1槽iio，内的光致抗蚀剂剥离用组合物中的杂质含量。在第2池104中喷射到显示板P上的光致抗蚀剂剥离用组合物流到第2池104的底部，通过第2排出管线114流入第1槽110'中。在第2池104中进行了光致抗蚀剂图案的二次剥离后，显示板P移动到第3池106。由第3槽130供给的光致抗蚀剂剥离用组合物被喷射到显示板P上。第3池106具有将由第3槽130供给的光致抗蚀剂剥离用组合物喷射到显示板P上的第5喷嘴132和第6喷嘴134。第5喷嘴132和第6喷嘴134的喷射方式与上述的第1喷嘴115和第2喷嘴116的喷射方式实质相同。但是，由于喷射的光致抗蚀剂剥离用组合物由第3槽130供给，因此与第1槽110'和第2槽120'的光致抗蚀剂剥离用组合物相比，喷射出的由第3槽130供给的光致抗蚀剂剥离用组合物含有较少的杂质。这是因为，为了再次使用而进行了臭氧处理的光致抗蚀剂剥离用组合物和由新液槽160供给的新的光致抗蚀剂剥离用组合物流入第3槽130。在第3池106中喷射到显示板P上的光致抗蚀剂剥离用组合物流到第3池106的底部，通过第3排出管线122流入第2槽120'中。光致抗蚀剂剥离装置的室100具有三个池，但是池的个数根据需要还可以增加，也可以减少。光致抗蚀剂剥离用组合物和储存光致抗蚀剂剥离用组合物的储存罐的排列也可以根据需要进行变化。储存于第1槽110'中的光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂浓度相对较高，这是因为，在第1池102中喷射到显示板P上的光致抗蚀剂剥离用组合物通过第1排出管线112而流入第1槽110'中，在第2池103中喷射到显示板P上的光致抗蚀剂剥离用组合物通过第2排出管线114而流入第I槽110'中。第1槽110'的光致抗蚀剂剥离用组合物的一部分通过第1池102的第1和第2喷嘴115、116喷射到显示板P上，其余的光致抗蚀剂剥离用组合物被排出到臭氧反应器140'中。当光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂残留物浓度高于基准以上时，光致抗蚀剂剥离用组合物不供给到臭氧反应器140'中，而在第1槽110'中通过废液排出口147排出。臭氧反应器MO'起到从己用过的光致抗蚀剂剥离用组合物中分离光致抗蚀剂残留物，使光致抗蚀剂剥离用组合物再生的作用。光致抗蚀剂为有机被膜，光致抗蚀剂通过化学湿式过程被光致抗蚀剂剥离用组合物剥离，因此使用过的光致抗蚀剂剥离用组合物中溶解有光致抗蚀剂成分。即使使用过的光致抗蚀剂剥离用组合物含有一定量的光致抗蚀剂残留物，也能够实现再次将光致抗蚀剂膜剥离的功能，但光致抗蚀剂剥离用组合物中所包含的杂质将显示板P污染，在剥离光致抗蚀剂膜时效率降低。因此，在本发明中，为了将使用过的光致抗蚀剂剥离用组合物中的有机物分离，使用臭氧(03)气体。臭氧是比过氧化氢更强的氧化剂，在溶液内不生成新的反应产物。臭氧反应器140'的内部具有容纳使用过的光致抗蚀剂剥离用组合物的空间，并具有向光致抗蚀剂剥离用组合物供给臭氧气体的臭氧气体注入口145。如果向含有光致抗蚀剂残留物的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，则溶解或分散在光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂残留物就会被分解为有机酸，并生成二氧化碳(C02)和水(H20)。臭氧气体的溶解度比氧气大数倍至数十倍的程度，因此只要使臭氧气体以气体状态通过光致抗蚀剂剥离用组合物，就能够较容易地与光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂残留物反应。当再次使用光致抗蚀剂剥离用组合物时，光致抗蚀剂剥离用组合物中残留的有机酸起到添加剂的作用，能够使剥离光致抗蚀剂的效率提高。脱气装置150起到将经臭氧处理的光致抗蚀剂剥离用组合物中残留的臭氧除去的作用。臭氧能够溶解有机被膜，因此还能够使光致抗蚀剂剥离时的效率提高，但是臭氧作为强氧化剂发挥作用，因此当将存在残留臭氧的光致抗蚀剂剥离用组合物喷射到显示板上时，有可能会损伤显示板。因此，优选从再生后的光致抗蚀剂剥离用组合物中除去残留臭氧。脱气装置150具有将在臭氧反应器140'中进行了臭氧处理的光致抗蚀剂剥离用组合物容纳的空间，并且具有供给氮(N2)气的氮气注入口155。只要向含有臭氧的光致抗蚀剂剥离用组合物之中供给氮气，臭氧就被分解，生成氧气和水。如此再生出的光致抗蚀剂剥离用组合物通过回收管线170而被供给到第3槽130中，必要时与由新液槽160供给的新的光致抗蚀剂剥离用组合物混合，混合后的光致抗蚀剂剥离用组合物在第3池106中被喷射到显示板P上。因此，显示板P被排出到卸载部30之前，被杂质含量较少的光致抗蚀剂剥离用组合物清洗。在本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法中，向使用过的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而能够再次使用光致抗蚀剂剥离用组合物。并且，此时使用过的上述光致抗蚀剂剥离用组合物比较耐臭氧气体，因此供给臭氧气体时光致抗蚀剂剥离用组合物的成分本身不发生性质变化，也不出现功能弱化，从而能够选择性地仅将与光致抗蚀剂剥离用组合物混在的光致抗蚀剂残留物除去。因而，即使将光致抗蚀剂剥离用组合物数次再生并使用，其功能也不降低，由此能够显著降低照相蚀刻工序中所需的费用。以下，通过具体的实验例对本发明的一实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物的性能进行说明。<实施例1>将约94.8重量％四氢噻吩-1，1-二氧化物、约5重量％1丁内酯、约0.2重量％烷基磺酸混合，制备出光致抗蚀剂剥离用组合物。<实验例1-光致抗蚀剂分解性能评价>在实施例1的光致抗蚀剂剥离用组合物中混合粉末形态的光致抗蚀剂，进行搅拌，制备出光致抗蚀剂的含量为总重量的约5重量％的溶液。将混合溶液装入反应器，加入臭氧气体，对从加入臭氧气体的时刻起经过3小时后的光致抗蚀剂含量、经过5小时后的光致抗蚀剂含量进行测定。由此得到的结果示于下表l。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>参照表1可知，当向实施例1的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧时，光致抗蚀剂被较快地分解。为了确认本发明的一实施例中对光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂的分解性能，而设定表1的初始光致抗蚀剂含量高于实际工序中用过的光致抗蚀剂剥离用组合物中的光致抗蚀剂浓度。因而，在本发明的一实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物在实际光致抗蚀剂剥离工序中也能够具有优异的性能。<实验例2-光致抗蚀剂剥离性能评价>考察本发明的实施例1中的抗蚀剂剥离性能，以玻璃作为用于此目的的试片，在该玻璃之上涂布DTFR-3650B(东进世美肯，正性抗蚀剂)后，对在约150'C烘焙约10分钟(试片l)和在约16(TC烘焙约10分钟(试片2)后的抗蚀剂剥离时间进行测定，试片尺寸为约2cmx4cm，对各试片的剥离完成时间进行测定。并且，为了考察臭氧处理前后的抗蚀剂剥离性能的变化，对实施例的组合物进行约5小时臭氧处理后，再次实施本实验。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>该结果可以通过表2和图3确认，图3为显示本发明的<实验例2>的结果的试片的SEM照片。参考表2和图3可知，臭氧处理后剥离性能得到提高，用显微镜观察试片时未观察到残留物。可知即使当本发明的实施例1中的光致抗蚀剂剥离用组合物被再次使用时，也不形成残留物，具有优异的光致抗蚀剂剥离性能。<实验例3-光致抗蚀剂剥离用组合物的稳定性评价>考察本发明的实施例1中的光致抗蚀剂剥离用组合物在工艺中应用时对导线金属有无腐蚀，以玻璃显示板作为用于此目的的试片，在该玻璃显示板之上依次薄膜蒸镀钼和铝200A、2000A，用DTFR-3650B在薄膜蒸镀后的试片上形成导线形状后，用湿式蚀刻法对试片进行蚀刻(试片3)。试片尺寸为约2cmx4cm，于约7(TC将各组合物有机化后，使试片浸渍约30分钟，用纯水清洗浸渍后的试片，然后通过扫描电子显微镜(SEM)观察下部膜质有无腐蚀。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>该结果可以通过表3和图4确认，图4为显示本发明的<实验例3>的结果的试片的SEM照片。参照表3和图4可知，对导线金属完全没有腐蚀。如此可知，即使当本发明的实施例1中的光致抗蚀剂剥离用组合物被再次使用时，也具有对导线金属不发生腐蚀的优异稳定性。本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法不仅能够用于如液晶显示装置那样的平板显示屏的制造，而且还能够用于存储器半导体显示板等的制造。并且，本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离方法也能够用于利用照相蚀刻工序而制造出的其他电子装置的制造。以下，对使用上述的本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物来制造显示装置的方法进行说明。图5是显示本发明的实施例中的显示装置用薄膜晶体管显示板的结构的配置图，图6是沿VI-VI线切断图5的薄膜晶体管显示板而显示出的截面图。在绝缘基板110之上形成有传递栅极信号的2条以上的栅极线121。栅极线121横向延伸，各栅极线121的一部分形成2个以上的栅极124。用钼(Mo)、铝(A1)、铜(Cu)等金属制造栅极线121。此外，虽未图示，但栅极线121可以包含用钼(Mo)或钼合金制造出的下部膜和用铝(Al)或在铝中添加有钕(Nd)的铝合金(ANd)制造出的上部膜。在栅极线121之上形成有栅极绝缘膜140，在栅极绝缘膜140之上形成有岛形半导体层154和电阻性接触层163、165。在电阻性接触层163、165和栅极绝缘膜140之上分别形成有2条以上的数据线171和2个以上的漏极175。数据线171纵向延伸并与栅极线121交叉，传递数据电压。由各数据线171向漏极175延伸的2个以上的支线形成源极173。作为一对电极的源极173与漏极175相互分离，相对于栅极124，两者位于相反侧。包含源极173的数据线171和漏极175可以用钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)等金属制造。此夕卜，虽未图示，但可以是Mo/Al/Mo结构，该结构包含含有铝或铝合金的中间膜、分别位于中间膜的下部和上部且含有钼或钼合金的下部膜和上部膜。栅极124、源极173和漏极175与岛形半导体层154—起形成薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)，薄膜晶体管的通道(channel)被形成在源极173与漏极175之间的岛形半导体层154上。在数据线171和漏极175之上形成有具有接触孔185的保护膜180，在保护膜180之上形成有像素电极191。以下，参照图7图13以及图5和图6，对根据本发明的实施例制造图5和图6所示的薄膜晶体管显示板的方法进行详细说明。并且，图7图13为依次说明根据本发明的实施例制造图5和图6的薄膜晶体管显示板的方法的截面图。首先，如图7所示，利用栅极导线用导电物质，在绝缘基板110之上层积金属层120。其后，如图8所示，在金属层120之上用旋转涂布方法涂布光致抗蚀剂40，使用包含透光部分50a和遮光部分50b的掩模50来进行曝光，然后进行显影。接着，如图9所示，对不包括残留有光致抗蚀剂图案40a的部分的区域的金属层120进行蚀刻。然后，在光致抗蚀剂图案40a之上施用上述实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物，将光致抗蚀剂图案40a剥离。如图10所示，由此形成包含栅极124的栅极线(未图示)。接下来，如图11图13所示，形成栅极绝缘膜140、岛形半导体层154和杂质半导体图案164，并形成源极173和漏极175。接下来，通过将未被源极173和漏极175覆盖而露出的杂质半导体层部分除去，由此完成2个以上的岛形电阻性接触层163、165，另一方面，使岛形电阻性接触层163、165之下的岛形半导体154露出。其后，形成包含将漏极175露出的接触孔185的保护膜180，如图6所示，在保护膜1S0之上形成像素电极191。在形成岛形半导体层154、杂质半导体图案164、源极173、漏极175以及保护膜180时，虽未图示，但是如形成栅极124时那样，形成光致抗蚀剂图案，利用本发明的实施例中的光致抗蚀剂剥离用组合物将光致抗蚀剂图案40a剥离，形成岛形半导体层154、杂质半导体图案164、源极173、漏极175和保护膜180。各步骤中使用的光致抗蚀剂剥离用组合物通过上述的光致抗蚀剂剥离装置得到回收，向回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将光致抗蚀剂杂质分解。接着，通过将光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的臭氧除去，从而能够与上述的实施例同样地将光致抗蚀剂剥离用组合物再生。以上，参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是具有本发明所属
技术领域：
的普通知识的技术人员能够理解的是，在不改变本发明的技术思想和必要特征的情况下，能够以其他的具体方式实施本发明。因此，必须将以上记载的实施例理解为在所有方面给出例示的例子，并不是限定性的例子。权利要求1.一种光致抗蚀剂剥离用组合物，该组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离用组合物，其中，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-l，l-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l,l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l，l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物。3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离用组合物，其中，所述内酯系化合物包括选自y-丁内酯、a-亚甲基i-丁内酯、y-己内酷之中的至少一种化合物。4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂剥离用组合物，其中，所述垸基磺酸包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。5.如权利要求2或3所述的光致抗蚀剂剥离用组合物，其中，所述砜系化合物为四氢噻吩-U-二氧化物，所述内酯系化合物为y-丁内酯。6.—种光致抗蚀剂剥离方法，该方法包括如下步骤在基板上形成2个以上的光致抗蚀剂图案的步骤；在所述光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量％98.5重量％砜系化合物、1重量％10重量°/。内酯系化合物以及0.1重量％5重量。/c垸基磺酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将所述光致抗蚀剂图案剥离的步骤；将施加到所述光致抗蚀剂图案上的所述光致抗蚀剂剥离用组合物回收的步骤；以及在臭氧反应器内将臭氧气体加入到所述回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解的步骤。7.如权利要求6所述的光致抗蚀剂剥离方法，其中，所述光致抗蚀剂剥离方法在将所述光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后还包括如下步骤对所述光致抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的臭氧除去。8.如权利要求6所述的光致抗蚀剂剥离方法，其中，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-U-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l，l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l,l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自Y-丁内酯、a-亚甲基个丁内酯、，己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸和丁基磺酸之中的至少一种化合物。9.一种显示装置的制造方法，所述制造方法包括形成包含栅极的栅极线的步骤、在所述栅极线之上形成栅极绝缘膜的步骤、在所述栅极绝缘膜之上形成半导体层的步骤、在所述半导体层之上形成与所述栅极线交叉且包含源极的数据线以及与所述源极对置的漏极的步骤、形成与所述漏极连接的像素电极的步骤，其中，在形成所述栅极线的步骤、形成所述半导体层的步骤、形成所述数据线和所述漏极的步骤、形成所述像素电极的步骤之中的至少一个步骤包括如下步骤形成光致抗蚀剂图案的步骤；在所述光致抗蚀剂图案之上施加含有80重量％98.5重量％砜系化合物、1重量％10重量％内酯系化合物以及0.1重量％5重量％垸基磺酸的光致抗蚀剂剥离用组合物，从而将所述光致抗蚀剂图案剥离的步骤；将施加到所述光致抗蚀剂图案上的所述光致抗蚀剂剥离用组合物回收的步骤；以及向所述回收的光致抗蚀剂剥离用组合物中加入臭氧气体，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的光致抗蚀剂杂质分解的步骤。10.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩-U-二氧化物、2-甲基四氢噻吩-l,l-二氧化物、四氢噻吩-3-羟基-l，l-二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自Y-丁内酯、a-亚甲基个丁内酯、Y-己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。11.如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述制造方法在将所述光致抗蚀剂杂质分解的步骤之后还包括如下步骤对所述光致抗蚀剂剥离用组合物进行脱气，从而将所述光致抗蚀剂剥离用组合物中所含有的臭氧除去。全文摘要本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。文档编号G03F7/42GK101424888SQ20081017480公开日2009年5月6日申请日期2008年10月31日优先权日2007年11月1日发明者尹锡壹,朴弘植,李智鲜,李炳珍,洪瑄英,许舜范,辛成健,郑锺铉,金俸均,金圣培,金柄郁申请人:东进世美肯株式会社